JPH1116930A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止シートを用いた樹脂封止型半導体装置の
封止工程では、封止シート自体に熱収縮によりシワが発
生したり、外部電極となるインナーリード部の側面に深
い溝が形成されるため、インナーリード部側面を保持す
る封止樹脂との面積が少なくなりインナーリードの密着
強度が弱くなるという問題があった。 【解決手段】 封止金型１２の下金型１２ｂ上に対し
て、半導体素子２が接合されたリードフレームが載置さ
れている。そしてインナーリード部１の底面側の封止シ
ート６面を封止金型面に押圧して、封止樹脂７により樹
脂封止を行う場合においては、下金型１２ｂの内部に形
成された真空引き装置１３により、封止シート６を真空
引きして均一に延ばした状態を維持することにより、樹
脂封止時の熱収縮による封止シート６のシワ発生を防止
することができる。これにより樹脂成形された半導体装
置裏面の樹脂部が平坦に形成されるものである。
封止工程では、封止シート自体に熱収縮によりシワが発
生したり、外部電極となるインナーリード部の側面に深
い溝が形成されるため、インナーリード部側面を保持す
る封止樹脂との面積が少なくなりインナーリードの密着
強度が弱くなるという問題があった。 【解決手段】 封止金型１２の下金型１２ｂ上に対し
て、半導体素子２が接合されたリードフレームが載置さ
れている。そしてインナーリード部１の底面側の封止シ
ート６面を封止金型面に押圧して、封止樹脂７により樹
脂封止を行う場合においては、下金型１２ｂの内部に形
成された真空引き装置１３により、封止シート６を真空
引きして均一に延ばした状態を維持することにより、樹
脂封止時の熱収縮による封止シート６のシワ発生を防止
することができる。これにより樹脂成形された半導体装
置裏面の樹脂部が平坦に形成されるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
したリードフレームの外囲、特に半導体素子が搭載され
た面を封止樹脂で封止し、底面に外部電極を露出させた
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
したリードフレームの外囲、特に半導体素子が搭載され
た面を封止樹脂で封止し、底面に外部電極を露出させた
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、半導体部品の高密度実装が要求され、それにともな
って半導体装置の小型、薄型化が進んでいる。
に、半導体部品の高密度実装が要求され、それにともな
って半導体装置の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法とそれに用いる封止用金型の構造について説明す
る。
方法とそれに用いる封止用金型の構造について説明す
る。
【０００４】まず従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図９
は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図９
は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
【０００５】図３に示すように、少なくともインナーリ
ード部１と、そのインナーリード部１により包囲された
半導体素子２を支持する領域であるダイパッド部３とを
有したリードフレーム４を用意する。なお図中、ダイパ
ッド部３は吊りリード部によって支持されているもので
あるが省略している。また吊りリード部にはディプレス
部が形成され、ダイパッド部３はインナーリード部１の
面よりも上方にアップセットされているものである。ま
た用意するリードフレーム４は、樹脂封止の際、封止樹
脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレー
ムである。なお、ダイパッド部３は接合するべき半導体
素子よりも小さい形状で構成されている。
ード部１と、そのインナーリード部１により包囲された
半導体素子２を支持する領域であるダイパッド部３とを
有したリードフレーム４を用意する。なお図中、ダイパ
ッド部３は吊りリード部によって支持されているもので
あるが省略している。また吊りリード部にはディプレス
部が形成され、ダイパッド部３はインナーリード部１の
面よりも上方にアップセットされているものである。ま
た用意するリードフレーム４は、樹脂封止の際、封止樹
脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレー
ムである。なお、ダイパッド部３は接合するべき半導体
素子よりも小さい形状で構成されている。
【０００６】次に図４に示すように、用意したリードフ
レームに対して、半導体素子２をそのダイパッド部３上
に接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイボ
ンド工程である。
レームに対して、半導体素子２をそのダイパッド部３上
に接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイボ
ンド工程である。
【０００７】次に図５に示すように、ダイパッド部３上
に接合した半導体素子２とインナーリード部１とを金属
細線５により電気的に接合する。この工程は、いわゆる
ワイヤーボンド工程である。
に接合した半導体素子２とインナーリード部１とを金属
細線５により電気的に接合する。この工程は、いわゆる
ワイヤーボンド工程である。
【０００８】次に図６に示すように、ダイパッド部３上
に半導体素子２が接合されたリードフレームに対して、
その底面側に封止シート６を貼り付ける。この封止シー
ト６の貼り付けは、特にインナーリード部１の底面側に
樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするための
ストッパー的な役割のためのものであり、インナーリー
ド部１の底面に樹脂バリの形成を防止するためのもので
ある。また、この封止シート６の貼り付けは、リードフ
レーム４のインナーリード部１の面にのみ接着させて、
リードフレーム４の底面側全体に貼り付けるものであ
り、吊りリード部のディプレス部によりアップセットさ
れたダイパッド部３には密着させないものである。
に半導体素子２が接合されたリードフレームに対して、
その底面側に封止シート６を貼り付ける。この封止シー
ト６の貼り付けは、特にインナーリード部１の底面側に
樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするための
ストッパー的な役割のためのものであり、インナーリー
ド部１の底面に樹脂バリの形成を防止するためのもので
ある。また、この封止シート６の貼り付けは、リードフ
レーム４のインナーリード部１の面にのみ接着させて、
リードフレーム４の底面側全体に貼り付けるものであ
り、吊りリード部のディプレス部によりアップセットさ
れたダイパッド部３には密着させないものである。
【０００９】次に図７に示すように、半導体素子２が接
合され、封止シート６が貼り付けられたリードフレーム
に対して、封止樹脂７により樹脂封止を行う。この場
合、リードフレームは封止用の金型（図示せず）内に収
納されて、トランスファーモールドされるものである
が、特にインナーリード部１の底面部分に封止樹脂７が
回り込まないように、封止金型（上金型）でリードフレ
ーム４のインナーリード部１の先端の延在部分８を押圧
して、樹脂封止するものである。またインナーリード部
１の底面側の封止シート６面を封止金型（下金型）面に
押圧して封止樹脂により樹脂封止を行うものである。樹
脂封止の際には、その樹脂封止の際の熱により、インナ
ーリード部１の底面に貼付した封止シート６がその内側
に厚さ分だけ熱収縮により入り込み、インナーリード部
１の底面側には、封止樹脂７が段差９を形成することに
なる。したがって、インナーリード部１の底面は封止樹
脂７の底面から突出した構造となり、インナーリード部
１はスタンドオフ高さを確保できるものである。そのた
め、この突出したインナーリード部１はそのまま外部電
極として用いることができるようになる。
合され、封止シート６が貼り付けられたリードフレーム
に対して、封止樹脂７により樹脂封止を行う。この場
合、リードフレームは封止用の金型（図示せず）内に収
納されて、トランスファーモールドされるものである
が、特にインナーリード部１の底面部分に封止樹脂７が
回り込まないように、封止金型（上金型）でリードフレ
ーム４のインナーリード部１の先端の延在部分８を押圧
して、樹脂封止するものである。またインナーリード部
１の底面側の封止シート６面を封止金型（下金型）面に
押圧して封止樹脂により樹脂封止を行うものである。樹
脂封止の際には、その樹脂封止の際の熱により、インナ
ーリード部１の底面に貼付した封止シート６がその内側
に厚さ分だけ熱収縮により入り込み、インナーリード部
１の底面側には、封止樹脂７が段差９を形成することに
なる。したがって、インナーリード部１の底面は封止樹
脂７の底面から突出した構造となり、インナーリード部
１はスタンドオフ高さを確保できるものである。そのた
め、この突出したインナーリード部１はそのまま外部電
極として用いることができるようになる。
【００１０】最後にインナーリード部１の底面に貼付し
た封止シート６をピールオフにより除去し、封止樹脂７
の底面より突出したインナーリード部１を形成する。そ
してリードフレーム４のインナーリード部１の先端の延
在部分８をリードフレーム４より切断し、インナーリー
ド部１の先端面と封止樹脂７の側面とをほぼ同一面に
し、外部電極１０を形成して、図８に示すような樹脂封
止型半導体装置が完成するものである。
た封止シート６をピールオフにより除去し、封止樹脂７
の底面より突出したインナーリード部１を形成する。そ
してリードフレーム４のインナーリード部１の先端の延
在部分８をリードフレーム４より切断し、インナーリー
ド部１の先端面と封止樹脂７の側面とをほぼ同一面に
し、外部電極１０を形成して、図８に示すような樹脂封
止型半導体装置が完成するものである。
【００１１】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法で用いる樹脂封止用の金型構造について、図面を参照
しながら説明する。図９は、従来の樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止用の金型を示す断面図である。
法で用いる樹脂封止用の金型構造について、図面を参照
しながら説明する。図９は、従来の樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止用の金型を示す断面図である。
【００１２】図９に示すように、従来の樹脂封止型半導
体装置の封止金型１１は、上型１１ａと下型１１ｂとよ
りなり、下型１１ｂの表面が平坦になっており、樹脂封
止時において、半導体素子２がダイパッド部３に接合さ
れたリードフレーム４の底面に密着させる封止シート６
の熱収縮により、インナーリード部１の側面に封止シー
ト６が入り込み、形成される外部電極が封止樹脂７の底
面側よりも突出した形状に形成される構造となってい
る。
体装置の封止金型１１は、上型１１ａと下型１１ｂとよ
りなり、下型１１ｂの表面が平坦になっており、樹脂封
止時において、半導体素子２がダイパッド部３に接合さ
れたリードフレーム４の底面に密着させる封止シート６
の熱収縮により、インナーリード部１の側面に封止シー
ト６が入り込み、形成される外部電極が封止樹脂７の底
面側よりも突出した形状に形成される構造となってい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置の製造方法では、封止シートの厚み
が薄い場合、封止シートの熱収縮が激しいために、樹脂
封止時にその封止シートにシワが発生し、樹脂封止後
（成形後）の樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部にシ
ワがそのまま転写され、そのシワによる凹凸が形成され
るという問題があった。
脂封止型半導体装置の製造方法では、封止シートの厚み
が薄い場合、封止シートの熱収縮が激しいために、樹脂
封止時にその封止シートにシワが発生し、樹脂封止後
（成形後）の樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部にシ
ワがそのまま転写され、そのシワによる凹凸が形成され
るという問題があった。
【００１４】また逆に封止シートの厚みが厚い場合、外
部電極となるインナーリード部の側面に封止シートが熱
収縮により入り込んで、深い溝が形成されるため、イン
ナーリード部側面を保持する封止樹脂との面積が少なく
なり、インナーリード部の密着強度が弱くなるという問
題があった。
部電極となるインナーリード部の側面に封止シートが熱
収縮により入り込んで、深い溝が形成されるため、イン
ナーリード部側面を保持する封止樹脂との面積が少なく
なり、インナーリード部の密着強度が弱くなるという問
題があった。
【００１５】本発明は前記従来のように封止シートの厚
みによって発生していた種々の課題を解決するもので、
封止シートの厚みに依存することなく、熱収縮による封
止シートのシワ発生を防止し、さらに樹脂封止型半導体
装置のインナーリード部の側面に形成される溝の深さ、
すなわち樹脂封止時の熱収縮によってインナーリード部
の側面に入り込む封止シートの量をコントロールするこ
とが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
みによって発生していた種々の課題を解決するもので、
封止シートの厚みに依存することなく、熱収縮による封
止シートのシワ発生を防止し、さらに樹脂封止型半導体
装置のインナーリード部の側面に形成される溝の深さ、
すなわち樹脂封止時の熱収縮によってインナーリード部
の側面に入り込む封止シートの量をコントロールするこ
とが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、基本的には、半導体素子が接合されたリードフレー
ムのその半導体素子が接合された面を封止樹脂で封止す
る片面封止の際の樹脂封止工法に特徴を有するものであ
り、半導体素子が接合されたリードフレームに対して、
封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封止する樹脂
封止型半導体装置の製造方法であって、封止シートをリ
ードフレームに密着させて樹脂封止する際、封止シート
を延張した状態で樹脂封止するものである。具体的に
は、樹脂封止する際、用いる封止金型内に略均等間隔で
設けた複数の真空引き装置により封止シートを吸着し、
そして封止シートを均一に延張した状態で樹脂封止する
ものである。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、基本的には、半導体素子が接合されたリードフレー
ムのその半導体素子が接合された面を封止樹脂で封止す
る片面封止の際の樹脂封止工法に特徴を有するものであ
り、半導体素子が接合されたリードフレームに対して、
封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封止する樹脂
封止型半導体装置の製造方法であって、封止シートをリ
ードフレームに密着させて樹脂封止する際、封止シート
を延張した状態で樹脂封止するものである。具体的に
は、樹脂封止する際、用いる封止金型内に略均等間隔で
設けた複数の真空引き装置により封止シートを吸着し、
そして封止シートを均一に延張した状態で樹脂封止する
ものである。
【００１７】また、封止シートをリードフレームに密着
させて樹脂封止する際、封止シートのリードフレームの
インナーリード部に当接する部分を封止金型に設けた凹
部に逃がした状態で樹脂封止するものである。具体的に
は、封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止
する際、封止金型においては、リードフレームのインナ
ーリード部に密着する封止シートに当接する部分に凹部
が形成された封止金型を用い、樹脂封止時は封止シート
のインナーリード部に当接する部分をその凹部側に逃が
した状態で樹脂封止するものである。さらには、前記し
た手段の組み合わせによるものである。
させて樹脂封止する際、封止シートのリードフレームの
インナーリード部に当接する部分を封止金型に設けた凹
部に逃がした状態で樹脂封止するものである。具体的に
は、封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止
する際、封止金型においては、リードフレームのインナ
ーリード部に密着する封止シートに当接する部分に凹部
が形成された封止金型を用い、樹脂封止時は封止シート
のインナーリード部に当接する部分をその凹部側に逃が
した状態で樹脂封止するものである。さらには、前記し
た手段の組み合わせによるものである。
【００１８】前記構成の通り、封止シートを金型内で真
空引きし、均一に延ばした状態を維持しながら樹脂封止
することにより、樹脂封止時の熱収縮による封止シート
のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂成
形された樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂が平坦に形
成されるものである。また、樹脂封止の際、凹部を有し
た封止金型を用いることにより、樹脂封止時には、封止
シートの一部がその凹部に逃げ込むので、熱収縮により
インナーリード部の側面部分に入り込む封止シートの量
を減らし、インナーリード部の側面に形成される溝を浅
くし、インナーリード部の側面部と封止樹脂との密着面
積を多くし、インナーリード部と封止樹脂との密着強度
を強くできるものである。さらに前記構成の組み合わせ
によっても、封止シートのシワ発生の防止、リード側面
に封止シートの食い込みにより形成される深い溝の防止
を達成できるものである。
空引きし、均一に延ばした状態を維持しながら樹脂封止
することにより、樹脂封止時の熱収縮による封止シート
のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂成
形された樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂が平坦に形
成されるものである。また、樹脂封止の際、凹部を有し
た封止金型を用いることにより、樹脂封止時には、封止
シートの一部がその凹部に逃げ込むので、熱収縮により
インナーリード部の側面部分に入り込む封止シートの量
を減らし、インナーリード部の側面に形成される溝を浅
くし、インナーリード部の側面部と封止樹脂との密着面
積を多くし、インナーリード部と封止樹脂との密着強度
を強くできるものである。さらに前記構成の組み合わせ
によっても、封止シートのシワ発生の防止、リード側面
に封止シートの食い込みにより形成される深い溝の防止
を達成できるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しな
がら説明する。
装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しな
がら説明する。
【００２０】図１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す図であり、図１（ａ）は樹脂封止型半
導体装置の製造方法で使用する封止用金型（下金型）の
平面図で、図１（ｂ）は樹脂封止の状態を示した封止用
金型の断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ１箇所に相当
する断面を示している。
の製造方法を示す図であり、図１（ａ）は樹脂封止型半
導体装置の製造方法で使用する封止用金型（下金型）の
平面図で、図１（ｂ）は樹脂封止の状態を示した封止用
金型の断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ１箇所に相当
する断面を示している。
【００２１】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法では、封止金型１２は上金型１
２ａと下金型１２ｂとよりなり、下金型１２ｂ上に、イ
ンナーリード部１を有し、ダイパッド部３上に載置、接
合された半導体素子２が金属細線５で電気的に接続され
たリードフレームが載置されている。そしてインナーリ
ード部１の底面側の封止シート６面を封止金型面に押圧
して、封止樹脂７により樹脂封止を行う場合において
は、封止金型１２の下金型１２ｂの内部に形成された４
ケ所の真空引き装置１３により、封止シート６を金型内
で４方向に真空引きし、均一に延ばした状態を維持する
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止シート６の
シワ発生を防止することができる。その結果、樹脂成形
された樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂が平坦に形成
されるものである。このメカニズムは、樹脂封止の際、
封止シート６が熱収縮を起こし、縮まろうとする作用に
対して、真空引き装置１３の真空により封止シート６の
収縮を抑制し、封止シート６に延張状態を与えることに
より、シワの発生を防止し、封止シート６と接する封止
樹脂７面を平坦にするものである。
型半導体装置の製造方法では、封止金型１２は上金型１
２ａと下金型１２ｂとよりなり、下金型１２ｂ上に、イ
ンナーリード部１を有し、ダイパッド部３上に載置、接
合された半導体素子２が金属細線５で電気的に接続され
たリードフレームが載置されている。そしてインナーリ
ード部１の底面側の封止シート６面を封止金型面に押圧
して、封止樹脂７により樹脂封止を行う場合において
は、封止金型１２の下金型１２ｂの内部に形成された４
ケ所の真空引き装置１３により、封止シート６を金型内
で４方向に真空引きし、均一に延ばした状態を維持する
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止シート６の
シワ発生を防止することができる。その結果、樹脂成形
された樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂が平坦に形成
されるものである。このメカニズムは、樹脂封止の際、
封止シート６が熱収縮を起こし、縮まろうとする作用に
対して、真空引き装置１３の真空により封止シート６の
収縮を抑制し、封止シート６に延張状態を与えることに
より、シワの発生を防止し、封止シート６と接する封止
樹脂７面を平坦にするものである。
【００２２】また封止金型１２の下金型１２ｂ上の真空
引き装置１３につながる真空溝１４は、封止シート６の
伸び率を考慮して、その溝の深さや幅を形成することが
望ましい。
引き装置１３につながる真空溝１４は、封止シート６の
伸び率を考慮して、その溝の深さや幅を形成することが
望ましい。
【００２３】なお、本実施形態において、リードフレー
ムに半導体素子を接合し、ワイヤーボンドする方法につ
いては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略して
いる。
ムに半導体素子を接合し、ワイヤーボンドする方法につ
いては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略して
いる。
【００２４】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、封止
シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する際、
封止金型内に略均等間隔で設けた複数の真空引き装置に
より封止シートを吸着し、その封止シートを均一に延張
した状態で樹脂封止するものであり、封止シートの厚み
が薄い場合、熱収縮によるシワの発生が少なくでき、樹
脂封止後の樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦
に形成可能となる。
の製造方法は、半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、封止
シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する際、
封止金型内に略均等間隔で設けた複数の真空引き装置に
より封止シートを吸着し、その封止シートを均一に延張
した状態で樹脂封止するものであり、封止シートの厚み
が薄い場合、熱収縮によるシワの発生が少なくでき、樹
脂封止後の樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦
に形成可能となる。
【００２５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の別の実施形態について説明する。図２は図１に示
した方法とは異なる方法により、従来の課題の解決にア
プローチする樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すも
のである。
方法の別の実施形態について説明する。図２は図１に示
した方法とは異なる方法により、従来の課題の解決にア
プローチする樹脂封止型半導体装置の製造方法を示すも
のである。
【００２６】図２に示すように、封止金型１２は上金型
１２ａと下金型１２ｂとよりなり、下金型１２ｂ上に、
インナーリード部１を有し、ダイパッド部３上に載置、
接合された半導体素子２が金属細線５で電気的に接続さ
れたリードフレームが載置されている。またリードフレ
ームのインナーリード部１に当たる部分の下金型１２ｂ
には、凹部として彫り込み部１５が所望とする深さで形
成されている。そしてインナーリード部１の底面側の封
止シート６面を封止金型面に上金型１２ａにより押圧し
て、封止樹脂７により樹脂封止を行うものである。この
樹脂封止の際、下金型１２ｂに彫り込み部１５を有した
金型を用いることにより、樹脂封止時には、封止シート
６の一部がその彫り込み部１５に逃げ込むので、熱収縮
によりインナーリード部１の側面部分に入り込む封止シ
ート６の量を減らし、インナーリード部１の側面に形成
される溝を浅くし、インナーリード部１の側面部と封止
樹脂７との密着面積を多くし、インナーリード部１と封
止樹脂７との密着強度を強くできるものである。
１２ａと下金型１２ｂとよりなり、下金型１２ｂ上に、
インナーリード部１を有し、ダイパッド部３上に載置、
接合された半導体素子２が金属細線５で電気的に接続さ
れたリードフレームが載置されている。またリードフレ
ームのインナーリード部１に当たる部分の下金型１２ｂ
には、凹部として彫り込み部１５が所望とする深さで形
成されている。そしてインナーリード部１の底面側の封
止シート６面を封止金型面に上金型１２ａにより押圧し
て、封止樹脂７により樹脂封止を行うものである。この
樹脂封止の際、下金型１２ｂに彫り込み部１５を有した
金型を用いることにより、樹脂封止時には、封止シート
６の一部がその彫り込み部１５に逃げ込むので、熱収縮
によりインナーリード部１の側面部分に入り込む封止シ
ート６の量を減らし、インナーリード部１の側面に形成
される溝を浅くし、インナーリード部１の側面部と封止
樹脂７との密着面積を多くし、インナーリード部１と封
止樹脂７との密着強度を強くできるものである。
【００２７】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、封止
シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する際、
封止金型においては、リードフレームのインナーリード
部に密着する封止シートに当接する部分に凹部が形成さ
れた封止金型を用い、樹脂封止時は封止シートのインナ
ーリード部に当接する部分を凹部側に逃がした状態で樹
脂封止するものであり、厚みの厚いシートを使用した場
合では、樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に
なることはもちろんのこと、インナーリード部の側面部
に形成される溝を浅くでき、リードと封止樹脂との接触
面積の減少を防止し、樹脂密着強度を向上させることが
できるものである。
の製造方法は、半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、封止
シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する際、
封止金型においては、リードフレームのインナーリード
部に密着する封止シートに当接する部分に凹部が形成さ
れた封止金型を用い、樹脂封止時は封止シートのインナ
ーリード部に当接する部分を凹部側に逃がした状態で樹
脂封止するものであり、厚みの厚いシートを使用した場
合では、樹脂封止型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に
なることはもちろんのこと、インナーリード部の側面部
に形成される溝を浅くでき、リードと封止樹脂との接触
面積の減少を防止し、樹脂密着強度を向上させることが
できるものである。
【００２８】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、封止シートを用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、封止シートを延張した状態で樹脂封
止したり、封止シートのリードフレームのインナーリー
ド部に当接する部分を封止金型に設けた凹部に逃がした
状態で樹脂封止するものであり、封止シートの厚みに依
存することなく、樹脂封止後の半導体装置の樹脂部を平
坦に成形でき、また外部電極となるリード側面に溝が形
成されない樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現でき
るものである。
造方法は、封止シートを用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、封止シートを延張した状態で樹脂封
止したり、封止シートのリードフレームのインナーリー
ド部に当接する部分を封止金型に設けた凹部に逃がした
状態で樹脂封止するものであり、封止シートの厚みに依
存することなく、樹脂封止後の半導体装置の樹脂部を平
坦に成形でき、また外部電極となるリード側面に溝が形
成されない樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現でき
るものである。
【００２９】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法は、封止シートの厚みに依存することなく、封
止金型内部の真空引き装置を用いることにより、封止シ
ートを均一に延ばして樹脂封止するので、熱収縮によっ
ても封止シートに発生するシワを防止し、さらにインナ
ーリード部に当たる部分の封止金型を所望とする深さに
彫り込むことにより、インナーリードの側面部分に形成
される溝を浅くし、インナーリードの側面部と封止樹脂
との密着面積を多くし、インナーリードと封止樹脂との
密着強度を強くするという品質上の効果を奏するもので
ある。
製造方法は、封止シートの厚みに依存することなく、封
止金型内部の真空引き装置を用いることにより、封止シ
ートを均一に延ばして樹脂封止するので、熱収縮によっ
ても封止シートに発生するシワを防止し、さらにインナ
ーリード部に当たる部分の封止金型を所望とする深さに
彫り込むことにより、インナーリードの側面部分に形成
される溝を浅くし、インナーリードの側面部と封止樹脂
との密着面積を多くし、インナーリードと封止樹脂との
密着強度を強くするという品質上の効果を奏するもので
ある。
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
断面図
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用い
る封止金型を示す断面図
る封止金型を示す断面図
１ インナーリード部 ２ 半導体素子 ３ ダイパッド部 ４ リードフレーム ５ 金属細線 ６ 封止シート ７ 封止樹脂 ８ 延在部分 ９ 段差 １０ 外部電極 １１ 封止金型 １２ 封止金型 １３ 真空引き装置 １４ 真空溝 １５ 彫り込み部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森川 健 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 山田 雄一郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する
際、封止シートを延張した状態で樹脂封止することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する
際、前記封止金型内に略均等間隔で設けた複数の真空引
き装置により前記封止シートを吸着し、前記封止シート
を均一に延張した状態で樹脂封止することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 封止シートをリードフレームに密着させ
て樹脂封止する際の封止金型内に略均等間隔で設けた真
空引き装置による封止シートの吸着は、４ケ所で真空吸
着することを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する
際、封止シートのリードフレームのインナーリード部に
当接する部分を封止金型に設けた凹部に逃がした状態で
樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する
際、封止金型においては、リードフレームのインナーリ
ード部に密着する封止シートに当接する部分に凹部が形
成された封止金型を用い、樹脂封止時は封止シートの前
記インナーリード部に当接する部分を前記凹部側に逃が
した状態で樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体素子が接合されたリードフレーム
に対して、封止金型内で封止シートを介在させて樹脂封
止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
封止シートをリードフレームに密着させて樹脂封止する
際、前記封止金型内に略均等間隔で設けた複数の真空引
き装置により前記封止シートを吸着し、前記封止シート
を均一に延張した状態を形成し、さらに封止金型におい
ては、リードフレームのインナーリード部に密着する封
止シートに当接する部分に凹部が形成された封止金型を
用い、樹脂封止時は封止シートの前記インナーリード部
に当接する部分の余分な封止シート部分を前記凹部側に
逃がした状態で樹脂封止することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171396A JP2971834B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| TW087109945A TW402766B (en) | 1997-06-27 | 1998-06-20 | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
| US09/105,211 US6126885A (en) | 1997-06-27 | 1998-06-26 | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
| CNB981026621A CN1144276C (zh) | 1997-06-27 | 1998-06-26 | 树脂封装型半导体装置的制造方法 |
| US09/597,908 US6258314B1 (en) | 1997-06-27 | 2000-06-20 | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9171396A JP2971834B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116930A true JPH1116930A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2971834B2 JP2971834B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=15922390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9171396A Expired - Lifetime JP2971834B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6126885A (ja) |
| JP (1) | JP2971834B2 (ja) |
| CN (1) | CN1144276C (ja) |
| TW (1) | TW402766B (ja) |
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