JPH0547954A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0547954A JPH0547954A JP20708691A JP20708691A JPH0547954A JP H0547954 A JPH0547954 A JP H0547954A JP 20708691 A JP20708691 A JP 20708691A JP 20708691 A JP20708691 A JP 20708691A JP H0547954 A JPH0547954 A JP H0547954A
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- resin
- semiconductor chip
- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体チップ1を搭載するベッド4と、半導体
チップ1上の電極と一端を接続し、他端側を折り曲げ整
形したリード2を備えたリードフレームと、半導体チッ
プ1とリード2の全体を、リード2の外側先端部の一部
を露出させて、樹脂封止する。 【効果】リード2全体が、その先端部分に露出部を残し
て樹脂封止され、また、露出部もリード2下側は露出し
ているが、上側は樹脂に密着、補強されており、リード
厚が薄く、幅が小さくなっても、リード2の変形は有り
得ない。従って、確実な実装が可能である。また、半導
体装置の一層の多ピン化に伴って、リード幅が小さくな
っても、十分対応できるものである。更に、出荷パッケ
ージは簡易なもので対応でき、包装に対するコストを抑
えることが可能である。
チップ1上の電極と一端を接続し、他端側を折り曲げ整
形したリード2を備えたリードフレームと、半導体チッ
プ1とリード2の全体を、リード2の外側先端部の一部
を露出させて、樹脂封止する。 【効果】リード2全体が、その先端部分に露出部を残し
て樹脂封止され、また、露出部もリード2下側は露出し
ているが、上側は樹脂に密着、補強されており、リード
厚が薄く、幅が小さくなっても、リード2の変形は有り
得ない。従って、確実な実装が可能である。また、半導
体装置の一層の多ピン化に伴って、リード幅が小さくな
っても、十分対応できるものである。更に、出荷パッケ
ージは簡易なもので対応でき、包装に対するコストを抑
えることが可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止型半導体装置に関する。
脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は、図3に示
すように、成形したリードフレーム中央のベッド4に半
導体チップ1を固着し、半導体チップ1上の電極パッド
とインナーリード2aとを金等のワイヤ5によってボン
ディングし、樹脂3で半導体チップ1の周囲を封止した
後、樹脂3の速報に突出されたアウターリード2bを下
方に屈曲整形してなる。
すように、成形したリードフレーム中央のベッド4に半
導体チップ1を固着し、半導体チップ1上の電極パッド
とインナーリード2aとを金等のワイヤ5によってボン
ディングし、樹脂3で半導体チップ1の周囲を封止した
後、樹脂3の速報に突出されたアウターリード2bを下
方に屈曲整形してなる。
【0003】そしてこの種の樹脂封止型半導体装置は、
一般に、アウターリード2bを回路基板上に設けたソケ
ットにはめ込み、ないしは直接アウターリード2b先端
を回路基板に半田付けし、実装を行っている。
一般に、アウターリード2bを回路基板上に設けたソケ
ットにはめ込み、ないしは直接アウターリード2b先端
を回路基板に半田付けし、実装を行っている。
【0004】また、今日では中央にベッドを設けたパッ
ケージ基板上に配線パターンを形成し、配線パターンの
一端はパッケージ裏面に複数列突出させたピンに接続さ
れているPGA(Pin Grid Array Pachage)型の半導体
装置もある。このPGA型のパッケージの場合は、ベッ
ドに半導体チップを接着、パッケージ基板上の配線パタ
ーンの他端子と半導体チップ上の電極とをワイヤによっ
て接続し、パッケージ裏面のピンで外部との電気的な導
通を取るものである。
ケージ基板上に配線パターンを形成し、配線パターンの
一端はパッケージ裏面に複数列突出させたピンに接続さ
れているPGA(Pin Grid Array Pachage)型の半導体
装置もある。このPGA型のパッケージの場合は、ベッ
ドに半導体チップを接着、パッケージ基板上の配線パタ
ーンの他端子と半導体チップ上の電極とをワイヤによっ
て接続し、パッケージ裏面のピンで外部との電気的な導
通を取るものである。
【0005】この他、現在では樹脂封止型半導体装置の
出荷の際に、樹脂外に露出しているアウターリードを保
護するために、樹脂やスポンジにて成形した包装用専用
パッケージを利用している。
出荷の際に、樹脂外に露出しているアウターリードを保
護するために、樹脂やスポンジにて成形した包装用専用
パッケージを利用している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】多ピン化に伴いパッケ
ージサイズを大型化して、パッケージの一辺を長くする
ことでアウターリード幅、ピッチを確保しているが、最
近では一層多ピン化が進み、アウターリードも必然的に
微細化せざるを得なくなっている。このため、リード整
形時、出荷包装時、また、実装時にアウターリードにね
じれたり、アウターリード先端の高さが異なる等の歪み
が生じる虞がある。一般に、樹脂封止型半導体装置のア
ウターリードを回路基板上の実装位置に全ピン一括接続
し、実装を行うため、一部アウターリードの歪みや先端
部の高さの違いは、回路基板上の端子への接続不良とな
る。
ージサイズを大型化して、パッケージの一辺を長くする
ことでアウターリード幅、ピッチを確保しているが、最
近では一層多ピン化が進み、アウターリードも必然的に
微細化せざるを得なくなっている。このため、リード整
形時、出荷包装時、また、実装時にアウターリードにね
じれたり、アウターリード先端の高さが異なる等の歪み
が生じる虞がある。一般に、樹脂封止型半導体装置のア
ウターリードを回路基板上の実装位置に全ピン一括接続
し、実装を行うため、一部アウターリードの歪みや先端
部の高さの違いは、回路基板上の端子への接続不良とな
る。
【0007】半導体素子の多ピン化に伴い、リード幅が
微細化する問題の一つの解決法としてのPGA型パッケ
ージでも、パッケージ裏面のピンはパッケージから突出
して、不安定であり、ピンの変形を確実に防ぐ方法はな
い。更に、PGA型パッケージはコスト高である。そこ
で、アウターリード先端の変形を確実に防ぐ、コストの
安い簡便な方法が強く望まれていた。
微細化する問題の一つの解決法としてのPGA型パッケ
ージでも、パッケージ裏面のピンはパッケージから突出
して、不安定であり、ピンの変形を確実に防ぐ方法はな
い。更に、PGA型パッケージはコスト高である。そこ
で、アウターリード先端の変形を確実に防ぐ、コストの
安い簡便な方法が強く望まれていた。
【0008】この他、従来、樹脂封止型半導体装置の出
荷等の際には、アウターリードの歪みを防ぎ、保護する
ための、樹脂封止型半導体装置の形状に適したその半導
体装置専用の包装パッケージを準備しなければならず、
出荷包装のためのコストはバカにならないという問題点
がある。
荷等の際には、アウターリードの歪みを防ぎ、保護する
ための、樹脂封止型半導体装置の形状に適したその半導
体装置専用の包装パッケージを準備しなければならず、
出荷包装のためのコストはバカにならないという問題点
がある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ため、本発明は、半導体チップと、前記半導体チップを
搭載するベッドと、前記半導体チップ上の電極と一端を
接続し、他端側を折り曲げ整形したリードと、前記半導
体チップと前記リードを封止する樹脂とを備え、前記リ
ード他端側の外側表面の一部を樹脂下面より露出させ
て、外側表面の残部を樹脂内に封止してなることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
ため、本発明は、半導体チップと、前記半導体チップを
搭載するベッドと、前記半導体チップ上の電極と一端を
接続し、他端側を折り曲げ整形したリードと、前記半導
体チップと前記リードを封止する樹脂とを備え、前記リ
ード他端側の外側表面の一部を樹脂下面より露出させ
て、外側表面の残部を樹脂内に封止してなることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【0010】
【作用】上述のような構成では、リードは半導体チップ
にボンディングされている一端から下方に折り曲げ整形
された先端部まで封止樹脂によって封止され、わずかに
樹脂下方の外側にのみ露出しているだけであり、リード
全体が保護・補強されるので、リード幅が狭くなっても
変形することがない。
にボンディングされている一端から下方に折り曲げ整形
された先端部まで封止樹脂によって封止され、わずかに
樹脂下方の外側にのみ露出しているだけであり、リード
全体が保護・補強されるので、リード幅が狭くなっても
変形することがない。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1、図2を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0012】図1、図2に示すように、まず、リードフ
レームに半導体チップ1をマウント、ボンディングを行
う。即ち、リードフレーム中央のベッド4に半導体チッ
プ1をエポキシペーストで接着し、半導体チップ1上の
電極パッドとリード2のベッド4側先端とを金等のワイ
ヤ5で接続して電気的な導通を取る。引き続き、リード
2を半導体チップ1側または半導体チップ1反対側にリ
ード2を折り曲げて、整形し、パッケージ下面予定面に
リード2の外側先端を位置させるようにする。この後、
リード2の先端部下部のみを露出させて、半導体チップ
1及びリード2全体を樹脂3によって、厚さ1mm程度に
封止する。
レームに半導体チップ1をマウント、ボンディングを行
う。即ち、リードフレーム中央のベッド4に半導体チッ
プ1をエポキシペーストで接着し、半導体チップ1上の
電極パッドとリード2のベッド4側先端とを金等のワイ
ヤ5で接続して電気的な導通を取る。引き続き、リード
2を半導体チップ1側または半導体チップ1反対側にリ
ード2を折り曲げて、整形し、パッケージ下面予定面に
リード2の外側先端を位置させるようにする。この後、
リード2の先端部下部のみを露出させて、半導体チップ
1及びリード2全体を樹脂3によって、厚さ1mm程度に
封止する。
【0013】続いて、リード2の樹脂側方に出た部分を
切断して、図1、図2に示すような樹脂封止型半導体装
置を完成する。リード2の折り曲げた側のベッド4に半
導体チップ1を接着した場合には、折り曲げたリード2
の内側に半導体チップが位置するので、上部の樹脂を薄
くすることができ、一層の薄型化が可能である。この樹
脂封止型半導体装置を実装する時には、リード2の樹脂
下面に露出した先端部を回路基板上の端子に半田付け等
により導通を取る。
切断して、図1、図2に示すような樹脂封止型半導体装
置を完成する。リード2の折り曲げた側のベッド4に半
導体チップ1を接着した場合には、折り曲げたリード2
の内側に半導体チップが位置するので、上部の樹脂を薄
くすることができ、一層の薄型化が可能である。この樹
脂封止型半導体装置を実装する時には、リード2の樹脂
下面に露出した先端部を回路基板上の端子に半田付け等
により導通を取る。
【0014】また、ベッドの位置をリードの内側位置と
ずらすことで、一層の薄型化が可能である。即ち、図1
に示すような半導体チップ1をベッド4の上側に搭載し
た場合、ベッド4高さをリード2内側の位置よりも下げ
ることで、半導体チップ1を下げ、パッケージ全体の厚
さを抑えることができる。
ずらすことで、一層の薄型化が可能である。即ち、図1
に示すような半導体チップ1をベッド4の上側に搭載し
た場合、ベッド4高さをリード2内側の位置よりも下げ
ることで、半導体チップ1を下げ、パッケージ全体の厚
さを抑えることができる。
【0015】パッケージの形状は、半導体チップ1及び
外側先端の露出部を残してリード2全体を樹脂封止でき
れば良く、直方体、直方体の角を落とした台形等であっ
ても良い。
外側先端の露出部を残してリード2全体を樹脂封止でき
れば良く、直方体、直方体の角を落とした台形等であっ
ても良い。
【0016】
【発明の効果】上述のような構造の樹脂封止型半導体装
置においては、パッケージ下側にリードの折り曲げられ
た先端露出部を残してリード全体が樹脂封止され、ま
た、露出部もリード下側は露出しているが、他の面は樹
脂に密着、補強されており、リード厚が薄く、幅が小さ
くなっても、出荷時、実装時にリードの変形は有り得な
い。従って、樹脂封止型半導体装置の実装に際して、リ
ードを回路基板に一括接続しても、確実な接続が可能で
ある。更に、実装時にかなり大きな外力がかかっても、
リードの変形などはなく、確実な接続が可能である。
置においては、パッケージ下側にリードの折り曲げられ
た先端露出部を残してリード全体が樹脂封止され、ま
た、露出部もリード下側は露出しているが、他の面は樹
脂に密着、補強されており、リード厚が薄く、幅が小さ
くなっても、出荷時、実装時にリードの変形は有り得な
い。従って、樹脂封止型半導体装置の実装に際して、リ
ードを回路基板に一括接続しても、確実な接続が可能で
ある。更に、実装時にかなり大きな外力がかかっても、
リードの変形などはなく、確実な接続が可能である。
【0017】また、半導体装置の一層の多ピン化に伴っ
て、リード幅が小さくなっても、樹脂によって封止補強
されているので、十分対応できるものである。この他、
従来のリードフレーム等を応用することができるので、
PGA型パッケージなどに比べてコストの安い優れた樹
脂封止型半導体装置を提供することができる。
て、リード幅が小さくなっても、樹脂によって封止補強
されているので、十分対応できるものである。この他、
従来のリードフレーム等を応用することができるので、
PGA型パッケージなどに比べてコストの安い優れた樹
脂封止型半導体装置を提供することができる。
【0018】また、出荷パッケージは簡易なもので対応
でき、専用の包装用パッケージを樹脂封止型半導体装置
毎に準備する必要はなく、包装に対するコストを抑える
ことが可能である。
でき、専用の包装用パッケージを樹脂封止型半導体装置
毎に準備する必要はなく、包装に対するコストを抑える
ことが可能である。
【図1】本発明の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図である。
図である。
【図2】本発明の実施例の樹脂封止型半導体装置の断面
図である。
図である。
【図3】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
1 半導体チップ 2 リード 2a インナーリード 2b アウターリード 3 樹脂 4 ベッド 5 ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップと、 前記半導体チップを搭載するベッドと、前記半導体チッ
プ上の電極と一端を接続し、他端側を折り曲げ整形した
リードと、 前記半導体チップと前記リードを封止する樹脂とを備
え、 前記リード他端側の外側表面の一部を樹脂下面より露出
させて、外側表面の残部を樹脂内に封止してなることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20708691A JPH0547954A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20708691A JPH0547954A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0547954A true JPH0547954A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16533968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20708691A Pending JPH0547954A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0547954A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998035382A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6126885A (en) * | 1997-06-27 | 2000-10-03 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
US6169323B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-01-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with improved leads |
WO2010084755A1 (ja) | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 日本特殊陶業株式会社 | スパークプラグ |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP20708691A patent/JPH0547954A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998035382A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6291274B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6169323B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-01-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with improved leads |
EP0860877A3 (en) * | 1997-02-25 | 2001-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing thereof |
US6126885A (en) * | 1997-06-27 | 2000-10-03 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
US6258314B1 (en) | 1997-06-27 | 2001-07-10 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
US6504097B2 (en) | 1998-11-19 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
US6779264B2 (en) | 1998-11-19 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
WO2010084755A1 (ja) | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 日本特殊陶業株式会社 | スパークプラグ |
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