JPH0745663A - 放熱体付半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
放熱体付半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0745663A JPH0745663A JP5158505A JP15850593A JPH0745663A JP H0745663 A JPH0745663 A JP H0745663A JP 5158505 A JP5158505 A JP 5158505A JP 15850593 A JP15850593 A JP 15850593A JP H0745663 A JPH0745663 A JP H0745663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiator
- resin
- semiconductor element
- support base
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子と放熱体との密着性を向上させ、
半導体素子が放熱体から剥離したりモールド樹脂にクラ
ックが発生したりすることを防止して信頼性の高い放熱
体付半導体装置を得る。 【構成】 半導体素子１４を搭載したＴＡＢテープ１０
を放熱体１２で支持し、放熱体１２とともにＴＡＢテー
プ１０を樹脂モールドしてなる放熱体付半導体装置であ
って、前記放熱体１２に前記半導体素子１４の素子面を
支持する支持台部１２ａを設けるとともに、支持台部１
２ａ上で前記半導体素子１４の素子面に当接する部位に
支持台部１２ａの表面から半導体素子１４を浮かして支
持するための突起２０を設ける。
半導体素子が放熱体から剥離したりモールド樹脂にクラ
ックが発生したりすることを防止して信頼性の高い放熱
体付半導体装置を得る。 【構成】 半導体素子１４を搭載したＴＡＢテープ１０
を放熱体１２で支持し、放熱体１２とともにＴＡＢテー
プ１０を樹脂モールドしてなる放熱体付半導体装置であ
って、前記放熱体１２に前記半導体素子１４の素子面を
支持する支持台部１２ａを設けるとともに、支持台部１
２ａ上で前記半導体素子１４の素子面に当接する部位に
支持台部１２ａの表面から半導体素子１４を浮かして支
持するための突起２０を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢテープを放熱体と
ともに樹脂モールドして成る放熱体付半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
ともに樹脂モールドして成る放熱体付半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢテープはきわめて微細な配線パタ
ーンが形成できることから高集積化された半導体素子の
搭載用として利用されている。ＴＡＢテープを用いた半
導体装置では従来は樹脂をポッティングして封止する方
法、あるいはＴＡＢテープを通常のリードフレームに接
続して全体を樹脂封止する方法が一般的であるが、最
近、半導体素子を搭載したＴＡＢテープをそのまま樹脂
モールドする方法が検討されている。
ーンが形成できることから高集積化された半導体素子の
搭載用として利用されている。ＴＡＢテープを用いた半
導体装置では従来は樹脂をポッティングして封止する方
法、あるいはＴＡＢテープを通常のリードフレームに接
続して全体を樹脂封止する方法が一般的であるが、最
近、半導体素子を搭載したＴＡＢテープをそのまま樹脂
モールドする方法が検討されている。
【０００３】図８はこのようにＴＡＢテープを直接樹脂
モールドする際に考えられている方法で、ＴＡＢテープ
５に搭載した半導体素子６を放熱体７、８で上下から挟
むようにして樹脂モールドする方法である。ＴＡＢテー
プは通常のリードフレームとは異なり柔軟性があるか
ら、単に樹脂モールドしたのでは樹脂充填時の樹脂圧に
よってＴＡＢテープが歪んだり、半導体素子が位置ずれ
することがある。このため、放熱体７、８によってＴＡ
Ｂテープ５が歪まないように補強し、放熱体７の中央部
に半導体素子６を支持するための支持台部７ａを設けて
樹脂モールドするようにしている。
モールドする際に考えられている方法で、ＴＡＢテープ
５に搭載した半導体素子６を放熱体７、８で上下から挟
むようにして樹脂モールドする方法である。ＴＡＢテー
プは通常のリードフレームとは異なり柔軟性があるか
ら、単に樹脂モールドしたのでは樹脂充填時の樹脂圧に
よってＴＡＢテープが歪んだり、半導体素子が位置ずれ
することがある。このため、放熱体７、８によってＴＡ
Ｂテープ５が歪まないように補強し、放熱体７の中央部
に半導体素子６を支持するための支持台部７ａを設けて
樹脂モールドするようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記放熱体７、８は樹
脂モールドする際に半導体素子６が正規位置から位置ず
れすることを防止するとともに、半導体装置の熱放散性
を向上させることを目的とする。したがって、半導体素
子６は支持台部７ａに密着して樹脂モールドされるのが
望ましいのであるが、放熱体７、８はＴＡＢテープ５と
は別体でインサート部品として樹脂モールドするから、
半導体素子６と支持台部７ａが確実に密着して樹脂モー
ルドされるとは限らず、若干の隙間が形成されて樹脂モ
ールドされるのがふつうである。
脂モールドする際に半導体素子６が正規位置から位置ず
れすることを防止するとともに、半導体装置の熱放散性
を向上させることを目的とする。したがって、半導体素
子６は支持台部７ａに密着して樹脂モールドされるのが
望ましいのであるが、放熱体７、８はＴＡＢテープ５と
は別体でインサート部品として樹脂モールドするから、
半導体素子６と支持台部７ａが確実に密着して樹脂モー
ルドされるとは限らず、若干の隙間が形成されて樹脂モ
ールドされるのがふつうである。
【０００５】このように半導体素子６と支持台部７ａと
の間に隙間が生じると、この隙間部分にエアが溜まりや
すくなり、樹脂モールド製品の信頼性をかえって損なう
という問題が生じる。また、図８に示すように単に支持
台部７ａを平坦面に形成しただけの場合は半導体素子６
が傾いて樹脂モールドされたりすることはある程度防止
できるものの、ある程度の半導体素子６の位置ずれが生
じたり、支持台部７ａと半導体素子６との接合強度が不
十分になるという問題点があった。そこで、本発明はこ
れら問題点を解消すべくなされたものであり、その目的
とするところは、半導体素子の位置ずれや封止樹脂内で
のエアのまき込みを防止して信頼性の高い放熱体付半導
体装置及びその製造方法を提供するにある。
の間に隙間が生じると、この隙間部分にエアが溜まりや
すくなり、樹脂モールド製品の信頼性をかえって損なう
という問題が生じる。また、図８に示すように単に支持
台部７ａを平坦面に形成しただけの場合は半導体素子６
が傾いて樹脂モールドされたりすることはある程度防止
できるものの、ある程度の半導体素子６の位置ずれが生
じたり、支持台部７ａと半導体素子６との接合強度が不
十分になるという問題点があった。そこで、本発明はこ
れら問題点を解消すべくなされたものであり、その目的
とするところは、半導体素子の位置ずれや封止樹脂内で
のエアのまき込みを防止して信頼性の高い放熱体付半導
体装置及びその製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子を搭
載したＴＡＢテープを放熱体で支持し、放熱体とともに
ＴＡＢテープを樹脂モールドしてなる放熱体付半導体装
置であって、前記放熱体に前記半導体素子の素子面を支
持する支持台部を設けるとともに、該支持台部上で前記
半導体素子の素子面に当接する部位に該支持台部の表面
から半導体素子を浮かして支持するための突起を設けた
ことを特徴とする。また、前記支持台部上に前記半導体
素子と支持台部との間に隙間を設けるためのスペーサを
設けたことを特徴とする。また、前記放熱体とは別部品
で前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間をあけて
樹脂モールドするための放熱体ブロックを設けたことを
特徴とする。また、半導体素子を搭載したＴＡＢテープ
及び樹脂モールド時に前記半導体素子を支持する支持台
部を設けた放熱体をモールド金型にセットして樹脂モー
ルドする放熱体付半導体装置の製造方法において、モー
ルド金型のキャビティ内にエジェクタピンを突出させ、
前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間を形成すべ
く前記半導体素子を前記エジェクタピンで支持して樹脂
モールドし、樹脂硬化後に、前記エジェクタピンの通過
孔内に樹脂あるいは金属を充填して封着することを特徴
とする。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子を搭
載したＴＡＢテープを放熱体で支持し、放熱体とともに
ＴＡＢテープを樹脂モールドしてなる放熱体付半導体装
置であって、前記放熱体に前記半導体素子の素子面を支
持する支持台部を設けるとともに、該支持台部上で前記
半導体素子の素子面に当接する部位に該支持台部の表面
から半導体素子を浮かして支持するための突起を設けた
ことを特徴とする。また、前記支持台部上に前記半導体
素子と支持台部との間に隙間を設けるためのスペーサを
設けたことを特徴とする。また、前記放熱体とは別部品
で前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間をあけて
樹脂モールドするための放熱体ブロックを設けたことを
特徴とする。また、半導体素子を搭載したＴＡＢテープ
及び樹脂モールド時に前記半導体素子を支持する支持台
部を設けた放熱体をモールド金型にセットして樹脂モー
ルドする放熱体付半導体装置の製造方法において、モー
ルド金型のキャビティ内にエジェクタピンを突出させ、
前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間を形成すべ
く前記半導体素子を前記エジェクタピンで支持して樹脂
モールドし、樹脂硬化後に、前記エジェクタピンの通過
孔内に樹脂あるいは金属を充填して封着することを特徴
とする。
【０００７】
【作用】放熱体に半導体素子を支持する支持台部を設け
ることによってＴＡＢテープを樹脂モールドする際に半
導体素子が傾いたり、位置ずれしたりすることを防止す
るが、支持台部に突起等を設けて半導体素子と支持台部
との間に隙間をあけることによって半導体素子と支持台
部との間での樹脂の流れ性を改善でき、半導体素子と放
熱体との密着性を向上させることができ、また半導体素
子と放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止す
る。モールド金型のエジェクタピンを利用することによ
っても、好適なＴＡＢテープの樹脂モールドができる。
ることによってＴＡＢテープを樹脂モールドする際に半
導体素子が傾いたり、位置ずれしたりすることを防止す
るが、支持台部に突起等を設けて半導体素子と支持台部
との間に隙間をあけることによって半導体素子と支持台
部との間での樹脂の流れ性を改善でき、半導体素子と放
熱体との密着性を向上させることができ、また半導体素
子と放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止す
る。モールド金型のエジェクタピンを利用することによ
っても、好適なＴＡＢテープの樹脂モールドができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る放熱体付半
導体装置の一実施例の断面図を示す。実施例の半導体装
置はＴＡＢテープ１０をじかに樹脂モールドした製品
で、ＴＡＢテープ１０とは別体で形成した放熱体１２に
よってＴＡＢテープ１０及びＴＡＢテープ１０に搭載し
た半導体素子１４を支持して樹脂モールドしてなるもの
である。１６がＴＡＢテープ１０のインナーリード、１
８がモールド樹脂である。
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る放熱体付半
導体装置の一実施例の断面図を示す。実施例の半導体装
置はＴＡＢテープ１０をじかに樹脂モールドした製品
で、ＴＡＢテープ１０とは別体で形成した放熱体１２に
よってＴＡＢテープ１０及びＴＡＢテープ１０に搭載し
た半導体素子１４を支持して樹脂モールドしてなるもの
である。１６がＴＡＢテープ１０のインナーリード、１
８がモールド樹脂である。
【０００９】放熱体１２はキャビティ内にセットしてＴ
ＡＢテープ１０を支持するが、ＴＡＢテープ１０を厚み
方向のほぼ中央で支持するため半導体素子１４位置で上
面が平坦な島状に隆起させた支持台部１２ａを形成する
とともに、外縁にインナーリード１６の基部位置を支持
するリード支持部１２ｂを形成している。
ＡＢテープ１０を支持するが、ＴＡＢテープ１０を厚み
方向のほぼ中央で支持するため半導体素子１４位置で上
面が平坦な島状に隆起させた支持台部１２ａを形成する
とともに、外縁にインナーリード１６の基部位置を支持
するリード支持部１２ｂを形成している。
【００１０】図２に放熱体１２の平面図を示す。支持台
部１２ａは上記のように半導体素子１４を支持する部分
であるが、図のように抜き孔を設けて枠状に形成する。
これは樹脂モールドする際に半導体素子１４の底側での
樹脂の流れ性を良くしてモールド樹脂１８と支持台部１
２ａとを確実に密着させるためである。また、リード支
持部１２ｂはＴＡＢテープ１０の四方に形成されるリー
ドパターンに合わせて四方に設ける。支持台部１２ａお
よびリード支持部１２ｂは金属板を加工して一体に形成
するが、樹脂の流れ性を良くするため抜き孔を多く設け
ている。
部１２ａは上記のように半導体素子１４を支持する部分
であるが、図のように抜き孔を設けて枠状に形成する。
これは樹脂モールドする際に半導体素子１４の底側での
樹脂の流れ性を良くしてモールド樹脂１８と支持台部１
２ａとを確実に密着させるためである。また、リード支
持部１２ｂはＴＡＢテープ１０の四方に形成されるリー
ドパターンに合わせて四方に設ける。支持台部１２ａお
よびリード支持部１２ｂは金属板を加工して一体に形成
するが、樹脂の流れ性を良くするため抜き孔を多く設け
ている。
【００１１】図１で２０は支持台部１２ａの上面から若
干突出するように設けた突起である。突起２０は半導体
素子１４を支持台部１２ａの上面から若干浮かして支持
し、半導体素子１４が支持台部１２ａに接しないように
するためのものである。図２に突起２０の配置位置を示
す。支持台部１２ａは半導体素子１４の大きさよりも若
干小さく設定し、突起２０は半導体素子１４の底面に当
接するように支持台部１２ａのコーナー部等の適宜位置
に設ける。
干突出するように設けた突起である。突起２０は半導体
素子１４を支持台部１２ａの上面から若干浮かして支持
し、半導体素子１４が支持台部１２ａに接しないように
するためのものである。図２に突起２０の配置位置を示
す。支持台部１２ａは半導体素子１４の大きさよりも若
干小さく設定し、突起２０は半導体素子１４の底面に当
接するように支持台部１２ａのコーナー部等の適宜位置
に設ける。
【００１２】なお、ＴＡＢテープ１０と放熱体１２は別
体で形成されているから、ＴＡＢテープ１０を樹脂モー
ルドする際にＴＡＢテープ１０と放熱体１２を位置合わ
せするためリード支持部１２ｂにエンボス加工を施して
位置合わせ用突起１２ｄを設けた。図３に位置合わせ用
突起１２ｄを拡大して示す。位置合わせ用突起１２ｄは
ＴＡＢテープ１０のリードパターンと干渉しない位置に
設けた透孔と係合して位置合わせする。
体で形成されているから、ＴＡＢテープ１０を樹脂モー
ルドする際にＴＡＢテープ１０と放熱体１２を位置合わ
せするためリード支持部１２ｂにエンボス加工を施して
位置合わせ用突起１２ｄを設けた。図３に位置合わせ用
突起１２ｄを拡大して示す。位置合わせ用突起１２ｄは
ＴＡＢテープ１０のリードパターンと干渉しない位置に
設けた透孔と係合して位置合わせする。
【００１３】図１は上記の放熱体１２を用いて樹脂モー
ルドした製品である。ＴＡＢテープの樹脂モールド製品
では半導体素子とモールド樹脂とのくい付き性と、半導
体素子の底面とモールド樹脂との間に隙間が生じてエア
を巻き込むことが問題になるが、実施例の製品の場合に
は支持台部１２ａに突起２０を設けて半導体素子１４と
支持台部１２ａとの間に隙間が生じるようにし、半導体
素子１４と支持台部１２ａとの間での樹脂流れ性を確保
することによって、この隙間部分に確実に樹脂を流し込
むことができ、半導体素子１４と支持台部１２ａとの間
の樹脂のくい付きを良好とし、半導体素子１４と支持台
部１２ａとの間にエアが溜まることを効果的に防止する
ことができる。
ルドした製品である。ＴＡＢテープの樹脂モールド製品
では半導体素子とモールド樹脂とのくい付き性と、半導
体素子の底面とモールド樹脂との間に隙間が生じてエア
を巻き込むことが問題になるが、実施例の製品の場合に
は支持台部１２ａに突起２０を設けて半導体素子１４と
支持台部１２ａとの間に隙間が生じるようにし、半導体
素子１４と支持台部１２ａとの間での樹脂流れ性を確保
することによって、この隙間部分に確実に樹脂を流し込
むことができ、半導体素子１４と支持台部１２ａとの間
の樹脂のくい付きを良好とし、半導体素子１４と支持台
部１２ａとの間にエアが溜まることを効果的に防止する
ことができる。
【００１４】なお、支持台部１２ａに設ける突起２０は
樹脂の流れ性を改善するとともに、半導体素子１４から
の放熱作用を妨げないようにすることが必要であり、実
施例では突起２０の突出量として0.02mm〜0.03mmに設定
した。この程度の突出量であれば放熱効果をとくに妨げ
ることがなく、樹脂の流れ性も改善できて好適である。
樹脂の流れ性を改善するとともに、半導体素子１４から
の放熱作用を妨げないようにすることが必要であり、実
施例では突起２０の突出量として0.02mm〜0.03mmに設定
した。この程度の突出量であれば放熱効果をとくに妨げ
ることがなく、樹脂の流れ性も改善できて好適である。
【００１５】図４〜図７にＴＡＢテープを樹脂モールド
して成る放熱体付半導体装置の他の実施例を示す。図４
に示す実施例は放熱体１２の支持台部１２ａと半導体素
子１４との間にスペーサ２２を設けて支持台部１２ａと
半導体素子１４がじかに接しないようにした例である。
スペーサ２２は放熱体１２とは別に作成したものを支持
台部１２ａの上面に接合した。また、この実施例では支
持台部１２ａと半導体素子１４とのモールド樹脂による
接合性を改善するため支持台部１２ａの上面に凹溝２４
を設けた。なお、支持台部１２ａ等に抜き孔を設けて樹
脂の流れ性を良くしていることは上記実施例と同様であ
る。
して成る放熱体付半導体装置の他の実施例を示す。図４
に示す実施例は放熱体１２の支持台部１２ａと半導体素
子１４との間にスペーサ２２を設けて支持台部１２ａと
半導体素子１４がじかに接しないようにした例である。
スペーサ２２は放熱体１２とは別に作成したものを支持
台部１２ａの上面に接合した。また、この実施例では支
持台部１２ａと半導体素子１４とのモールド樹脂による
接合性を改善するため支持台部１２ａの上面に凹溝２４
を設けた。なお、支持台部１２ａ等に抜き孔を設けて樹
脂の流れ性を良くしていることは上記実施例と同様であ
る。
【００１６】図５はＴＡＢテープ１０を樹脂モールドす
る際にモールド金型のエジェクタピン２６で半導体素子
１４を支持しながら樹脂モールドする方法を示す。エジ
ェクタピン２６はエア吸着によって半導体素子１４を支
持し、支持台部１２ａの上面よりも半導体素子１４が0.
02mm〜0.03mm程度浮くようにして樹脂モールドする。支
持台部１２ａにはエジェクタピン２６を通過させるため
の透孔を設ける。こうしてエジェクタピン２６を用いて
樹脂モールドした後、エジェクタピン２６が通過した孔
内に樹脂２８を充填する（図６）。樹脂２８はたとえば
ポッティングによって充填する。なお、樹脂２８を充填
するかわりにアルミニウム等で小円柱状に形成した放熱
部品を孔内に挿入して封着するようにしてもよい。
る際にモールド金型のエジェクタピン２６で半導体素子
１４を支持しながら樹脂モールドする方法を示す。エジ
ェクタピン２６はエア吸着によって半導体素子１４を支
持し、支持台部１２ａの上面よりも半導体素子１４が0.
02mm〜0.03mm程度浮くようにして樹脂モールドする。支
持台部１２ａにはエジェクタピン２６を通過させるため
の透孔を設ける。こうしてエジェクタピン２６を用いて
樹脂モールドした後、エジェクタピン２６が通過した孔
内に樹脂２８を充填する（図６）。樹脂２８はたとえば
ポッティングによって充填する。なお、樹脂２８を充填
するかわりにアルミニウム等で小円柱状に形成した放熱
部品を孔内に挿入して封着するようにしてもよい。
【００１７】図７は支持台部１２ａおよびリード支持部
１２ｂを有する放熱体１２とは別のインサート部品とし
て放熱ブロック３０を組み込んで樹脂モールドした製品
を示す。放熱ブロック３０はモールド樹脂の外面から端
面が露出するようキャビティの底面にのせて樹脂モール
ドする部品で、樹脂モールドする際に半導体素子１４と
支持台部１２ａとの間で隙間が生じるようにその高さを
設定する。樹脂モールドにあたってはショット毎、放熱
ブロック３０をキャビティ内にセットして樹脂モールド
する。
１２ｂを有する放熱体１２とは別のインサート部品とし
て放熱ブロック３０を組み込んで樹脂モールドした製品
を示す。放熱ブロック３０はモールド樹脂の外面から端
面が露出するようキャビティの底面にのせて樹脂モール
ドする部品で、樹脂モールドする際に半導体素子１４と
支持台部１２ａとの間で隙間が生じるようにその高さを
設定する。樹脂モールドにあたってはショット毎、放熱
ブロック３０をキャビティ内にセットして樹脂モールド
する。
【００１８】上記実施例の半導体装置では、いずれも放
熱体の支持台部と半導体素子との間に隙間を設けるよう
にし、支持台部と半導体素子との間での樹脂流れを良好
にすることによって半導体素子と放熱体との間に樹脂が
確実に充填され半導体素子と放熱体との密着性を良好に
することができる。また、樹脂モールドの際に半導体素
子と放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止する
ことができる。これにより、半導体装置の動作時に発熱
によって半導体素子が放熱体から剥離したり、半導体装
置内に閉じ込められたエアが膨張してモールド樹脂にク
ラックが生じるといったことを防止することができる。
熱体の支持台部と半導体素子との間に隙間を設けるよう
にし、支持台部と半導体素子との間での樹脂流れを良好
にすることによって半導体素子と放熱体との間に樹脂が
確実に充填され半導体素子と放熱体との密着性を良好に
することができる。また、樹脂モールドの際に半導体素
子と放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止する
ことができる。これにより、半導体装置の動作時に発熱
によって半導体素子が放熱体から剥離したり、半導体装
置内に閉じ込められたエアが膨張してモールド樹脂にク
ラックが生じるといったことを防止することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る放熱体付半導体装置及びそ
の製造方法によれば、上述したように、半導体素子と放
熱体との密着性が向上し、半導体素子が放熱体から剥離
したり、モールド樹脂にクラックが発生したりすること
を防止して、信頼性の高い放熱体付半導体装置を得るこ
とができる等の著効を奏する。
の製造方法によれば、上述したように、半導体素子と放
熱体との密着性が向上し、半導体素子が放熱体から剥離
したり、モールド樹脂にクラックが発生したりすること
を防止して、信頼性の高い放熱体付半導体装置を得るこ
とができる等の著効を奏する。
【図１】放熱体付半導体装置の一実施例の断面図であ
る。
る。
【図２】放熱体の平面図である。
【図３】放熱体に設けた位置合わせ用突起の拡大図であ
る。
る。
【図４】放熱体付半導体装置の他の実施例の断面図であ
る。
る。
【図５】放熱体付半導体装置の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図６】放熱体付半導体装置の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】放熱体付半導体装置のさらに他の実施例の断面
図である。
図である。
【図８】放熱体付半導体装置の従来の構成を示す説明図
である。
である。
１０ ＴＡＢテープ １２ 放熱体 １２ａ 支持台部 １２ｂ リード支持部 １２ｄ 位置決め用突起 １４ 半導体素子 １８ モールド樹脂 ２０ 突起 ２２ スペーサ ２４ 凹溝 ２６ エジェクタピン ２８ 樹脂 ３０ 放熱体ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 浩文 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載したＴＡＢテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにＴＡＢテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、 前記放熱体に前記半導体素子の素子面を支持する支持台
部を設けるとともに、該支持台部上で前記半導体素子の
素子面に当接する部位に該支持台部の表面から半導体素
子を浮かして支持するための突起を設けたことを特徴と
する放熱体付半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子を搭載したＴＡＢテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにＴＡＢテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、 前記支持台部上に前記半導体素子と支持台部との間に隙
間を設けるためのスペーサを設けたことを特徴とする放
熱体付半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子を搭載したＴＡＢテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにＴＡＢテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、 前記放熱体とは別部品で前記半導体素子と前記支持台部
との間に隙間をあけて樹脂モールドするための放熱体ブ
ロックを設けたことを特徴とする放熱体付半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子を搭載したＴＡＢテープ及び
樹脂モールド時に前記半導体素子を支持する支持台部を
設けた放熱体をモールド金型にセットして樹脂モールド
する放熱体付半導体装置の製造方法において、 モールド金型のキャビティ内にエジェクタピンを突出さ
せ、前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間を形成
すべく前記半導体素子を前記エジェクタピンで支持して
樹脂モールドし、 樹脂硬化後に、前記エジェクタピンの通過孔内に樹脂あ
るいは金属を充填して封着することを特徴とする放熱体
付半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15850593A JP3304513B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 放熱体付半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15850593A JP3304513B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 放熱体付半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745663A true JPH0745663A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3304513B2 JP3304513B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=15673205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15850593A Expired - Fee Related JP3304513B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 放熱体付半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304513B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083712A (ko) * | 2001-04-30 | 2002-11-04 | 김광호 | 판형 히트스프레더 |
| JP2008053509A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
| JP2009290182A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Powertech Technology Inc | リードフレームパッケージ構造とその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15850593A patent/JP3304513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083712A (ko) * | 2001-04-30 | 2002-11-04 | 김광호 | 판형 히트스프레더 |
| JP2008053509A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
| JP2009290182A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Powertech Technology Inc | リードフレームパッケージ構造とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3304513B2 (ja) | 2002-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6509636B1 (en) | Semiconductor package | |
| JP2971834B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| EP0692820A1 (en) | Manufacturing one sided resin sealed semiconductor devices and a carrier used for it | |
| JPH07321139A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20040166605A1 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
| JPH0621317A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP3606078B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3129660B2 (ja) | Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JPH08139218A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0745663A (ja) | 放熱体付半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0936155A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3315255B2 (ja) | 半導体装置の樹脂モールド方法及びこれに用いるキャリアフレーム並びに樹脂モールド装置 | |
| JP4579275B2 (ja) | 樹脂モールド金型 | |
| JP3787131B2 (ja) | Ｂｇａパッケージの製造に用いるモールド金型 | |
| KR100244721B1 (ko) | 반도체패키지 | |
| JPH10112519A (ja) | 熱放散手段を有する集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP3332814B2 (ja) | 基板用モールド金型及び成形された基板 | |
| US8648452B2 (en) | Resin molded semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH08250531A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100418512B1 (ko) | 반도체 팩키지 몰딩용 금형 및 그 금형의 사용 방법 | |
| JP2568752B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2582683B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH10223669A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 | |
| JP2006066486A (ja) | 樹脂封止型 | |
| KR100230520B1 (ko) | 반도체 소자 패키지 베이스의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |