JP2568752B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2568752B2
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正之 山口
正信 高須賀
正記 谷口
秀雄 福田
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松下電子工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ピン数が多いリードフレームを樹脂で一体
成型した半導体装置に関する。
従来の技術 リードフレームを樹脂で一体成型した外囲器を有する
半導体装置を用いる場合、これまでは第3図に示すよう
な樹脂1を、半導体チップ2をマウントしたリードフレ
ーム3に成型する方法をとっていた。なお4はチップ搭
載部である。このような方法では、光を透過する樹脂を
用いる場合、成型性として気泡、樹脂むらなどをなくす
ることは困難で光半導体素子などでは外観不良が多発し
ていた。また樹脂1とリードフレーム3の密着性が不十
分なためリード本数が制約され、リードピッチを大きく
とる必要があり、多ピンパッケージの用途には不向きで
あった。
発明が解決しようとする課題 このような従来の半導体装置では、樹脂の成型性が不
十分であるから外観検査による選別が必要であり、密着
性向上に対しても別の樹脂をリードフレーム3周辺に封
止する必要があり、手間と取り付けコストがかかってい
た。またリード本数の多い外囲器では信頼性の向上が難
しいという課題があった。
本発明は上記課題を解決するもので、リードフレーム
と樹脂との密着性が高く、樹脂むら,気泡等もなく、高
密度のリードフレームを有する高品質の半導体装置を提
供することを目的としている。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、半導体チップの
搭載部を有するリードフレームと樹脂で外囲器を一体成
形して、半導体チップ周辺に前記半導体チップの厚みよ
り高い外壁による窪みのある凹形状の外囲器構造とし、
外囲器の内部側のリードである内部リードの少なくとも
一部が前記窪み底面に露出され、前記底面が少なくとも
前記搭載部上面と前記内部リード上面とによる平坦面よ
りなる。
また、前記樹脂を熱可塑性樹脂としたものでもある。
さらに、リードフレームの外囲器と一体成形される部分
の形状が凹凸形状または段差構造にするものである。
作用 本発明は上記構成により、リード本数の多い多ピンタ
イプの外囲器の場合でも、樹脂むら,気泡等の樹脂成型
性、リードフレームの外囲器との密着性がよくなる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、第1図および第2
図を参照しながら説明する。まず第1図(a)は半導体
装置の平面図を、第1図(b)は断面図を示す。すなわ
ち凹凸をもつリードフレーム11Aにフェノール系樹脂で
外囲器12を成型し、二方向で支えられたチップ搭載部13
に集積回路チップ14がマウントされている。リードフレ
ーム11Aの外部リードは外囲器12から対称に二方向にで
ており、樹脂の密着性を向上させている。外囲器12はチ
ップ搭載部13の周辺に集積回路チップ14の厚みより高い
外壁15ができるように凹型に樹脂成型してある。集積回
路チップ14の上部は樹脂のない空間になっており、樹脂
むら、泡などの問題は発生しない構造となっている。
第2図に他の実施例を示す。第2図において第1図と
同じ部分については同一番号を付し、説明を省略する。
すなわち、この実施例の特徴は、第1図の凹凸をもつリ
ードフレーム11Aの代りに段差をもつリードフレーム11B
を用いたこと、さらに外囲器12周辺の一部に切り欠き部
16を設け、裏面17には数字を凸部で成型し、上面18はサ
ンディングし粗くすることで接着性を大幅に向上させて
いる。
発明の効果 本発明によれば、半導体チップの搭載部を有するリー
ドフレームと樹脂で外囲器を一体成形して、半導体チッ
プ周辺に前記半導体チップの厚みより高い外壁による窪
みのある凹形状の外囲器構造とし、外囲器の内部側のリ
ードである内部リードの少なくとも一部が前記窪み底面
に露出され、前記底面が少なくとも前記搭載部上面と前
記内部リード上面とによる平坦面よりなるので、樹脂の
成形と半導体チップの搭載とを別個にでき、成形性によ
る半導体素子周辺の気泡、樹脂むらを解決し、半導体チ
ップのワイヤボンド等による搭載を容易にしワイヤ変形
や半導体チップの樹脂封止過熱もなく、半導体チップと
外囲器との位置調整も容易にできる。また、樹脂が熱可
塑性樹脂であれば、窪み部の形成が容易で内部リードの
露出部への樹脂の回り込みもない。さらに、リードフレ
ームの外囲器と一体成形される部分の形状が凹凸形状ま
たは段差構造であれば、リードフレームと樹脂との密着
性が高く、高密度のリードフレームを有する半導体装置
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b)はそれぞれ本発明の第1の実施例
の半導体装置の平面図および断面図、第2図(a),
(b)はそれぞれ本発明の第2の実施例の半導体装置の
平面図および断面図、第3図(a),(b)はそれぞれ
従来の半導体装置の平面図および断面図である。 11A……リードフレーム、12……外囲器、 13……チップ搭載部、14……集積回路チップ (半導体チップ)、15……外壁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 秀雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−136356(JP,A) 実開 昭63−89253(JP,U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップと、前記半導体チップの搭載
    部を有するリードフレームと、前記リードフレームを樹
    脂とで一体成型して、前記半導体チップ周辺に前記半導
    体チップの厚みより高い外壁による窪みのある凹形状の
    外囲器とを有し、前記リードフレームの内部リードの少
    なくとも一部が前記外壁で囲まれた前記凹形状外囲器の
    前記窪み底面に露出され、前記底面が少なくとも前記搭
    載部上面と前記内部リード上面とによる平坦面である半
    導体装置。
  2. 【請求項2】樹脂が熱可塑性樹脂である請求項1記載の
    半導体装置。
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