JPH06216412A - Ledの製造方法 - Google Patents
Ledの製造方法Info
- Publication number
- JPH06216412A JPH06216412A JP50A JP2351293A JPH06216412A JP H06216412 A JPH06216412 A JP H06216412A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 2351293 A JP2351293 A JP 2351293A JP H06216412 A JPH06216412 A JP H06216412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- lead frame
- base portion
- resin
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成によって、ベース部が熱変形する
ようなことのないようにしたLEDの製造方法を提供す
る。 【構成】 二本のリードフレーム11,12と、該リー
ドフレームの一方の上端面に取り付けたLEDチップ1
3と、各リードフレームの下部領域を覆うように成形し
たベース部14と、該ベース部の上方にて、各リードフ
レームの上端面及びLEDチップを包囲するように樹脂
モールドにより形成したレンズ部15とを具備するLE
D10において、先ずレンズ部を透明樹脂から成形し、
その後、レンズ部に対して、ベース部を、上記透明樹脂
より耐熱性の高い樹脂によりインサート成形するように
構成する。
ようなことのないようにしたLEDの製造方法を提供す
る。 【構成】 二本のリードフレーム11,12と、該リー
ドフレームの一方の上端面に取り付けたLEDチップ1
3と、各リードフレームの下部領域を覆うように成形し
たベース部14と、該ベース部の上方にて、各リードフ
レームの上端面及びLEDチップを包囲するように樹脂
モールドにより形成したレンズ部15とを具備するLE
D10において、先ずレンズ部を透明樹脂から成形し、
その後、レンズ部に対して、ベース部を、上記透明樹脂
より耐熱性の高い樹脂によりインサート成形するように
構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームに取
り付けたLEDチップとリードフレームの下部領域を覆
うベース部とこのベース部の上方にてリードフレームの
上端面及びLEDチップを包囲するレンズ部とを含んで
いる、LEDの製造方法に関するものである。
り付けたLEDチップとリードフレームの下部領域を覆
うベース部とこのベース部の上方にてリードフレームの
上端面及びLEDチップを包囲するレンズ部とを含んで
いる、LEDの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、LEDは、例えば図4に示すよう
に構成されている。すなわち、LED1は、実質的に上
下に平行に延びる二本のリードフレーム2,3と、該リ
ードフレームのうち一方のリードフレーム2の拡大され
た上端面2aに取り付けられるLEDチップ4と、該リ
ードフレーム2,3の下部領域を覆うように一体成形さ
れたベース部5と、上記LEDチップ4及びベース部5
の上方に透明樹脂の樹脂モールドにより成形されたレン
ズ部6とから構成されている。
に構成されている。すなわち、LED1は、実質的に上
下に平行に延びる二本のリードフレーム2,3と、該リ
ードフレームのうち一方のリードフレーム2の拡大され
た上端面2aに取り付けられるLEDチップ4と、該リ
ードフレーム2,3の下部領域を覆うように一体成形さ
れたベース部5と、上記LEDチップ4及びベース部5
の上方に透明樹脂の樹脂モールドにより成形されたレン
ズ部6とから構成されている。
【0003】ここで、上記LEDチップ4は、一方のリ
ードフレーム2の上端面2a上にダイボンディング等に
より固定され且つこのリードフレーム2と電気的に接続
されていると共に、他方のリードフレーム3の上端面3
aに対してワイヤボンディングにより電気的に接続され
ている。
ードフレーム2の上端面2a上にダイボンディング等に
より固定され且つこのリードフレーム2と電気的に接続
されていると共に、他方のリードフレーム3の上端面3
aに対してワイヤボンディングにより電気的に接続され
ている。
【0004】このような構成のLED1によれば、二つ
のリードフレーム2,3の下方のリード部を介してLE
Dチップ4に給電が行なわれると、該LEDチップ4が
発光せしめられる。これにより、LEDチップ4から出
射した光は、一部がそのまま上方へ進み、また一部がリ
ードフレーム2の上端面2aにて反射せしめられた後上
方に進んで、レンズ部6の作用により集光されながら、
外部へ出射するようになっている。
のリードフレーム2,3の下方のリード部を介してLE
Dチップ4に給電が行なわれると、該LEDチップ4が
発光せしめられる。これにより、LEDチップ4から出
射した光は、一部がそのまま上方へ進み、また一部がリ
ードフレーム2の上端面2aにて反射せしめられた後上
方に進んで、レンズ部6の作用により集光されながら、
外部へ出射するようになっている。
【0005】また、他の構成によれば、LEDは、上記
ベース部5及びレンズ部6が透明樹脂により一体に成形
されている。これにより、リードフレームを介してLE
Dチップに対して給電が行なわれると、該LEDチップ
が発光せしめられ、このLEDチップからの光がレンズ
部の作用により集光されながら、外部へ出射するように
なっている。
ベース部5及びレンズ部6が透明樹脂により一体に成形
されている。これにより、リードフレームを介してLE
Dチップに対して給電が行なわれると、該LEDチップ
が発光せしめられ、このLEDチップからの光がレンズ
部の作用により集光されながら、外部へ出射するように
なっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなLED1においては、いずれのLEDにおいても、
ベース部5及びレンズ部6が、共に同じ材料から形成さ
れている。従って、例えばリードフレーム2,3の接続
部分にて、何らかの理由によって発熱が生ずることとな
った場合、熱が、該リードフレーム2,3を介してベー
ス部5に伝達されることになる。このため場合によって
は、そのベース部5が熱によって変形することがあり、
これによりLEDチップ4から出射する光の配光特性が
変化して、発光効率が低下してしまう等の問題があった
り、LEDを実装するにあたって、半田付け等の熱によ
ってリードフレーム2,3がぐらついたりして、金線の
断線等が発生してしまうことがあった。
うなLED1においては、いずれのLEDにおいても、
ベース部5及びレンズ部6が、共に同じ材料から形成さ
れている。従って、例えばリードフレーム2,3の接続
部分にて、何らかの理由によって発熱が生ずることとな
った場合、熱が、該リードフレーム2,3を介してベー
ス部5に伝達されることになる。このため場合によって
は、そのベース部5が熱によって変形することがあり、
これによりLEDチップ4から出射する光の配光特性が
変化して、発光効率が低下してしまう等の問題があった
り、LEDを実装するにあたって、半田付け等の熱によ
ってリードフレーム2,3がぐらついたりして、金線の
断線等が発生してしまうことがあった。
【0007】この発明は、以上の点に鑑み、簡単な構成
によって、ベース部が熱変形するようなことのないよう
にした、LEDの製造方法を提供することを目的とす
る。
によって、ベース部が熱変形するようなことのないよう
にした、LEDの製造方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、実質的に上下に平行に延びる二本のリ
ードフレームと、これらのリードフレームの一方の上端
面に取り付けられ且つその上面が他方のリードフレーム
の上端に対して接続されているLEDチップと、各リー
ドフレームの下部領域を覆うように成形されたベース部
と、このベース部の上方にて、各リードフレームの上端
面及びLEDチップを包囲するように樹脂モールドによ
り形成されたレンズ部とを具備するLEDにおいて、先
ずレンズ部を透明樹脂から成形し、その後、レンズ部に
対して、ベース部を上記透明樹脂より耐熱性の高い樹脂
によりインサート成形することによりLEDを製造する
ものである。
め、この発明は、実質的に上下に平行に延びる二本のリ
ードフレームと、これらのリードフレームの一方の上端
面に取り付けられ且つその上面が他方のリードフレーム
の上端に対して接続されているLEDチップと、各リー
ドフレームの下部領域を覆うように成形されたベース部
と、このベース部の上方にて、各リードフレームの上端
面及びLEDチップを包囲するように樹脂モールドによ
り形成されたレンズ部とを具備するLEDにおいて、先
ずレンズ部を透明樹脂から成形し、その後、レンズ部に
対して、ベース部を上記透明樹脂より耐熱性の高い樹脂
によりインサート成形することによりLEDを製造する
ものである。
【0009】
【作用】上記構成によれば、レンズ部の下方に位置する
ベース部がレンズ部を構成する透明樹脂よりも耐熱性の
高い樹脂により形成されることから、例えばリードフレ
ームの接続部分において、何らかの理由によって発熱が
生ずることとなった場合に、熱がこのリードフレームを
介してベース部に伝達されたときであっても、このベー
ス部が高い耐熱性を有する樹脂材料によって形成されて
いることにより、熱変形を生ずるようなことはない。従
って、熱変形によって配光特性が変化することがなく、
発光効率が低下するようなことがない。
ベース部がレンズ部を構成する透明樹脂よりも耐熱性の
高い樹脂により形成されることから、例えばリードフレ
ームの接続部分において、何らかの理由によって発熱が
生ずることとなった場合に、熱がこのリードフレームを
介してベース部に伝達されたときであっても、このベー
ス部が高い耐熱性を有する樹脂材料によって形成されて
いることにより、熱変形を生ずるようなことはない。従
って、熱変形によって配光特性が変化することがなく、
発光効率が低下するようなことがない。
【0010】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、この
発明を詳細に説明する。図1はこの発明による方法によ
り製造されたLEDの一実施例を示している。このLE
D10は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフ
レーム11,12と、これらのリードフレームのうち一
方のリードフレーム11の拡大された上端面11aに取
り付けられるLEDチップ13と、該リードフレーム1
1,12の下部領域を覆うように成形されたベース部1
4と、LEDチップ13及びベース部14の上方に透明
樹脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ15とから
構成されている。
発明を詳細に説明する。図1はこの発明による方法によ
り製造されたLEDの一実施例を示している。このLE
D10は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフ
レーム11,12と、これらのリードフレームのうち一
方のリードフレーム11の拡大された上端面11aに取
り付けられるLEDチップ13と、該リードフレーム1
1,12の下部領域を覆うように成形されたベース部1
4と、LEDチップ13及びベース部14の上方に透明
樹脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ15とから
構成されている。
【0011】ここで、一方のリードフレーム11の上端
面11aには、LEDチップ13がダイボンディング等
により固定され且つ該リードフレーム11と電気的に接
続されていると共に、他方のリードフレーム12の上端
面12aに対してワイヤボンディングにより電気的に接
続されている。
面11aには、LEDチップ13がダイボンディング等
により固定され且つ該リードフレーム11と電気的に接
続されていると共に、他方のリードフレーム12の上端
面12aに対してワイヤボンディングにより電気的に接
続されている。
【0012】また、上記レンズ部15及びベース部14
は以下のように形成される。即ち、先ず、リードフレー
ム11,12の上部領域に対して、レンズ部15が、図
2に示すように、エポキシ樹脂等の透明樹脂によって、
モールド成形等にて成形される。この場合、レンズ部1
5は、下端の周縁に沿って半径方向に突出したフランジ
部15aを有するように形成されている。
は以下のように形成される。即ち、先ず、リードフレー
ム11,12の上部領域に対して、レンズ部15が、図
2に示すように、エポキシ樹脂等の透明樹脂によって、
モールド成形等にて成形される。この場合、レンズ部1
5は、下端の周縁に沿って半径方向に突出したフランジ
部15aを有するように形成されている。
【0013】レンズ部15が硬化したところで、図3に
示すように、リードフレーム11の上端面11aにLE
Dチップ13を実装した状態から、該リードフレーム1
1,12及びレンズ部15を型16内にセットした後、
この型16内に、ゲート17を介して樹脂を注入するこ
とにより、レンズ部15に対して一体的に、ベース部1
4が、例えば射出成形法によってインサート成形され
る。
示すように、リードフレーム11の上端面11aにLE
Dチップ13を実装した状態から、該リードフレーム1
1,12及びレンズ部15を型16内にセットした後、
この型16内に、ゲート17を介して樹脂を注入するこ
とにより、レンズ部15に対して一体的に、ベース部1
4が、例えば射出成形法によってインサート成形され
る。
【0014】このとき、レンズ部15は、そのフランジ
部15aの上縁が上型16aのレンズ部15を収容すべ
き凹部16bの周縁に当接するようになっている。ま
た、ベース部14を構成する樹脂としては、上記レンズ
部15を構成するエポキシ樹脂等の透明樹脂より耐熱性
の高い樹脂が選択されるようになっている。このように
してベース部14をインサート成形することにより、L
ED10が完成する。
部15aの上縁が上型16aのレンズ部15を収容すべ
き凹部16bの周縁に当接するようになっている。ま
た、ベース部14を構成する樹脂としては、上記レンズ
部15を構成するエポキシ樹脂等の透明樹脂より耐熱性
の高い樹脂が選択されるようになっている。このように
してベース部14をインサート成形することにより、L
ED10が完成する。
【0015】このように構成されたLED10によれ
ば、ベース部14の底面または側面に露出した二つのリ
ードフレーム11,12の下方のリード部を介して、該
LEDチップ13に給電を行うと、LEDチップ13が
発光し、このときLEDチップ13から出射した光は、
その一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がレ
ンズ部15の下面に入射してこの下面により反射されて
レンズ部15から外部へ出射し、その際レンズ部15の
作用によってほぼ上方に向かって進行する。
ば、ベース部14の底面または側面に露出した二つのリ
ードフレーム11,12の下方のリード部を介して、該
LEDチップ13に給電を行うと、LEDチップ13が
発光し、このときLEDチップ13から出射した光は、
その一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がレ
ンズ部15の下面に入射してこの下面により反射されて
レンズ部15から外部へ出射し、その際レンズ部15の
作用によってほぼ上方に向かって進行する。
【0016】ここで、例えばリードフレーム11,12
の接続部分にて、何らかの理由によって発熱が生ずるこ
ととなった場合に、この熱がリードフレーム11,12
を介してベース部14に伝達されたときでも、このベー
ス部14は、レンズ部15よりも耐熱性の高い樹脂材料
から形成されていることにより、熱変形するようなこと
がない。従って、ベース部14の変形によりレンズ部1
5が歪んでしまうこともないので、LEDチップ13か
ら外部への配光特性が変化して発光効率が低下してしま
ったり、金線の破断に到るようなことがない。
の接続部分にて、何らかの理由によって発熱が生ずるこ
ととなった場合に、この熱がリードフレーム11,12
を介してベース部14に伝達されたときでも、このベー
ス部14は、レンズ部15よりも耐熱性の高い樹脂材料
から形成されていることにより、熱変形するようなこと
がない。従って、ベース部14の変形によりレンズ部1
5が歪んでしまうこともないので、LEDチップ13か
ら外部への配光特性が変化して発光効率が低下してしま
ったり、金線の破断に到るようなことがない。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
レンズ部下方のベース部が、レンズ部を構成する透明樹
脂よりも耐熱性の高い樹脂により形成されていることか
ら、例えばリードフレームの接続部分に発熱が生じて
も、ベース部が熱変形を生ずるようなことはなく、従っ
て、熱変形によって配光特性が変化することがなく、発
光効率が低下したり、或いは金線が破断してしまったり
することもない。かくして、この発明によれば、簡単な
構成によって、ベース部が熱変形するようなことのない
ようにした、優れたLEDの製造方法が提供される。
レンズ部下方のベース部が、レンズ部を構成する透明樹
脂よりも耐熱性の高い樹脂により形成されていることか
ら、例えばリードフレームの接続部分に発熱が生じて
も、ベース部が熱変形を生ずるようなことはなく、従っ
て、熱変形によって配光特性が変化することがなく、発
光効率が低下したり、或いは金線が破断してしまったり
することもない。かくして、この発明によれば、簡単な
構成によって、ベース部が熱変形するようなことのない
ようにした、優れたLEDの製造方法が提供される。
【図1】この発明による製造方法の一実施例に従って製
造されるLEDの概略正面図である。
造されるLEDの概略正面図である。
【図2】図1のLEDのレンズ部成形時を示す概略断面
図である。
図である。
【図3】図1のLEDのベース部成形時を示す概略断面
図である。
図である。
【図4】従来のLEDの一例を示す概略正面図である。
10 LED 11 リードフレーム 11a 上端面 12 リードフレーム 12a 上端面 13 LEDチップ 14 ベース部 15 レンズ部 15a フランジ部 16 型 16a 上型 16b 凹部 17 ゲート
Claims (1)
- 【請求項1】 二本のリードフレームと、該リードフレ
ームの一方の上端面に取り付けられ且つその上面が他方
のリードフレームの上端に対して接続されているLED
チップと、各リードフレームの下部領域を覆うように成
形されたベース部と、該ベース部の上方にて、各リード
フレームの上端面及びLEDチップを包囲するように樹
脂モールドにより形成されたレンズ部とを具備するLE
Dにおいて、 先ずレンズ部が透明樹脂から成形され、その後、該レン
ズ部に対して、ベース部が上記透明樹脂より耐熱性の高
い樹脂によりインサート成形されることを特徴とする、
LEDの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50A JPH06216412A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Ledの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50A JPH06216412A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Ledの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216412A true JPH06216412A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12112507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50A Pending JPH06216412A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Ledの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06216412A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990013680A (ko) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 사토겐이치로 | 반도체 발광소자 |
WO2003054920A2 (de) * | 2001-12-05 | 2003-07-03 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum herstellen von led-körpern |
WO2003056637A2 (de) * | 2001-12-24 | 2003-07-10 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen |
US6806506B2 (en) * | 2001-07-17 | 2004-10-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having leads provided with interrupter for molten resin |
US7241637B2 (en) | 2002-09-16 | 2007-07-10 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Method of producing LED bodies with the aid of a cross-sectional constriction |
KR100840942B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-06-24 | 조영찬 | 파워 led 모듈 및 그 제조방법 |
CN100421267C (zh) * | 2004-01-13 | 2008-09-24 | 光纤设计公司 | 加套发光二极管组件和包含其的灯串 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP50A patent/JPH06216412A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990013680A (ko) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 사토겐이치로 | 반도체 발광소자 |
US6806506B2 (en) * | 2001-07-17 | 2004-10-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having leads provided with interrupter for molten resin |
WO2003054920A2 (de) * | 2001-12-05 | 2003-07-03 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum herstellen von led-körpern |
WO2003054920A3 (de) * | 2001-12-05 | 2004-02-19 | G L I Global Light Ind Gmbh | Verfahren zum herstellen von led-körpern |
WO2003056637A2 (de) * | 2001-12-24 | 2003-07-10 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen |
WO2003056637A3 (de) * | 2001-12-24 | 2004-06-03 | G L I Global Light Ind Gmbh | Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen |
US7232536B2 (en) | 2001-12-24 | 2007-06-19 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Method for producing light-guiding LED bodies in two spatially and temporally separate steps |
US7241637B2 (en) | 2002-09-16 | 2007-07-10 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Method of producing LED bodies with the aid of a cross-sectional constriction |
CN100421267C (zh) * | 2004-01-13 | 2008-09-24 | 光纤设计公司 | 加套发光二极管组件和包含其的灯串 |
KR100840942B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-06-24 | 조영찬 | 파워 led 모듈 및 그 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3964590B2 (ja) | 光半導体パッケージ | |
JP4404860B2 (ja) | Ledハウジング及びその製造方法 | |
US6727643B2 (en) | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method | |
US4933729A (en) | Photointerrupter | |
KR20030087102A (ko) | 광마우스용 칩 온 보드 리드 패키지 및 그에 사용되는렌즈커버 | |
KR20080080169A (ko) | 발광 장치 및 반도체 장치와 그 제조 방법 | |
JPH10242526A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP4952126B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品の製造方法 | |
JPH06216412A (ja) | Ledの製造方法 | |
US20080116551A1 (en) | Method For Producing A Laser Diode Component, Housing For A Laser Diode Comoponent, And Laser Diode Component Itself | |
JPH10308535A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2004095576A (ja) | 光半導体装置及び光半導体モジュール及び光半導体装置の製造方法 | |
JP2002314100A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
CN102027607A (zh) | Led封装、引线框及其制造方法 | |
JPH0617259U (ja) | モジュールタイプledのモールド構造 | |
JP2521021Y2 (ja) | モジユールタイプledのモールド構造 | |
JPH08242020A (ja) | 発光ダイオードの実装構造 | |
JPH06204567A (ja) | 表面実装型ledの製造方法 | |
JPH0983011A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2568752B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH06163950A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0525257Y2 (ja) | ||
JP2868367B2 (ja) | 表面実装用発光ダイオード | |
JPS591253Y2 (ja) | 半導体発光表示装置 | |
JPH04109556U (ja) | 反射ケース型ledランプ |