JPH06163950A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06163950A JPH06163950A JP4311912A JP31191292A JPH06163950A JP H06163950 A JPH06163950 A JP H06163950A JP 4311912 A JP4311912 A JP 4311912A JP 31191292 A JP31191292 A JP 31191292A JP H06163950 A JPH06163950 A JP H06163950A
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- Japan
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- island
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- semiconductor device
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- semiconductor element
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のケース部を熱硬化樹脂性ケース
で構築する。 【構成】 半導体装置の上パッケージ２及び下パッケー
ジ３に熱硬化性プラスチック樹脂を用いてキャビティケ
ースを成形する。このキャビティケースの一部に当たる
アイランド１を下パッケージ３表面から隆起して形成
し、かつ連続してパッケージ長手方向に蛇行する形状に
する。この蛇行したアイランド１が変形してパッケージ
２，３の縮み量を吸収し、アイランドのソリをなくす
る。
で構築する。 【構成】 半導体装置の上パッケージ２及び下パッケー
ジ３に熱硬化性プラスチック樹脂を用いてキャビティケ
ースを成形する。このキャビティケースの一部に当たる
アイランド１を下パッケージ３表面から隆起して形成
し、かつ連続してパッケージ長手方向に蛇行する形状に
する。この蛇行したアイランド１が変形してパッケージ
２，３の縮み量を吸収し、アイランドのソリをなくす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造に関
し、特に半導体素子の表面が外部光を受光することを必
要とする半導体装置のパッケージ構造に関する。
し、特に半導体素子の表面が外部光を受光することを必
要とする半導体装置のパッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図３に示すように、半導体装置の
一部にガラスの透明体８を用いて半導体素子表面の受光
素子が受光可能にした半導体装置用パッケージは、予め
セラミックを材質として成形された上パッケージ２と下
パッケージ３との間に、導電性金属材料を材質として成
形されたリードフレーム４を挾み込んでパッケージを成
形していた。その際、上パッケージ２とリードフレーム
４及び下パッケージ３とリードフレーム４は、加熱溶融
したガラス９を介して結合される。
一部にガラスの透明体８を用いて半導体素子表面の受光
素子が受光可能にした半導体装置用パッケージは、予め
セラミックを材質として成形された上パッケージ２と下
パッケージ３との間に、導電性金属材料を材質として成
形されたリードフレーム４を挾み込んでパッケージを成
形していた。その際、上パッケージ２とリードフレーム
４及び下パッケージ３とリードフレーム４は、加熱溶融
したガラス９を介して結合される。
【０００３】このキャビティケースの下パッケージ３上
に半導体素子６をペースト状樹脂５によって搭載後、金
属細線７により半導体素子６とインナーリード４ａとを
結線する。次にキャビティケース部上面をガラス等の透
明体８にて密封する。その際、透明体８よりも融点の低
いガラス９を加熱溶融してキャビティケースと透明体と
を接合していた。
に半導体素子６をペースト状樹脂５によって搭載後、金
属細線７により半導体素子６とインナーリード４ａとを
結線する。次にキャビティケース部上面をガラス等の透
明体８にて密封する。その際、透明体８よりも融点の低
いガラス９を加熱溶融してキャビティケースと透明体と
を接合していた。
【０００４】最終的にアウターリード４ｂを金型等を用
いてリードフレーム４より切断，成形して半導体装置を
構成していた。またフルモールドパッケージタイプで
は、特開昭６２−１３６０５０号公報，特開平１−２７
８７５５号公報のようにアイランド裏側に蛇行状パター
ンの溝部を設けたものや、アイランドを複数に分割した
ものもある。
いてリードフレーム４より切断，成形して半導体装置を
構成していた。またフルモールドパッケージタイプで
は、特開昭６２−１３６０５０号公報，特開平１−２７
８７５５号公報のようにアイランド裏側に蛇行状パター
ンの溝部を設けたものや、アイランドを複数に分割した
ものもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置の一部に透明体を用いた半導体装置は、コスト的に
パッケージの占める割合が高すぎるという欠点がある。
費用割合を概算で記述すると、半導体素子が約２０％，
組立工数が約１０％に対し、パッケージを含む資材費が
７０％を占めている。そこで、パッケージの費用を安く
するために、パッケージの材質をセラミックからプラス
チックに変更する必要があり、構造的には、半導体素子
６の搭載部下には今まで必要のなかったアイランド１を
設けなければならない。
装置の一部に透明体を用いた半導体装置は、コスト的に
パッケージの占める割合が高すぎるという欠点がある。
費用割合を概算で記述すると、半導体素子が約２０％，
組立工数が約１０％に対し、パッケージを含む資材費が
７０％を占めている。そこで、パッケージの費用を安く
するために、パッケージの材質をセラミックからプラス
チックに変更する必要があり、構造的には、半導体素子
６の搭載部下には今まで必要のなかったアイランド１を
設けなければならない。
【０００６】今までのセラミックケースでは、セラミッ
クと半導体素子の熱膨張差は同等なので、アイランドは
不要だったが、プラスチックケースでは、プラスチック
と半導体素子は使用温度差１５０度の範囲で膨張差が８
０μｍ程度生じるため、半導体素子にストレスが加わ
り、半導体素子の寿命に問題が生ずるので、金属アイラ
ンドは必要である。
クと半導体素子の熱膨張差は同等なので、アイランドは
不要だったが、プラスチックケースでは、プラスチック
と半導体素子は使用温度差１５０度の範囲で膨張差が８
０μｍ程度生じるため、半導体素子にストレスが加わ
り、半導体素子の寿命に問題が生ずるので、金属アイラ
ンドは必要である。
【０００７】このアイランドを設けたリードフレームを
パッケージ成形用の封入金型に装着し、プラスチック樹
脂を注入し、パッケージを製作すると、図４のようにア
イランド１がプラスチックと金属アイランドの熱膨張差
により０．１〜１ｍｍ程度凸状となる問題があった。ア
イランドのソリ規格としては、２０μｍ以内に抑える必
要がある。また従来例の特開昭６２−２３６０５号公報
のアイランドを複数に分割する内容のものをプラスチッ
クパッケージにそのまま適用すると、分割した長さに比
例してソリが小さくなるが、２０μｍ以内の規格を満足
することはできない。また、特開平１−２７８７３５号
公報では、上述した内容と同じアイランドが一体のまま
の構造であるため、０．１〜１ｍｍ程度のソリが生じる
という問題がある。
パッケージ成形用の封入金型に装着し、プラスチック樹
脂を注入し、パッケージを製作すると、図４のようにア
イランド１がプラスチックと金属アイランドの熱膨張差
により０．１〜１ｍｍ程度凸状となる問題があった。ア
イランドのソリ規格としては、２０μｍ以内に抑える必
要がある。また従来例の特開昭６２−２３６０５号公報
のアイランドを複数に分割する内容のものをプラスチッ
クパッケージにそのまま適用すると、分割した長さに比
例してソリが小さくなるが、２０μｍ以内の規格を満足
することはできない。また、特開平１−２７８７３５号
公報では、上述した内容と同じアイランドが一体のまま
の構造であるため、０．１〜１ｍｍ程度のソリが生じる
という問題がある。
【０００８】本発明の目的は、アイランドのソリの少な
い熱硬化性プラスチック樹脂ケースに変更した半導体装
置を提供することにある。
い熱硬化性プラスチック樹脂ケースに変更した半導体装
置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、キャビティケースと、
透明体と、半導体素子と、アイランドとを有する半導体
装置であって、キャビティケースは、プラスチック樹脂
からなる中空構造のものであり、透明体は、キャビティ
ケースの開口部を閉塞するものであり、半導体素子は、
キャビティケース内に設けられ、透明体を通して外部光
を受光するものであり、アイランドは、キャビティケー
スの内底部から凸条に隆起して形成され、かつ連続して
蛇行する形状に成形され、半導体素子が搭載されるもの
である。
め、本発明に係る半導体装置は、キャビティケースと、
透明体と、半導体素子と、アイランドとを有する半導体
装置であって、キャビティケースは、プラスチック樹脂
からなる中空構造のものであり、透明体は、キャビティ
ケースの開口部を閉塞するものであり、半導体素子は、
キャビティケース内に設けられ、透明体を通して外部光
を受光するものであり、アイランドは、キャビティケー
スの内底部から凸条に隆起して形成され、かつ連続して
蛇行する形状に成形され、半導体素子が搭載されるもの
である。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置は、キャビ
ティケースと、透明体と、半導体素子と、アイランドと
を有する半導体装置であって、キャビティケースは、プ
ラスチック樹脂からなる中空構造のものであり、透明体
は、キャビティケースの開口部を閉塞するものであり、
半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、アイランドは、
キャビティケースの内底部から凸条に隆起して中空楕円
形状に形成され、かつ中空楕円間が一点で結合され、半
導体素子が搭載されるものである。
ティケースと、透明体と、半導体素子と、アイランドと
を有する半導体装置であって、キャビティケースは、プ
ラスチック樹脂からなる中空構造のものであり、透明体
は、キャビティケースの開口部を閉塞するものであり、
半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、アイランドは、
キャビティケースの内底部から凸条に隆起して中空楕円
形状に形成され、かつ中空楕円間が一点で結合され、半
導体素子が搭載されるものである。
【００１１】
【作用】アイランドは、パッケージ内底部から凸条に隆
起して形成し、かつ蛇行形状、或いは中空形状としてあ
るため、プラスチックパッケージの縮み量に対応してア
イランドが変形し、その縮み量を吸収する。
起して形成し、かつ蛇行形状、或いは中空形状としてあ
るため、プラスチックパッケージの縮み量に対応してア
イランドが変形し、その縮み量を吸収する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１３】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る半導体装置を示す斜視図、図２は、同縦断面図であ
る。
係る半導体装置を示す斜視図、図２は、同縦断面図であ
る。
【００１４】図において、下パッケージ３の周縁から上
パッケージ２が立上り、下パッケージ３と上パッケージ
２とにより、内部が中空構造のキャビティケースが構成
されている。上パッケージ２及び下パッケージ３は、熱
硬化性プラスチック樹脂からなる。また、導電性金属か
ら形成されたリードフレーム４は、一部が上パッケージ
２内に埋設されて、その内端側のインナーリード４ａが
キャビティケース内に差込まれている。一方、リードフ
レーム４のアウターリード４ｂはキャビティケース外に
露出している。
パッケージ２が立上り、下パッケージ３と上パッケージ
２とにより、内部が中空構造のキャビティケースが構成
されている。上パッケージ２及び下パッケージ３は、熱
硬化性プラスチック樹脂からなる。また、導電性金属か
ら形成されたリードフレーム４は、一部が上パッケージ
２内に埋設されて、その内端側のインナーリード４ａが
キャビティケース内に差込まれている。一方、リードフ
レーム４のアウターリード４ｂはキャビティケース外に
露出している。
【００１５】さらに、金属アイランド１は、下パッケー
ジ３の表面から凸条に隆起して設けられ、かつ連続して
パッケージの長さ方向に蛇行して形成されている。この
アイランド１上には、半導体素子６がペースト状樹脂５
で接合され、半導体素子６とインナーリード４ａとの間
が金属細線７により電気的に接続される。
ジ３の表面から凸条に隆起して設けられ、かつ連続して
パッケージの長さ方向に蛇行して形成されている。この
アイランド１上には、半導体素子６がペースト状樹脂５
で接合され、半導体素子６とインナーリード４ａとの間
が金属細線７により電気的に接続される。
【００１６】また、キャビティケースの上面開口は、ガ
ラス等の透明体８で密封されている。この透明体８を通
して、半導体素子６が受光する。
ラス等の透明体８で密封されている。この透明体８を通
して、半導体素子６が受光する。
【００１７】この半導体パッケージの製造方法は、図示
しない封入上下金型として、上下パッケージ形状に加工
した金型を用い、その金型に導電性金属から形成された
リードフレーム４を装着し、その金型内に加熱溶融した
熱硬化性プラスチック樹脂を注入して、上パッケージ２
及び下パッケージ３から構成されるキャビティケースを
成形する。このキャビティケースの一部に当たるアイラ
ンド１を下パッケージ３の表面から凸条に立上がらせて
設け、かつ、パッケージ長手方向に蛇行する形状にして
半導体装置を構成する。
しない封入上下金型として、上下パッケージ形状に加工
した金型を用い、その金型に導電性金属から形成された
リードフレーム４を装着し、その金型内に加熱溶融した
熱硬化性プラスチック樹脂を注入して、上パッケージ２
及び下パッケージ３から構成されるキャビティケースを
成形する。このキャビティケースの一部に当たるアイラ
ンド１を下パッケージ３の表面から凸条に立上がらせて
設け、かつ、パッケージ長手方向に蛇行する形状にして
半導体装置を構成する。
【００１８】本発明によれば、パッケージ製作時（金型
加熱温度は１８０度）樹脂注入完了後、パッケージを空
気中に取り出す（１８０度から室温に戻す）時にプラス
チックのパッケージ２，３が金属アイランド１より縮む
が、上記アイランド構造にすることにより、プラスチッ
クの縮みをアイランド１が変形し、その縮み量を吸収す
るため、アイランド１にソリが発生しない。
加熱温度は１８０度）樹脂注入完了後、パッケージを空
気中に取り出す（１８０度から室温に戻す）時にプラス
チックのパッケージ２，３が金属アイランド１より縮む
が、上記アイランド構造にすることにより、プラスチッ
クの縮みをアイランド１が変形し、その縮み量を吸収す
るため、アイランド１にソリが発生しない。
【００１９】（実施例２）図５は、本発明の実施例２を
示す斜視図である。本実施例に係るアイランド１は、下
パッケージ３の表面から上方に立上がり、かつ中空楕円
形状に形成され、この中空楕円部１ａがパッケージの長
さ方向に配列され、隣接する中空楕円部１ａ，１ａ間が
短い直線部１ｂを介して相互に連結されている。
示す斜視図である。本実施例に係るアイランド１は、下
パッケージ３の表面から上方に立上がり、かつ中空楕円
形状に形成され、この中空楕円部１ａがパッケージの長
さ方向に配列され、隣接する中空楕円部１ａ，１ａ間が
短い直線部１ｂを介して相互に連結されている。
【００２０】本実施例では、アイランド１の中空楕円部
１ａが変形して、パッケージ２，３の縮み量を吸収する
こととなる。
１ａが変形して、パッケージ２，３の縮み量を吸収する
こととなる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来半導
体装置のケース部分にセラミックを使用していたもの
を、アイランドのソリの少ない熱硬化性プラスチック樹
脂ケースに変更でき、これにより資材費低減を図り約５
０％のコストダウンを実現できる。
体装置のケース部分にセラミックを使用していたもの
を、アイランドのソリの少ない熱硬化性プラスチック樹
脂ケースに変更でき、これにより資材費低減を図り約５
０％のコストダウンを実現できる。
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置を示す一部
断面した斜視図である。
断面した斜視図である。
【図２】同縦断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】アイランドソリを示す斜視図である。
【図５】本発明の実施例２を示す一部断面した斜視図で
ある。
ある。
１ アイランド ２ 上パッケージ ３ 下パッケージ ４ リードフレーム ４ａ インナーリード ４ｂ アウターリード ５ ペースト状樹脂 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 透明体 ９ 溶融ガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｕ 9272−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 キャビティケースと、透明体と、半導体
素子と、アイランドとを有する半導体装置であって、 キャビティケースは、プラスチック樹脂からなる中空構
造のものであり、 透明体は、キャビティケースの開口部を閉塞するもので
あり、 半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、 アイランドは、キャビティケースの内底部から凸条に隆
起して形成され、かつ連続して蛇行する形状に成形さ
れ、半導体素子が搭載されるものであることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 キャビティケースと、透明体と、半導体
素子と、アイランドとを有する半導体装置であって、 キャビティケースは、プラスチック樹脂からなる中空構
造のものであり、 透明体は、キャビティケースの開口部を閉塞するもので
あり、 半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、 アイランドは、キャビティケースの内底部から凸条に隆
起して中空楕円形状に形成され、かつ中空楕円間が一点
で結合され、半導体素子が搭載されるものであることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311912A JPH0770744B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311912A JPH0770744B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163950A true JPH06163950A (ja) | 1994-06-10 |
| JPH0770744B2 JPH0770744B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=18022919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311912A Expired - Fee Related JPH0770744B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770744B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525409B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-02-25 | Nec Corporation | CCD mold package with improved heat radiation structure |
| JP2007281451A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収容用ケース及び固体撮像装置 |
| JP2011060889A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokai Rika Co Ltd | 電子部品付きパッケージ |
| US8031244B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-10-04 | Renesas Electronics Corporation | Device for releasing heat generated in the amplifier unit of a solid-state image sensing element |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311912A patent/JPH0770744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525409B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-02-25 | Nec Corporation | CCD mold package with improved heat radiation structure |
| JP2007281451A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収容用ケース及び固体撮像装置 |
| US8031244B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-10-04 | Renesas Electronics Corporation | Device for releasing heat generated in the amplifier unit of a solid-state image sensing element |
| JP2011060889A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Tokai Rika Co Ltd | 電子部品付きパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770744B2 (ja) | 1995-07-31 |
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