JP3682756B2

JP3682756B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP3682756B2
Application number: JP10914398A
Authority: JP
Inventors: 義昭佐野; 幹生大嶋; 秀二酒井; 幸泰古川
Original assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Priority date: 1998-04-20
Filing date: 1998-04-20
Publication date: 2005-08-10
Anticipated expiration: 2018-04-20
Also published as: JPH11307669A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本発明は一般に半導体装置に関し、特にパッケージを有する半導体装置に関する。
【０００３】
半導体装置は一般にパッケージ中に封止して使用される。最近では、リードフレームおよび半導体チップを安価な樹脂パッケージ中に封止した構成の半導体装置が広く使われている。かかる半導体装置は、一般にモールドキャビティを形成するモールド中にリードフレームを保持し、前記モールドキャビティ中にリードフレームの一部が露出するように樹脂を注入して樹脂パッケージ本体を形成し、さらに露出したリードフレーム上に半導体チップを接着し、配線した後、樹脂パッケージ本体上にキャップを装着し、半導体チップを気密封止する工程により製造される。
【従来の技術】
【０００４】
図１（Ａ），（Ｂ）は、上記従来の半導体装置の構成を示す。ただし、図１（Ａ）は前記従来の半導体装置の平面図を、また図１（Ｂ）は側断面図を示す。
【０００５】
図１（Ａ），（Ｂ）を参照するに、半導体装置は、厚さが０．１〜０．５ｍｍ程度の４２アロイあるいはＣｕ合金の薄板よりなるリードフレーム２を保持し、凹部４Ａを形成された樹脂パッケージ本体４と、前記凹部４Ａ中において、前記リードフレーム２の一部に形成されたステージ部２Ａ上に保持された半導体チップ６と、前記半導体チップ６をリードフレーム２に接続するボンディングワイヤ８と、前記樹脂パッケージ本体４上に形成され、前記凹部４Ａ中の半導体チップ６を封止するキャップ９とよりなる。前記リードフレーム２には全体に、あるいは部分的に、Ａｕ等の貴金属によるめっきをほどこしてもよい。
【０００６】
図１（Ａ），（Ｂ）の半導体装置では、前記リードフレーム２を図２に示す上型１１および下型１０よりなるモールド中に保持し、エポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂をトランスファー法等により注入することにより、前記樹脂パッケージ本体４が形成される。エポキシ樹脂を使う場合は、モールドを例えば１８０°Ｃの温度に加熱する。
【０００７】
図２を参照するに、前記下型１０には前記樹脂パッケージ本体４の下半分に対応する凹部１０Ａが形成され、さらに上型１１には、前記樹脂パッケージ本体４の上側の枠部に対応する凹部１１Ａが形成されている。樹脂の注入は、前記上型１１および下型１０を係合させた状態で行われる。樹脂パッケージ本体４の形成の後、前記上型１１および下型１０は取り外され、前記凹部４Ａを露出した樹脂パッケージ本体４が得られる。そこで、かかる凹部４Ａに前記半導体チップ６をＡｇペーストあるいはＡｕ−Ｓｎ系のはんだ合金を使ったろう付け等により接着し、ボンディングワイヤ８を配線し、前記キャップ９を装着することにより、半導体装置が完成する。
【０００８】
しかし、かかる従来の半導体装置では、図２のモールドにより樹脂パッケージ本体４を成形する際に、前記リードフレーム２の下側にモールド１０の大きな凹部１０Ａが位置するため、樹脂の注入に際してリードフレーム２が変形することがあり、その結果リードフレームが上型１１から離れてしまい、図３に示すように、リードフレーム２の上側に樹脂が回り込んでしまう問題が生じていた。このような回り込んだ樹脂は半導体チップ６の装着の前に、サンドブラスト等により除去する必要がある。
【０００９】
この問題を解決するため、従来より、特開昭５９−９６７４９号公報には、上型１１および下型１０として図４に示す構成のものを使い、樹脂注入の際にリードフレームを上下からしっかりと保持することが記載されている。その際、上型１１は従来のものと実質的に同一であるが、下型１０には上型１１の凹部１１Ａに対応する凹部１０Ａが形成されており、その結果、形成される樹脂パッケージ４は、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、下側に上側の枠部に対応した枠部が形成される。そこで、上記の従来技術によれば、前記下側枠部の内側の空間を、前記樹脂パッケージと同一組成の樹脂よりなるプラグ５により塞ぐ。プラグ５は下側枠部に融着しても、また接着剤により接着してもよい。また、図５（Ａ），（Ｂ）よりわかるように、リードフレーム２中、ステージ部２Ａの回りに形成された隙間も、樹脂の注入の際、樹脂膜４Ｂにより埋められる。
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特開昭５９−９６７４９号公報の記載の従来技術では、樹脂パッケージ４の成形の際にリードフレーム２が上型１１および下型１０により、上下からしっかりと保持されるため、樹脂の注入を行ってもリードフレーム２が変形したり、リードフレームの上面に樹脂が回り込む等の問題は回避される。
【００１１】
一方、図５（Ａ），（Ｂ）の構成では、樹脂パッケージ４の下側が機械的に脆弱な枠状部となっているため、前記プラグ５を挿入・固定すると容易に変形してしまう問題が生じる。これは、プラグ５を下側枠部に融着させるためにプラグ５の外径を下側枠部の内径にほぼ等しく形成した場合のみならず、前記下側枠部の内径よりも実質的に小さい外径のプラグ５を挿入し、樹脂により接着する場合も同じである。すなわち、プラグ５を挿入する際に接着剤の圧力により、前記下側枠部が変形してしまうおそれがある。このような変形が生じると、半導体装置の形状は仕様に規定された所定の外形からずれてしまう。
【００１２】
そこで本発明は上記の課題を解決した半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記の課題を、
請求項１に記載したように、
リードフレームと、前記リードフレーム上に保持された半導体チップと、前記リードフレームを保持し、前記半導体チップを囲む樹脂パッケージ本体とよりなる半導体装置において、
前記樹脂パッケージ本体は、前記リードフレームの上側に形成され、前記半導体チップを収納する第１の凹部を画成された上側部分と、
前記リードフレームの下側に前記上側部分に連続して形成され、前記第１の凹部に対応して形成された第２の凹部を画成された下側部分と、
前記第２の凹部を塞ぐプラグと、
前記プラグと前記第２の凹部との間の隙間を充填する樹脂とよりなり、
前記プラグは、前記樹脂の逃げ道を形成するような形状を有することを特徴とする半導体装置により、または
請求項２に記載したように、
前記プラグは円筒形の形状を有し、その外周の一部が切り落とされた形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置により、または
請求項３に記載したように、
前記プラグは多角形の形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【００１４】
請求項４に記載したように、
前記プラグは、さらに金属製の芯部材を含むことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置により、または
請求項５に記載したように、
さらに、前記上側部分の凹部を覆う蓋部材を有し、前記蓋部材は、前記上側部分の外径よりも小さい外径を有し、前記蓋部材の側壁面は、前記蓋部材を前記上側部分に接着する接着剤により覆われていることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置により、または
請求項６に記載したように、
前記上側部分は多角形形状の外形を有し、前記蓋部材は前記多角形に内接する円形形状を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置により、または
請求項７に記載したように、
前記蓋部材は、樹脂を含浸させた織布よりなることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置により、解決する。
【００１５】
請求項１〜３記載の本発明の特徴によれば、前記プラグを多角形形状に形成したり、あるいは外周の一部を切り落とした形状に形成し、樹脂の逃げ道を形成することにより、前記プラグを前記第２の凹部に装着した場合にも前記凹部中の接着剤は容易にプラグを凹部との隙間から逃げることができ、樹脂パッケージ本体が変形するのが回避される。また、本発明による半導体装置では、前記樹脂パッケージ本体の下側凹部を前記プラグで塞いでいるため、前記リードフレーム上に半導体チップを接着し、さらにワイヤボンディング工程を行っても、前記樹脂パッケージ本体が変形することがない。
【００１６】
請求項４記載の本発明の特徴によれば、前記プラグ中に金属製の芯部材を形成することにより、半導体装置の冷却効率を向上させることができる。
【００１７】
請求項５〜６記載の本発明の特徴によれば、前記上側部分に蓋部材を接着して前記半導体チップを封止する際に、前記上側部分の外形を前記蓋部材の外形よりも大きくしておくことにより、蓋部材の外側にはみ出した接着剤が前記蓋部材の側壁面を這い上がり、蓋部材は上側部分にしっかりと接着される。
【００１８】
請求項７記載の本発明の特徴によれば、前記蓋部材を樹脂含浸プリプレグを使って、簡単かつ安価に形成することができる。
【発明の実施の形態】
【００１９】
［第１実施例］
図６（Ａ）〜（Ｃ）および図７（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施例による半導体装置１０の構成を示す。ただし、図６（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、第１の工程における半導体装置２０のそれぞれ平面図、側断面図、および底面図を示し、図７（Ａ），（Ｂ）は次の工程における半導体装置２０のそれぞれ平面図および側断面図を示す。ただし、先に説明した部分に対応する部分は同一の参照符号で示し、説明を省略する。
【００２０】
図６（Ａ）の平面図を参照するに、半導体装置２０は先に図５で説明した従来の半導体装置と同様な構成を有するが、図６（Ｂ）の側断面図および図６（Ｃ）の底面図では、前記半導体装置２０の前記下側凹部には、前記プラグ５の代わりに外周部に切り欠きを形成されたプラグ５１が挿入されているのがわかる。前記下側凹部は円筒形形状を有するため、前記プラグ５１と前記下側凹部との間には、前記切り欠きを形成された部分において広い空間が形成される。
【００２１】
図６（Ｂ）および（Ｃ）を参照するに、前記プラグ５１は、前記樹脂パッケージ本体４と実質的に同一の組成を有し、前記樹脂パッケージ本体４の下側凹部に溶融エポキシ系接着剤５２を部分的に充填した状態で挿入されるが、プラグ５１には前記切り欠き部を形成しているため、前記プラグ５１の挿入に伴い、前記下側凹部中の接着剤５２はかかる切り欠き部に隣接した広い空間に逃げることができ、その結果、押し出された接着剤の圧力により前記下側凹部を囲む枠状の樹脂パッケージ本体４が変形することがない。
【００２２】
前記プラグ５１の挿入工程は典型的には室温で行われるが、本実施例では前記プラグ５１の挿入の後、前記接着剤５２を約６０°Ｃの温度で仮硬化させ、さらに１５０°Ｃ〜２００°Ｃの温度で１〜２時間硬化させる。その結果、前記接着剤層中への気泡の取り込みが抑制される。
【００２３】
図６（Ａ）〜（Ｃ）の構造が形成された後、前記リードフレーム２上のステージ部２Ａに半導体チップ６が、典型的にはＡｇペーストにより、１５０°Ｃ〜２００°Ｃの温度で１〜２時間の加熱により、ろう付けされる。前記半導体チップ６のろう付けをＡｕ−Ｓｎ系はんだ合金により行う場合には、前記加熱を約３００°Ｃで行い、はんだ合金を溶融させた後、徐冷する。
【００２４】
前記半導体チップ６を前記リードフレーム２上のステージ２Ａに接着した後、前記チップ６上の電極パッドと前記リードフレーム２のインナーリード部とを、径が２０〜５０μｍのＡｕワイヤを使ったワイヤボンディング工程により接続する。ワイヤボンディング工程は、通常の如く、約２５０°Ｃにおいて、超音波を併用した加圧工程により実行される。
【００２５】
ところで、かかるワイヤボンディング工程においては前記リードフレーム２に実質的な力が加わることが避けられないが、本実施例では前記樹脂パッケージ本体４の下側凹部がプラグ５１により塞がれているため、かかるワイヤボンディング工程を行っても、前記樹脂パッケージ本体４が変形することがない。
【００２６】
図７（Ａ），（Ｂ）のワイヤボンディング工程の後、前記半導体チップ６を、前記樹脂パッケージ本体４の上側凹部に蓋部材（図示せず）を接着することにより封止し、さらに前記リードフレーム２のアウターリード部を切断し、形成された個々のアウターリードを所定の形に屈曲させることにより、半導体装置２０が完成する。
【００２７】
図８（Ａ），（Ｂ）は、前記本発明の第１実施例による半導体装置の一変形例を示す。ただし、図８（Ａ），（Ｂ）中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００２８】
図８（Ａ）の変形例では、円筒形形状の前記下側凹部内に多角形形状のプラグ５１Ａが挿入されるため、樹脂接着剤５２の逃げ場が前記プラグ５１Ａの周囲にほぼ対称的に形成され、その結果プラグ５１Ａを前記下側凹部に挿入する際に、前記プラグ５１Ａが前記凹部内において一方向に偏位することがない。
【００２９】
また、図８（Ｂ）の変形例では、前記プラグ５１Ａの代わりに、前記下側凹部を樹脂５１Ｂにより充填する。この場合、樹脂５１Ｂの下側は表面張力により多少くぼむが、かかるくぼみによる樹脂パッケージ本体４の剛性の低下はわずかなものであり、リードフレーム２上における半導体チップ６（図示せず）に対するワイヤボンディングは安定・確実に行われる。
【００３０】
図９（Ａ），（Ｂ）は、前記本発明の第１実施例のさらに別な変形例を示す。
【００３１】
図９（Ａ），（Ｂ）を参照するに、本実施例では前記プラグ５１，５１Ａあるいは５１Ｂの代わりに、Ｃｕ等の金属芯部材５１ｃを含む樹脂プラグ５１Ｃを使う。このように、下側凹部を塞ぐ樹脂プラグ５１Ｃ中に金属芯部材５１ｃを形成することにより、リードフレーム２上に形成される半導体チップ６の放熱効率を実質的に向上させることができる。
［第２実施例］
先にも説明したように、図７（Ａ），（Ｂ）に示す樹脂パッケージ本体４には蓋部材が取り付けられ、前記パッケージ本体４内の半導体チップ６を封止する。かかる蓋部材は、前記樹脂パッケージ本体４の上端面上に例えばエポキシ系の接着剤をスクリーン印刷し、その上に前記蓋部材を配設し、さらに加熱処理して接着剤を硬化させることで取り付けられる。
【００３２】
一方、このような方法を使った場合、側方にはみ出した未硬化の接着剤が樹脂パッケージ本体４の側壁面を流下する等の問題が生じるため、前記パッケージ本体４上に印刷される接着剤の量は多すぎないように厳密な管理が必要であった。一方、接着剤の量が少なすぎると前記半導体チップ６の封止が不完全になる。
【００３３】
これに対し、図１０（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２実施例による半導体装置３０の構成をそれぞれ平面図および側断面図で示すが、本実施例では、多角形形状を有する樹脂パッケージ本体４に対して、図１０（Ａ）の平面図において前記パッケージ本体４の外形に対して略内接する内接円形状の蓋部材９を配設する。ただじ、図１０（Ａ），（Ｂ）中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３４】
図１０（Ａ），（Ｂ）を参照するに、前記蓋部材９の外径は前記樹脂パッケージ本体４の外径よりも小さいため、特に多角形の樹脂パッケージ本体４を使った場合、前記多角形の稜の部分で樹脂パッケージ本体４の上面がせり出し、はみ出した未硬化接着剤はかかる露出した上面に集まる。さらに、このようにして集まった未硬化接着剤は前記蓋部材９の側壁面に沿って這い上がるため、かかる状態で接着剤を加熱硬化させることにより、前記蓋部材９を、隙間なく樹脂パッケージ本体４に接着した構造が得られる。
【００３５】
従って、本実施例の構成によれば、使われる樹脂接着剤の量を厳密に管理しなくてもよく、半導体装置の製造効率および歩留まりが向上する。
【００３６】
図１１は蓋部材９の一例を示す。
【００３７】
図１１を参照するに、蓋部材９は通常の布あるいはガラス繊維の織布に樹脂を含浸させたいわゆるプリプレグであり、かかるプリプレグを前記樹脂パッケージ本体４に接着して硬化させることにより、半導体チップ６を安価に封止することが可能になる。
［第３実施例］
ところで、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示した本発明の第１実施例による半導体装置２０では、樹脂パッケージ本体４を図４のモールド１０，１１を使って成形する際に、樹脂はリードフレーム２中の隙間にも流入し、その結果薄い樹脂膜４Ｂが形成される。かかる樹脂膜４Ｂは前記リードフレーム２の厚さに略等しい厚さしかないため、その後の工程で前記リートフレーム２に外力が加わった場合に破損するおそれがある。
【００３８】
そこで、本実施例では、前記樹脂パッケージ本体４を成形する際に、前記図４の下側モールド１０のかわりに、図１３に示す前記リードフレーム２中の隙間に対応した凹部を有する下側モールド１０Ａを使い、前記樹脂膜４Ｂの代わりに、図１２に示すように本体４に連続するリブ４Ｂ’を形成するようにする。かかるリブ４Ｂ’は頑丈であり、前記リードフレーム２に外力が加わっても破損することはない。
［第４実施例］
図１４（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第４実施例による半導体装置４０を示す。ただし、図１４（Ａ），（Ｂ）中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３９】
図１４（Ａ），（Ｂ）を参照するに、本実施例の半導体装置４０では、先に説明した樹脂パッケージ本体４の上側部分のみよりなる樹脂パッケージ本体４１を使い、前記樹脂パッケージ本体４の下側部分としては、別体の樹脂プラグ５１Ｄを使う。その際、図１４（Ａ）の工程ではリードフレーム２上に樹脂パッケージ本体４１のみを成形し、プラグ５１Ｄあるいは蓋部材９は別体としておく。
【００４０】
この状態で、前記リードフレーム２を平坦面上に置き、半導体チップ６を接着してボンディングワイヤ８を接続する。その際、前記リードフレーム２は前記平坦面上に安定に保持され、このため確実なワイヤボンディングが可能になる。その際、前記平坦面として特別な治具は必要なく、単なる剛性の平坦面があればよい。
【００４１】
さらに、図１４（Ｂ）の工程で、前記リードフレーム２の下面に前記樹脂プラグ５１Ｄを接着し、さらに前記樹脂パッケージ本体４１の開口部を蓋部材９により封止する。
【００４２】
本発明の構成では、先にも説明したように、リードフレーム上への半導体チップ６のワイヤボンディングが、単純な平坦面上において安定して確実に実行でき、このため半導体装置の製造が容易になる。
［第５実施例］
図１５は、本発明の第５実施例による半導体装置５０の構成を示す。ただし、図１５中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４３】
図１５を参照するに、半導体装置５０は図１４（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置４０において、下側プラグ５１Ｄを除去した構成を有する。すなわち、半導体装置５０では、樹脂パッケージ本体４１の下面にリードフレーム２の下面が露出する。このため、半導体装置５０では前記リードフレーム２のステージ部２Ａ上に装着される半導体チップ（図示せず）の放熱効率が実質的に向上する。また、プラグを接着する工程が省略できるため、半導体装置の製造工程が簡単になり、製造費用を低下させることができる。
【００４４】
また、図１５の半導体装置５０は平坦な下側主面を有するため、プリント回路基板等の実装基板上に、そのまま、リードフレームを屈曲させる工程なしに表面実装することができ、半導体装置の製造工程が簡素化されると同時に、実装工程も簡素化される。
【００４５】
さらに、実装基板上に実装された状態では、前記リードフレームの底面は実装基板の表面により支持されるため、半導体装置５０が力学的あるいは強度的に不安定になることはない。
【００４６】
以上本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において、様々な変形・変更が可能である。
【発明の効果】
【００４７】
請求項１〜３記載の本発明の特徴によれば、前記プラグを多角形形状に形成したり、あるいは外周の一部を切り落とした形状に形成し、樹脂の逃げ道を形成することにより、前記プラグを前記第２の凹部に装着した場合にも前記凹部中の接着剤は容易にプラグを凹部との隙間から逃げることができ、樹脂パッケージ本体が変形するのが回避される。また、本発明による半導体装置では、前記樹脂パッケージ本体の下側凹部を前記プラグで塞いでいるため、前記リードフレーム上に半導体チップを接着し、さらにワイヤボンディング工程を行っても、前記樹脂パッケージ本体が変形することがない。
【００４８】
請求項４記載の本発明の特徴によれば、前記プラグ中に金属製の芯部材を形成することにより、半導体装置の冷却効率を向上させることができる。
【００４９】
請求項５〜６記載の本発明の特徴によれば、前記上側部分に蓋部材を接着して前記半導体チップを封止する際に、前記上側部分の外形を前記蓋部材の外形よりも大きくしておくことにより、蓋部材の外側にはみ出した接着剤が前記蓋部材の側壁面を這い上がり、蓋部材は上側部分にしっかりと接着される。
【００５０】
請求項７記載の本発明の特徴によれば、前記蓋部材を樹脂含浸プリプレグを使って、簡単かつ安価に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は、従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図２】図１の従来の半導体装置の成形に使われる従来のモールドを示す図である。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体装置の問題点を説明する図である。
【図４】図３の従来の半導体装置の問題点を解決するために提案されている、別の従来のモールドを示す図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、図４のモールドを使って形成される別の従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施例による半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施例による半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は、本発明第１実施例による半導体装置の変形例を示す図である。
【図９】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施例による半導体装置の別の変形例を示す図である。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２実施例による半導体装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明で使われる蓋部材の構成例を示す図である。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第３実施例による半導体装置の構成を示す図である。
【図１３】図１２の半導体装置の製造に使われるモールドを示す図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第４実施例による半導体装置の構成を示す図である。
【図１５】本発明の第５実施例による半導体装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
２リードフレーム
２Ａステージ
２ａ隙間
４，４１樹脂パッケージ本体
４Ａ樹脂パッケージ本体凹部
４Ｂ樹脂膜
４Ｂ’リブ
５，５１，５１Ｃ，５１Ｄプラグ
６半導体チップ
８ボンディングワイヤ
９蓋部材
９Ａ接着剤
１０下側モールド
１０Ａ，１０ａ，１０ｂ下側モールド凹部
１１上側モールド
１１Ａ上側モールド凹部
５１Ｂ樹脂
５１ｃ金属芯部材
５２接着剤

Claims

リードフレームと、前記リードフレーム上に保持された半導体チップと、前記リードフレームを保持し、前記半導体チップを囲む樹脂パッケージ本体とよりなる半導体装置において、
前記樹脂パッケージ本体は、前記リードフレームの上側に形成され、前記半導体チップを収納する第１の凹部を画成された上側部分と、
前記リードフレームの下側に前記上側部分に連続して形成され、前記第１の凹部に対応して形成された第２の凹部を画成された下側部分と、
前記第２の凹部を塞ぐプラグと、
前記プラグと前記第２の凹部との間の隙間を充填する樹脂とよりなり、
前記プラグは、前記樹脂の逃げ道を形成するような形状を有することを特徴とする半導体装置。
前記プラグは円筒形の形状を有し、その外周の一部が切り落とされた形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記プラグは多角形の形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記プラグは、さらに金属製の芯部材を含むことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
さらに、前記上側部分の凹部を覆う蓋部材を有し、前記蓋部材は、前記上側部分の外径よりも小さい外径を有し、前記蓋部材の側壁面は、前記蓋部材を前記上側部分に接着する接着剤により覆われていることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
前記上側部分は多角形形状の外形を有し、前記蓋部材は前記多角形に内接する円形形状を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
前記蓋部材は、樹脂を含浸させた織布よりなることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。