JPH03263359A - モールドフラットパッケージ - Google Patents
モールドフラットパッケージInfo
- Publication number
- JPH03263359A JPH03263359A JP6295490A JP6295490A JPH03263359A JP H03263359 A JPH03263359 A JP H03263359A JP 6295490 A JP6295490 A JP 6295490A JP 6295490 A JP6295490 A JP 6295490A JP H03263359 A JPH03263359 A JP H03263359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- flat package
- molded flat
- heat
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はモールドフラットパッケージに関し、特に大消
費電流においても使用可能なモールドフラットパッケー
ジに関する。
費電流においても使用可能なモールドフラットパッケー
ジに関する。
従来、この種のモールドフラットパッケージは、第６図
に示すように、チップ１４の全体が熱抵抗の大きいモー
ルド樹脂１８によって覆われてモールドフラットパッケ
ージ本体１−７を形成していた。
に示すように、チップ１４の全体が熱抵抗の大きいモー
ルド樹脂１８によって覆われてモールドフラットパッケ
ージ本体１−７を形成していた。
上述した従来のモールドフラットパッケージは、チップ
全体か熱抵抗の大きいモールド樹脂に覆われているので
、放熱効果が悪く、消費電流にかなりの制約を受けてし
まっている。しかし現在、安価なモールドフラットパッ
ケージ化か進んでいる中、高速・多ピン化傾向にあり、
これに応じて消費電流が増す方向にあるが、従来のモー
ルドフラットパッケージではこれに対応できないという
欠点がある。
全体か熱抵抗の大きいモールド樹脂に覆われているので
、放熱効果が悪く、消費電流にかなりの制約を受けてし
まっている。しかし現在、安価なモールドフラットパッ
ケージ化か進んでいる中、高速・多ピン化傾向にあり、
これに応じて消費電流が増す方向にあるが、従来のモー
ルドフラットパッケージではこれに対応できないという
欠点がある。
本発明のモールドフラットパッケージは、チップマウン
ト部においてチップ搭載面の裏面に付着した金属板を具
備し、モールド樹脂注入後、モールドフラットパッケー
ジ本体の表面に前記金属板を露出させるようになってい
る。
ト部においてチップ搭載面の裏面に付着した金属板を具
備し、モールド樹脂注入後、モールドフラットパッケー
ジ本体の表面に前記金属板を露出させるようになってい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ′線断面図、第３図は本実施例の前工程における
ベースリボンの平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線断
面図、第５図はモールド樹脂注入後のＢ−Ｂ’線断面図
である。
Ａ−Ａ′線断面図、第３図は本実施例の前工程における
ベースリボンの平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線断
面図、第５図はモールド樹脂注入後のＢ−Ｂ’線断面図
である。
本実施例はチップマウント部２においてチップ４を搭載
する面の裏面に金属板６を付着し、モールド樹脂８を注
入後、モールドフラットパッケージ本体７の表面に金属
板６が露出するようにしたものである。
する面の裏面に金属板６を付着し、モールド樹脂８を注
入後、モールドフラットパッケージ本体７の表面に金属
板６が露出するようにしたものである。
即ち図に示すように、リードフレームｌとチップマウン
ト部２は、ベースリボン３をプレスすることによってつ
くられる。チップ４はチップマウント部２の表面に付着
させ、リードフレーム１とはボンディングワイヤ５によ
って接続されている。
ト部２は、ベースリボン３をプレスすることによってつ
くられる。チップ４はチップマウント部２の表面に付着
させ、リードフレーム１とはボンディングワイヤ５によ
って接続されている。
金属板６はチップマウント部２のチップ４搭載面の裏面
に付着し、モールド樹脂８の注入後にモールドフラット
パッケージ本体７の表面に露出するようにする。このよ
うに形成されたモールドフラットパッケージ本体７は、
金属板６が露出している面を上面として足曲げを行ない
、パネルに実装する。
に付着し、モールド樹脂８の注入後にモールドフラット
パッケージ本体７の表面に露出するようにする。このよ
うに形成されたモールドフラットパッケージ本体７は、
金属板６が露出している面を上面として足曲げを行ない
、パネルに実装する。
このような本実施例によれば、消費電流に応じて金属板
６に放熱用のヒートシンク７を取り付けて使うことがで
き、モールドフラットパッケージ全体の放熱効果を上げ
ることができる。
６に放熱用のヒートシンク７を取り付けて使うことがで
き、モールドフラットパッケージ全体の放熱効果を上げ
ることができる。
以上説明したように本発明は、チップマウント部におけ
るチップ搭載面の裏面に金属板を付着し、モールド樹脂
注入後もパッケージ表面に金属板を露出させて、金属板
が露出している面を上面として足曲げを行なうことによ
り、パネル実装状態においても直接チップに付着してい
る金属板を介して放熱用のヒートシンクを取り付けて放
熱効果を得ることができる効果がある。従って、大消費
電流によってチップから大量の熱を発生しても、本発明
のモールドフラットパッケージは放熱効果が大きいため
、安価なモールドパッケージを使うことができる。また
モールドフラットパッケージを使うことにより、高価な
セラミックパッケージを使わずに済み、安いコストで仕
上げることができる。
るチップ搭載面の裏面に金属板を付着し、モールド樹脂
注入後もパッケージ表面に金属板を露出させて、金属板
が露出している面を上面として足曲げを行なうことによ
り、パネル実装状態においても直接チップに付着してい
る金属板を介して放熱用のヒートシンクを取り付けて放
熱効果を得ることができる効果がある。従って、大消費
電流によってチップから大量の熱を発生しても、本発明
のモールドフラットパッケージは放熱効果が大きいため
、安価なモールドパッケージを使うことができる。また
モールドフラットパッケージを使うことにより、高価な
セラミックパッケージを使わずに済み、安いコストで仕
上げることができる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’線断面図、第３図は本実施例の前工程における
ベースリボンの平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線断
面図、第５図はモールド樹脂注入後のＢ−Ｂ’線断面図
、第６図は従来のモールドフラットパッケージの一例を
示す平面図である。 １．１１・・・リードフレーム、２・・・チップマウン
ト部、３・・・ベースリボン、４，１４・・・チップ、
５・・・ボンディングワイヤ、６・・・金属板、７．１
７・・・モールドフラットパッケージ本体、８，１８・
・・モールド樹脂。
Ａ−Ａ’線断面図、第３図は本実施例の前工程における
ベースリボンの平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ’線断
面図、第５図はモールド樹脂注入後のＢ−Ｂ’線断面図
、第６図は従来のモールドフラットパッケージの一例を
示す平面図である。 １．１１・・・リードフレーム、２・・・チップマウン
ト部、３・・・ベースリボン、４，１４・・・チップ、
５・・・ボンディングワイヤ、６・・・金属板、７．１
７・・・モールドフラットパッケージ本体、８，１８・
・・モールド樹脂。
Claims (1)
- チップマウント部においてチップ搭載面の裏面に付着し
た金属板を具備し、モールド樹脂注入後、モールドフラ
ットパッケージ本体の表面に前記金属板を露出させるよ
うにしたことを特徴とするモールドフラットパッケージ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6295490A JPH03263359A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | モールドフラットパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6295490A JPH03263359A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | モールドフラットパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263359A true JPH03263359A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13215227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6295490A Pending JPH03263359A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | モールドフラットパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263359A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442232A (en) * | 1992-12-28 | 1995-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin semiconductor package having many pins and likely to dissipate heat |
| WO1998009329A1 (fr) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur scelle par resine, et son procede de production |
| US6358778B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6295490A patent/JPH03263359A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442232A (en) * | 1992-12-28 | 1995-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin semiconductor package having many pins and likely to dissipate heat |
| US5652184A (en) * | 1992-12-28 | 1997-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a thin semiconductor package having many pins and likely to dissipate heat |
| WO1998009329A1 (fr) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteur scelle par resine, et son procede de production |
| US6358778B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals |
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