JPH08148515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08148515A JPH08148515A JP30682894A JP30682894A JPH08148515A JP H08148515 A JPH08148515 A JP H08148515A JP 30682894 A JP30682894 A JP 30682894A JP 30682894 A JP30682894 A JP 30682894A JP H08148515 A JPH08148515 A JP H08148515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- package body
- heat
- metal plate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パッケージ本体内に放熱板を組み込んだ半導体
装置を比較的安価、かつ簡単に製造することができる半
導体装置の製造方法を提供する。 【構成】モールド金型３の下型３ａのキャビティ内に、
キャビティの傾斜側面１１に内接する放熱用金属板１０
をセットすることで、放熱用金属板１０をキャビティ内
で仮固定し、続いて、半導体素子１がダイパッド９上に
固着されて、この半導体素子１と複数本のリード端子５
の先端部とが金属細線７でそれぞれ接続された状態のリ
ードフレーム２を下型３ａ上にセットし、リードフレー
ム２を下型３ａおよび上型３ｂで押圧して、キャビティ
内に成型樹脂を注入してパッケージ本体を形成する。
装置を比較的安価、かつ簡単に製造することができる半
導体装置の製造方法を提供する。 【構成】モールド金型３の下型３ａのキャビティ内に、
キャビティの傾斜側面１１に内接する放熱用金属板１０
をセットすることで、放熱用金属板１０をキャビティ内
で仮固定し、続いて、半導体素子１がダイパッド９上に
固着されて、この半導体素子１と複数本のリード端子５
の先端部とが金属細線７でそれぞれ接続された状態のリ
ードフレーム２を下型３ａ上にセットし、リードフレー
ム２を下型３ａおよび上型３ｂで押圧して、キャビティ
内に成型樹脂を注入してパッケージ本体を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータドライバ、音声
増幅用パワーＩＣ、高速動作論理素子等のように比較的
発熱量の大きな半導体素子を封止するのに適した半導体
装置の製造方法に係り、特にパッケージ本体に放熱板を
組み込んだ半導体装置の製造方法に関する。
増幅用パワーＩＣ、高速動作論理素子等のように比較的
発熱量の大きな半導体素子を封止するのに適した半導体
装置の製造方法に係り、特にパッケージ本体に放熱板を
組み込んだ半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の製造方法を
図１０を参照して説明する。図１０は、半導体素子１が
組み込まれたリードフレーム２をパッケージ本体成型用
の金型３にセットした状態を示した断面図である。この
例において、半導体素子１は、リードフレーム２とは別
体の放熱用金属板４上にダイボンディングされている。
この放熱用金属板４は、リードフレーム２に形成された
複数本のリード端子５に電気絶縁性の接着剤６を介して
固着されている。半導体素子１と各リード端子５は、金
属細線７によって電気的に接続されている。このように
半導体素子１が組み込まれたリードフレーム２を、金型
３の下型３ａと上型３ｂとの間にセットし、両金型３
ａ，３ｂで形成されたキャビティ８内に成型用樹脂が注
入されてパッケージ本体が形成される。
図１０を参照して説明する。図１０は、半導体素子１が
組み込まれたリードフレーム２をパッケージ本体成型用
の金型３にセットした状態を示した断面図である。この
例において、半導体素子１は、リードフレーム２とは別
体の放熱用金属板４上にダイボンディングされている。
この放熱用金属板４は、リードフレーム２に形成された
複数本のリード端子５に電気絶縁性の接着剤６を介して
固着されている。半導体素子１と各リード端子５は、金
属細線７によって電気的に接続されている。このように
半導体素子１が組み込まれたリードフレーム２を、金型
３の下型３ａと上型３ｂとの間にセットし、両金型３
ａ，３ｂで形成されたキャビティ８内に成型用樹脂が注
入されてパッケージ本体が形成される。
【０００３】図１１を参照して別の従来例を説明する。
この例では、半導体素子１はリードフレーム２に形成さ
れたダイパッド９上にダイボンディングされている。パ
ッケージ本体の成型にあたっては、型開きされた下型３
ａ内に放熱用金属板４が投入され、続いて、下型３ａ上
にリードフレーム２がセットされる。そして、両金型３
ａ，３ｂが閉じられて押圧され、キャビティ８内に成型
用樹脂が注入されてパッケージ本体が形成される。
この例では、半導体素子１はリードフレーム２に形成さ
れたダイパッド９上にダイボンディングされている。パ
ッケージ本体の成型にあたっては、型開きされた下型３
ａ内に放熱用金属板４が投入され、続いて、下型３ａ上
にリードフレーム２がセットされる。そして、両金型３
ａ，３ｂが閉じられて押圧され、キャビティ８内に成型
用樹脂が注入されてパッケージ本体が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
【０００５】すなわち、図１０に示した従来方法によれ
ば、放熱用金属板４を接着剤６を介してリードフレーム
２に固着する必要があるので、材料コストや加工コスト
が嵩むという問題点がある。
ば、放熱用金属板４を接着剤６を介してリードフレーム
２に固着する必要があるので、材料コストや加工コスト
が嵩むという問題点がある。
【０００６】また、図１１に示した従来方法によれば、
図１０に示した例に比較して安価に半導体装置を製造す
ることは可能であるが、キャビティ８内に成型用樹脂を
注入した際に、放熱用金属板４が樹脂の流れに押されて
動くので、成型用金型３に放熱用金属板４を固定するた
めの特別の構造を備える必要があるという難点がある。
図１０に示した例に比較して安価に半導体装置を製造す
ることは可能であるが、キャビティ８内に成型用樹脂を
注入した際に、放熱用金属板４が樹脂の流れに押されて
動くので、成型用金型３に放熱用金属板４を固定するた
めの特別の構造を備える必要があるという難点がある。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、パッケージ本体内に放熱板を組み込ん
だ半導体装置を比較的安価、かつ簡単に製造することが
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
たものであって、パッケージ本体内に放熱板を組み込ん
だ半導体装置を比較的安価、かつ簡単に製造することが
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、パッケージ本体に放熱板
を組み込んだ半導体装置の製造方法において、パッケー
ジ本体成型用のモールド金型の下型のキャビティ内に、
キャビティの傾斜側面に内接する放熱板をセットし、続
いて、半導体素子がダイパッド上に固着されて前記半導
体素子と複数本のリード端子の先端部とが金属細線でそ
れぞれ接続された状態のリードフレームを前記下型上に
セットし、前記リードフレームを前記下型および上型で
押圧して、前記キャビティ内に成型樹脂を注入してパッ
ケージ本体を形成することを特徴とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、パッケージ本体に放熱板
を組み込んだ半導体装置の製造方法において、パッケー
ジ本体成型用のモールド金型の下型のキャビティ内に、
キャビティの傾斜側面に内接する放熱板をセットし、続
いて、半導体素子がダイパッド上に固着されて前記半導
体素子と複数本のリード端子の先端部とが金属細線でそ
れぞれ接続された状態のリードフレームを前記下型上に
セットし、前記リードフレームを前記下型および上型で
押圧して、前記キャビティ内に成型樹脂を注入してパッ
ケージ本体を形成することを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の方法において、前記放熱板の平面視サイズが、パッケ
ージ本体の平面視サイズよりも小さく、かつ、前記パッ
ケージ本体の平面視サイズの８５％以上であることを特
徴とする。
の方法において、前記放熱板の平面視サイズが、パッケ
ージ本体の平面視サイズよりも小さく、かつ、前記パッ
ケージ本体の平面視サイズの８５％以上であることを特
徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、パッケージ本体
に放熱板を組み込んだ半導体装置の製造方法において、
パッケージ本体成型用のモールド金型の下型のキャビテ
ィ内に、キャビティの傾斜側面に近接し、かつ、キャビ
ティ底面に接する放熱板をセットし、続いて、半導体素
子がダイパッド上に固着されて前記半導体素子と複数本
のリード端子の先端部とが金属細線でそれぞれ接続され
た状態のリードフレームを前記下型上にセットし、前記
リードフレームを前記下型および上型で押圧して、前記
キャビティ内に成型樹脂を注入してパッケージ本体を形
成することを特徴とする。
に放熱板を組み込んだ半導体装置の製造方法において、
パッケージ本体成型用のモールド金型の下型のキャビテ
ィ内に、キャビティの傾斜側面に近接し、かつ、キャビ
ティ底面に接する放熱板をセットし、続いて、半導体素
子がダイパッド上に固着されて前記半導体素子と複数本
のリード端子の先端部とが金属細線でそれぞれ接続され
た状態のリードフレームを前記下型上にセットし、前記
リードフレームを前記下型および上型で押圧して、前記
キャビティ内に成型樹脂を注入してパッケージ本体を形
成することを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の方法において、前記放熱板は、その周囲端面が放熱板
の上面から下面に向けて広がるように傾斜していること
を特徴とする。
の方法において、前記放熱板は、その周囲端面が放熱板
の上面から下面に向けて広がるように傾斜していること
を特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１に
記載の発明によれば、成型金型の下型のキャビティ内に
セットされた放熱板がキャビティの傾斜側面に内接する
ので、放熱板がキャビティ内で仮固定された状態にな
る。したがって、キャビティ内に成型樹脂が注入された
際に、放熱板が動くことなくパッケージ本体が成型され
る。この方法によれば、放熱板がパッケージ本体内に完
全に埋め込まれた半導体装置が得られる。
記載の発明によれば、成型金型の下型のキャビティ内に
セットされた放熱板がキャビティの傾斜側面に内接する
ので、放熱板がキャビティ内で仮固定された状態にな
る。したがって、キャビティ内に成型樹脂が注入された
際に、放熱板が動くことなくパッケージ本体が成型され
る。この方法によれば、放熱板がパッケージ本体内に完
全に埋め込まれた半導体装置が得られる。
【００１３】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の方法において、放熱板の平面視サイズがパッケ
ージ本体の平面視サイズよりも小さく、かつ、パッケー
ジ本体の平面視サイズの８５％以上であるので、一般的
な抜き勾配をもった成型金型では、キャビティ内の傾斜
側面に放熱板が内接して仮固定される。
に記載の方法において、放熱板の平面視サイズがパッケ
ージ本体の平面視サイズよりも小さく、かつ、パッケー
ジ本体の平面視サイズの８５％以上であるので、一般的
な抜き勾配をもった成型金型では、キャビティ内の傾斜
側面に放熱板が内接して仮固定される。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、成型金型
の下型のキャビティ内にセットされた放熱板がキャビテ
ィの傾斜側面に近接し、かつ、キャビティの底面に接す
るので、放熱板がキャビティ底面に接した状態で仮固定
される。したがって、キャビティ内に成型樹脂が注入さ
れた際に、放熱板が動くことなくパッケージ本体が成型
される。この方法によれば、放熱板がパッケージ本体の
下面から露出した半導体装置が得られる。
の下型のキャビティ内にセットされた放熱板がキャビテ
ィの傾斜側面に近接し、かつ、キャビティの底面に接す
るので、放熱板がキャビティ底面に接した状態で仮固定
される。したがって、キャビティ内に成型樹脂が注入さ
れた際に、放熱板が動くことなくパッケージ本体が成型
される。この方法によれば、放熱板がパッケージ本体の
下面から露出した半導体装置が得られる。
【００１５】請求項４に記載の発明によれば、放熱板の
周囲端面が放熱板の上面から下面に向けて広がるように
傾斜しているので、キャビティ内に注入された樹脂の流
れが放熱板の傾斜端面にぶつかると、放熱板をキャビテ
ィ底面に押しつけるような力が放熱板に作用する。した
がって、放熱板とキャビティ底面との間に樹脂が回り込
むという現象が生じにくくなる。
周囲端面が放熱板の上面から下面に向けて広がるように
傾斜しているので、キャビティ内に注入された樹脂の流
れが放熱板の傾斜端面にぶつかると、放熱板をキャビテ
ィ底面に押しつけるような力が放熱板に作用する。した
がって、放熱板とキャビティ底面との間に樹脂が回り込
むという現象が生じにくくなる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。 ＜第１実施例＞リードフレーム上に半導体素子を組み込
むまでの工程（ダイボンディング工程やワイヤーボンデ
ィング工程等）は従来例と同様であるので、ここでは本
願発明の要部であるパッケージ本体の成型工程を中心に
説明する。
する。 ＜第１実施例＞リードフレーム上に半導体素子を組み込
むまでの工程（ダイボンディング工程やワイヤーボンデ
ィング工程等）は従来例と同様であるので、ここでは本
願発明の要部であるパッケージ本体の成型工程を中心に
説明する。
【００１７】図１に示すように、パッケージ本体の成型
工程では、型開きしたパッケージ本体成型用金型の下型
３ａのキャビティ８ａ内に放熱用金属板１０がセットさ
れる。放熱用金属板１０としては、銅やアルミニウム等
の熱伝導性に優れた材料が用いられる。ただし、本発明
に用いられる放熱板は、必ずしも金属板に限らず、熱伝
導性に優れた材料で形成されていればよい。
工程では、型開きしたパッケージ本体成型用金型の下型
３ａのキャビティ８ａ内に放熱用金属板１０がセットさ
れる。放熱用金属板１０としては、銅やアルミニウム等
の熱伝導性に優れた材料が用いられる。ただし、本発明
に用いられる放熱板は、必ずしも金属板に限らず、熱伝
導性に優れた材料で形成されていればよい。
【００１８】図２を参照して放熱用金属板１０の形態を
説明する。図２（ａ）はキャビティ８ａ内に放熱用金属
板１０がセットされた状態を示す平面図、図２（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
説明する。図２（ａ）はキャビティ８ａ内に放熱用金属
板１０がセットされた状態を示す平面図、図２（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００１９】放熱用金属板１０は、全体としてはほぼ矩
形状で、キャビティ８ａの傾斜側面１１に内接する大き
さを有する。放熱用金属板１０の平面視サイズ（長さ
Ｌ、幅Ｗ）は、パッケージ本体の平面視サイズ（図２の
下型３ａのキャビティ８ａの開口サイズとほぼ同じで、
長さＬM 、幅ＷM ）よりも小さく、かつ、パッケージ本
体の平面視サイズの８５％以上に設定されている。すな
わち、放熱用金属板１０は、その長さＬが０．８５ＬM
≦Ｌ＜ＬM 、その幅Ｗが０．８５ＷM ≦Ｗ＜ＷM、の各
範囲におさまるように設定されると、一般的な抜き勾配
（キャビティ８ａの傾斜側面１１の角度）をもった成型
金型の場合、放熱用金属板１０をキャビティ８ａの傾斜
側面１１に内接させることができる。
形状で、キャビティ８ａの傾斜側面１１に内接する大き
さを有する。放熱用金属板１０の平面視サイズ（長さ
Ｌ、幅Ｗ）は、パッケージ本体の平面視サイズ（図２の
下型３ａのキャビティ８ａの開口サイズとほぼ同じで、
長さＬM 、幅ＷM ）よりも小さく、かつ、パッケージ本
体の平面視サイズの８５％以上に設定されている。すな
わち、放熱用金属板１０は、その長さＬが０．８５ＬM
≦Ｌ＜ＬM 、その幅Ｗが０．８５ＷM ≦Ｗ＜ＷM、の各
範囲におさまるように設定されると、一般的な抜き勾配
（キャビティ８ａの傾斜側面１１の角度）をもった成型
金型の場合、放熱用金属板１０をキャビティ８ａの傾斜
側面１１に内接させることができる。
【００２０】放熱用金属板１０を完全な矩形にすると、
成型用樹脂をキャビティ８ａに注入する際に、放熱用金
属板１０とキャビティ８ａの底面との間に樹脂が入りに
くくなる。そこで、放熱用金属板１０をパッケージ本体
内に完全に埋め込むタイプの場合、図１、図２に示すよ
うに、放熱用金属板１０の側片や角部に切り欠き１０ａ
を形成するのが好ましい。なお、放熱用金属板１０に幾
つかの小さいな孔を開ければ、外形としては完全な矩形
状であってもよい。
成型用樹脂をキャビティ８ａに注入する際に、放熱用金
属板１０とキャビティ８ａの底面との間に樹脂が入りに
くくなる。そこで、放熱用金属板１０をパッケージ本体
内に完全に埋め込むタイプの場合、図１、図２に示すよ
うに、放熱用金属板１０の側片や角部に切り欠き１０ａ
を形成するのが好ましい。なお、放熱用金属板１０に幾
つかの小さいな孔を開ければ、外形としては完全な矩形
状であってもよい。
【００２１】下型３ａのキャビティ８ａ内に放熱用金属
板１０がセットされた後、図３に示すように、下型３ａ
上に半導体素子１が組み込まれたリードフレーム２がセ
ットされる。半導体素子１はリードフレーム２に形成さ
れたダイパッド９上にダイボンディングされ、多数のリ
ード端子５との間を金属細線７で接続されている。
板１０がセットされた後、図３に示すように、下型３ａ
上に半導体素子１が組み込まれたリードフレーム２がセ
ットされる。半導体素子１はリードフレーム２に形成さ
れたダイパッド９上にダイボンディングされ、多数のリ
ード端子５との間を金属細線７で接続されている。
【００２２】リードフレーム２がセットされた後、リー
ドフレーム２が下型３ａおよび上型３ｂで押圧（型締
め）され、図１に示した樹脂注入口（ゲート）１２から
成型用樹脂がキャビティ８内に注入され、パッケージ本
体が形成される。上述したように、放熱用金属板１０は
下型３ａのキャビティ８ａの傾斜側面１１に内接して仮
固定されているので、キャビティ８内に樹脂が注入され
ても、その位置は殆どずれることがない。なお、実装時
に半導体素子１から発生する熱を効果的に逃がすために
は、ダイパッド９と放熱用金属板１０との間隙ΔＷを無
くすのが好ましいが、そうすると成型時にキャビティ８
内での樹脂の流動性が悪くなり、未充填を発生するおそ
れがある。そこで、本実施例では上記間隙ΔＷは０．１
５〜１．０ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ程度に設定され
ている。
ドフレーム２が下型３ａおよび上型３ｂで押圧（型締
め）され、図１に示した樹脂注入口（ゲート）１２から
成型用樹脂がキャビティ８内に注入され、パッケージ本
体が形成される。上述したように、放熱用金属板１０は
下型３ａのキャビティ８ａの傾斜側面１１に内接して仮
固定されているので、キャビティ８内に樹脂が注入され
ても、その位置は殆どずれることがない。なお、実装時
に半導体素子１から発生する熱を効果的に逃がすために
は、ダイパッド９と放熱用金属板１０との間隙ΔＷを無
くすのが好ましいが、そうすると成型時にキャビティ８
内での樹脂の流動性が悪くなり、未充填を発生するおそ
れがある。そこで、本実施例では上記間隙ΔＷは０．１
５〜１．０ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ程度に設定され
ている。
【００２３】図４にモールドされた半導体装置の断面図
を示す。上述した実施例方法によれば、放熱用金属板１
０がパッケージ本体１３内に完全に埋め込まれた半導体
装置が得られる。
を示す。上述した実施例方法によれば、放熱用金属板１
０がパッケージ本体１３内に完全に埋め込まれた半導体
装置が得られる。
【００２４】なお、上述した実施例では、放熱用金属板
１０がほぼ矩形状であるとしたが、必ずしも矩形状に限
らず、例えば図５に示すように、下型３ａのキャビティ
８ａの傾斜側面１１に内接する楕円形状の放熱用金属板
１０Ａであってもよい。
１０がほぼ矩形状であるとしたが、必ずしも矩形状に限
らず、例えば図５に示すように、下型３ａのキャビティ
８ａの傾斜側面１１に内接する楕円形状の放熱用金属板
１０Ａであってもよい。
【００２５】また、パッケージ本体が平面視で正方形で
ある場合には、図６に示すように円形の放熱用金属板１
０Ｂを用いることも可能である。このような円形の放熱
用金属板１０Ｂを用いた場合、放熱用金属板１０Ｂをど
の方向に入れても良いので作業の効率が向上する。
ある場合には、図６に示すように円形の放熱用金属板１
０Ｂを用いることも可能である。このような円形の放熱
用金属板１０Ｂを用いた場合、放熱用金属板１０Ｂをど
の方向に入れても良いので作業の効率が向上する。
【００２６】＜第２実施例＞上述した第１実施例では、
放熱用金属板をパッケージ本体内に完全に埋め込んだ半
導体装置の製造方法を例に採って説明したが、本発明は
放熱用金属板をパッケージ本体の下面から露出させた半
導体装置にも適用することができる。以下、図７，図８
を参照して説明する。
放熱用金属板をパッケージ本体内に完全に埋め込んだ半
導体装置の製造方法を例に採って説明したが、本発明は
放熱用金属板をパッケージ本体の下面から露出させた半
導体装置にも適用することができる。以下、図７，図８
を参照して説明する。
【００２７】図７（ａ）は本実施例で用いられる放熱用
金属板２０を成型用金型の下型３ａのキャビティ８ａ内
にセットした状態を示した平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ矢視断面図である。本実施例で用いられる放熱用金
属板２０は楕円形状で、キャビティ８ａの傾斜側面１１
に近接し、かつ、キャビティ８ａの底面に接するような
大きさを備えている。この例では、放熱用金属板２０の
周囲４箇所が、傾斜側面１１の下端に近接し、水平移動
が規制された仮固定の状態になっている。なお、この例
では放熱用金属板２０は楕円状であるが、矩形状であっ
てもよい。放熱用金属板２０の周囲端面２０ａは、この
金属板の上面から下面に向けて広がるように傾斜してい
る。周囲端面２０ａをこのような傾斜面に形成したこと
の作用は後述する。
金属板２０を成型用金型の下型３ａのキャビティ８ａ内
にセットした状態を示した平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ矢視断面図である。本実施例で用いられる放熱用金
属板２０は楕円形状で、キャビティ８ａの傾斜側面１１
に近接し、かつ、キャビティ８ａの底面に接するような
大きさを備えている。この例では、放熱用金属板２０の
周囲４箇所が、傾斜側面１１の下端に近接し、水平移動
が規制された仮固定の状態になっている。なお、この例
では放熱用金属板２０は楕円状であるが、矩形状であっ
てもよい。放熱用金属板２０の周囲端面２０ａは、この
金属板の上面から下面に向けて広がるように傾斜してい
る。周囲端面２０ａをこのような傾斜面に形成したこと
の作用は後述する。
【００２８】放熱用金属板２０がキャビティ８ａ内にセ
ットされた後、第１実施例と同様に、リードフレーム２
がセットされて上下金型３ａ，３ｂが型締めされ、キャ
ビティ８内に成型用樹脂が注入される。以下、図８を参
照して説明する。図８中の白抜き矢印Ｆは、キャビティ
８内に注入された成型用樹脂の流れを示す。この成型用
樹脂が放熱用金属板２０の周囲端面２０ａにぶつかる
と、周囲端面２０ａが傾斜していることにより、図８中
に矢印Ｐで示すように、放熱用金属板２０を下方向に押
しつける力が作用する。この力Ｐは放熱用金属板２０の
全周囲に作用するので、放熱用金属板２０の下面とキャ
ビティ８ａとの底面との間に、成型用樹脂が回り込むの
が阻止される。
ットされた後、第１実施例と同様に、リードフレーム２
がセットされて上下金型３ａ，３ｂが型締めされ、キャ
ビティ８内に成型用樹脂が注入される。以下、図８を参
照して説明する。図８中の白抜き矢印Ｆは、キャビティ
８内に注入された成型用樹脂の流れを示す。この成型用
樹脂が放熱用金属板２０の周囲端面２０ａにぶつかる
と、周囲端面２０ａが傾斜していることにより、図８中
に矢印Ｐで示すように、放熱用金属板２０を下方向に押
しつける力が作用する。この力Ｐは放熱用金属板２０の
全周囲に作用するので、放熱用金属板２０の下面とキャ
ビティ８ａとの底面との間に、成型用樹脂が回り込むの
が阻止される。
【００２９】図９に本実施例で得られた半導体装置の断
面図を示す。本実施例方法によれば、パッケージ本体１
３の下面に放熱用金属板２０が露出した半導体装置が得
られる。しかも、放熱用金属板２０の周囲端面２０ａが
傾斜しているので、放熱用金属板２０の下面への樹脂の
回り込みが極めて少なく、放熱用金属板２０の露出面積
を十分確保することができ、この種の半導体装置の熱抵
抗を一層低減することができる。
面図を示す。本実施例方法によれば、パッケージ本体１
３の下面に放熱用金属板２０が露出した半導体装置が得
られる。しかも、放熱用金属板２０の周囲端面２０ａが
傾斜しているので、放熱用金属板２０の下面への樹脂の
回り込みが極めて少なく、放熱用金属板２０の露出面積
を十分確保することができ、この種の半導体装置の熱抵
抗を一層低減することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、接着剤等を介して放熱板をリードフレーム
に固定する必要がないので、半導体装置の材料コストや
加工コストを低減することができる。また、モールド金
型内に放熱板をセットすれば、放熱板がキャビティの傾
斜側面に内接して自動的に仮固定されるので、放熱板を
パッケージ本体内に完全に埋め込んで成型する際に、放
熱板が不用意に動くことがない。また、モールド金型に
放熱板固定用の特別の構造を備える必要もないので、製
造工程の汎用性が広がる。
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、接着剤等を介して放熱板をリードフレーム
に固定する必要がないので、半導体装置の材料コストや
加工コストを低減することができる。また、モールド金
型内に放熱板をセットすれば、放熱板がキャビティの傾
斜側面に内接して自動的に仮固定されるので、放熱板を
パッケージ本体内に完全に埋め込んで成型する際に、放
熱板が不用意に動くことがない。また、モールド金型に
放熱板固定用の特別の構造を備える必要もないので、製
造工程の汎用性が広がる。
【００３１】請求項２に記載の発明によれば、放熱板の
平面視サイズを、パッケージ本体の平面視サイズよりも
小さく、かつ、パッケージ本体の平面視サイズの８５％
以上に設定することにより、一般的な抜き勾配をもった
モールド金型を用いて、請求項１に記載の方法を容易に
実施することができる。
平面視サイズを、パッケージ本体の平面視サイズよりも
小さく、かつ、パッケージ本体の平面視サイズの８５％
以上に設定することにより、一般的な抜き勾配をもった
モールド金型を用いて、請求項１に記載の方法を容易に
実施することができる。
【００３２】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明と同様に、半導体装置の材料コストや加工
コストを低減することができ、また、放熱板をパッケー
ジ本体の下面から露出させて成型する際に、放熱板が不
用意に動くことがない。さらに、モールド金型に放熱板
固定用の特別の構造を備える必要もない。
に記載の発明と同様に、半導体装置の材料コストや加工
コストを低減することができ、また、放熱板をパッケー
ジ本体の下面から露出させて成型する際に、放熱板が不
用意に動くことがない。さらに、モールド金型に放熱板
固定用の特別の構造を備える必要もない。
【００３３】請求項４に記載の発明によれば、請求項３
に記載の発明の効果に加えて、次の効果が得られる。す
なわち、キャビティ内に樹脂が注入された際に、樹脂の
流れによって放熱板がキャビティ底面に押しつけられる
ので、放熱板とキャビティ底面との間に樹脂が回り込む
ことが少なくり、パッケージ本体の下面から放熱板を広
い面積で露出させることができ、パッケージの熱抵抗を
一層低減することができる。
に記載の発明の効果に加えて、次の効果が得られる。す
なわち、キャビティ内に樹脂が注入された際に、樹脂の
流れによって放熱板がキャビティ底面に押しつけられる
ので、放熱板とキャビティ底面との間に樹脂が回り込む
ことが少なくり、パッケージ本体の下面から放熱板を広
い面積で露出させることができ、パッケージの熱抵抗を
一層低減することができる。
【図１】第１実施例における放熱用金属板のセット状態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は放熱用金属板のセット状態を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】成型時の状態を示す断面図である。
【図４】成型された半導体装置の断面図である。
【図５】（ａ）は放熱用金属板の変形例のセット状態を
示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。
示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。
【図６】（ａ）は放熱用金属板の更に別の変形例のセッ
ト状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面
図である。
ト状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面
図である。
【図７】（ａ）は第２実施例の放熱用金属板のセット状
態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ矢視断面図で
ある。
態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ矢視断面図で
ある。
【図８】第２実施例の成型時の様子を示す断面図であ
る。
る。
【図９】第２実施例で得られた半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図１０】従来例の説明図である。
【図１１】別の従来例の説明図である。
１…半導体素子 ２…リードフレーム ３…成型用金型 ３ａ…下型 ３ｂ…上型 ８…キャビティ ８ａ…下型のキャビティ １０，２０…放熱用金属板 １１…キャビティの傾斜側面 １３…パッケージ本体
Claims (4)
- 【請求項１】 パッケージ本体に放熱板を組み込んだ半
導体装置の製造方法において、パッケージ本体成型用の
モールド金型の下型のキャビティ内に、キャビティの傾
斜側面に内接する放熱板をセットし、続いて、半導体素
子がダイパッド上に固着されて前記半導体素子と複数本
のリード端子の先端部とが金属細線でそれぞれ接続され
た状態のリードフレームを前記下型上にセットし、前記
リードフレームを前記下型および上型で押圧して、前記
キャビティ内に成型樹脂を注入してパッケージ本体を形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記放
熱板の平面視サイズは、パッケージ本体の平面視サイズ
よりも小さく、かつ、前記パッケージ本体の平面視サイ
ズの８５％以上であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 パッケージ本体に放熱板を組み込んだ半
導体装置の製造方法において、パッケージ本体成型用の
モールド金型の下型のキャビティ内に、キャビティの傾
斜側面に近接し、かつ、キャビティ底面に接する放熱板
をセットし、続いて、半導体素子がダイパッド上に固着
されて前記半導体素子と複数本のリード端子の先端部と
が金属細線でそれぞれ接続された状態のリードフレーム
を前記下型上にセットし、前記リードフレームを前記下
型および上型で押圧して、前記キャビティ内に成型樹脂
を注入してパッケージ本体を形成することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の方法において、前記放
熱板は、その周囲端面が放熱板の上面から下面に向けて
広がるように傾斜していることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306828A JP2665172B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306828A JP2665172B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148515A true JPH08148515A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2665172B2 JP2665172B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17961753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6306828A Expired - Fee Related JP2665172B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665172B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1381563A1 (en) * | 2001-03-26 | 2004-01-21 | Process Management, Inc. | Process for production of high purity amorphous silica from biogenic mateial |
| JP2008130757A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Daikin Ind Ltd | 電気回路装置 |
| JP2009238805A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| TWI613739B (zh) * | 2012-03-07 | 2018-02-01 | Ｔｏｗａ股份有限公司 | 樹脂封裝電子零件之製造方法及樹脂封裝電子零件之製造裝置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0855935A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱板内蔵樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP6306828A patent/JP2665172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0855935A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放熱板内蔵樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1381563A1 (en) * | 2001-03-26 | 2004-01-21 | Process Management, Inc. | Process for production of high purity amorphous silica from biogenic mateial |
| EP1381563A4 (en) * | 2001-03-26 | 2006-10-11 | Process Man Inc | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HIGH-PURITY AMORPHIC SILICON DIOXIDE FROM BIOGENIC MATERIAL |
| JP2008130757A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Daikin Ind Ltd | 電気回路装置 |
| JP2009238805A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| TWI613739B (zh) * | 2012-03-07 | 2018-02-01 | Ｔｏｗａ股份有限公司 | 樹脂封裝電子零件之製造方法及樹脂封裝電子零件之製造裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2665172B2 (ja) | 1997-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4899481B2 (ja) | 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置の製法 | |
| JPH04291948A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及び放熱フィン | |
| JP2002329815A (ja) | 半導体装置と、その製造方法、及びその製造装置 | |
| US5793613A (en) | Heat-dissipating and supporting structure for a plastic package with a fully insulated heat sink for an electronic device | |
| JP2665172B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3479121B2 (ja) | Ｂｇａパッケージの樹脂モールド方法 | |
| JP2000236060A (ja) | 半導体装置 | |
| US5789270A (en) | Method for assembling a heat sink to a die paddle | |
| JPH088375A (ja) | 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型 | |
| JP3186729B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3787131B2 (ja) | Ｂｇａパッケージの製造に用いるモールド金型 | |
| JPH11260968A (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPH0794635A (ja) | 樹脂封止パッケージ | |
| JPH06244312A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 | |
| JPH0817989A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03191553A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4611503B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH088365A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08316378A (ja) | 放熱ヒートシンクおよびその製造方法 | |
| JPS6288347A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5978537A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH05291450A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3687347B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09232355A (ja) | 樹脂パッケージング方法及び該方法による電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |