JPH088375A - 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型 - Google Patents

半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型

Info

Publication number
JPH088375A
JPH088375A JP16452194A JP16452194A JPH088375A JP H088375 A JPH088375 A JP H088375A JP 16452194 A JP16452194 A JP 16452194A JP 16452194 A JP16452194 A JP 16452194A JP H088375 A JPH088375 A JP H088375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
pellet
resin
semiconductor device
notch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16452194A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Mikami
昭夫 三上
Fujihiko Inomata
藤彦 猪又
Naoki Fujita
直樹 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP16452194A priority Critical patent/JPH088375A/ja
Publication of JPH088375A publication Critical patent/JPH088375A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アウタリードの曲げ成形時に樹脂封止体やペ
レットにクラックが発生するのを防止する。 【構成】 ミニモールド・トランジスタ1は電子回路が
作り込まれているペレット2と、ペレットに電気的に接
続されているリード(アウタリード23とインナリード
24)と、ペレットおよびリードの一部を樹脂封止する
樹脂封止体11とを備えており、アウタリード23の付
根部の上面に肉厚を薄くするように切欠部29が凹溝状
に形成されている。 【効果】 リードの曲げ部分に切欠部が形成されている
ことにより、アウタリード曲げ成形に要する力が小さく
なるため、リード屈曲成形時に樹脂封止体やペレットに
加わるストレスが小さくなり、クラックが防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造技術、特に、表面実装形パッケージを備えている半
導体装置の製造技術に関し、例えば、ミニモールド・ト
ランジスタに利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】小型の表面実装形パッケージを備えてい
る半導体装置として、ミニモールド・トランジスタがあ
る(例えば、特開昭61−101058号公報参照)。
このトランジスタは、半導体ペレット(以下、ペレット
という。)に作り込まれたトランジスタ回路を樹脂封止
体の外部へ導出するためのアウタリードが、ガル・ウイ
ング形状に成形されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このトランジスタのア
ウタリードの成形加工は、アウタリードの寸法が小さい
ために、アウタリードの付根部を押さえずに実施されて
いる。そのため、リード成形時にアウタリードに加わる
ストレスが樹脂封止体やペレットにも加わり、その結
果、樹脂封止体やペレットにクラックが発生することが
あった。
【0004】本発明の目的は、リード成形時に樹脂封止
体やペレットにクラックが発生するのを防止することに
ある。
【0005】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0007】すなわち、電子回路が作り込まれているペ
レットと、ペレットに電気的に接続されているリード
と、ペレットおよびリードの一部を樹脂封止する樹脂封
止体とを備えており、樹脂封止体から外部に突出してい
るリード部分に曲げ成形加工が施されている半導体装置
において、前記曲げ成形加工されているリード部分の曲
げ成形部に、肉厚または幅寸法を小さくする切欠部が形
成されていることを特徴とする。
【0008】
【作用】前記した手段によれば、アウタリードの曲げ成
形に要する力を小さくできるので、アウタリードの曲げ
成形時に樹脂封止体やペレットに加わるストレスを小さ
くすることができる。そのため、リード成形時に樹脂封
止体やペレットにクラックが発生するのを防止すること
ができる。
【0009】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるミニモールド
・トランジスタを示し、(a)はリード成形前を示す縦
断面図、(b)はリード成形後を示す縦断面図である。
図2はその製造に使用されたリードフレームを示し、
(a)は平面図、(b)は曲げ成形部の縦断面図であ
る。図3はそのリード成形工程を示す説明図である。
【0010】本実施例において、本発明に係る半導体装
置としてのミニモールド・トランジスタ1は、トランジ
スタ回路が作り込まれているペレット2と、このペレッ
ト2を包囲するとともにトランジスタ回路を外部に電気
的に導くためのパッケージ10とを備えている。パッケ
ージ10はペレット2の各電極に電気的に接続されてい
る複数本のリード(アウタリード23およびインナリー
ド24)と、ペレット2およびリードの一部(インナリ
ード24)を樹脂封止する樹脂封止体11とから構成さ
れている。
【0011】パッケージ10は、樹脂が用いられて、ト
ランスファ成形等のような樹脂成形法により略長方形の
平盤形状に形成されている樹脂封止体11と、この樹脂
封止体11の2つの側面からガル・ウイング形状に屈曲
されて突設されている3本のアウタリード23とを備え
ている。
【0012】樹脂封止体11の内部にはトランジスタ回
路を作り込まれたペレット2が樹脂封止されており、ペ
レット2に作り込まれたトランジスタ回路は、ペレット
2の電極パッドと各アウタリード23に一体的に連設さ
れているインナリード24との間に橋絡されているボン
ディングワイヤ3を介して、各アウタリード23により
樹脂封止体11の外部に電気的に引き出されるようにな
っている。
【0013】各アウタリード23はガル・ウイング形状
になるように屈曲成形されており、樹脂封止体11の側
面から下向きに略直角に屈曲されて樹脂封止体11の側
方を略垂直下方に樹脂封止体11の下面よりも下方まで
延出している部分23aと、その下端部から樹脂封止体
11と反対側に略直角に屈曲されて略水平に延出してい
る実装部分23bとから構成されている。
【0014】そして、本実施例においては、リードにお
ける樹脂封止体11の外面と接する部分の両側近傍の上
面に、肉厚を薄く潰された切欠部29が凹溝状に形成さ
れている。
【0015】上記ミニモールド・トランジスタ1は以下
のようにして製造される。前記構成に係るミニモールド
・トランジスタの製造には図2に示されている多連リー
ドフレーム20が使用されている。この多連リードフレ
ーム20は銅合金等のような導電性の良好な材料からな
る薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工により長方形
の板形状に一体成形されており、複数の単位リードフレ
ーム21が長手方向に繰り返すように隣り合わせに並べ
られて連設されている。但し、図示および説明は、繰り
返しの一単位について行われている。
【0016】各単位リードフレーム21は一対の外枠2
2と、両外枠22、22に交互に接続されている3本の
アウタリード23と、各アウタリード23にそれぞれ一
直線上に連設されている3本のインナリード24と、隣
り合うアウタリード23間に架橋されているダム25
と、中央のインナリード24の先端に一体的に形成され
ているタブ26と、外枠22に適当に配されて開設され
ている複数個の位置決め孔27とを備えており、各単位
リードフレーム21間は両外枠22、22間に架橋され
ているセクション部28により区画されている。
【0017】そして、この多連リードフレーム20は打
ち抜きプレス加工によって形成される。その際、樹脂封
止体11の外面(図2(a)に樹脂封止体11の外形線
を一点鎖線で示してある。)と接する部分の両側近傍の
上面に、断面長方形形状の切欠部29が凹溝状に形成さ
れるように(図2(b)参照)、プレス加工が実施され
る。
【0018】この多連リードフレーム20が使用され
て、ペレット・ボンディング工程により、リードフレー
ムのタブ26上にペレット2がボンディングされ、その
後、ワイヤ・ボンディング工程により、ペレット2の電
極パッドとインナリード24との間にワイヤ3がボンデ
ィングされる。
【0019】次に、トランスファ成形装置により、樹脂
封止体11が図1(a)に示されているように略長方形
の平盤形状に一体成形される。この樹脂封止体11によ
り、インナリード24、ペレット2、およびワイヤ3が
樹脂封止されるとともに、樹脂封止体11の2つの側面
から3本のアウタリード23がそれぞれ突出された状態
になる。
【0020】その後、切断工程において、樹脂封止体1
1の外側におけるリードフレームの不要な部分が切断除
去される。
【0021】次に、アウタリード23はリード成形工程
において、図3に示されているように成形加工される。
すなわち、上記切断加工後のトランジスタの組立体30
が成形ダイ31の上に載置され、かつ、ストリッパ32
に押さえられる。この状態で、ポンチ33が垂直方向に
下降されることにより、アウタリード23は成形ダイ3
1に押し付けられて成形ダイ31の成形面に倣うように
屈曲され、所望のガル・ウイング形状に成形される。
【0022】アウタリード23の付根部には上面に肉厚
を薄くする切欠部29が形成されているため、このリー
ド成形時には小さい力で曲げ成形が可能である。その結
果、曲げ成形時に樹脂封止体11やペレット2に加わる
ストレスは小さくなるため、樹脂封止体11やペレット
2にクラックが発生するのを防止することができる。
【0023】前記実施例によれば次の効果が得られる。 アウタリード23の曲げ成形部に肉厚を薄くする切
欠部29が形成されていることにより、アウタリード2
3の曲げ成形は小さい力で可能となるため、曲げ成形時
に樹脂封止体11やペレット2に加わるストレスが小さ
くなり、それらにクラックが発生するのを防止すること
ができる。
【0024】 アウタリード23の屈曲成形時にアウ
タリード23の付根部を押さえなくとも、樹脂封止体1
1やペレット2のクラックの発生を回避することができ
るため、ミニモールド・トランジスタのパッケージを小
型化することができる。
【0025】図5は本発明の実施例2を示す。本実施例
2が上記実施例1と異なる点は切欠部の形成箇所であ
る。すなわち、本実施例2においては、リードに形成す
る切欠部がリードの幅寸法を小さくすることによって形
成されている。
【0026】図5(a)について実施例2の一例を代表
的に説明する。多連リードフレーム20を打ち抜きプレ
ス加工によって製造する際、インナリード23とアウタ
リード24との接続部における樹脂封止体11の外面
(図5(a)に一点鎖線で外形線を示す。)と接する部
分の両側近傍の両側面に、断面長方形形状の切欠部40
が凹溝状に同時にプレス成形される。
【0027】図6は本発明の実施例3を示す。上記実施
例1および実施例2では、多連リードフレームの段階で
リードに切欠部29、40が形成されている。しかし、
本実施例3においては、トランジスタの製造工程におけ
るモールド工程でリードに切欠部が形成される。
【0028】すなわち、上記実施例1および実施例2で
説明した切欠部29、40が形成されていない多連リー
ドフレームが本実施例3では使用され、そのリードフレ
ームにペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボン
ディング工程が実施される。そして、モールド工程で、
図6(a)および図7(a)に示されているように、樹
脂封止体11が形成されると同時に、アウタリード23
の付根部の上面に肉厚を薄くする断面三角形形状の切欠
部41が凹溝状に形成される。
【0029】以下、モールド工程を図8により説明す
る。トランスファ成形装置50は、シリンダ装置等(図
示せず)によって互いに型締めされる一対の上型51と
下型52とを備えており、上型51と下型52との合わ
せ面には上型キャビティー凹部53aと下型キャビティ
ー凹部53bとが互いに協働してキャビティー53を形
成するように没設されている。
【0030】上型51の合わせ面にはポット54が開設
されており、ポット54にはシリンダ装置(図示せず)
によって進退されるプランジャ55が成形材料としての
樹脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入
されている。下型52の合わせ面にはカル56がポット
54との対向位置に配されて没設されているとともに、
ランナ57がポット54に接続するように没設されてい
る。ランナ57の他端部は下側キャビティー凹部53b
に接続されており、その接続部にはゲート58がレジン
をキャビティー53内に注入し得るように形成されてい
る。さらに、下型52の合わせ面には逃げ凹所59がリ
ードフレームの厚みを逃げ得るように、リードフレーム
の厚さと略等しい寸法に一定深さに没設されている。
【0031】そして、本実施例3においては、上型51
の合わせ面において、アウタリード23の付根部に相当
する位置に断面三角形形状の凸部60が下方に突出する
ようにして形成されている。
【0032】次に、前記構成に係るトランスファ成形装
置が使用される場合について、樹脂封止体の成形方法を
説明する。トランスファ成形時において、前記構成に係
るリードフレームは下型52に没設されている逃げ凹所
59内に、ペレット2がキャビティー53内に収容され
るように配されてセットされる。続いて、上型51と下
型52とが強力に型締めされる。この上記上型51と下
型52との型締めによって、アウタリード23の付根部
の上面には上型51の凸部60により塑性変形されるこ
とにより、断面三角形形状の切欠部41が凹溝状に形成
される。
【0033】その後、ポット54からプランジャ55に
よりレジン61がランナ57およびゲート58を通じて
キャビティー53に送給されて圧入される。注入後、レ
ジン61が熱硬化されて樹脂封止体11が成形される
と、上型51および下型52は型開きされるとともに、
エジェクタピンにより樹脂封止体11が離型される。こ
のようにして樹脂封止体11を成形されたリードフレー
ムはトランスファ成形装置50から脱装される。
【0034】そして、このように樹脂成形された樹脂封
止体11の内部には、ペレット2、ワイヤ3およびイン
ナリード24が樹脂封止されると同時に、アウタリード
23の付根部の上面に断面三角形形状の切欠部41が凹
溝状に形成される。
【0035】その後、切断工程において、樹脂封止体1
1の外側におけるリードフレームの不要な部分が切断除
去され、アウタリード23のリード成形工程が、上記実
施例1で説明したのと同様にして行われる。
【0036】このリード成形時において、アウタリード
23の付根部の上面に切欠部41が形成されているた
め、曲げ成形時に樹脂封止体11やペレット2に加わる
ストレスは上記実施例1と同様に小さくなる。このた
め、樹脂封止体11やペレット2にクラックが発生する
のを防止することができる。
【0037】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0038】例えば、リードフレームの段階でリードの
肉厚を薄くするように形成する切欠部は、実施例1で説
明したものに限られることはなく、例えば、この他、図
4に示すものでもよい。
【0039】図4(a)はリードにおける樹脂封止体1
1の外面と接する部分の両側近傍の下面に、肉厚を薄く
する切欠部29を凹溝状に形成したものである。図4
(b)はアウタリード23における樹脂封止体11の外
面と接する部分の近傍から外側部分の上面に、肉厚を薄
くする切欠部29を段状に形成したものである。図4
(c)は図4(b)とは逆に、アウタリード23におけ
る樹脂封止体11の外面と接する部分の近傍から外側部
分の下面に、肉厚を薄くする切欠部29を段状に形成し
たものである。
【0040】また、リードフレームの段階でリードの幅
寸法を小さくするように形成される切欠部は、図5
(a)で説明したものに限られることはなく、例えばこ
の他、図5(b)や図5(c)に示すものでもよい。
【0041】図5(b)はアウタリード23の付根部の
両側面に、断面三角形形状の切欠部40を凹溝状に形成
したものである。図5(c)はアウタリード23の付根
部の両側面に、断面円弧形形状の切欠部40を凹溝状に
形成したものである。
【0042】以上に説明したリードフレームに形成され
る切欠部は、プレス加工によって形成するに限らず、エ
ッチング加工によって形成することもできる。
【0043】モールド工程で形成する切欠部は、実施例
3(図6および図7(a))で説明したものに限られる
ことはなく、例えばこの他、図7(b)や図7(c)に
示すものでもよい。
【0044】図7(b)はアウタリード23の付根部の
上面に肉厚を薄くする断面長方形形状の切欠部41を凹
溝状に形成したものである。図7(c)はアウタリード
23の上面に肉厚を薄くする切欠部41を全長にわたっ
て形成したものである。
【0045】上記実施例3においては、モールド工程で
アウタリードに切欠部を形成するようにしたが、切欠部
はモールド工程後に実施されるレジンバリ取り工程で使
用される金型に切欠部形成用の凸部を設けて形成するよ
うにしてもよく、あるいは、切断工程で使用される金型
に切欠部形成用の凸部を設けて形成するようにしてもよ
い。
【0046】また、切断工程後、リード成形前に、アウ
タリードをコイニング加工することによって切欠部を形
成するようにすることもできる。要するに、リード成形
される際に、アウタリードに切欠部が形成されてあれば
よい。
【0047】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるガル・
ウイング形状のアウタリードを備えているミニモールド
・トランジスタに適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、リードの屈曲成形が行わ
れるアウタリードを備えている表面実装形半導体装置全
般に適用することができる。
【0048】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0049】曲げ成形加工されているリード部分の曲げ
成形部に肉厚または幅寸法を小さくする切欠部を形成す
ることにより、アウタリードの曲げ成形に要する力を小
さく抑制することができるので、アウタリードの曲げ成
形時に樹脂封止体やペレットに加わるストレスを小さく
抑制することができ、リード成形時に樹脂封止体やペレ
ットにクラックが発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるミニモールド・トラン
ジスタを示し、(a)はリード成形前を示す縦断面図、
(b)はリード成形後を示す縦断面図である。
【図2】そのリードフレームを示し、(a)は平面図、
(b)は曲げ成形部の縦断面図である。
【図3】そのリード成形工程を示す説明図である。
【図4】(a)、(b)、(c)とも図1(b)に対応
する切欠部の変形例を示す各縦断面図である。
【図5】本発明の実施例2を示し、(a)、(b)、
(c)ともリード部分の各平面図である。
【図6】本発明の実施例3であるミニモールド・トラン
ジスタを示し、(a)はリード成形前を示す縦断面図、
(b)はリード成形後を示す縦断面図である。
【図7】(a)、(b)、(c)ともミニモールド・ト
ランジスタのアウタリードの付根部付近を示す縦断面図
である。
【図8】(a)はモールド工程を示す縦断面図、(b)
はその一部拡大図である。
【符号の説明】
1…ミニモールド・トランジスタ、2…ペレット、3…
ワイヤ、10…パッケージ、11…樹脂封止体、20…
多連リードフレーム、21…単位リードフレーム、23
…アウタリード、24…インナリード、25…ダム、2
6…タブ、27…位置決め孔、28…セクション部、2
9、40、41…切欠部、30…組立体、31…成形ダ
イ、32…ストリッパ、33…ポンチ、50…トランス
ファ成形装置、51…上型、52…下型、53a…上型
キャビティー凹部、53b…下型キャビティー凹部、5
3…キャビティー、54…ポット、55…プランジャ、
56…カル、57…ランナ、58…ゲート、59…逃げ
凹所、60…凸部、61…レジン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 直樹 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子回路が作り込まれているペレット
    と、ペレットに電気的に接続されているリードと、ペレ
    ットおよびリードの一部を樹脂封止する樹脂封止体とを
    備えており、樹脂封止体から外部に突出しているリード
    部分に曲げ成形加工が施されている半導体装置におい
    て、 前記曲げ成形加工されているリード部分の曲げ成形部
    に、肉厚または幅寸法を小さくする切欠部が形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置の製造に使
    用されるリードフレームであって、曲げ成形される箇所
    に、肉厚または幅寸法を小さくする切欠部が形成されて
    いることを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の半導体装置の製造工程
    で使用される金型であって、前記曲げ成形部に切欠部を
    形成するための凸部を有していることを特徴とする金
    型。
JP16452194A 1994-06-23 1994-06-23 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型 Pending JPH088375A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16452194A JPH088375A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16452194A JPH088375A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH088375A true JPH088375A (ja) 1996-01-12

Family

ID=15794749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16452194A Pending JPH088375A (ja) 1994-06-23 1994-06-23 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH088375A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213855A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Corp 中空プラスチックパッケージ用リードフレーム
KR100470716B1 (ko) * 2002-08-08 2005-03-10 성호반도체 주식회사 소자의 리드선 r-포밍장치
EP1684345A3 (en) * 2005-01-21 2008-04-02 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
WO2009010716A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Zetex Semiconductors Plc Semiconductor chip package with bent outer leads
JP2013075328A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Morioka Seiko Instruments Inc プレス部品の製造方法、及びプレス部品
US9036673B2 (en) 2012-02-27 2015-05-19 Fujitsu Limited Semiconductor laser
US11735509B2 (en) * 2019-03-22 2023-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213855A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Corp 中空プラスチックパッケージ用リードフレーム
US5883424A (en) * 1996-01-30 1999-03-16 Nec Corporation Lead frame for hollow plastic package
KR100470716B1 (ko) * 2002-08-08 2005-03-10 성호반도체 주식회사 소자의 리드선 r-포밍장치
EP1684345A3 (en) * 2005-01-21 2008-04-02 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
US7595549B2 (en) 2005-01-21 2009-09-29 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
WO2009010716A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Zetex Semiconductors Plc Semiconductor chip package with bent outer leads
JP2013075328A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Morioka Seiko Instruments Inc プレス部品の製造方法、及びプレス部品
US9036673B2 (en) 2012-02-27 2015-05-19 Fujitsu Limited Semiconductor laser
US11735509B2 (en) * 2019-03-22 2023-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7410834B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US8174096B2 (en) Stamped leadframe and method of manufacture thereof
US6187614B1 (en) Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein
JP2875139B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7410835B2 (en) Method for fabricating semiconductor package with short-prevented lead frame
US7456049B2 (en) Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same
US20180122731A1 (en) Plated ditch pre-mold lead frame, semiconductor package, and method of making same
US6893898B2 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP2003282809A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3455685B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH088375A (ja) 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型
JP3259377B2 (ja) 半導体装置
CN106409694B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2000196005A (ja) 半導体装置
JP2000150725A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH06252188A (ja) 樹脂封止型半導体素子の製造方法および製造装置
JPH10135375A (ja) 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法および製造装置
JP3747991B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100253388B1 (ko) 반도체 패키지의 제조방법
JP2001135767A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3008015B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH03276667A (ja) 半導体装置
JPH0318741B2 (ja)
JPH05102217A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用される成形装置
JPH11340400A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム