JPH06244312A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】リードフレームインナー、ダイパット部吊りに
放熱用中間穴を設ける。樹脂封止時に半導体装置の厚み
方向に放熱目的の貫通穴を設ける。ＩＣ素子を樹脂封止
する際のモールド工程金型上型固定ピン、下型固定ピン
で放熱用中間穴を上下より挟み込む形で支える。モール
ド工程の上下金型９、１０に固定ピン１３、１４を設け
この固定ピン上下を前記ダイパット吊りに設けた放熱用
中間穴位置と同位置に設定する。上下ピンがダイパット
吊りに接するまで沈め前記ＩＣ素子、金線、インナーリ
ードを樹脂封止する。 【効果】ＩＣ素子で発生した大部分の熱をリードフレー
ムを介し貫通穴から空気の対流により放熱する事により
半導体装置を劣化、破壊させる事なく長時間の連続使用
を可能にした。また樹脂封止する際の樹脂の注入圧力に
よるダイパット部，ＩＣ素子、の上下へのズレ発生が防
止でき歩留向上が計れる。
放熱用中間穴を設ける。樹脂封止時に半導体装置の厚み
方向に放熱目的の貫通穴を設ける。ＩＣ素子を樹脂封止
する際のモールド工程金型上型固定ピン、下型固定ピン
で放熱用中間穴を上下より挟み込む形で支える。モール
ド工程の上下金型９、１０に固定ピン１３、１４を設け
この固定ピン上下を前記ダイパット吊りに設けた放熱用
中間穴位置と同位置に設定する。上下ピンがダイパット
吊りに接するまで沈め前記ＩＣ素子、金線、インナーリ
ードを樹脂封止する。 【効果】ＩＣ素子で発生した大部分の熱をリードフレー
ムを介し貫通穴から空気の対流により放熱する事により
半導体装置を劣化、破壊させる事なく長時間の連続使用
を可能にした。また樹脂封止する際の樹脂の注入圧力に
よるダイパット部，ＩＣ素子、の上下へのズレ発生が防
止でき歩留向上が計れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面実装型半導体装置の
稼働時に発生する熱を放熱する手段としてリードフレー
ムに搭載し配線されたＩＣ素子を樹脂封止する際に半導
体装置に放熱作用を有する貫通穴を設け空気の対流によ
り半導体装置の稼働時に発生した熱の放熱に関するもの
である。又リードフレームに搭載し、配線されたＩＣ素
子を樹脂封止する際に樹脂封止装置の金型ピンにより少
なくともりリードフレームを構成する一部を保持してモ
ールド樹脂流入圧力によるＩＣ素子の上下移動の抑止に
関する。
稼働時に発生する熱を放熱する手段としてリードフレー
ムに搭載し配線されたＩＣ素子を樹脂封止する際に半導
体装置に放熱作用を有する貫通穴を設け空気の対流によ
り半導体装置の稼働時に発生した熱の放熱に関するもの
である。又リードフレームに搭載し、配線されたＩＣ素
子を樹脂封止する際に樹脂封止装置の金型ピンにより少
なくともりリードフレームを構成する一部を保持してモ
ールド樹脂流入圧力によるＩＣ素子の上下移動の抑止に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の表面実装型半導体装置の断
面図である。図４においてＩＣ素子３、で発生した熱は
樹脂１、ダイパット部２、金線４、インナーリード５、
に徐徐に伝導し最終到達として樹脂１、の表面、アウタ
ーリード６、より自然放熱している。更にはアウターリ
ード６、を介して半導体装置と半田で固定されている基
板上に至り自然放熱されている。
面図である。図４においてＩＣ素子３、で発生した熱は
樹脂１、ダイパット部２、金線４、インナーリード５、
に徐徐に伝導し最終到達として樹脂１、の表面、アウタ
ーリード６、より自然放熱している。更にはアウターリ
ード６、を介して半導体装置と半田で固定されている基
板上に至り自然放熱されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の表面実装型半導
体装置では図４において、ＩＣ素子３、で発生した熱は
樹脂１、ダイパット部２、金線４、インナーリード５、
に徐徐に伝導し最終到達として樹脂１、の表面全体、及
びアウターリード６、に達し自然放熱されている。更に
はアウターリード６、を介して半導体装置と半田で固定
されている基板上に至り自然放熱されている。この様な
状態で半導体装置を長時間稼働すると高温となり樹脂
１、アウターリード６、からの放熱が飽和状態となり熱
による劣化が促進され半導体装置の寿命が短くなる。更
には図４において、樹脂１、ＩＣ素子３、金線４、イン
ナーリード５、のそれぞれの熱膨張率が異なる為に、稼
働時の熱膨張、停止時の冷却収縮を繰り返す事によるＩ
Ｃ素子３、と金線４、との断線及び金線４、とインナー
リード５、との断線が生じ半導体装置が破壊されてしま
う。
体装置では図４において、ＩＣ素子３、で発生した熱は
樹脂１、ダイパット部２、金線４、インナーリード５、
に徐徐に伝導し最終到達として樹脂１、の表面全体、及
びアウターリード６、に達し自然放熱されている。更に
はアウターリード６、を介して半導体装置と半田で固定
されている基板上に至り自然放熱されている。この様な
状態で半導体装置を長時間稼働すると高温となり樹脂
１、アウターリード６、からの放熱が飽和状態となり熱
による劣化が促進され半導体装置の寿命が短くなる。更
には図４において、樹脂１、ＩＣ素子３、金線４、イン
ナーリード５、のそれぞれの熱膨張率が異なる為に、稼
働時の熱膨張、停止時の冷却収縮を繰り返す事によるＩ
Ｃ素子３、と金線４、との断線及び金線４、とインナー
リード５、との断線が生じ半導体装置が破壊されてしま
う。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型半導
体装置は、リードフレームインナー、ダイパット部吊り
に放熱用中間穴を設ける。ＩＣ素子をリードフレームダ
イパット部に搭載しＩＣ素子とリードフレーム、インナ
ーリードとを金線を用いて配線する。その後モールド工
程にてＩＣ素子、金線、インナーリードを樹脂封止す
る。樹脂封止する際に使用するモールド工程の上下金型
に固定ピンを設け固定ピンの上下を前記ダイパット吊り
に設けた放熱用中間穴位置と同位置に設定する。固定ピ
ンの長さは金型を締めた時にダイパット吊りに接するま
での長さとし前記ＩＣ素子、金線、インナーリードを樹
脂封止する。樹脂封止後の半導体装置の厚み方向に放熱
目的の貫通穴を設ける事ができる。この貫通穴にリード
フレームの一部を露出させている為に熱伝導率、リード
フレーム＞モールド樹脂の関係から熱の発生源の直近位
置からの放熱が可能となる。
体装置は、リードフレームインナー、ダイパット部吊り
に放熱用中間穴を設ける。ＩＣ素子をリードフレームダ
イパット部に搭載しＩＣ素子とリードフレーム、インナ
ーリードとを金線を用いて配線する。その後モールド工
程にてＩＣ素子、金線、インナーリードを樹脂封止す
る。樹脂封止する際に使用するモールド工程の上下金型
に固定ピンを設け固定ピンの上下を前記ダイパット吊り
に設けた放熱用中間穴位置と同位置に設定する。固定ピ
ンの長さは金型を締めた時にダイパット吊りに接するま
での長さとし前記ＩＣ素子、金線、インナーリードを樹
脂封止する。樹脂封止後の半導体装置の厚み方向に放熱
目的の貫通穴を設ける事ができる。この貫通穴にリード
フレームの一部を露出させている為に熱伝導率、リード
フレーム＞モールド樹脂の関係から熱の発生源の直近位
置からの放熱が可能となる。
【０００５】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図及
び平面図である。図１（ａ）、（ｂ）においてＩＣ素子
３、で発生した熱発生源と直接接触している樹脂１、ダ
イパット部２、を介してタブ吊り７、に伝導する。タブ
吊り７、に伝導された熱は放熱穴８、に至りタブ吊り
７、の一部が放熱穴８、に露出している為に発生した熱
の大部分は空気の対流が起こり上部に放熱される、又僅
かでは有るが樹脂１、を介して伝導した熱は半導体装置
の上面、下面、側面、アウターリード６、からも放熱さ
れる。
び平面図である。図１（ａ）、（ｂ）においてＩＣ素子
３、で発生した熱発生源と直接接触している樹脂１、ダ
イパット部２、を介してタブ吊り７、に伝導する。タブ
吊り７、に伝導された熱は放熱穴８、に至りタブ吊り
７、の一部が放熱穴８、に露出している為に発生した熱
の大部分は空気の対流が起こり上部に放熱される、又僅
かでは有るが樹脂１、を介して伝導した熱は半導体装置
の上面、下面、側面、アウターリード６、からも放熱さ
れる。
【０００６】図２は本発明の第２の実施例を示すモール
ド金型の断面図である。図２（ａ）（ｂ）においてリー
ドフレーム１２、を挟み込む形でモールド金型上型９、
モールド金型下型１０、で型締めを行う。次に上型固定
ピン１３、下型固定ピン１４、でタブ吊り７、に設けた
放熱用中間穴位置の部分を上下から挟み込む状態で支え
るその後樹脂注入口１１、より封止用樹脂を注入する。
樹脂が硬化後上型９、を上昇させながら上型エジェクタ
ーピン１７、を突き下げ樹脂封止された半導体装置を下
型に付着させる。次に下型固定ピン１８、を突き上げ放
熱用貫通穴の明いた樹脂封止された半導体装置を金型か
ら取り出す。樹脂を注入する際には樹脂に圧力を加える
がタブ吊り７、を上型固定ピン１３、下型固定ピン１
４、で挟み込む形で支えている為にＩＣ素子を接着固定
配線してあるダイパット部２、ＩＣ素子３、が上又は下
にズレる事がなく樹脂封止できる。又上型エジェクター
ピン１７、下型エジェクターピン１８、で放熱用貫通穴
を設けても良い。
ド金型の断面図である。図２（ａ）（ｂ）においてリー
ドフレーム１２、を挟み込む形でモールド金型上型９、
モールド金型下型１０、で型締めを行う。次に上型固定
ピン１３、下型固定ピン１４、でタブ吊り７、に設けた
放熱用中間穴位置の部分を上下から挟み込む状態で支え
るその後樹脂注入口１１、より封止用樹脂を注入する。
樹脂が硬化後上型９、を上昇させながら上型エジェクタ
ーピン１７、を突き下げ樹脂封止された半導体装置を下
型に付着させる。次に下型固定ピン１８、を突き上げ放
熱用貫通穴の明いた樹脂封止された半導体装置を金型か
ら取り出す。樹脂を注入する際には樹脂に圧力を加える
がタブ吊り７、を上型固定ピン１３、下型固定ピン１
４、で挟み込む形で支えている為にＩＣ素子を接着固定
配線してあるダイパット部２、ＩＣ素子３、が上又は下
にズレる事がなく樹脂封止できる。又上型エジェクター
ピン１７、下型エジェクターピン１８、で放熱用貫通穴
を設けても良い。
【０００７】図３は本発明の第３の実施例を示すリード
フレームインナーリード、の平面図である。図３におい
てモールド境界線１５、の内側が樹脂封止され、インナ
ーリード部と呼称している。ＩＣ素子を接着、固定する
ダイパット部２、を支えているタブ吊り７、に放熱用中
間穴１６、を設ける。位置はダイパット部２、の付け根
からモールド境界線の間に内径１ｍｍ〜５ｍｍが適当で
あり、この放熱用中間穴位置と同位置にモールド工程で
樹脂封止する際の金型上下の固定ピン位置を配する。又
はモールド工程で樹脂封止する際の金型上下の固定ピン
と同位置にタブ吊り７、の放熱用中間穴を配する。又前
記作用をエジェクターピンに持たせても良い。
フレームインナーリード、の平面図である。図３におい
てモールド境界線１５、の内側が樹脂封止され、インナ
ーリード部と呼称している。ＩＣ素子を接着、固定する
ダイパット部２、を支えているタブ吊り７、に放熱用中
間穴１６、を設ける。位置はダイパット部２、の付け根
からモールド境界線の間に内径１ｍｍ〜５ｍｍが適当で
あり、この放熱用中間穴位置と同位置にモールド工程で
樹脂封止する際の金型上下の固定ピン位置を配する。又
はモールド工程で樹脂封止する際の金型上下の固定ピン
と同位置にタブ吊り７、の放熱用中間穴を配する。又前
記作用をエジェクターピンに持たせても良い。
【０００８】
【発明の効果】以上述べた様に本発明によれば表面実装
型半導体装置の稼働時に発生する熱を放熱する手段とし
て配線されたＩＣ素子を樹脂封止する際に半導体装置に
放熱作用を有する貫通穴を設けこの貫通穴にリードフレ
ームの一部を露出させ、熱伝導率、リードフレーム＞モ
ールド樹脂の関係からＩＣ素子で発生した大部分の熱を
リードフレームを介し貫通穴から空気の対流により放熱
する、発生した熱を放熱する事により半導体装置を劣
化、破壊させる事なく長時間の連続使用を可能にした。
近年需要の強いハイパワー素子の搭載を可能とした。又
リードフレーム、インナーリード、ダイパット部、タブ
吊りに放熱用中間穴を設けＩＣ素子を樹脂封止する際の
モールド工程金型上型固定ピン、下型固定ピンで放熱用
中間穴を上下より挟み込む形で支える事により樹脂封止
する際の樹脂の注入圧力によるＩＣ素子を接着固定して
あるダイパット部，ＩＣ素子、の上下へのズレ発生が防
止でき歩留向上が計れる。
型半導体装置の稼働時に発生する熱を放熱する手段とし
て配線されたＩＣ素子を樹脂封止する際に半導体装置に
放熱作用を有する貫通穴を設けこの貫通穴にリードフレ
ームの一部を露出させ、熱伝導率、リードフレーム＞モ
ールド樹脂の関係からＩＣ素子で発生した大部分の熱を
リードフレームを介し貫通穴から空気の対流により放熱
する、発生した熱を放熱する事により半導体装置を劣
化、破壊させる事なく長時間の連続使用を可能にした。
近年需要の強いハイパワー素子の搭載を可能とした。又
リードフレーム、インナーリード、ダイパット部、タブ
吊りに放熱用中間穴を設けＩＣ素子を樹脂封止する際の
モールド工程金型上型固定ピン、下型固定ピンで放熱用
中間穴を上下より挟み込む形で支える事により樹脂封止
する際の樹脂の注入圧力によるＩＣ素子を接着固定して
あるダイパット部，ＩＣ素子、の上下へのズレ発生が防
止でき歩留向上が計れる。
【図１】 本発明の第１の実施例の斜視図、断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明の第２の実施例の断面図、断面拡大図
である。
である。
【図３】 本発明の第３の実施例の平面図である。
【図４】 従来の方法を示す図。
１…樹脂 ２…ダイパット部 ３…ＩＣ素子 ４…金線 ５…インナーリード ６…アウターリード ７…タブ吊り ８…放熱穴 ９…上型 １０…下型 １１…樹脂注入口 １２…リードフレーム １３…上型固定ピン １４…下型固定ピン １５…モールド境界線 １６…放熱用中間穴 １７…上型エジェクターピン １８…下型エジェクターピン
Claims (4)
- 【請求項１】放熱機構を有する表面実装型半導体装置に
おいて樹脂封止する半導体装置に少なくとも一つ以上の
放熱用貫通穴を設けた事を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】貫通穴の内部にリードフレームの一部が露
出している事を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】リードフレームの一部を構成するＩＣ素子
載置部に搭載し、前記リードフレームの一部を構成する
リードと配線されたＩＣ素子を樹脂封止する工程におい
て樹脂封止装置の金型ピンによって放熱用貫通穴を設け
る事を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】樹脂封止装置の金型ピンによって少なくと
もリードフレームを構成する一部を保持してモールド樹
脂流入圧力によるＩＣ素子の上下移動を抑止する事を特
徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2556893A JPH06244312A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2556893A JPH06244312A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244312A true JPH06244312A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12169537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2556893A Pending JPH06244312A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2008171851A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20160176088A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-06-23 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP2556893A patent/JPH06244312A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 2004-11-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2008171851A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4578488B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2010-11-10 | 三菱電機株式会社 | 電気部品の製造方法 |
| US20160176088A1 (en) * | 2013-09-26 | 2016-06-23 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US9694523B2 (en) * | 2013-09-26 | 2017-07-04 | Sii Semiconductor Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
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