JP2008171851A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに平行して樹脂により封止される平板状正電極3および平板状負電極4からなる1対の平板状電極を備え、樹脂成形時に一面を垂直方向から金型ピン7b2により押圧される平板状負電極4の他面を垂直方向から金型ピン7a2により押圧し金型ピン7b2と協働して平板状負電極4を保持するため平板状正電極3に金型ピン7a2を貫挿する正電極穴8を設けるとともに、樹脂成形時に一面を垂直方向から金型ピン7a1により押圧される平板状正電極3の他面を垂直方向から金型ピン7b1により押圧し金型ピン7a1と協働して平板状正電極3を保持するため平板状負電極4に前記金型ピン7b1を貫挿する負電極穴9を設ける。
【選択図】図3
Description
しかし、平板状電極を型割方向に対して垂直に配置する場合、各電極を金型にセットするだけでは保持できないため、上述した従来技術のような電極保持構造は採れない。
現状では、電極の保持はせず、各電極中央に、一定間隔で穴を設け、樹脂成形時における各電極の受圧面積を小さくすることで、各電極の変形を抑制している。ただし、電極の保持はできていないため、完全に電極の変形は抑えきれない。変形が大きい場合、前記穴の径を拡大するか、あるいは穴の配置間隔を小さくすることで、さらなる変形抑制は対応可能となるが、各電極の必要通電体積の確保が困難となり、製品として成立しなくなるといった問題が挙げられる。
樹脂成形時における平板状部片の金型部材による保持については、種々の方策が試みられている(例えば、特許文献1参照)が、上記のような問題点を容易に解決できるものではない。
この発明による実施の形態1を図1から図3までについて説明する。図1は実施の形態1における半導体装置の構成を示す斜視図である。図2は実施の形態1における電極のみの構成を示す斜視図である。図3は実施の形態1における半導体装置の構成を示す縦断面図である。
半導体装置1の製造過程において、樹脂成形は、互いに平行して配設される平板状正電極3および平板状負電極4からなる1対の平板状電極をその上下から上金型および下金型からなる金型(図示せず)で覆い、成形樹脂材2を金型内部に注入して行われる。樹脂成形工程が終わると、金型は型割り方向MDに示すように、上金型が上方への型割り方向MD1へ向けて離脱され、下金型は下方への型割り方向MD2へ向けて離脱される。
平板状正電極3および平板状負電極4からなる1対の平板状電極の相互間には、車載用インバータなどのパワーモジュールを構成する複数の半導体素子(図示せず)が接続構成されており、これらの半導体素子は平板状正電極3および平板状負電極4とともに成形樹脂材2により一体に樹脂封止されている。
そこで、図2のように上下金型に設けた金型ピン7a1,7a2,7b1,7b2で、平板状正電極3および平板状負電極4を挟み込むことにより、各電極を保持することが可能となる。このとき、図3のように、平板状正電極3に正電極穴8を設けることにより、平板状負電極4を負電極保持部6で保持できる。
また、同様に、平板状負電極4に負電極穴9を設けることにより、平板状正電極3を正電極保持部5で保持できる。この正電極保持部5および負電極保持部6を適切な間隔で直列に配置することにより、樹脂成形時の平板状正電極3および平板状負電極4の変形を効果的に抑制することができ、各電極の成形樹脂からの露出防止、および各電極間の絶縁距離確保が可能となる。
そして、平板状正電極3および平板状負電極4における各電極の面積が大きい場合は、前記正電極保持部5および負電極保持部6を一線上に配置するだけでなく、面状に展開して格子状に配置することにより、同様の効果が得られる。
この発明による実施の形態1を図4から図6までについて説明する。図4は実施の形態2における半導体装置の構成を示す斜視図である。図5は実施の形態2における電極のみの構成を示す斜視図である。図6は実施の形態2における半導体装置の構成を示す縦断面図である。
この実施の形態2において、ここで説明する特有の構成以外の構成については、先に説明した実施の形態1における構成と同一の構成内容を具備し同様の作用を奏するするものである。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
平板状正電極3および平板状負電極4からなる1対の平板状電極の相互間には、車載用インバータなどのパワーモジュールを構成する複数の半導体素子(図示せず)が接続構成されており、これらの半導体素子は平板状正電極3および平板状負電極4とともに成形樹脂材2により一体に樹脂封止されている。
これにより、実施の形態1における構成では樹脂成形時に保持されていなかった、正電極保持部(片側)10および負電極保持部(片側)11は、金型ピン7a1,7a2,7b1,7b2を有する金型に付加された金型棒体7c1,7c2により拘束されるため、成形樹脂材2の外側への変形は抑制される。これは、平板状正電極3および平板状負電極4が、成形樹脂材2の外側へ変形する場合に有効である。
このとき、正電極穴8および負電極穴9を追加せずに、平板状正電極3および平板状負電極4の変形を抑制できるため、正電極保持部5および負電極保持部6の配置間隔を広げることができるか、あるいは正電極保持部5および負電極保持部6の付加点数を削減でき、金型構造の簡素化が可能となる。
さらには、平板状正電極3および平板状負電極4の電流密度を低減できるため、平板状正電極3および平板状負電極4の小型化にも貢献できる。これは、金型ピン7a1,7a2,7b1,7b2を有する金型に金型棒体7c1,7c2を付加し、平板状正電極3および平板状負電極4に正電極保持部(片側)10および負電極保持部(片側)11を付加したことによる効果である。
Claims (4)
- 互いに平行して配設され樹脂により封止される第1および第2の平板状電極を備え、樹脂成形時に一面を垂直方向から第1の金型部材により押圧される前記第2の平板状電極の他面を垂直方向から第2の金型部材により押圧し前記第1の金型部材と協働して前記第2の平板状電極を保持するため前記第1の平板状電極に前記第2の金型部材を貫挿する開口部を設けるとともに、樹脂成形時に一面を垂直方向から第2の金型部材により押圧される前記第1の平板状電極の他面を垂直方向から第1の金型部材により押圧し前記第2の金型部材と協働して前記第1の平板状電極を保持するため前記第2の平板状電極に前記第1の金型部材を貫挿する開口部を設けることを特徴とする半導体装置。
- 前記第1の平板状電極に設けられた前記開口部の周縁に前記第2の金型部材により樹脂成形時に押圧される円環状の周縁部を設けるとともに、前記第2の平板状電極に設けられた前記開口部の周縁に前記第1の金型部材により樹脂成形時に押圧される円環状の周縁部を設けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 互いに平行する第1および第2の平板状電極を樹脂により封止して半導体装置を製造するにあたり、樹脂成形時に一面を垂直方向から第1の金型部材により押圧される前記第2の平板状電極の他面を垂直方向から前記第1の平板状電極に設けられた開口部に貫挿された第2の金型部材により押圧して前記第1の金型部材と協働して前記第2の平板状電極を保持するとともに、樹脂成形時に一面を垂直方向から第2の金型部材により押圧される前記第1の平板状電極の他面を垂直方向から前記第2の平板状電極に設けられた開口部に貫挿された第1の金型部材により押圧して前記第2の金型部材と協働して前記第1の平板状電極を保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第1の平板状電極に設けられた前記開口部の周縁を前記第2の金型部材により樹脂成形時に押圧するとともに、前記第2の平板状電極に設けられた前記開口部の周縁を前記第1の金型部材により樹脂成形時に押圧することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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