JPS6288347A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6288347A JPS6288347A JP22974085A JP22974085A JPS6288347A JP S6288347 A JPS6288347 A JP S6288347A JP 22974085 A JP22974085 A JP 22974085A JP 22974085 A JP22974085 A JP 22974085A JP S6288347 A JPS6288347 A JP S6288347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating plate
- diameter
- hole
- resin material
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属絶縁板にトランジスタ等のパワー用半導体
チップをマウントしてなる樹脂モールド型半導体装置に
関するものである。放熱等の目的で外部フィンにネジ止
めする樹脂モールド型半導体装置の例を第１図（ａ）
（ｂ） Ｋ示す。図中１は金属絶縁板で金属ベース１ａ
と絶縁層１ｂと該絶縁層ｌｂ上に任意に形成される導電
パターン１ｃＫより形成されている。２は金属絶縁板１
の一部に設けた取付孔、３及び４は前記絶縁板１の導電
パターンｌｃ上に半田等によりマウントした半導体チッ
プ及び外部リード線でこれらは導電パターン１ｃを介し
て電気的に接続されている。次に５は前記絶縁板１の半
導体チップ側をモールドするエポキシ等の樹脂材である
。
チップをマウントしてなる樹脂モールド型半導体装置に
関するものである。放熱等の目的で外部フィンにネジ止
めする樹脂モールド型半導体装置の例を第１図（ａ）
（ｂ） Ｋ示す。図中１は金属絶縁板で金属ベース１ａ
と絶縁層１ｂと該絶縁層ｌｂ上に任意に形成される導電
パターン１ｃＫより形成されている。２は金属絶縁板１
の一部に設けた取付孔、３及び４は前記絶縁板１の導電
パターンｌｃ上に半田等によりマウントした半導体チッ
プ及び外部リード線でこれらは導電パターン１ｃを介し
て電気的に接続されている。次に５は前記絶縁板１の半
導体チップ側をモールドするエポキシ等の樹脂材である
。
この樹脂材５は絶縁板１の取付孔２に達するネジ挿通孔
５ａ、５ｂと該絶縁板の所要表面に達する該絶縁板押圧
用の孔５ｃ、５ｂが形成されている。上記外装樹脂材５
は第２図に示す下金型６と上金型７で形成される。即ち
下金型６には上面に絶縁板１を位置決め載置するキャビ
ティ６ａと該絶縁板１の取付孔２を貫通し、はぼ上金型
に達する取付孔形成用のピン６ｂ及び図示しないが該キ
ャビティ６ａに樹脂を注入するためのゲートやランナー
が形成されている。又上金型７の下面には前記キャビテ
ィ６ａに対向するキャビティ７ａと該絶縁板１の表面に
達する該絶縁板抑圧用のピン７ｂが形成されている。
５ａ、５ｂと該絶縁板の所要表面に達する該絶縁板押圧
用の孔５ｃ、５ｂが形成されている。上記外装樹脂材５
は第２図に示す下金型６と上金型７で形成される。即ち
下金型６には上面に絶縁板１を位置決め載置するキャビ
ティ６ａと該絶縁板１の取付孔２を貫通し、はぼ上金型
に達する取付孔形成用のピン６ｂ及び図示しないが該キ
ャビティ６ａに樹脂を注入するためのゲートやランナー
が形成されている。又上金型７の下面には前記キャビテ
ィ６ａに対向するキャビティ７ａと該絶縁板１の表面に
達する該絶縁板抑圧用のピン７ｂが形成されている。
即ち該金属絶縁板１をキャビティ底面にピン７ｂにより
押圧して密着させておいて各キャビティ６ａ、７ａ内に
溶融樹脂を注入すると該半導体チップ３を含む絶縁板表
面に樹脂が入り込み、これを硬化せしめることにより取
付孔５ａ、５ｂ及び絶縁板押圧用の孔５Ｃ１５ｄを設け
た外装樹脂５が形成される。ところで係る従来装置にお
いては上金型６又は下金型７の加工精度の関係で下金型
６のピン６ｂの頂部と止金型７のキャビティ底面との間
に僅かな透間８ができ、この部分８に樹脂が入り込み硬
化後に樹脂パリとして残る。一方、絶縁板１の所要の導
電パターン表面には予め絶縁板抑圧ビン７ｂのスペース
を設けねばならず上記導電パターンに他の電子部品をマ
ウントする場合にその配置に工夫を要すると同時に絶縁
板の利用率が悪くなる。本発明は上記の欠点を一挙に解
消し、設計、生産のし易い樹脂モールド型半導体装置を
提供するもので取付孔を有する金属絶縁板にマウントし
た半導体チップと外部リードとを電気的に接続して金属
絶縁板の半導体チップマウント側表面を樹脂材で外装し
た樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂材に前記取
付孔に達する孔を設け、且つ前記孔の経を前記取付孔の
経より大にしたことを特徴とするものである。第３図（
ａ）（ｂ）は本発明の一実施例構造を示す平面図及び同
断面図、第４図は樹脂材形成の説明図で従来例と同一符
号は同等部分を示す。本発明は従来例と対比して明確な
ように従来装置の絶縁板押圧用の孔５ｃ、５ｄを無くし
、樹脂材に形成する外部取付用の孔５ａ、５ｂの形状を
絶縁板１に設けた取付孔２に比しその経を犬にするよう
にしたものである。即ち樹脂材部の取付孔５ａ、５ｂの
経を（６）とし、絶縁板部の取付孔２の経を（ｒ）とす
ると（Ｒ） ＞ （ｒ）の関係に設定する。そして上記
の取付孔５ａ、５ｂを設けた外装樹脂材５は第４図に示
す金型６．７により形成される。即ち下金型６には予め
キャビティ６ａと絶縁板１の取付孔２に相応するピン６
ｃ等が設けられている。なお、上記のピン６Ｃは必ずし
も設ける必要はなくキャビティ６ａの底面で該取付孔２
の開口部を寒くようにしてもよい。父上金型７には同キ
ャビティ７ａと取付孔形成用のピン７Ｃが設けられてい
る。ここで上記ピン７Ｃはその経を−Ｆ述０如く取付孔
２″′経４より大２し′″Ｃ蒙取付孔２の開口部を塞ぎ
、該開口部周縁の絶縁板を圧する形状を有し、これによ
って該絶縁板１をキャビティ底面に強く押圧して密着し
、従来例と同様にキャビティ内に溶融樹脂を注入硬化し
て取付孔５ａ、５ｂを有する外装樹脂材５を形成する。
押圧して密着させておいて各キャビティ６ａ、７ａ内に
溶融樹脂を注入すると該半導体チップ３を含む絶縁板表
面に樹脂が入り込み、これを硬化せしめることにより取
付孔５ａ、５ｂ及び絶縁板押圧用の孔５Ｃ１５ｄを設け
た外装樹脂５が形成される。ところで係る従来装置にお
いては上金型６又は下金型７の加工精度の関係で下金型
６のピン６ｂの頂部と止金型７のキャビティ底面との間
に僅かな透間８ができ、この部分８に樹脂が入り込み硬
化後に樹脂パリとして残る。一方、絶縁板１の所要の導
電パターン表面には予め絶縁板抑圧ビン７ｂのスペース
を設けねばならず上記導電パターンに他の電子部品をマ
ウントする場合にその配置に工夫を要すると同時に絶縁
板の利用率が悪くなる。本発明は上記の欠点を一挙に解
消し、設計、生産のし易い樹脂モールド型半導体装置を
提供するもので取付孔を有する金属絶縁板にマウントし
た半導体チップと外部リードとを電気的に接続して金属
絶縁板の半導体チップマウント側表面を樹脂材で外装し
た樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂材に前記取
付孔に達する孔を設け、且つ前記孔の経を前記取付孔の
経より大にしたことを特徴とするものである。第３図（
ａ）（ｂ）は本発明の一実施例構造を示す平面図及び同
断面図、第４図は樹脂材形成の説明図で従来例と同一符
号は同等部分を示す。本発明は従来例と対比して明確な
ように従来装置の絶縁板押圧用の孔５ｃ、５ｄを無くし
、樹脂材に形成する外部取付用の孔５ａ、５ｂの形状を
絶縁板１に設けた取付孔２に比しその経を犬にするよう
にしたものである。即ち樹脂材部の取付孔５ａ、５ｂの
経を（６）とし、絶縁板部の取付孔２の経を（ｒ）とす
ると（Ｒ） ＞ （ｒ）の関係に設定する。そして上記
の取付孔５ａ、５ｂを設けた外装樹脂材５は第４図に示
す金型６．７により形成される。即ち下金型６には予め
キャビティ６ａと絶縁板１の取付孔２に相応するピン６
ｃ等が設けられている。なお、上記のピン６Ｃは必ずし
も設ける必要はなくキャビティ６ａの底面で該取付孔２
の開口部を寒くようにしてもよい。父上金型７には同キ
ャビティ７ａと取付孔形成用のピン７Ｃが設けられてい
る。ここで上記ピン７Ｃはその経を−Ｆ述０如く取付孔
２″′経４より大２し′″Ｃ蒙取付孔２の開口部を塞ぎ
、該開口部周縁の絶縁板を圧する形状を有し、これによ
って該絶縁板１をキャビティ底面に強く押圧して密着し
、従来例と同様にキャビティ内に溶融樹脂を注入硬化し
て取付孔５ａ、５ｂを有する外装樹脂材５を形成する。
この構成によれば該ピン７Ｃの形状が従来の抑圧用ビン
７ｂに比し大きいのと相俟って該絶縁板への押圧力を増
し、該絶縁板１の底面或は取付孔２の周縁の樹脂パリは
全く発生しないことが確認された。以上要するに本発明
では取付孔形成用のピン７Ｃが絶縁板１の抑圧機能を兼
用しているため、従来の抑圧用ピン７ｂにより形成され
た孔５ｃ、５ｄを無くすことが可能であり、しかも取付
孔周縁での樹脂パリがなく、従来装置の樹脂パリ削除工
程を省くことが可能である。又、押圧用孔５Ｃ１５ｄの
不必要と相俟って絶縁板上の導電パターンの設計の６ａ
度及び電子部品の実装（マウント）率を向上できる等の
利点がある。なお、本発明装置の外部冷却フィン等への
取付に際しては取付孔５ａ、５ｂは従来の取付孔５ａ、
５ｂに比し多少大であるか゛、ビス等の頭部によりカバ
ーできるので取付時の問題はない。以上の実施例では取
付孔２．５ａ、５ｂを円柱状とした例について説明した
がこの他だ円或は多角柱状にしてもよく又、該取付孔は
更に増設するようにしてもよい。更に又外部リード線は
絶縁板の両方向から導出する所謂ＤＩＰ （プーアルイ
ンライン）型にすることもできる。以上の説明から明ら
かなように本発明によれば構成が簡単、安価な装置が提
供でき、特に絶縁型パワー半導体装置として好適である
等実用上の効果は大きい。
７ｂに比し大きいのと相俟って該絶縁板への押圧力を増
し、該絶縁板１の底面或は取付孔２の周縁の樹脂パリは
全く発生しないことが確認された。以上要するに本発明
では取付孔形成用のピン７Ｃが絶縁板１の抑圧機能を兼
用しているため、従来の抑圧用ピン７ｂにより形成され
た孔５ｃ、５ｄを無くすことが可能であり、しかも取付
孔周縁での樹脂パリがなく、従来装置の樹脂パリ削除工
程を省くことが可能である。又、押圧用孔５Ｃ１５ｄの
不必要と相俟って絶縁板上の導電パターンの設計の６ａ
度及び電子部品の実装（マウント）率を向上できる等の
利点がある。なお、本発明装置の外部冷却フィン等への
取付に際しては取付孔５ａ、５ｂは従来の取付孔５ａ、
５ｂに比し多少大であるか゛、ビス等の頭部によりカバ
ーできるので取付時の問題はない。以上の実施例では取
付孔２．５ａ、５ｂを円柱状とした例について説明した
がこの他だ円或は多角柱状にしてもよく又、該取付孔は
更に増設するようにしてもよい。更に又外部リード線は
絶縁板の両方向から導出する所謂ＤＩＰ （プーアルイ
ンライン）型にすることもできる。以上の説明から明ら
かなように本発明によれば構成が簡単、安価な装置が提
供でき、特に絶縁型パワー半導体装置として好適である
等実用上の効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来装置の構造図及びその説明図、第
噌図、第呼図−は本発明の一実施例を示す構造図及びそ
の説明図である。図において１は金属絶縁板、１ａは金
属ベース、１ｂは絶縁層、１Ｃは導電層（パターン）、
２は取付孔、３は半導体チップ、４は外部リード線、５
は外装樹脂材、５ａ、５ｂ及び５ａ１，５ｂは取付孔、
６は下金型、７は上金型、８は透間である。 特許出願人 新電元工業株式会社 第とい
噌図、第呼図−は本発明の一実施例を示す構造図及びそ
の説明図である。図において１は金属絶縁板、１ａは金
属ベース、１ｂは絶縁層、１Ｃは導電層（パターン）、
２は取付孔、３は半導体チップ、４は外部リード線、５
は外装樹脂材、５ａ、５ｂ及び５ａ１，５ｂは取付孔、
６は下金型、７は上金型、８は透間である。 特許出願人 新電元工業株式会社 第とい
Claims (1)
- 取付孔を有する金属絶縁板にマウントした半導体チップ
と外部リードとを電気的に接続し、該金属絶縁板の半導
体チップマウント側表面を樹脂材で外装した樹脂封止型
半導体装置において、前記樹脂材に前記金属絶縁板の取
付孔に達する孔を設け、この孔の経を前記金属絶縁板の
取付孔の経より大にしたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22974085A JPS6288347A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22974085A JPS6288347A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288347A true JPS6288347A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16896940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22974085A Pending JPS6288347A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288347A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034346A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2010129868A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
| DE112013007047B4 (de) | 2013-05-09 | 2023-02-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978537A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22974085A patent/JPS6288347A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978537A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010034346A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2010129868A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
| US8299601B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and manufacturing method thereof |
| DE112013007047B4 (de) | 2013-05-09 | 2023-02-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul |
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