JPS6138194Y2 - - Google Patents
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- JPS6138194Y2 JPS6138194Y2 JP1981025812U JP2581281U JPS6138194Y2 JP S6138194 Y2 JPS6138194 Y2 JP S6138194Y2 JP 1981025812 U JP1981025812 U JP 1981025812U JP 2581281 U JP2581281 U JP 2581281U JP S6138194 Y2 JPS6138194 Y2 JP S6138194Y2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/181—Encapsulation
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案はトランジスタ等の樹脂モールド形半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
従来より樹脂モールド形半導体装置は、シヤー
シベースや放熱器の絶縁シートを介して取付けす
る場合が多い。そこでその場合にネジ止め固着す
る例を第１図及び第２図に示すと、１は放熱板、
２は放熱板１の一部に穿設した取付孔、３，４，
５は放熱板１の表面ｍと平行な外部リードで、中
央の外部リード１は放熱板１の一部を折曲して延
長させた一体物を示すか、この両者は予め別個に
構成してからかしめ等で一体化したものであつて
もよい。また６は放熱板１の表面にマウントした
半導体ペレツト、７，８は半導体ペレツト６の表
面電極と外部リード３，５の先端部を電気的接続
する金属細線、９は放熱板１の裏面ｍを露呈させ
て表面ｍ側にモールド成形された外装樹脂材であ
る。この外装樹脂材９には放熱板１の取付孔２に
連通する垂直なネジ挿通孔１０が形成されてい
る。
シベースや放熱器の絶縁シートを介して取付けす
る場合が多い。そこでその場合にネジ止め固着す
る例を第１図及び第２図に示すと、１は放熱板、
２は放熱板１の一部に穿設した取付孔、３，４，
５は放熱板１の表面ｍと平行な外部リードで、中
央の外部リード１は放熱板１の一部を折曲して延
長させた一体物を示すか、この両者は予め別個に
構成してからかしめ等で一体化したものであつて
もよい。また６は放熱板１の表面にマウントした
半導体ペレツト、７，８は半導体ペレツト６の表
面電極と外部リード３，５の先端部を電気的接続
する金属細線、９は放熱板１の裏面ｍを露呈させ
て表面ｍ側にモールド成形された外装樹脂材であ
る。この外装樹脂材９には放熱板１の取付孔２に
連通する垂直なネジ挿通孔１０が形成されてい
る。
上記構造の通り、外装樹脂材９にて被覆を行う
には、第３図に示す下金型１１と上金型１２で成
形される。即ち、下金型１１は上面に放熱板１を
位置決め載置するキヤビテイ１３と、図示しない
がキヤビテイ１３に溶融樹脂を注入するためのゲ
ートやランナが形成され、上金型１２の下面には
前記キヤビテイ１３に対向するキヤビテイ１４が
形成されている。また上金型１２のキヤビテイ１
４の天面には放熱板１の取付孔２と対向する箇所
に放熱板挿圧用ツール１５がスプリングなどを介
して挿通支持されている。このツール１５は第４
図及び第５図に示すように取付孔２の内径より小
さい外径の丸棒状ツール本体１５′の外周面に120
゜間隔で軸方向に沿つた３つの押圧片１６を一体
に突出させたもので、各押圧片１６の下端面はツ
ール本体１５′を取体孔２に挿入した時に取付孔
２の上端エツジに当接して放熱板１を下金型１１
に押し付けるようなテーパ面１６′に形成されて
いる。つまり、ツール１５で放熱板１の裏面ｎを
下金型１１のキヤビテイ１３の底面にスプリング
によつて押し付けて密着させておいて、各キヤビ
テイ１３，１４内に溶融樹脂を注入する。すると
放熱板１の裏面ｎに溶融樹脂が入り込んで裏面ｎ
に樹脂バリが生成される心配がなくなる。また溶
融樹脂は放熱板１の取付孔２とツール本体１５′
の先端部で囲まれる空間にも注入され、ここに注
入されたものが硬化して取付孔２の絶縁樹脂材
９′となる。尚、モールド成形された外装樹脂材
９のネジ挿通孔１０はツール１５の抜けた跡形で
ある。
には、第３図に示す下金型１１と上金型１２で成
形される。即ち、下金型１１は上面に放熱板１を
位置決め載置するキヤビテイ１３と、図示しない
がキヤビテイ１３に溶融樹脂を注入するためのゲ
ートやランナが形成され、上金型１２の下面には
前記キヤビテイ１３に対向するキヤビテイ１４が
形成されている。また上金型１２のキヤビテイ１
４の天面には放熱板１の取付孔２と対向する箇所
に放熱板挿圧用ツール１５がスプリングなどを介
して挿通支持されている。このツール１５は第４
図及び第５図に示すように取付孔２の内径より小
さい外径の丸棒状ツール本体１５′の外周面に120
゜間隔で軸方向に沿つた３つの押圧片１６を一体
に突出させたもので、各押圧片１６の下端面はツ
ール本体１５′を取体孔２に挿入した時に取付孔
２の上端エツジに当接して放熱板１を下金型１１
に押し付けるようなテーパ面１６′に形成されて
いる。つまり、ツール１５で放熱板１の裏面ｎを
下金型１１のキヤビテイ１３の底面にスプリング
によつて押し付けて密着させておいて、各キヤビ
テイ１３，１４内に溶融樹脂を注入する。すると
放熱板１の裏面ｎに溶融樹脂が入り込んで裏面ｎ
に樹脂バリが生成される心配がなくなる。また溶
融樹脂は放熱板１の取付孔２とツール本体１５′
の先端部で囲まれる空間にも注入され、ここに注
入されたものが硬化して取付孔２の絶縁樹脂材
９′となる。尚、モールド成形された外装樹脂材
９のネジ挿通孔１０はツール１５の抜けた跡形で
ある。
このような半導体装置は一般に第６図に示すよ
うに薄いマイカ板等の絶縁シート１７を介して放
熱器１８にネジ１９で締結される。この時、ネジ
１９と放熱板１は取付孔２に固着した絶縁樹脂材
９′で絶縁される。ところが、前記モールド成形
時に於てツール１５の押圧片１６のテーパ面１
６′と取付孔２の上端エツジの当る箇所に相当す
るネジ挿通孔１０の３箇所のＰ点に放熱板１の金
属が露出しているため、ネジ１９と放熱板１の絶
縁が不安定で、シヨートする恐れが多分にあつ
た。またこの半導体装置の変形例として、第７図
に示すように外装樹脂材９のネジ挿通孔１０′の
内径を大きくしてここに取付孔２内に埋め込み状
態に挿入したものである。このようにすると半導
体装置の取付時の高さがネジ頭１９′の分だけ低
くなり、小形化が可能である。しかし乍ら前記Ｐ
点の金属露出によるシヨートの問題は免れない。
また取付孔２の絶縁樹脂材９′は薄く、これにネ
ジ９による締付力が加わると主としてＰ点から割
れ易く、尚更にシヨートの恐れが生じた。
うに薄いマイカ板等の絶縁シート１７を介して放
熱器１８にネジ１９で締結される。この時、ネジ
１９と放熱板１は取付孔２に固着した絶縁樹脂材
９′で絶縁される。ところが、前記モールド成形
時に於てツール１５の押圧片１６のテーパ面１
６′と取付孔２の上端エツジの当る箇所に相当す
るネジ挿通孔１０の３箇所のＰ点に放熱板１の金
属が露出しているため、ネジ１９と放熱板１の絶
縁が不安定で、シヨートする恐れが多分にあつ
た。またこの半導体装置の変形例として、第７図
に示すように外装樹脂材９のネジ挿通孔１０′の
内径を大きくしてここに取付孔２内に埋め込み状
態に挿入したものである。このようにすると半導
体装置の取付時の高さがネジ頭１９′の分だけ低
くなり、小形化が可能である。しかし乍ら前記Ｐ
点の金属露出によるシヨートの問題は免れない。
また取付孔２の絶縁樹脂材９′は薄く、これにネ
ジ９による締付力が加わると主としてＰ点から割
れ易く、尚更にシヨートの恐れが生じた。
このようなシヨートの問題を解決する半導体装
置としては第８図及び第９図に示すものが提案さ
れている。これは第１０図に示すように下金型２
０のキヤビテイ２１に上記放熱板１を位置決め載
置し、上金型２２のキヤビテイ２３の天面から一
直線状に並ぶ３本のツール２４，２５，２６を降
下させて、その内の２本のツール２４，２５で放
熱板１の表面ｍの両側端部を挿圧し、残り１本の
ツール２６は放熱板１の取付孔２の内径より小さ
い外径の単なる丸棒を使用してこれを取付孔２の
中心線に沿つてキヤビテイ２１の底面に当るまで
挿入しておいて、樹脂モールド成形したものであ
る。従つて、成形された外装樹脂材２７には取付
孔２より小さな内径のネジ挿通孔２８と、両側面
に前記ツール２４，２５の跡形である。２９，３
０とがが形成される。このようにするとネジ挿通
孔２８の内周面に放熱板１の露出箇所が皆無とな
るので、ネジ１９を挿入しても放熱板１とシヨー
トする恐れが完全に解消される。ところが、今度
は、ネジ挿通孔２８と並ぶ溝２９，３０では、放
熱板１の表面ｍの両側端部が露出する構造のた
め、次に述べる問題がある。すなわち、放熱器等
の被取体にネジ止めする際に、ネジ挿通孔２８の
あたりを締め付ける力が作用して、取付孔２を中
心として放熱板１が主として反る応力を加えられ
る。つまり放熱板１の反る力は、外装樹脂材２７
よりも大きく、しかも、この反りは放熱板１の両
側端部の露出表面m′，m′で最も大きくなり、そ
の結果、露出表面m′，m′の近傍の外装樹脂材９
が放熱板１から剥離することがある。すると、雰
囲気中の湿気が、剥離した箇所に沿つて侵入して
しまい、半導体装置の耐湿特性を劣化する問題が
あつた。
置としては第８図及び第９図に示すものが提案さ
れている。これは第１０図に示すように下金型２
０のキヤビテイ２１に上記放熱板１を位置決め載
置し、上金型２２のキヤビテイ２３の天面から一
直線状に並ぶ３本のツール２４，２５，２６を降
下させて、その内の２本のツール２４，２５で放
熱板１の表面ｍの両側端部を挿圧し、残り１本の
ツール２６は放熱板１の取付孔２の内径より小さ
い外径の単なる丸棒を使用してこれを取付孔２の
中心線に沿つてキヤビテイ２１の底面に当るまで
挿入しておいて、樹脂モールド成形したものであ
る。従つて、成形された外装樹脂材２７には取付
孔２より小さな内径のネジ挿通孔２８と、両側面
に前記ツール２４，２５の跡形である。２９，３
０とがが形成される。このようにするとネジ挿通
孔２８の内周面に放熱板１の露出箇所が皆無とな
るので、ネジ１９を挿入しても放熱板１とシヨー
トする恐れが完全に解消される。ところが、今度
は、ネジ挿通孔２８と並ぶ溝２９，３０では、放
熱板１の表面ｍの両側端部が露出する構造のた
め、次に述べる問題がある。すなわち、放熱器等
の被取体にネジ止めする際に、ネジ挿通孔２８の
あたりを締め付ける力が作用して、取付孔２を中
心として放熱板１が主として反る応力を加えられ
る。つまり放熱板１の反る力は、外装樹脂材２７
よりも大きく、しかも、この反りは放熱板１の両
側端部の露出表面m′，m′で最も大きくなり、そ
の結果、露出表面m′，m′の近傍の外装樹脂材９
が放熱板１から剥離することがある。すると、雰
囲気中の湿気が、剥離した箇所に沿つて侵入して
しまい、半導体装置の耐湿特性を劣化する問題が
あつた。
本考案は上記各問題点に鑑み、第８図、第９図
に示したタイプのものを更に改良し、更に欠点を
除去したもので、半導体ペレツト固着側を被覆し
ている外装樹脂材の取付孔近傍に、放熱板に到達
する小孔を設けた構造の樹脂モールド形半導体装
置を提供する。例えば第８図に示した半導体装置
に本考案を適用した例を第１１図及び第１２図に
示すと第８図と同一符号のものは第８図と同一内
容のものを示し、相異する本考案の特徴は外装樹
脂材３１への小孔３３，３４の形成構造にある。
に示したタイプのものを更に改良し、更に欠点を
除去したもので、半導体ペレツト固着側を被覆し
ている外装樹脂材の取付孔近傍に、放熱板に到達
する小孔を設けた構造の樹脂モールド形半導体装
置を提供する。例えば第８図に示した半導体装置
に本考案を適用した例を第１１図及び第１２図に
示すと第８図と同一符号のものは第８図と同一内
容のものを示し、相異する本考案の特徴は外装樹
脂材３１への小孔３３，３４の形成構造にある。
即ち、外装樹脂材３１に、放熱板１の取付孔２
より小さな内径のネジ挿通孔３２の近傍で、ネジ
挿通孔３２を中心とする一直線上（外部リードの
導出方向に対して直角方向）に並ぶ２箇所に、放
熱板１の表面ｍに達する小孔３３，３４を形成す
ることで、例えば第１３図に示すように下金型３
５と上金型３６とによるモールド成形によつて形
成される。即ち、下金型３５のキヤビテイ３７に
放熱板１を位置決め載置する。一方上金型３６の
キヤビテイ３８の天面に一直線上に並ぶ３本のツ
ール３９，４０，４１を配設し、その内中央の１
本のツール３９は放熱板１の取付孔２の内径より
小さな外径の単なる丸棒を使用して取付孔２の中
心線に沿つてキヤビテイ３７の底面に押し当てて
おく。また残り２本のツール４０，４１で取付孔
２の近くの放熱板表面ｍをスプリングなどによつ
て押圧して、放熱板１の裏面ｎをキヤビテイ３７
の底面に密着させる。而して、各キヤビテイ３
７，３８内に溶融樹脂を注入して硬化させた後、
各金型３５，３６を外せば前記外装樹脂材３１が
成形される。尚、それの金型からの取りはずし時
には例えばエジエクタービンを用いることもでき
る。各々の小孔３３，３４は各ツール４０，４１
の跡形となつて形成される。
より小さな内径のネジ挿通孔３２の近傍で、ネジ
挿通孔３２を中心とする一直線上（外部リードの
導出方向に対して直角方向）に並ぶ２箇所に、放
熱板１の表面ｍに達する小孔３３，３４を形成す
ることで、例えば第１３図に示すように下金型３
５と上金型３６とによるモールド成形によつて形
成される。即ち、下金型３５のキヤビテイ３７に
放熱板１を位置決め載置する。一方上金型３６の
キヤビテイ３８の天面に一直線上に並ぶ３本のツ
ール３９，４０，４１を配設し、その内中央の１
本のツール３９は放熱板１の取付孔２の内径より
小さな外径の単なる丸棒を使用して取付孔２の中
心線に沿つてキヤビテイ３７の底面に押し当てて
おく。また残り２本のツール４０，４１で取付孔
２の近くの放熱板表面ｍをスプリングなどによつ
て押圧して、放熱板１の裏面ｎをキヤビテイ３７
の底面に密着させる。而して、各キヤビテイ３
７，３８内に溶融樹脂を注入して硬化させた後、
各金型３５，３６を外せば前記外装樹脂材３１が
成形される。尚、それの金型からの取りはずし時
には例えばエジエクタービンを用いることもでき
る。各々の小孔３３，３４は各ツール４０，４１
の跡形となつて形成される。
このような小孔３３，３４に露出する放熱板１
の表面m′，m′は取付孔２の近傍にあるので放熱
板１の取付時の反りによる影響が少なく、従つて
全体的にみた外装樹脂材３１の剥離現象が減少
し、耐湿性の改善が可能となる。またネジ挿通孔
３２は第８図の場合と同様に内周面に放熱板１の
露出部分が無いので、ネジを挿通しても放熱板１
とシヨートする心配が無くなる。
の表面m′，m′は取付孔２の近傍にあるので放熱
板１の取付時の反りによる影響が少なく、従つて
全体的にみた外装樹脂材３１の剥離現象が減少
し、耐湿性の改善が可能となる。またネジ挿通孔
３２は第８図の場合と同様に内周面に放熱板１の
露出部分が無いので、ネジを挿通しても放熱板１
とシヨートする心配が無くなる。
尚、本考案は上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば半導体ペレツトと外部リードを直接
電気的に接続したものにも適用し得る。また上記
小孔３３，３４の位置や数は放熱板１の形状など
の変更に応じて任意に変更され得るものである。
さらにはツールは下金型に配設することもでき
る。
なく、例えば半導体ペレツトと外部リードを直接
電気的に接続したものにも適用し得る。また上記
小孔３３，３４の位置や数は放熱板１の形状など
の変更に応じて任意に変更され得るものである。
さらにはツールは下金型に配設することもでき
る。
以上説明したように、本考案によれば放熱板表
面の露出面が端部に無いので、耐湿性の向上が図
れ、また取付孔は外装樹脂材で完全に被覆される
から取付金具とのシヨートの心配もなく、安定し
た特性の半導体装置が提供できる。
面の露出面が端部に無いので、耐湿性の向上が図
れ、また取付孔は外装樹脂材で完全に被覆される
から取付金具とのシヨートの心配もなく、安定し
た特性の半導体装置が提供できる。
第１図及び第２図は従来の半導体装置の一部断
面平面図及びＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は第１
図の半導体装置の樹脂モールド成形金型の要部断
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面
図、第５図は第４図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第
６図は第１図の半導体装置の取付構造例を示す要
部断面側面図、第７図は第６図の変形例を説明す
る要部断面図、第８図及び第９図は他の従来の半
導体装置の一部断面平面図及びＤ−Ｄ線拡大断面
図、第１０図は第８図の半導体装置の樹脂モール
ド成形金型の要部断面図、第１１図及び第１２図
は、本考案の実施例を示す一部断面平面図及びＥ
−Ｅ線拡大断面図、第１３図は第１１図の半導体
装置の樹脂モールド成形金型の要部断面図であ
る。 １……放熱板、２……取付孔、３，４，５……
外部リード、６……半導体ペレツト、３１……外
装樹脂材、３３，３４……小孔。
面平面図及びＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は第１
図の半導体装置の樹脂モールド成形金型の要部断
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面
図、第５図は第４図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第
６図は第１図の半導体装置の取付構造例を示す要
部断面側面図、第７図は第６図の変形例を説明す
る要部断面図、第８図及び第９図は他の従来の半
導体装置の一部断面平面図及びＤ−Ｄ線拡大断面
図、第１０図は第８図の半導体装置の樹脂モール
ド成形金型の要部断面図、第１１図及び第１２図
は、本考案の実施例を示す一部断面平面図及びＥ
−Ｅ線拡大断面図、第１３図は第１１図の半導体
装置の樹脂モールド成形金型の要部断面図であ
る。 １……放熱板、２……取付孔、３，４，５……
外部リード、６……半導体ペレツト、３１……外
装樹脂材、３３，３４……小孔。
Claims (1)
- 放熱板を半導体ペレツトを固着し、上記ペレツ
トと外部導出リードを電気的に接続して、放熱板
のペレツトマウント側表面を樹脂材で外装した半
導体装置に於て、前記放熱板の取付孔の近傍の外
装樹脂材に、放熱板に到達する独立した小孔を設
けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981025812U JPS6138194Y2 (ja) | 1981-02-24 | 1981-02-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981025812U JPS6138194Y2 (ja) | 1981-02-24 | 1981-02-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57138344U JPS57138344U (ja) | 1982-08-30 |
| JPS6138194Y2 true JPS6138194Y2 (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=29823505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981025812U Expired JPS6138194Y2 (ja) | 1981-02-24 | 1981-02-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6138194Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-24 JP JP1981025812U patent/JPS6138194Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57138344U (ja) | 1982-08-30 |
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