JPS63211638A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS63211638A
JPS63211638A JP277688A JP277688A JPS63211638A JP S63211638 A JPS63211638 A JP S63211638A JP 277688 A JP277688 A JP 277688A JP 277688 A JP277688 A JP 277688A JP S63211638 A JPS63211638 A JP S63211638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin material
molding
heat sink
heat dissipation
dissipation plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP277688A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS647496B2 (ja
Inventor
Takayuki Koseki
小関 隆之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP277688A priority Critical patent/JPS63211638A/ja
Publication of JPS63211638A publication Critical patent/JPS63211638A/ja
Publication of JPS647496B2 publication Critical patent/JPS647496B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の1 この発明は放熱板の裏面を含んで外装樹脂材をモールド
成形した絶縁タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関する。
正来包皮直 放熱性を重視する樹脂封止型半導体装置は一般に放熱板
の裏面を露出させて樹脂モールド成形し、放熱板裏面を
放熱器等の外部取付部材に密接するように取付けている
が、最近はコレクタ絶縁タイプのトランジスタのように
放熱板を外部取付部材に絶縁して取付ける絶縁タイプの
ものが多方面で要求され、普及している。この絶縁タイ
プの樹脂封止型半導体装置としては上記放熱板裏面露出
タイプのものを放熱板裏面に放熱性を損なわない程度の
薄いマイカ板を敷設したり、シリコングリスを塗着する
等して外部取付部材と電気的絶縁して実装するものが一
般的であるが、このタイプのものはマイカ板やシリコン
グリス等の装着作業が面倒で実装の作業性が悪く、また
半導体装置と別個のマイカ板等の絶縁部材の保守管理が
煩雑である等の問題があった。
上記問題を解決するものとして、放熱板を裏面を含めて
全面的に樹脂モールド成形した絶縁タイプの樹脂封止型
半導体装置が実用化されている。
これの従来例を第1図及び第2図で説明すると、1は放
熱板、2は放熱板1から同一方向の外方に延びる例えば
3本−組のリードで、中央の1本の先端は放熱板1の端
に一体化され、両側の2本の先端は放熱板1の近傍に位
置する。3は放熱板1上に固着された半導体素子、4は
半導体素子3の表面電極と対応する両側リード2の先端
部とを電気的接続する金属細線、5は放熱板1の一部に
穿設された取付穴、6は放熱板1の裏面mを含む全面に
モールド成形された外装樹脂材である。7は外装樹脂材
6の表裏面を貫通した取付用ネジ挿通穴で、取付穴5の
中央を通る。外装樹脂材6の内の放熱板1裏面に被着さ
れたものは外部取付部材8から放熱板1を熱的結合させ
るが電気的に絶縁する薄い等厚の樹脂絶縁膜9として形
成され、これは放熱板1の放熱性を損なわない程度の厚
さく約0.2〜0.4■m)で形成される。このような
半導体装置の外部取付部材9への実装は単にネジ止め等
するだけの簡単な作業で行われる。
口(′。
ところで、上記半導体装置は樹脂モールド成形上に次の
問題点があった。例えば上記外装樹脂材6は第3図に示
すような上金型10と下金型11を使って1回のモール
ド成形で行われる。即ち、上、下金型10.11でリー
ド2を型締めして、キャビティ12内に放熱板1をその
裏面mをキャビティ内面と一定の微小間隔gで対向させ
て中空に 9浮かした状態で保持しておいて、キャビティ12内に
溶融樹脂材を注入することで行われている。
尚、第3図の13はネジ挿通穴7の形成用ツールである
上述の如きモールド成形は上、下金型10゜11でリー
ド2を挾持することのみで放熱板1をキャビティ12内
に浮かせて保持しているため、モールド成形時の放熱板
1の安定性が悪くて注入される溶融樹脂材の流圧で放熱
板1が動き、キャビティ内面との間隔gが部分的に変化
して、結果的に樹脂絶縁膜9の厚さにバラツキが生じる
ことがあった。この樹脂絶縁!I9の厚さのバラツキは
放熱板1の部分的な放熱性のバラツキとなり、また部分
的に薄くなったところが半導体装置実装後の高電圧印加
で絶縁破壊を起こして耐圧劣下を招く等して信頼性に問
題があった。
また放熱板1の裏面mの樹脂絶縁膜9を等厚に形成する
工夫として、モールド成形時に放熱板1を側方からピン
を押圧して安定に支持する手段や、例えば第4図に示す
ように放熱板1の上記リード2と反対側端部より補強用
リード2゛を追加して延ばし、リード2と補強用リード
2°を上。
下金型to’、tt’で型締めすることにより放熱板1
のモールド成形時の安定性を良好ならしめたものがある
(例えば特開昭57−188858号参照)。
しかし、この種モールド成形時の放熱板補強手段はモー
ルド成形後に補強に使ったピンの抜は穴やリードの切断
面が外装樹脂材表面に現れて外観を悪<シ、またピンの
抜は穴から放熱板が露出する等して耐圧上にも問題があ
り好ましくなかった。
、、の 本発明は上記従来問題点に鑑み、外観や耐圧を損なうこ
となく放熱板裏面の樹脂絶縁膜が等厚に形成し得る構造
の絶縁タイプ樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とし、放熱板に全面的にモールド成形され
る外装樹脂材を2回に分けて形成したことを特徴とする
もので、1回目のモールド成形は少な(とも放熱板の裏
面を除く部分で行い、2回目のモールド成形は放熱板の
裏面を含む残り部分で行う。
1反 このように2回のモールド成形により外装樹脂材を形成
すると、1回目のモールド成形時には放熱板の裏面をモ
ールド成形用金型のキャビティ内面に当接させて金型で
放熱板を直接に型締めすることができ、2回目のモール
ド成形時は1回目のモールド成形で形成された部分的な
外装樹脂材が金型のキャビティ内での放熱板の保持に利
用でき、これにより2回目のモールド成形時に放熱板裏
面に形成される樹脂絶縁膜の膜厚の均一化が容易になる
。1回目のモールド成形を放熱板の裏面を除き放熱板の
半導体素子固着部分を含む要部で行えば、1回目のモー
ルド成形で形成される外装樹脂材内に半導体素子や金属
細線が封入保護され、2回目のモールド成形が容易にで
きて製造上有利である。
実lu外 第1図及び第2図と同一形状の樹脂封止型半導体装置の
製造に本発明を適用した実施例を第5図に示すと、第1
図及び第2図と同一符号のものは同一物を示し、相違す
るのは次の外装樹脂材15の形成方法のみである。外装
樹脂材15は2回に分けてモールド成形されたもので、
1回目のモールド成形で形成された第1外装樹脂材15
aと、2回目のモールド成形で形成された第2外装樹脂
材15bで構成される。第1外装樹脂材15aは放熱板
1の表面の素子固着部分周辺n1からり−ド2の先端部
上にわたる部分的な位置にモールド成形され、第2外装
樹脂材15bは残りの要部露出部分にモールド成形され
る。
第1外装樹脂材15aは例えば第6図に示すような上金
型16と下金型17をリード2の被樹脂モールド部分と
、放熱板1の表面の素子固着部分周辺n1を除く取付穴
周辺部分n2及び放熱板裏面mに密着させて型締めした
状態で、上、下金型16.17間に形成されたキャビテ
ィ18に溶融樹脂材を注入して形成される。
第2外装樹脂材15bは第7図に示すような上、下金型
19.20を使ってモールド成形すればよい。上、下金
型19.20の衝合部分に形成されるキャビティ21は
第1外装樹脂材15aが部分的に嵌挿される第1外装樹
脂材保持用凹部21′を有し、このキャビティ21内に
放熱板1は裏面mをキャビティ21の頂面から一定の間
隔gで浮かせた状態で保持される。この時の放熱板1の
保持は上、下金型19.20によるリード2の挾持と凹
部21′による第1外装樹脂材15aの位置決め保持の
両方で行われるので、放熱板1は強固に保持され、この
状態でキャビティ21内に溶融樹脂材を注入すれば第2
外装樹脂材15bがモールド成形される。この2回目の
モールド成形時に形成される放熱板1の裏面m上の樹脂
絶縁膜15cの厚みは放熱板1の安定性改善により十分
薄(且つ均一になる。尚、第7図13はネジ挿通穴形成
用ツールである。第2外装樹脂材15bと第1外装樹脂
材15aは同種の樹脂材で形成することが望ましいが、
その限りではない。第1゜第2外装樹脂材15 a、 
 15 bが一体化された外装樹脂材15はその表面に
ピン抜は穴や補強用リード切断面などが無く、従って外
観や耐圧の改善が容易に図れる。
第1.第2外装樹脂材15a、15bの、形状は様々な
変更が可能で、その変更例を第8図の実施例で説明する
。第8図の外装樹脂材22は放熱板1の表面の素子固着
部分周辺nl上とリード2の先端部上下周辺にモールド
成形された第1外装樹脂材22aと、残りの要部にモー
ルド成形された第2外装樹脂材22bで構成される。第
1外装樹脂材22aのリード先端部の下方部分はコーナ
に切込み形状の段部23を形成した形状で、この段gI
S23内に第2外装樹脂材22bの一部が回り込んで被
着形成される。第2外装樹脂材22bのモールド成形は
、例えば第9図に示すように上、下金型24.25でリ
ード2と、第1外装樹脂材22aを段部23を利用して
上下方向から挟持して型締めした状態で行えばよい。こ
のようにすると放熱板1の保持強度が段部23への挟持
力の追加にて尚更に太き(なり、放熱板裏面mの樹脂絶
縁膜22cの厚み均一化が容易となる。
尚、上記各実施例におけるモールド成形は金型のキャビ
ティ内で放熱板の裏面を上にして行うようにしてもよい
光l廊と塾未− 以上の如く、本発明は第1外装樹脂材を形成した後、第
2外装樹脂材を放熱板裏面上も含めて形成したことによ
り、2回目のモールド成形時の放熱板保持が特別なピン
やリードなどの部材を使うことなく強固に行え、従って
外装樹脂材の外観を損なうこと無く、且つ耐圧を劣下さ
せること無く放熱板裏面上に樹脂絶縁膜を均一な厚さで
形成することが可能であり、絶縁タイプの樹脂封止型半
導体装置の品質改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の部分
省略平面図及びA−A線に沿う断面図、第3図は第1図
の半導体装置の樹脂モールド成形用金型の部分断面図、
第4図は他の従来の半導体装置における樹脂モールド成
形用金型の部分断面図、第5図は本発明の一実施例を示
す断面図、第6図及び第7図は第5図の半導体装置製造
用金型の二個を示す各部分断面図、第8図は本発明の他
の実施例を示す断面図、第9図は第8図の半導体装置製
造用金型の部分断面図である。 1・・・・・・放熱板、 m・・・・・・放熱板裏面、 2・・・・・・リード、 3・・・・・・半導体素子、 15.22・・・・・・外装樹脂材、 15a、22a・・・・・・第1外装樹脂材、15b、
22b・・・・・・第2外装樹脂材。 161図         IB2図 s3図 第41!!!!

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱板上に半導体素子を固定し、半導体素子の表面電極
    とリードとを電気的に接続した後、放熱板の全面を含む
    要部を樹脂材にてモールド成形し外装する半導体装置の
    製造方法において、前記外装樹脂材を、少なくとも放熱
    板の非素子固着側裏面を除く部分を第1の樹脂材にてモ
    ールド成形した後、放熱板の裏面を含む残り部分を第2
    の樹脂材にてモールド成形して形成したことを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP277688A 1988-01-08 1988-01-08 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Granted JPS63211638A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP277688A JPS63211638A (ja) 1988-01-08 1988-01-08 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP277688A JPS63211638A (ja) 1988-01-08 1988-01-08 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63211638A true JPS63211638A (ja) 1988-09-02
JPS647496B2 JPS647496B2 (ja) 1989-02-09

Family

ID=11538743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP277688A Granted JPS63211638A (ja) 1988-01-08 1988-01-08 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63211638A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019080023A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3884281B2 (ja) * 2000-12-26 2007-02-21 古河電気工業株式会社 小型アンテナ及びその製造方法

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS499913A (ja) * 1972-05-13 1974-01-29
JPS49116967A (ja) * 1973-03-09 1974-11-08
JPS5019361A (ja) * 1973-06-20 1975-02-28
JPS5036074A (ja) * 1973-07-20 1975-04-04
JPS513578A (ja) * 1974-06-27 1976-01-13 Nippon Electric Co Jushimoorudogatahandotaisochi
JPS5397370A (en) * 1977-02-07 1978-08-25 Toshiba Corp Trasfer mold device for semiconductor device
JPS5449866U (ja) * 1977-09-14 1979-04-06
JPS5558053U (ja) * 1978-10-11 1980-04-19
JPS5563161U (ja) * 1978-10-25 1980-04-30
JPS5596657U (ja) * 1978-12-25 1980-07-04
JPS55105951U (ja) * 1979-01-18 1980-07-24
JPS55157278A (en) * 1979-05-25 1980-12-06 Sharp Corp Photo coupling device
JPS564241A (en) * 1979-06-23 1981-01-17 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5613738A (en) * 1979-07-13 1981-02-10 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5687330A (en) * 1979-12-18 1981-07-15 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5696646U (ja) * 1979-12-24 1981-07-31
JPS57945U (ja) * 1980-05-29 1982-01-06
JPS5710745U (ja) * 1980-06-20 1982-01-20
JPS5773932U (ja) * 1980-10-23 1982-05-07
JPS5793516A (en) * 1980-12-03 1982-06-10 Fujitsu Ltd Method of sheathing electronic part
JPS57132462U (ja) * 1981-02-10 1982-08-18
JPS59111334A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Toshiba Corp モ−ルド金型

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS499913A (ja) * 1972-05-13 1974-01-29
JPS49116967A (ja) * 1973-03-09 1974-11-08
JPS5019361A (ja) * 1973-06-20 1975-02-28
JPS5036074A (ja) * 1973-07-20 1975-04-04
JPS513578A (ja) * 1974-06-27 1976-01-13 Nippon Electric Co Jushimoorudogatahandotaisochi
JPS5397370A (en) * 1977-02-07 1978-08-25 Toshiba Corp Trasfer mold device for semiconductor device
JPS5449866U (ja) * 1977-09-14 1979-04-06
JPS5558053U (ja) * 1978-10-11 1980-04-19
JPS5563161U (ja) * 1978-10-25 1980-04-30
JPS5596657U (ja) * 1978-12-25 1980-07-04
JPS55105951U (ja) * 1979-01-18 1980-07-24
JPS55157278A (en) * 1979-05-25 1980-12-06 Sharp Corp Photo coupling device
JPS564241A (en) * 1979-06-23 1981-01-17 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5613738A (en) * 1979-07-13 1981-02-10 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5687330A (en) * 1979-12-18 1981-07-15 Nec Home Electronics Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5696646U (ja) * 1979-12-24 1981-07-31
JPS57945U (ja) * 1980-05-29 1982-01-06
JPS5710745U (ja) * 1980-06-20 1982-01-20
JPS5773932U (ja) * 1980-10-23 1982-05-07
JPS5793516A (en) * 1980-12-03 1982-06-10 Fujitsu Ltd Method of sheathing electronic part
JPS57132462U (ja) * 1981-02-10 1982-08-18
JPS59111334A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Toshiba Corp モ−ルド金型

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019080023A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS647496B2 (ja) 1989-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5091341A (en) Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
JPS6220705B2 (ja)
JPS6227750B2 (ja)
EP0307946B1 (en) Method of manufacturing a resin insulated type semiconductor device
JPS63211638A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0548955B2 (ja)
JPS6188535A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2601033B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3185354B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置
JPS6244815B2 (ja)
JPH0325409Y2 (ja)
JPS61194861A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0213461B2 (ja)
JPH01135032A (ja) 樹脂封止半導体装置の製造方法
JP2917556B2 (ja) 絶縁物封止型電子部品の製造方法
JP2508567B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5926604Y2 (ja) 半導体装置
JPH088363A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびに半導体製造方法およびその製造に用いるモールド金型
JPS61219143A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JP2627812B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2802966B2 (ja) 樹脂封止型電子部品の製造方法
JP2506933Y2 (ja) 樹脂密封型半導体装置
JPH0346358A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH0325934B2 (ja)
JPS62219642A (ja) レジンパツケ−ジ型電子部品