JPS59111334A - モ−ルド金型 - Google Patents
モ−ルド金型Info
- Publication number
- JPS59111334A JPS59111334A JP22131982A JP22131982A JPS59111334A JP S59111334 A JPS59111334 A JP S59111334A JP 22131982 A JP22131982 A JP 22131982A JP 22131982 A JP22131982 A JP 22131982A JP S59111334 A JPS59111334 A JP S59111334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer lead
- cavity
- lead
- air vent
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/34—Moulds having venting means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、モールド金型に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置を製造するために、第１図
（４）に示す如きモールド金型１０が使用されている。
（４）に示す如きモールド金型１０が使用されている。
このモールド金型１０は、上型１と下型２の衝合部に、
被樹脂封正体である半導体素子３奢装着したリードフレ
ーム４を収容するキャビティ５を有している。キャピテ
イ５には、溶融した樹脂を供給するゲート６が連通して
いる。ゲート６に対向するキャビティ５の内壁には、リ
ードフレーム４のアウターリード７を導出するためのア
ウターリード導出通路８が、外部に向って開口している
。キャビティＳ内には、１７ ｐフレーム４を貫挿す
るビス大形成ビン９が立設している。このモールド金型
１０は ＩＪ ｐフレーム４の下面にも樹脂封止体を
形成するため、リードフレーム４の下面とキャビティ５
の床面との間には、随時が形成されている。
被樹脂封正体である半導体素子３奢装着したリードフレ
ーム４を収容するキャビティ５を有している。キャピテ
イ５には、溶融した樹脂を供給するゲート６が連通して
いる。ゲート６に対向するキャビティ５の内壁には、リ
ードフレーム４のアウターリード７を導出するためのア
ウターリード導出通路８が、外部に向って開口している
。キャビティＳ内には、１７ ｐフレーム４を貫挿す
るビス大形成ビン９が立設している。このモールド金型
１０は ＩＪ ｐフレーム４の下面にも樹脂封止体を
形成するため、リードフレーム４の下面とキャビティ５
の床面との間には、随時が形成されている。
また、リードフレーム４′の下面を放熱体に直接接触さ
せる構造の樹脂封止型半導体装置を製造するモールド金
型では、同図（Ｂ）に示す如く、リードフレーム４″の
下面はキャビティ５の床面に接触している。この点を除
くと第１図（Ａ）に示すものと全て同じ構造である。
せる構造の樹脂封止型半導体装置を製造するモールド金
型では、同図（Ｂ）に示す如く、リードフレーム４″の
下面はキャビティ５の床面に接触している。この点を除
くと第１図（Ａ）に示すものと全て同じ構造である。
而して、このように４成されたモールド金型１θ、１０
′では、ケ９−トロからキャピテイ５内に流入゛した樹
脂は、ビス穴形成−ン９、半導体素子３を通過して、ア
ウターリード７のリードフレーム４，４′付根部を両側
から回わシ込むようにしてキャビティ５内に充填される
。このため、アウターリード７のリードフレーム４，４
′の付根部の下方であるウェルド部５ａでは、樹脂が両
側から回わシ込むため、キャビティ５内に残っていた空
気がこの部分に溜まり堆２図に示す如く、巣が発生し易
い。また、従来のモールド金型１θ、１０′では、第３
図体）に示す如く、アウターリード７の断面形状よシも
十分に大きい開口部でアウターリード導出通路８を形成
し、相互のアウターリード導出通路８を一体に連通して
いるか、或は、同図（Ｂ）に示す如く、アウターリード
７の断面形状に略等しい形状でアウターリード導出通路
８′を形成し、これらを一体に連通している。而して、
このようなアウターリード導出通路８，８′を有するモ
ールド金型１０ 、１０’にて、樹脂封止型半導体装置
の成型を行うと、第４図に示す如く、モールド金型１θ
、１０′のアウターリード７の導出（１１４１１にアウ
ター９−Ｐ７を挾むようにして、これとほぼ同じ肉厚を
有するばシフ１力ぶ形成され丞・。このため、モールド
工程後にこのはり１１を除去するばシ取り操作を必要と
し、歩留を低下する問題があった。
′では、ケ９−トロからキャピテイ５内に流入゛した樹
脂は、ビス穴形成−ン９、半導体素子３を通過して、ア
ウターリード７のリードフレーム４，４′付根部を両側
から回わシ込むようにしてキャビティ５内に充填される
。このため、アウターリード７のリードフレーム４，４
′の付根部の下方であるウェルド部５ａでは、樹脂が両
側から回わシ込むため、キャビティ５内に残っていた空
気がこの部分に溜まり堆２図に示す如く、巣が発生し易
い。また、従来のモールド金型１θ、１０′では、第３
図体）に示す如く、アウターリード７の断面形状よシも
十分に大きい開口部でアウターリード導出通路８を形成
し、相互のアウターリード導出通路８を一体に連通して
いるか、或は、同図（Ｂ）に示す如く、アウターリード
７の断面形状に略等しい形状でアウターリード導出通路
８′を形成し、これらを一体に連通している。而して、
このようなアウターリード導出通路８，８′を有するモ
ールド金型１０ 、１０’にて、樹脂封止型半導体装置
の成型を行うと、第４図に示す如く、モールド金型１θ
、１０′のアウターリード７の導出（１１４１１にアウ
ター９−Ｐ７を挾むようにして、これとほぼ同じ肉厚を
有するばシフ１力ぶ形成され丞・。このため、モールド
工程後にこのはり１１を除去するばシ取り操作を必要と
し、歩留を低下する問題があった。
本発明はキャビティ内の全域に亘って樹脂を速やかに供
給すると共に、キャビティ内の空気抜きを容易に行い、
巣の発生を防止し、かつ、ばシ取シ操作を不要にして高
品質の樹脂封止型半導体装置を高歩留で得ることができ
るモールド金型を提供することをその目的とするもので
らる。
給すると共に、キャビティ内の空気抜きを容易に行い、
巣の発生を防止し、かつ、ばシ取シ操作を不要にして高
品質の樹脂封止型半導体装置を高歩留で得ることができ
るモールド金型を提供することをその目的とするもので
らる。
本発明は、アウターリード導出通路の少なくとも天井部
または床部にアウターリード導出通路に沿って、空気抜
き溝を形成して、キャビティ内の全域に亘って樹脂を速
やかに供給すると共に、キャビティ内の空気抜きを容易
に行い、巣の発生を防止し、かつ、ば９取り操作を不要
して高品質の樹脂封止型半導体装置を高歩留りで得るこ
とができるモールド金型である。
または床部にアウターリード導出通路に沿って、空気抜
き溝を形成して、キャビティ内の全域に亘って樹脂を速
やかに供給すると共に、キャビティ内の空気抜きを容易
に行い、巣の発生を防止し、かつ、ば９取り操作を不要
して高品質の樹脂封止型半導体装置を高歩留りで得るこ
とができるモールド金型である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第５図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中２０はモールド金型を構成する上型である。
上型２０には、これと対向して衝合、離脱自在に下型２
１が設けられている。上型２０と下型２１の衝合部には
、被樹脂封正体である半導体素子２２を装着したリード
フレーム２３を収容するキャビティ２４が形成されてい
る。キャビティ２４には、その内部に溶１独した樹脂を
注入するためのゲート２５が連通して形成されている。
１が設けられている。上型２０と下型２１の衝合部には
、被樹脂封正体である半導体素子２２を装着したリード
フレーム２３を収容するキャビティ２４が形成されてい
る。キャビティ２４には、その内部に溶１独した樹脂を
注入するためのゲート２５が連通して形成されている。
キャビティ２４の床面には、リードフレーム２３を貫挿
するビス穴形成ピン２６が立設している。ダート２５に
対向したキャビティ２４の内壁面には、キャビティ２４
内に連通してリードフレーム２３のアウターリード２７
部分を外部に導出するだめのアウターリード導出通路２
８が開口されている。アウターリード導出通路２８の床
部には、アウターリード導出通路２８に沿って、空気抜
き荷２９が形成されている。空気抜き溝２９の溝深さＬ
ｌは、第６図に示す如く、アウターリード２７の肉厚よ
シ小さくすると共に、封止樹脂の種類等を考慮して３０
〜５０μｍの範囲で適宜設定するのが望ましい。
するビス穴形成ピン２６が立設している。ダート２５に
対向したキャビティ２４の内壁面には、キャビティ２４
内に連通してリードフレーム２３のアウターリード２７
部分を外部に導出するだめのアウターリード導出通路２
８が開口されている。アウターリード導出通路２８の床
部には、アウターリード導出通路２８に沿って、空気抜
き荷２９が形成されている。空気抜き溝２９の溝深さＬ
ｌは、第６図に示す如く、アウターリード２７の肉厚よ
シ小さくすると共に、封止樹脂の種類等を考慮して３０
〜５０μｍの範囲で適宜設定するのが望ましい。
空気抜き溝２９は、アウターリード導出通路２８の床部
を形成した下型２１（１１１に設けても良いし、アウタ
ーリード導出通路２８の天井部を形成した上型２０側に
設けても良い。また、空気抜き荷２９の幅Ｌ２は、樹脂
封止処理後に厚肉のばりが発生しないように、アウター
リード導出通路２８の幅に略等しいか、或はこれよりも
狭い幅に設定するのが望ましい。
を形成した下型２１（１１１に設けても良いし、アウタ
ーリード導出通路２８の天井部を形成した上型２０側に
設けても良い。また、空気抜き荷２９の幅Ｌ２は、樹脂
封止処理後に厚肉のばりが発生しないように、アウター
リード導出通路２８の幅に略等しいか、或はこれよりも
狭い幅に設定するのが望ましい。
而して、このように構成されたモールド金型３０によれ
ば、アウターリード導出通路２８の天井部或は床部に空
気抜き溝２９が形成されているので、キャビティ２４内
に存在した空気は、ケ゛−ト２５から注入された樹脂に
よってアウターリード２７のリードフレーム付根部２ｓ
ａ （Ｉｌｌに押し込まれた後、リードフレーム付根
部２３ａの下方であるウェルド部２３ｂに侵入し、アウ
ターリード２７の下面に沿って上昇し、空気抜き溝２９
から極めてソやかに外部に流出する。
ば、アウターリード導出通路２８の天井部或は床部に空
気抜き溝２９が形成されているので、キャビティ２４内
に存在した空気は、ケ゛−ト２５から注入された樹脂に
よってアウターリード２７のリードフレーム付根部２ｓ
ａ （Ｉｌｌに押し込まれた後、リードフレーム付根
部２３ａの下方であるウェルド部２３ｂに侵入し、アウ
ターリード２７の下面に沿って上昇し、空気抜き溝２９
から極めてソやかに外部に流出する。
その結果、巣の発生を防止して高品質の樹脂封止半導体
装置を容易に得ることができる。しかも、空気抜き溝２
９の溝深さＬｌ及び溝幅Ｌ２は、アウターリード２７の
肉厚及びその幅よりも小さく設定されているので、空気
抜き荷２９から流出する樹脂の量を僅少にして、肉厚の
大きなはりの発生を防止することができる。その結果、
ばシ取シ操作を不要にして生産件及び歩留を向上させる
ことができる。
装置を容易に得ることができる。しかも、空気抜き溝２
９の溝深さＬｌ及び溝幅Ｌ２は、アウターリード２７の
肉厚及びその幅よりも小さく設定されているので、空気
抜き荷２９から流出する樹脂の量を僅少にして、肉厚の
大きなはりの発生を防止することができる。その結果、
ばシ取シ操作を不要にして生産件及び歩留を向上させる
ことができる。
以上説明した如く、本発明に係るモールド金型によれば
、キャビティ内の全域に亘って樹脂を速やかに供給する
と共に、キャビティ内の空気抜きを容易に行い、巣の発
生を防止し、かつ、ば９取９操作を不要にして高品質の
樹脂封止型半導体装置を高歩留で得ることができるもの
である。
、キャビティ内の全域に亘って樹脂を速やかに供給する
と共に、キャビティ内の空気抜きを容易に行い、巣の発
生を防止し、かつ、ば９取９操作を不要にして高品質の
樹脂封止型半導体装置を高歩留で得ることができるもの
である。
第１図（Ａ）及び同図（Ｂ）は、従来のモールド金型の
構造を示す断面図、第２図は、樹脂封止型半導体装置の
巣の発生位置を示す説明図、第３図（ト）及び同図（Ｂ
）は、従来のモールド金型の空気抜き孔の形状を示す説
明図、第４図は、同モールド金型にてばシが発生してい
る状態を示す説明図、第５図は、本発明の一実施例の断
面図、第６図は、同実施例の空気抜き溝を示す説明図で
ある。 ２０・・・上型、２１・・・下型、２２・・・半導体素
子、２３・・・リードフレーム、２４・・・キャビティ
、２５・・・ダート、２６・・・ビス穴形成ピン、２７
・・・アウターリード、２８・・・アウターリード導出
通路、２９・・・空気抜き溝、３０・・・モールド金型
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第５図 第２図 館４図 第６図
構造を示す断面図、第２図は、樹脂封止型半導体装置の
巣の発生位置を示す説明図、第３図（ト）及び同図（Ｂ
）は、従来のモールド金型の空気抜き孔の形状を示す説
明図、第４図は、同モールド金型にてばシが発生してい
る状態を示す説明図、第５図は、本発明の一実施例の断
面図、第６図は、同実施例の空気抜き溝を示す説明図で
ある。 ２０・・・上型、２１・・・下型、２２・・・半導体素
子、２３・・・リードフレーム、２４・・・キャビティ
、２５・・・ダート、２６・・・ビス穴形成ピン、２７
・・・アウターリード、２８・・・アウターリード導出
通路、２９・・・空気抜き溝、３０・・・モールド金型
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第５図 第２図 館４図 第６図
Claims (1)
- 被樹脂封正体が収容されるキャビティと、該キャビティ
内に連通して形成された樹脂注入用のダートと、該ｒ−
）に対向して配置面され前記キャビティ内に連通したア
ウターリード導出通路と、該アウターリード導出通路の
少なくとも天井部または床部に該アウターリード導出通
路に沿って形成された空気抜き溝とを具（１ｔｉｉする
ことを特徴とするモールド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22131982A JPS59111334A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | モ−ルド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22131982A JPS59111334A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | モ−ルド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111334A true JPS59111334A (ja) | 1984-06-27 |
Family
ID=16764935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22131982A Pending JPS59111334A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | モ−ルド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111334A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4641418A (en) * | 1982-08-30 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor |
| JPS6298733A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Rhythm Watch Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
| JPS62104043A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS63211638A (ja) * | 1988-01-08 | 1988-09-02 | Nec Home Electronics Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US4927580A (en) * | 1987-12-15 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device including a vibration generating element |
| US5920768A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Manufacturing method for a resin sealed semiconductor device |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP22131982A patent/JPS59111334A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4641418A (en) * | 1982-08-30 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor |
| JPS6298733A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Rhythm Watch Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
| JPS62104043A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US4927580A (en) * | 1987-12-15 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device including a vibration generating element |
| JPS63211638A (ja) * | 1988-01-08 | 1988-09-02 | Nec Home Electronics Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US5920768A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Manufacturing method for a resin sealed semiconductor device |
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