KR100247385B1 - 반도체패키지용몰드금형의탑캐비티인서트 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체채키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것으로서, 반도체패키지의 패키지를 성형시키기 위한 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)에 컴파운드재가 캐비티(CV)내로 공급될 수 있게 한 캐비티게이트(CG)와 ;

상기 캐비티게이트(CG)에는 컴파운드재가 통과할 때 내부의 잔존에어를 외부로 방출시킬 수 있도록 형성한 에어방출수단(AR)과 ;

를 포함하는 것으로 캐비티게이트의 에어방출수단으로 컴파운드재 내부의 잔존에어를 배출시킴에 따라 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티에 형성되는 패키지 내부의 인터널보이드 발생을 방지하여 패키지의 성형작업성과 제품의 품질신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트

본 발명은 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것으로서, 특히 반도체패키지를 제조하기 위한 탑캐비티인서트의 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 패키지성형시 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 한 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것이다.

일반적으로 반도체패키지의 몰드금형은 반도체패키지의 제조시 내부의 회로를 외적인 힘과 회로기능 작동성을 보호하기 위해 컴파운드재로 소정형태의 패키지를 성형시키는 것이다.

상기한 패키지를 성형하기 위해서는 다이어태치공정에서 반도체칩을 자재에 부착시킨 다음, 와이어본딩공정에서 반도체칩과 일반적인 금속재의 리드프레임에 형성된 자재의 각 리드에 와이어를 연결시킨 후 반도체칩과 와이어와 각 리드의 일부를 포함하는 영역에 패키지를 성형시키는 것이다.

이러한 몰드금형은 상하 분리된 탑몰드와 바텀몰드로 구성되고, 각 몰드에는 서로 대응하는 센터블록과 다수의 캐비티가 형성된 캐비티인서트가 구비되어 패키지를 성형시킬 수 있는 트랜스퍼 성형장치에 장착되어 있다.

상기한 캐비티인서트는 탑몰드에 탑캐비티인서트가 구비되고, 바텀몰드에는 바텀캐비티인서트가 구비되며, 각 캐배티인서트의 대향면에는 다수의 캐비티를 형성하고, 각 캐비티의 일측모서리인 탑몰드와 바텀몰드에는 캐비티게이트와 런너게이트를 대응형성하며, 캐비티게이트의 내부는 런너게이트보다 내측에 위치되도록 형성한다.

이러한 탑몰드의 캐비티게이트는 반도체패키지의 패키지성형시 액체상태의 컴파운드재가 바텀몰드의 런너게이트를 통해 유입될 때 안내기능을 갖도록 한 것이다.

이와 같이 된 종래의 탑캐비티인서트(TCI)를 설명하면 도 6에서 보는 바와 같이 일면에 다수의 요홈을 갖는 캐비티(CV)가 형성되고, 캐비티(CV)의 외주연에는 표면에서 소정높이(H)를 갖는 돌출부(G)가 형성되며, 상기 캐비티(CV)의 일측모서리에 형성된 돌출부(G)는 일측으로 돌출부를 연장형성하여 캐비티게이트(CG)를 형성한다.

상기한 탑캐비티인서트(TCI)는 몰드금형(MD)의 탑몰드(TM)에 구비된 탑센터블록(TCB)의 양측에 설치하고, 탑몰드(TM)와 대응하는 바텀몰드(BM)에는 바텀센터블록(BCB)과 다수의 캐비티(CV)와 런너게이트(RG)가 형성된 바텀캐비티인서트(BCI)를 구비하여 패키지를 성형시킬 수 있는 트랜스퍼 성형장치(TS)에 설치한다.

이러한 탑캐비티인서트(TCI)는 트랜스퍼 성형장치(TS)의 작동에 따라 반도체칩(CP) 부착과 와이어(W) 연결이 완료된 자재(R)가 바텀몰드(BM)에 안치되면 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)의 접합에 의해 자재(R)를 클램프시킨 후 액체상태의 컴파운드재를 런너게이트(RG)와 캐비티게이트(CG)를 통해 각 캐비티(CV)로 공급시켜 소정형태의 패키지가 형성되도록 한 것이다.

그러나, 상기한 탑캐비티인서트(TCI)와 바텀캐비티인서트(BCI)의 각 캐비티(CV)내로 충진공급되는 컴파운드재는 탑캐비티인서트(TCI)의 표면에서 소정높이(H)로 돌출된 캐비티게이트(CG)에 의해 내부의 에어가 외부로 방출되지 못함에 따라 도 7과 같이 성형완료된 패키지의 내부에 다수의 기포가 발생되는 인터널보이드(IB ; Internal Boid)불량이 심하게 발생되었다.

따라서, 반도체패키지의 제조시 형성되는 패키지의 인터널보이드(IB) 발생에 의해 제품의 품질과 기능성을 약화시키고 반도체패키지의 제조작업성과 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 몰드금형의 탑캐비티인서트에 구비된 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 반도체패키지 제조시 패키지성형을 위해 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 함에 따라 패키지의 인터널보이드 불량을 방지한 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 적용상태도.

도 2는 본 발명의 탑캐비티인서트가 몰드금형에 설치된 상태의 사시도.

도 3은 본 발명의 설치상태 일부 단면구성도.

도 4는 본 발명의 탑캐비티인서트의 평면을 보인 상태도.

도 5는 본 발명의 작용상태도.

도 6은 종래의 단면구성도.

도 7은 종래의 작용상태도.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

TM ; 탑몰드 TCI ; 탑캐비티인서트

CV ; 캐비티 CG ; 캐비티게이트

AR ; 에어방출수단

이하 본 발명의 구성을 설명하면 다음과 같다.

반도체패키지의 패키지를 성형시키기 위한 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)에 컴파운드재가 캐비티(CV)내로 공급될 수 있게 한 캐비티게이트(CG)와 ;

상기 캐비티게이트(CG)에는 컴파운드재가 통과할 때 내부의 잔존에어를 외부로 방출시킬 수 있도록 형성한 에어방출수단(AR)과 ;

를 포함하는 것이다.

이와 같이 된 본 발명의 일 실시예를 첨부도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 적용상태도로서, 트랜스퍼 성형장치(TS)의 중앙에 몰드금형(MD)이 상하로 분리되어 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)로 구성되고, 상기 몰드금형(MD)의 좌우 양측에는 자재(R)를 공급 및 배출시키는 공급부(IN)와 배출부(OUT)가 구비된다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 몰드금형(MD)의 구성도 및 탑캐비티인서트(TCI)의 저면을 도시한 것으로서 탑몰드(TM)의 중앙 길이 방향으로 탑센터블록(TCB)이 구비되고, 이 탑센터블록(TCB)의 양측에는 각각 탑캐비티인서트(TCI)가 구비된다.

상기 탑캐비티인서트(TCI)에는 다수의 캐비티(CV)가 형성되고, 이 캐비티(CV)의 외주연에는 탑캐비티인서트(TCI)의 표면에서 소정높이(H)를 갖는 돌출부(GL)를 형성하며, 상기 캐비티(CV)의 일측모서리의 돌출부는 탑센터블록(TCB)측으로 연장시켜 캐비티게이트(CG)를 형성한다.

상기 캐비티게이트(CG)에는 소정길이(D)의 요홈을 갖는 에어방출수단(AR)을 형성한다.

에어방출수단(AR)은 캐비티(CV)와 캐비티게이트(CG)와 외부로 연통 형성한다.

상기 탑몰드(TM)와 대응하는 하부의 바텀몰드(BM)에는 상기 탑센터블록(TCB)과 탑캐비티인서트(TCI)와 대응하도록 바텀센터블록(BCB)과 바텀캐비티인서트(BCI)를 구비하고, 바텀캐비티인서트(BCI)에는 다수의 캐비티(CV)와 이 캐비티(CV)의 일측모서리에 바텀캐비티인서트(BCI)와 연통되는 런너게이트(RG)를 형성한 것이다.

도면중 미설명부호 G는 탑센터블록에 형성된 가이드이고, R은 바텀센터블록에 형성된 런너이고, PT는 탑센터블록에 형성된 포트이다.

이와 같이 된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 간다.

전공정에서 반도체칩(CP)과 와이어(W)의 연결이 완료된 반도체패키지자재(R)를 트랜스퍼 성형장치(TS)의 공급부(IN)에서 몰드금형(MD)의 바텀몰드(BM)상부에 공급시킨 후 바텀몰드(BM)와 탑몰드(TM)를 접합시켜 자재(R)를 클램프시킨다.

이렇게 자재(R)가 클램프되면 도 4에서 보는 바와 같이 고온의 액체 컴파운드재가 탑몰드(TM)의 포트(PT)를 통해 바텀센트블록(BCB)의 런너(R) 및 바텀캐비티인서트(BCI)의 런너(R)와 탑센터블록(TCB)의 가이드(G) 및 탑캐비티인서트(TCI)의 캐비티게이트(CG) 사이를 통해 각 캐비티(CV) 내로 충진공급된다.

이렇게 캐비티(CV)내로 공급되는 컴파운드재는내부에 에어가 포함되어 있어 탑캐비티인서트(TCI)의 캐비티가이드(CG)에 구비된 에어방출수단(AR)에서 외부로 방출되도록 한다.

따라서, 각 캐비티(CV)내로 공급되는 컴파운드재내의 잔존에어를 외부로 배출시킨 상태로 충진시킴으로서 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티(CV)내에서 형성되는 패키지내의 기포발생을 방지하여 종래와 같이 인터널보이드(IB) 불량을 방지한 것이다.

상기한 에어방출수단(AR)은 캐비티게이트(CG)의 외부로 형성되어 있어 에어방출을 보다 용이하게 하고, 캐비티(CV)측 내부로 연통된 부위로 컴파운드재가 용이하게 공급될 수 있게 한 것이다.

이상에서와 같이 본 발명은 반도체패키지를 제조하기 위한 몰드금형의 탑캐비티인서트에 구비된 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 패키지성형시 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 하므로서 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티에 형성되는 패키지 내부의 인터널보이드 발생을 방지하여 패키지의 성형작업성과 제품의 품질신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 반도체패키지의 패키지를 성형시키기 위한 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)에 컴파운드재가 캐비티(CV)내로 공급될 수 있게 한 캐비티게이트(CG)와 ;

   상기 캐비티게이트(CG)에는 컴파운드재가 통과할 때 내부의 잔존에어를 외부로 방출시킬 수 있도록 형성한 에어방출수단(AR)과 ;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트.
2. 제1항에 있어서, 상기 에어방출수단(AR)은 캐비티게이트(CG)에 소정길이(D)의 요홈으로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트.
3. 제1항에 있어서, 상기 요홈은 캐비티게이트(CG)의 외부와 캐비티(CV)내부로 연통되도록 형성한 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트.

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