JP2587585B2 - 半導体装置樹脂封止金型 - Google Patents

半導体装置樹脂封止金型

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JP2587585B2 JP6089793A JP8979394A JP2587585B2 JP 2587585 B2 JP2587585 B2 JP 2587585B2 JP 6089793 A JP6089793 A JP 6089793A JP 8979394 A JP8979394 A JP 8979394A JP 2587585 B2 JP2587585 B2 JP 2587585B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームのリー
ド部と金属細線で配線され該リードフレームのアイラン
ド部の表面に搭載された半導体チップで構成される半導
体装置を樹脂封止する半導体装置樹脂封止金型に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の半導体チップの高集
積化、高密度化に伴ない多ピン化が進み、半導体チップ
とリードフレームのリード部と配線する金属細線が多く
その長さも長くなり、樹脂封止時に樹脂の流れによる金
属細線の断線や隣接する金属細線の短絡など種々の問題
が起きた。この対策として種々の樹脂封止方法および樹
脂封止金型が提案された。この種の問題を解消する樹脂
封止金型として特開平4ー58540号公報に開示され
ている。
【0003】図3(a)〜(c)は従来の一例における
半導体装置樹脂封止金型の動作順に示す断面部分図であ
る。この半導体装置樹脂封止金型は、図3に示すよう
に、上型21の窪み23とでキャビティを形成する下型
22の凹みの底部から上下に可動し得る凹部主型面22
aを設けている。
【0004】この金型で半導体装置を樹脂封止する場合
は、まず、図3(a)に示すように、凹部主型面22a
をリードフレームに近ずけた状態で、リードフレーム2
4のアイランド部25に半導体チップが搭載され金属細
線27で配線されたものを上型21と下型22とで挟み
型締めする。次に、図3(b)に示すように、ゲート2
8から溶融された樹脂29aを注入し、樹脂29aを流
れの抵抗のない窪み23の方に流し金属細線27に無理
な力を与えずに上型21の窪み23に樹脂29aを充填
する。そして、図3(c)に示すように、凹部主型面2
2aを所望の位置まで下降させ、リードフレーム24の
下側に樹脂29を流し樹脂封止を完了させる。
【0005】このように樹脂の流れ方向を規制し、金属
細線が樹脂の流れ圧力により流されたり、断線したりす
ることを防止することを特徴としたものであった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体装置樹脂封止金型では、金属細線が流された
り、断線したりすることは無くなるものの、半導体チッ
プとリードフレームの間にある隙間から樹脂が流れ、こ
のときの樹脂の流れによる半導体チップへの圧力が片寄
り、半導体チップが傾むくことがしばしば起きるという
問題がある。この問題は半導体チップを成形された樹脂
外郭体より露出させないまでも、金属細線を樹脂体表面
より露呈させることになる。特に、近年、パッケージの
薄型化が要求されるようになり、この問題が俄にクロー
ズアップされるようになった。
【0007】また、ゲートから注入された溶融樹脂は、
アイランドの上方からだけでなくゲートから直接アイラ
ンドの下方からも流れる。そして、ゲートからの樹脂は
大きな抵抗を受けるの流れ速度がアイランド上方からの
樹脂の流れ速度より遅くなる。その結果、樹脂硬化の進
行度の違いに伴ない両方の樹脂が合流する界面に気泡や
未充填部が発生するという問題がある。
【0008】従って、本発明の目的は、金属細線の短絡
や断線あるいは半導体チップの傾きや気泡などを発生す
ることなく半導体装置を樹脂封止できる半導体装置樹脂
封止金型を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、リード
フレームのリード部と金属細線で配線され該リードフレ
ームのアイランド部の表面に載置された半導体チップで
構成される半導体装置を樹脂封止する半導体装置樹脂封
止金型において、前記半導体チップを覆う窪みを有し該
窪みに溶融樹脂を注入する第1のゲートが形成された上
型と、この上型の前記窪みの開口形状と同じ形状の開口
部が前記窪みと対応して形成されるとともに前記開口部
に前記溶融樹脂を注入する第2のゲートを有する下型
と、この下型の前記開口部内を摺動し前記アイランド部
の裏面と接触する位置と裏面より所定の距離だけ離間し
空間部を形成する位置とに停留できるとともに前記アイ
ランド部の該裏面と接触する部分のみ平坦な面を有し周
辺部がR状に凹む可動部材とを備える半導体装置樹脂封
止金型である。
【0010】本発明の他の特徴は、前記リードフレーム
に搭載された前記半導体チップを前記上型の前記窪みに
収納し、前記下型の開口部面と略同一面に位置された前
記可動部材の先端面に前記リードフレームを載置して型
締めしてから前記第1のゲートから溶融樹脂を前記窪み
に充填し、充填された前記樹脂が硬化してから、前記可
動部材を前記開口部内を摺動させ前記アイランド部と該
可動部材と離間させ所望の前記空間部を形成し、該空間
部に前記第2のゲートより溶融樹脂を注入する金型によ
る半導体装置の樹脂封止方法である。
【0011】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0012】図1(a)〜(d)は本発明の一実施例に
おける半導体装置樹脂封止金型の動作順に示す断面部分
図である。この半導体装置樹脂封止金型は、図1に示す
ように、半導体チップ26を覆う窪み8を有し窪み8に
溶融樹脂を注入するゲート4aが形成された上型1a
と、この上型1aの窪み8の開口形状と同じ形状の開口
部6が窪み8と対応して形成されるとともに開口部6に
溶融樹脂を注入するゲート4bを有する下型1bと、こ
の下型1bの開口部6内を摺動しアイランド部25の裏
面と接触する位置と裏面より所定の距離だけ離間し空間
部3を形成する位置とに停留できる可動部材2とを備え
ている。
【0013】ここで、ゲート4aおよびゲート4bに溶
融樹脂を供給する経路は二つにし、それぞれの経路を切
替える切替え弁(図示せず)が設けらている。また、可
動部材2がアイランド部25の裏面と接触する位置のと
き可動部材2の側面でゲート4bを塞ぐことが望まし
い。この理由は、切替え弁で溶融樹脂の供給を停止しゲ
ート4bから出ないようにするものの、ゲート4aから
排出される樹脂がゲート4bの開口を塞ぐことを防止し
ている。すなわち、可動部材2で下型1bの開口部6と
ゲート4bに蓋をすることである。さらに、半導体チッ
プ26と可動部材2の先端部との接触面積を大きくする
ために、必要とあれば、可動部材2の先端部のアイラン
ド部25と接触する面のみを平坦な面にすることであ
る。
【0014】次に、この半導体装置樹脂封止金型の半導
体装置の樹脂封止動作について説明する。まず、図1
(a)に示すように、半導体チップ26を搭載しワイヤ
ボンディング後のリードフレーム24を下型1bの上面
と先端部が略同一面に位置する可動部材2の上に乗せ、
上型1aと下型1bを型締めする。この状態では、上の
位置で停留する可動部材2により下型1bの開口部6が
塞がれているとともにゲート4bの開口をも可動部材2
の側壁で塞がれている。
【0015】次に、図1(b)に示すように、ゲート4
aより樹脂を注入し窪み8内に樹脂7aを充填する。こ
のとき、ゲート4bの開口と下型1bの開口部6は可動
部材2で塞がられているので溶融した樹脂は下型1bに
は流れないしゲート4bの開口は塞がることはない。従
って、樹脂の流れによる圧力は総べて可動部材2の先端
部で受けることになる。
【0016】次に、窪み8に充填された樹脂が硬化後、
図1(c)に示すように、可動部材2を所望の位置まで
下金型1bに収納し空間部3を形成する。そして、図1
(d)に示すように、切替えバルブを切替えてゲート4
bを通じて予め加熱・溶融した樹脂を空間部3に注入し
キャビティに樹脂7を充填する。
【0017】なお、窪み8に充填する樹脂と開口部6に
充填される樹脂が接着し易いように、窪み8に充填する
樹脂は硬化を遅らせる必要がある。これには、窪み8の
樹脂に含まれる架橋材を変えることが望ましい。例え
ば、開口部6に樹脂を注入する時点で、窪み8の樹脂の
架橋率が40%程度の進み率であれば、下型1bに垂れ
落ることなく樹脂同志の接着も確実に行なわれる。
【0018】図2は図1の可動部材の変形例を示す断面
図である。上述した実施例で樹脂封止されたパッケージ
体は、角部がシャープであるので、欠けが生じ易い。そ
こで、可動部材2aの先端部の形状を、図2に示すよう
に、リードフレーム24のアイランド部25の載置面の
み平坦な面にし、周縁部に沿ってRに形成する。この可
動部材2aを図1の下型1bに装填し樹脂封止してやれ
ば、パッケージ体の角が丸味を帯び欠けが生ずることが
ない。また、上型1aの窪み8の外形形状をこの可動部
材2aと下型1bの開口部6でなる空間部3の形状と同
じにするば、成形されたパッケージ体の外観は、従来と
同じように均整のとれた形になる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、下型に開
口部に上下に摺動し得る可動部材とこの可動部材の下降
によって形成される開口面からの下降による深さをもつ
空間部に溶融樹脂を注入するゲートとを設け、まず、下
型の開口部とゲートの開口部を塞ぎ、上型の半導体チッ
プを覆う窪みに樹脂を充填しリードフレームの半導体チ
ップ側を樹脂封止し、充填された樹脂が硬化した後に、
可動部材を下降させゲートの開口を開けるとともに所望
の空間部を形成しこの空間部に樹脂を充填しリードフレ
ームの裏側を樹脂封止することによって樹脂封止を完了
させているので、従来の金型のように、上型から下型に
抜け出る樹脂が無くなり、それによる片寄り圧力が生じ
ない。さらに、可動部材の先端部で半導体チップを支え
ているので、半導体チップが傾くことが無くなるという
効果がある。勿論、樹脂の通り抜けによる圧力で起きて
いた金属細線の短絡や断線も同様に解消できる。
【0020】また、半導体チップが搭載されるリードフ
レーム側と半導体チップの無いリードフレーム側とを別
々に樹脂を充填することによって、樹脂の流れ速度を変
える流量抵抗部材が介在しないので、樹脂は窪み内を一
様に流れ従来生じていた流れ速度差による気泡や欠損の
発生を防止できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における半導体装置樹脂封止
金型の動作順に示す断面部分図である。
【図2】図1の可動部材の変形例を示す断面図である。
【図3】従来の一例における半導体装置樹脂封止金型の
動作順に示す断面部分図である。
【符号の説明】
1a,21 上型 1b,22 下型 2,2a 可動部材 3 空間部 4a,4b,28 ゲート 6 開口部 7,7a,29,29a 樹脂 8,23 窪み 9 平坦面 24 リードフレーム 25 アイランド部 26 半導体チップ 27 金属細線

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのリード部と金属細線で
    配線され該リードフレームのアイランド部の表面に載置
    された半導体チップで構成される半導体装置を樹脂封止
    する半導体装置樹脂封止金型において、前記半導体チッ
    プを覆う窪みを有し該窪みに溶融樹脂を注入する第1の
    ゲートが形成された上型と、この上型の前記窪みの開口
    形状と同じ形状の開口部が前記窪みと対応して形成され
    るとともに前記開口部に前記溶融樹脂を注入する第2の
    ゲートを有する下型と、この下型の前記開口部内を摺動
    し前記アイランド部の裏面と接触する位置と裏面より所
    定の距離だけ離間し空間部を形成する位置とに停留でき
    とともに前記アイランド部の該裏面と接触する部分の
    み平坦な面を有し周辺部がR状に凹む可動部材とを備え
    ることを特徴とする半導体装置樹脂封止金型。
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