JPH05315385A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH05315385A JPH05315385A JP12150892A JP12150892A JPH05315385A JP H05315385 A JPH05315385 A JP H05315385A JP 12150892 A JP12150892 A JP 12150892A JP 12150892 A JP12150892 A JP 12150892A JP H05315385 A JPH05315385 A JP H05315385A
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- Japan
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- resin
- mold cavity
- block
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄型の表面実装用の樹脂封止型半導体装置の樹
脂封止方法において、上型キャビティへと下型キャビテ
ィへの樹脂の充填速度差をなくして樹脂封止すること。 【構成】上型キャビティ３底部に埋設した上下に摺動可
能な上型ブロック２の下面を、上下型キャビティ３，６
内に樹脂を充填させる前に上型キャビティ３の底面より
も下部に位置させ、その状態で上下型キャビティ３，６
内に樹脂を充填させた後、前記上型ブロック２を上昇さ
せて、前記上型ブロック２の下面と上型キャビティ３底
面との水平位置を一致させる。
脂封止方法において、上型キャビティへと下型キャビテ
ィへの樹脂の充填速度差をなくして樹脂封止すること。 【構成】上型キャビティ３底部に埋設した上下に摺動可
能な上型ブロック２の下面を、上下型キャビティ３，６
内に樹脂を充填させる前に上型キャビティ３の底面より
も下部に位置させ、その状態で上下型キャビティ３，６
内に樹脂を充填させた後、前記上型ブロック２を上昇さ
せて、前記上型ブロック２の下面と上型キャビティ３底
面との水平位置を一致させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に関す
る。
関し、特に樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止は、図５から図６に示すような方法で行なわれ
ていた。
樹脂封止は、図５から図６に示すような方法で行なわれ
ていた。
【０００３】図５は、従来の樹脂封止装置の概略を示す
断面図である。図５において、まず下型の構造について
説明する。下型キャビティブロック７ｂは、ここでは図
示しない下型ベースに取り付けられている。下型キャビ
ティブロック７ｂには、下型キャビティ６ｂ及び樹脂の
注入口となるゲート５ｂが設けられている。さらに、ゲ
ート５ｂの反対側の下型キャビティブロック７ｂの上面
には、上・下型キャビティ３ｂ，６ｂ内のエアーを抜く
ための下型エアーベント１１ｂが設けられている。
断面図である。図５において、まず下型の構造について
説明する。下型キャビティブロック７ｂは、ここでは図
示しない下型ベースに取り付けられている。下型キャビ
ティブロック７ｂには、下型キャビティ６ｂ及び樹脂の
注入口となるゲート５ｂが設けられている。さらに、ゲ
ート５ｂの反対側の下型キャビティブロック７ｂの上面
には、上・下型キャビティ３ｂ，６ｂ内のエアーを抜く
ための下型エアーベント１１ｂが設けられている。
【０００４】次に、上型の構造について説明する。上型
キャビティブロック１ｂは、ここでは図示しない上型ベ
ースに取り付けられている。上型キャビティブロック１
ｂには、上型キャビティ３ｂが設けられている。また、
下型キャビティブロック７ｂと同じように上型キャビテ
ィブロック１ｂの下型エアーベント１１ｂと対向する面
には、上型エアーベント１０ｂが設けられている。
キャビティブロック１ｂは、ここでは図示しない上型ベ
ースに取り付けられている。上型キャビティブロック１
ｂには、上型キャビティ３ｂが設けられている。また、
下型キャビティブロック７ｂと同じように上型キャビテ
ィブロック１ｂの下型エアーベント１１ｂと対向する面
には、上型エアーベント１０ｂが設けられている。
【０００５】ところで、下型キャビティブロック７ｂに
設けられているゲート５ｂは、樹脂封止後下型キャビテ
ィ６ｂ部の樹脂１３と余剰樹脂であるゲート５ｂ部の樹
脂１３とを分離し易くするために、下型キャビティ６ｂ
の入口が小さく絞られている。
設けられているゲート５ｂは、樹脂封止後下型キャビテ
ィ６ｂ部の樹脂１３と余剰樹脂であるゲート５ｂ部の樹
脂１３とを分離し易くするために、下型キャビティ６ｂ
の入口が小さく絞られている。
【０００６】次に、この樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止方法について説明する。まず、上型キャビティブロッ
ク１ｂと下型キャビティブロック７ｂとが開いている状
態で、半導体素子８を搭載したリードフレーム４を下型
キャビティブロック７ｂ上に位置決め載置する。その
後、型締めを行ない、上型キャビティブロック１ｂの下
面と下型キャビティブロック７ｂの上面とでリードフレ
ーム４を挟持する。そして、タブレット状の樹脂を、こ
こでは図示しない下型キャビティブロック７ｂ内に埋設
したポット内に投入し、プランジャーヘッドによりゲー
ト５ｂを介して上・下型キャビティ３ｂ，６ｂ内に、図
５，図６に連続して示してあるように、注入する。この
時、樹脂１３の注入圧力は約７０Ｋｇ／ｃｍ2 ，成形時
間は約１２０秒である。成形後型開きを行ない、樹脂封
止が完了する。
止方法について説明する。まず、上型キャビティブロッ
ク１ｂと下型キャビティブロック７ｂとが開いている状
態で、半導体素子８を搭載したリードフレーム４を下型
キャビティブロック７ｂ上に位置決め載置する。その
後、型締めを行ない、上型キャビティブロック１ｂの下
面と下型キャビティブロック７ｂの上面とでリードフレ
ーム４を挟持する。そして、タブレット状の樹脂を、こ
こでは図示しない下型キャビティブロック７ｂ内に埋設
したポット内に投入し、プランジャーヘッドによりゲー
ト５ｂを介して上・下型キャビティ３ｂ，６ｂ内に、図
５，図６に連続して示してあるように、注入する。この
時、樹脂１３の注入圧力は約７０Ｋｇ／ｃｍ2 ，成形時
間は約１２０秒である。成形後型開きを行ない、樹脂封
止が完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近のメモ
リ等の半導体装置の高密度実装化の要求により、超小
型，超薄型のパッケージが、開発されてきている。
リ等の半導体装置の高密度実装化の要求により、超小
型，超薄型のパッケージが、開発されてきている。
【０００８】そこで、前述した従来の樹脂封止装置で
は、以下のような欠点がある。溶融した樹脂１３は、ゲ
ート５ｂの注入角度により上型キャビティ３ｂ底面に向
かって注入される。従って、樹脂の充填速度は、上型キ
ャビティ３ｂ内の方が下型キャビティ６ｂ内よりも速
く、上型エアーベント１０ｂの入口まで達した樹脂は、
エアーベント側から下型キャビティ６ｂ内へ回り込んで
いく。この時、この樹脂１３により、上・下型エアーベ
ント１０ｂ，１１ｂが塞がれ、この下型キャビティ６ｂ
内に回り込んだ樹脂１３とゲート５ｂ側から下型キャビ
ティ７ｂ内を流れてくる樹脂との間にあるエアーは逃げ
道を失い、図６，図７に示すように、パッケージ１６の
裏面のエアーベント７１側（ゲート側７２の反対）にボ
イド１５として残る。このボイド１５は、外観不良や耐
湿性劣化等の原因となるため、歩留りを低下させてい
た。
は、以下のような欠点がある。溶融した樹脂１３は、ゲ
ート５ｂの注入角度により上型キャビティ３ｂ底面に向
かって注入される。従って、樹脂の充填速度は、上型キ
ャビティ３ｂ内の方が下型キャビティ６ｂ内よりも速
く、上型エアーベント１０ｂの入口まで達した樹脂は、
エアーベント側から下型キャビティ６ｂ内へ回り込んで
いく。この時、この樹脂１３により、上・下型エアーベ
ント１０ｂ，１１ｂが塞がれ、この下型キャビティ６ｂ
内に回り込んだ樹脂１３とゲート５ｂ側から下型キャビ
ティ７ｂ内を流れてくる樹脂との間にあるエアーは逃げ
道を失い、図６，図７に示すように、パッケージ１６の
裏面のエアーベント７１側（ゲート側７２の反対）にボ
イド１５として残る。このボイド１５は、外観不良や耐
湿性劣化等の原因となるため、歩留りを低下させてい
た。
【０００９】本発明の目的は、前記問題点を解決し、ボ
イドが発生しないようにした半導体装置の樹脂封止方法
を提供することにある。
イドが発生しないようにした半導体装置の樹脂封止方法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の樹
脂封止方法の構成は、上型キャビティの底部に埋設した
上下に摺動可能な上型ブロックの下面を、上・下型キャ
ビティ内に樹脂を充填させる前に、上型キャビティの底
面よりも下部に位置させ、その状態で上・下型キャビテ
ィ内に樹脂を充填させた後、前記上型ブロックを上昇さ
せて、前記上型ブロックの下面と上型キャビティ底面と
の水平位置を一致させることを特徴とし、特に下型キャ
ビティの底面に埋設した圧力センサにより、上・下型キ
ャビティ内への前記樹脂の充填が完了したことを検知し
て上型ブロックを上昇させることを特徴とする。
脂封止方法の構成は、上型キャビティの底部に埋設した
上下に摺動可能な上型ブロックの下面を、上・下型キャ
ビティ内に樹脂を充填させる前に、上型キャビティの底
面よりも下部に位置させ、その状態で上・下型キャビテ
ィ内に樹脂を充填させた後、前記上型ブロックを上昇さ
せて、前記上型ブロックの下面と上型キャビティ底面と
の水平位置を一致させることを特徴とし、特に下型キャ
ビティの底面に埋設した圧力センサにより、上・下型キ
ャビティ内への前記樹脂の充填が完了したことを検知し
て上型ブロックを上昇させることを特徴とする。
【００１１】
【実施例】図１，図２，図３は本発明の第１の実施例の
半導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。
半導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。
【００１２】まず、図１において、本発明の第１の実施
例の樹脂封止装置の下型の構成だけは、従来の樹脂封止
装置と同様であるため、上型における従来の樹脂封止装
置との相違点のみ説明する。
例の樹脂封止装置の下型の構成だけは、従来の樹脂封止
装置と同様であるため、上型における従来の樹脂封止装
置との相違点のみ説明する。
【００１３】本実施例の上型キャビティブロック１の上
型キャビティ３の底部には、上下に摺動可能な上型ブロ
ック２が埋設されている。
型キャビティ３の底部には、上下に摺動可能な上型ブロ
ック２が埋設されている。
【００１４】次に、樹脂封止方法について説明する。ま
ず、上型と下型が開いている状態で、半導体素子８を搭
載したリードフレーム４を下型キャビティブロック７の
上面上に位置決め載置する。その後、型締めを行ない、
上型キャビティブロック１の下面と下型キャビティブロ
ック７の上面とでリードフレーム４を挟持する。この
時、上型ブロック２の下面を、上型キャビティ３の底面
よりも０．２ｍｍ程度下方の位置に設定しておく。
ず、上型と下型が開いている状態で、半導体素子８を搭
載したリードフレーム４を下型キャビティブロック７の
上面上に位置決め載置する。その後、型締めを行ない、
上型キャビティブロック１の下面と下型キャビティブロ
ック７の上面とでリードフレーム４を挟持する。この
時、上型ブロック２の下面を、上型キャビティ３の底面
よりも０．２ｍｍ程度下方の位置に設定しておく。
【００１５】そして、タブレット状の樹脂１３を、ここ
では図示しない下型に埋設したポット内に投入し、プラ
ンジャーヘッドによりゲート５を介して上・下型キャビ
ティ内に注入する。溶融した樹脂１３は、ゲートの注入
角度により上型キャビティ３の底面に向かって注入され
る。しかし、上型ブロック２が下方に下がっているた
め、半導体素子８の上面と上型ブロック２の下面との隙
間が０．２ｍｍ程度と非常に狭く、樹脂１３は、上型キ
ャビティ３内へ流れるのもさることながら、下型キャビ
ティ６内へも流れてようとする。そのため、図２に示す
ように、上・下型キャビティ３，６内への樹脂１３の充
填はほぼ同時に行なわれる。
では図示しない下型に埋設したポット内に投入し、プラ
ンジャーヘッドによりゲート５を介して上・下型キャビ
ティ内に注入する。溶融した樹脂１３は、ゲートの注入
角度により上型キャビティ３の底面に向かって注入され
る。しかし、上型ブロック２が下方に下がっているた
め、半導体素子８の上面と上型ブロック２の下面との隙
間が０．２ｍｍ程度と非常に狭く、樹脂１３は、上型キ
ャビティ３内へ流れるのもさることながら、下型キャビ
ティ６内へも流れてようとする。そのため、図２に示す
ように、上・下型キャビティ３，６内への樹脂１３の充
填はほぼ同時に行なわれる。
【００１６】図３に示すように、上・下型キャビティ
３，６内への樹脂１３の充填が完了した後、上型ブロッ
ク２を上昇させて、上型ブロック２の下面と上型キャビ
ティ３の底面の水平方向の位置を一致させる。樹脂１３
の射出圧力は７０〜１００Ｋｇ／ｃｍ2 である。
３，６内への樹脂１３の充填が完了した後、上型ブロッ
ク２を上昇させて、上型ブロック２の下面と上型キャビ
ティ３の底面の水平方向の位置を一致させる。樹脂１３
の射出圧力は７０〜１００Ｋｇ／ｃｍ2 である。
【００１７】図４は、本発明の第２の実施例で使用され
る樹脂封止装置の断面図である。図４において、本実施
例が第１の実施例の樹脂封止装置と相違する点は、下型
キャビティ６ａの底面に圧力センサ１４が埋設されてい
ることである。この圧力センサ１４で、樹脂１３が上・
下型キャビティ３ｂ，６ｂ内に充填完了したことを検知
した後、上型ブロック２ａを、上型ブロック２ａの下面
と上型キャビティ３ｂの底面とが水平方向で一致する位
置まで上昇させる。このことにより、樹脂１３の粘度が
高くならないうちに、上型ブロック２ａを上昇させてさ
らに樹脂１３を上型キャビティ３ｂ内に充填させること
ができるので、ワイヤー流れを防止できる。
る樹脂封止装置の断面図である。図４において、本実施
例が第１の実施例の樹脂封止装置と相違する点は、下型
キャビティ６ａの底面に圧力センサ１４が埋設されてい
ることである。この圧力センサ１４で、樹脂１３が上・
下型キャビティ３ｂ，６ｂ内に充填完了したことを検知
した後、上型ブロック２ａを、上型ブロック２ａの下面
と上型キャビティ３ｂの底面とが水平方向で一致する位
置まで上昇させる。このことにより、樹脂１３の粘度が
高くならないうちに、上型ブロック２ａを上昇させてさ
らに樹脂１３を上型キャビティ３ｂ内に充填させること
ができるので、ワイヤー流れを防止できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、上型キ
ャビティと下型キャビティとに入る樹脂の充填差をなく
して、ほぼ同時に充填できるので、製品外観不良となり
うるボイドの発生を防ぐという効果を有する。
ャビティと下型キャビティとに入る樹脂の充填差をなく
して、ほぼ同時に充填できるので、製品外観不良となり
うるボイドの発生を防ぐという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の樹脂封止
方法で第１の工程を示す断面図である。
方法で第１の工程を示す断面図である。
【図２】図１の次の第２の工程を示す断面図である。
【図３】図２の次の第３の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例で使用する樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】従来の樹脂封止装置の断面図である。
【図６】図５で発生するボイド不良パッケージの断面図
である。
である。
【図７】図６のボイド不良パッケージの裏面図である。
１，１ａ，１ｂ 上型キャビティブロック ２，２ｂ 上型ブロック ３，３ａ，３ｂ 上型キャビティ ４ リードフレーム ５，５ａ，５ｂ ゲート ６，６ａ，６ｂ 下型キャビティ ７，７ａ，７ｂ 下型キャビティブロック ８ 半導体素子 ９ ボンディングワイヤ １０，１０ａ，１０ｂ 上型エアーベント １１，１１ａ，１１ｂ 下型エアーベント １２ ダイパッド １３ 樹脂 １４ 圧力センサ １５ ボイド
Claims (2)
- 【請求項１】 上型キャビティの底部に埋設した上下に
摺動可能な上型ブロックの下面を、上・下型キャビティ
内に樹脂を充填させる前に前記上型キャビティの底面よ
りも下方に位置させ、その状態で前記上・下型キャビテ
ィ内に前記樹脂を充填させた後、前記上型ブロックを上
昇させて、前記上型ブロックの下面と前記上型キャビテ
ィの底面との水平位置を一致させることを特徴とする半
導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項２】 前記下型キャビティの底面に埋設した圧
力センサにより、前記上・下型キャビティ内への前記樹
脂の充填が完了したことを検知してから、前記上型ブロ
ックを上昇させることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12150892A JPH05315385A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12150892A JPH05315385A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315385A true JPH05315385A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14812936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12150892A Withdrawn JPH05315385A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12150892A patent/JPH05315385A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6403009B1 (en) | 1994-11-15 | 2002-06-11 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| US6710257B2 (en) | 1994-11-15 | 2004-03-23 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |