JPH05235070A - 半導体集積回路の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体集積回路の樹脂封止装置Info
- Publication number
- JPH05235070A JPH05235070A JP3116892A JP3116892A JPH05235070A JP H05235070 A JPH05235070 A JP H05235070A JP 3116892 A JP3116892 A JP 3116892A JP 3116892 A JP3116892 A JP 3116892A JP H05235070 A JPH05235070 A JP H05235070A
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- JP
- Japan
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- resin
- mold cavity
- lower mold
- semiconductor integrated
- resin sealing
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄型の表面実装用の半導体集積回路の樹脂封止
装置において、上型キャビティ内と下型キャビティ内に
おける注入樹脂の充填速度差をなくしてボイドの発生を
防ぎ、パッケージの外観不良をなくす。 【構成】表面が粗い梨地面である上型キャビティ１０
と、表面が鏡面または窒化チタン等で薄膜コーティング
した面であるチタンコーティング部１５を設けた下型キ
ャビティ１１とを備えた上下のキャビティブロックから
なる。
装置において、上型キャビティ内と下型キャビティ内に
おける注入樹脂の充填速度差をなくしてボイドの発生を
防ぎ、パッケージの外観不良をなくす。 【構成】表面が粗い梨地面である上型キャビティ１０
と、表面が鏡面または窒化チタン等で薄膜コーティング
した面であるチタンコーティング部１５を設けた下型キ
ャビティ１１とを備えた上下のキャビティブロックから
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の樹脂封
止装置に関し、特に薄型の表面実装用の半導体集積回路
の樹脂封止装置に関する。
止装置に関し、特に薄型の表面実装用の半導体集積回路
の樹脂封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体集積回路の樹脂封
止装置は、図３の正面断面図に示すように、上型と下型
との一対で構成されている。まず、上型について説明す
る。上型キャビティブロック１ａは、ここでは図示して
いない上型ベースに取り付けられている。上型キャビテ
ィブロック１ａには、上型キャビティ１０ａが掘り込ま
れている。下型キャビティブロック６ａ内のゲート４と
反射側の上型キャビティブロック１ａの下面には、エア
ー抜き用の通路となるエアーベント１３が設けられてい
る。上型キャビティ１０ａの表面は、放電加工により粗
さ１０μｍ程度に仕上げられている。また、上型キャビ
ティブロック１ａには、樹脂封止された成形品を上型キ
ャビティ１０ａから突き出すための上下に摺動可能な上
型エジェクターピン９が内設されている。
止装置は、図３の正面断面図に示すように、上型と下型
との一対で構成されている。まず、上型について説明す
る。上型キャビティブロック１ａは、ここでは図示して
いない上型ベースに取り付けられている。上型キャビテ
ィブロック１ａには、上型キャビティ１０ａが掘り込ま
れている。下型キャビティブロック６ａ内のゲート４と
反射側の上型キャビティブロック１ａの下面には、エア
ー抜き用の通路となるエアーベント１３が設けられてい
る。上型キャビティ１０ａの表面は、放電加工により粗
さ１０μｍ程度に仕上げられている。また、上型キャビ
ティブロック１ａには、樹脂封止された成形品を上型キ
ャビティ１０ａから突き出すための上下に摺動可能な上
型エジェクターピン９が内設されている。
【０００３】次に、下型について説明する。下型キャビ
ティブロック６ａは、ここでは図示していない下型ベー
スに取り付けられている。下型キャビティブロック６ａ
には、下型キャビティ１１ａと樹脂の注入口となるゲー
ト４が掘り込まれている。ゲート４ｂと反対側の下型キ
ャビティブロック６ｂの上面には、エアーベント１４ｂ
が設けられている。下型キャビティ１１ａの表面は、上
型キャビティ１０ａと同様に放電加工により粗さ１０μ
ｍ程度に仕上げられている。また、下型キャビティブロ
ック６ａには、樹脂封止された成形品を下型キャビティ
１１ａから突き出すための上下に摺動可能な下型エジェ
クターピン１２が内設されている。
ティブロック６ａは、ここでは図示していない下型ベー
スに取り付けられている。下型キャビティブロック６ａ
には、下型キャビティ１１ａと樹脂の注入口となるゲー
ト４が掘り込まれている。ゲート４ｂと反対側の下型キ
ャビティブロック６ｂの上面には、エアーベント１４ｂ
が設けられている。下型キャビティ１１ａの表面は、上
型キャビティ１０ａと同様に放電加工により粗さ１０μ
ｍ程度に仕上げられている。また、下型キャビティブロ
ック６ａには、樹脂封止された成形品を下型キャビティ
１１ａから突き出すための上下に摺動可能な下型エジェ
クターピン１２が内設されている。
【０００４】次に、半導体集積回路の樹脂封止方法につ
いて説明する。まず、上型と下型が開いている状態で、
ダイパッド５上に半導体素子７を搭載したりリードフレ
ーム３を下型キャビティブロック６ａ上に位置決め載置
する。その後型締めを行ない、上型キャビティブロック
１ａの下面と下型キャビティブロック６ａの上面とでリ
ードフレーム３を挟持する。そして、タブレット状の樹
脂を、ここでは図示していないが下型に内設したポット
内に投入し、プランジャーヘッドによりゲート４を介し
て上型および下型キャビティ１０ａ，１１ａ内に注入す
る。この時、樹脂２の注入圧力は約７０Ｋｇ／ｃｍ2 成
形時間は１２０秒程度である。成形後型開きを行ない、
上型エジェクターピン９と下型エジェクターピン１２を
突き出すことにより成形品を上下の型から離型させて樹
脂封止が完了する。
いて説明する。まず、上型と下型が開いている状態で、
ダイパッド５上に半導体素子７を搭載したりリードフレ
ーム３を下型キャビティブロック６ａ上に位置決め載置
する。その後型締めを行ない、上型キャビティブロック
１ａの下面と下型キャビティブロック６ａの上面とでリ
ードフレーム３を挟持する。そして、タブレット状の樹
脂を、ここでは図示していないが下型に内設したポット
内に投入し、プランジャーヘッドによりゲート４を介し
て上型および下型キャビティ１０ａ，１１ａ内に注入す
る。この時、樹脂２の注入圧力は約７０Ｋｇ／ｃｍ2 成
形時間は１２０秒程度である。成形後型開きを行ない、
上型エジェクターピン９と下型エジェクターピン１２を
突き出すことにより成形品を上下の型から離型させて樹
脂封止が完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近のメモ
リー等の半導体集積回路の高密度実装化の要求により、
超小型、超薄型のパッケージが開発されてきている。
リー等の半導体集積回路の高密度実装化の要求により、
超小型、超薄型のパッケージが開発されてきている。
【０００６】そこで、上述した従来の樹脂封止装置では
以下のような欠点がある。溶融した樹脂は、ゲートの注
入角度に沿って上型キャビティ底面に向かって注入され
る。従って、図３のように樹脂の充填速度は上型キャビ
ティ内の方が下型キャビティ内よりも速く、上型エアー
ベント１３の入口まで達した樹脂２は、エアーベント側
から下型キャビティ内へ回り込んで行く。
以下のような欠点がある。溶融した樹脂は、ゲートの注
入角度に沿って上型キャビティ底面に向かって注入され
る。従って、図３のように樹脂の充填速度は上型キャビ
ティ内の方が下型キャビティ内よりも速く、上型エアー
ベント１３の入口まで達した樹脂２は、エアーベント側
から下型キャビティ内へ回り込んで行く。
【０００７】この時、図４のようにこの樹脂２により上
下型のエアーベント１３，１４が塞がれ、この回り込ん
だ樹脂とゲート側から流れてくる樹脂との間にあるエア
ーは逃げ道を失い、図４および図５に示すように、パッ
ケージの裏面のエアーベント側にボイド１６として残
る。上記現象は、パッケージが薄ければ薄いほど顕著に
なり、外観不良や耐湿性低下の原因となる為封入歩留り
を悪くするという問題点があった。
下型のエアーベント１３，１４が塞がれ、この回り込ん
だ樹脂とゲート側から流れてくる樹脂との間にあるエア
ーは逃げ道を失い、図４および図５に示すように、パッ
ケージの裏面のエアーベント側にボイド１６として残
る。上記現象は、パッケージが薄ければ薄いほど顕著に
なり、外観不良や耐湿性低下の原因となる為封入歩留り
を悪くするという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の樹脂封止装置は、表面が粗い梨地面である上型キャビ
ティを有する上型キャビティブロックと、表面が鏡面ま
たは窒化チタン等の低摩擦係数の材質を薄膜コーティン
グした面である下型キャビティを有する下型キャビティ
ブロックとを備えている。
の樹脂封止装置は、表面が粗い梨地面である上型キャビ
ティを有する上型キャビティブロックと、表面が鏡面ま
たは窒化チタン等の低摩擦係数の材質を薄膜コーティン
グした面である下型キャビティを有する下型キャビティ
ブロックとを備えている。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例につき図面を参照しなが
ら説明する。図１は本発明の第１の実施例の樹脂封止装
置の正面断面図である。本実施例において、上型キャビ
ティ１０の表面は、放電加工により粗さ５０μｍ程度の
粗い梨地面に仕上げられている。また、下型キャビティ
１１の表面は、ラッピング仕上げにより鏡面に仕上げら
れ、その粗さは０．２〜０．３μｍ程度になっている。
従って、本樹脂封止装置で樹脂封止を行なうと、上型キ
ャビティ１０内では表面が粗いため樹脂の流動抵抗が大
きくなり樹脂の充填速度が抑えられるのに対し、下型キ
ャビティ１１内では表面が滑かなため樹脂の流動抵抗が
小さくなり、従来の樹脂の充填速度より速くなり、上型
および下型キャビティ１０，１１内に樹脂がほぼ同時間
で充填される。
ら説明する。図１は本発明の第１の実施例の樹脂封止装
置の正面断面図である。本実施例において、上型キャビ
ティ１０の表面は、放電加工により粗さ５０μｍ程度の
粗い梨地面に仕上げられている。また、下型キャビティ
１１の表面は、ラッピング仕上げにより鏡面に仕上げら
れ、その粗さは０．２〜０．３μｍ程度になっている。
従って、本樹脂封止装置で樹脂封止を行なうと、上型キ
ャビティ１０内では表面が粗いため樹脂の流動抵抗が大
きくなり樹脂の充填速度が抑えられるのに対し、下型キ
ャビティ１１内では表面が滑かなため樹脂の流動抵抗が
小さくなり、従来の樹脂の充填速度より速くなり、上型
および下型キャビティ１０，１１内に樹脂がほぼ同時間
で充填される。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の樹脂封止装
置の正面断面図である。第１の実施例の樹脂封止装置と
の相違は、下型キャビティ１１の表面に１〜３μｍ程度
のチタンコーティング部１５を設けたことにある。チタ
ンコーティングの種類としては、ＴｉＡｌＮ（チタンア
ルミ窒化物）やＴｉＮ（窒化チタン）等があり、摩擦係
数は各々０．５，０．４と非常に小さく、第１実施例と
ほぼ同様の樹脂の挙動を示す。
置の正面断面図である。第１の実施例の樹脂封止装置と
の相違は、下型キャビティ１１の表面に１〜３μｍ程度
のチタンコーティング部１５を設けたことにある。チタ
ンコーティングの種類としては、ＴｉＡｌＮ（チタンア
ルミ窒化物）やＴｉＮ（窒化チタン）等があり、摩擦係
数は各々０．５，０．４と非常に小さく、第１実施例と
ほぼ同様の樹脂の挙動を示す。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の樹脂封止装
置によると、上型キャビティと下型キャビティに入る樹
脂の充填速度差をなくしてほぼ同時間で充填できるの
で、製品外観不良となりうるボイドの発生を防ぐという
効果を有する。
置によると、上型キャビティと下型キャビティに入る樹
脂の充填速度差をなくしてほぼ同時間で充填できるの
で、製品外観不良となりうるボイドの発生を防ぐという
効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の正面断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の正面断面図である。
【図３】従来の樹脂封止装置の正面断面図である。
【図４】従来の問題点を示す樹脂封止装置の正面断面図
である。
である。
【図５】従来のボイド不良パッケージの平面図である。
１，１ａ 上型キャビティブロック ２ 樹脂 ３ リードフレーム ４ ゲート ５ ダイパッド ６，６ａ 下型キャビティブロック ７ 半導体素子 ８ ボンディングワイヤ ９ 上型エジェクターピン １０，１０ａ 上型キャビティ １１，１１ａ 下型キャビティ １２ 下型エジェクターピン １３ 上型エアーベント １４ 下型エアーベント １５ チタンコーティング部 １６ ボイド
Claims (1)
- 【請求項１】 薄型の表面実装用パッケージを樹脂封止
により形成する半導体集積回路の樹脂封止装置におい
て、表面が粗い梨地面である上型キャビティを有する上
型キャビティブロックと、表面が鏡面または低摩擦係数
の材質を薄膜コーティングした面である下型キャビティ
を有する下型キャビティブロックとを備えることを特徴
とする半導体集積回路の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116892A JPH05235070A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体集積回路の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116892A JPH05235070A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体集積回路の樹脂封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235070A true JPH05235070A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12323911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116892A Withdrawn JPH05235070A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体集積回路の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008283138A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US11212613B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-12-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Signal processing device and signal processing method |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3116892A patent/JPH05235070A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008283138A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4737138B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US11212613B2 (en) | 2018-12-06 | 2021-12-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Signal processing device and signal processing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |