JPH05129353A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置を樹脂封止する際、ガスの閉じ込
めによるボイドなどの発生を抑える。 【構成】 半導体装置を粉末成形材料あるいは固形成形
材料を溶融流動指せて金型成形部３内でトランスファ成
形する際に、金型成形部３の樹脂注入口４付近の１番ピ
ン１あるいはエジェクターピン２などの突起物をなく
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を樹脂を用
いてトランスファ成型を行うのに好適な半導体製造装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置を樹脂を用いて封
止するには粉末成型材料あるいは固形成型材料を金型内
で溶融流動させ封止するトランスファ成型が行われてい
る。従来技術のトランスファ成型に使用する金型は、図
４Ａ、Ｂの平面図に示すように１番のリードを示す１番
ピン１、または成型されたパッケージを金型から離すた
めに突き上げるエジェクターピン２などの突起物が樹脂
注入口４付近に設けられている。図５Ａ、Ｂは図４Ａの
Ｂ−Ｂ断面図である。図において３は金型成型部、５は
リードフレームで、その一部にダイパッドおよびサポー
トバーが設けられる。６は半導体チップである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】最近のパッケージには
薄型化の要求が高まっており、このような薄型の半導体
装置を樹脂で封止する場合の問題となる点はつぎのよう
なことである。金型内での半導体チップ６の上下におけ
る樹脂の流動について述べると、図６に示すように樹脂
注入口４付近に１番ピン１あるいはエジェクターピン２
などの突起物があると、注入された樹脂は突起物により
流動を妨げられるので、樹脂の流動速度は一定でなくな
り上型側が遅くなる。さらに進むと図７に示すようにダ
イパッドを押し上げ変形させてしまう。

【０００４】また、半導体チップ６の中央部とその周辺
部における樹脂の流動について述べると、図８に示すよ
うに注入された樹脂は突起物により流動を妨げられ、半
導体チップ６の中央部よりも周辺部へ流れやすくなる。
さらに進と、図９および図１０に示すように流動速度が
遅い中央部に対して流動速度が早い周辺部に樹脂が回り
込み、半導体チップ６上にガスを閉じ込めてボイド７を
発生させてしまう。この現象は、下型に１番ピン１ある
いはエジェクターピン２などの突起物がある場合にも同
様に発生する。

【０００５】このような現象は、半導体チップ６の上下
の樹脂の肉圧の差にも影響されるが、図５Ａに示すよう
に半導体チップ６の上下の樹脂の肉圧を等しく（ａ＝
ａ’）しても、１番ピン１あるいはエジェクターピン２
などの突起物により妨げられた樹脂は流動速度が遅くな
り、結局、図７に示すようにダイパッドを押し上げた
り、あるいは図１０に示すようにガスを閉じ込めてボイ
ド７を発生させてしまう。また、図５Ｂに示すように樹
脂注入口４を対称形にしても、樹脂注入口４の付近に１
番ピン１あるいはエジェクターピン２などの突起物があ
れば、注入された樹脂は流動を妨げられ、同様な不具合
が発生する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は前述の課題を解決したものであって、半導体装置を樹
脂で封止する際に、粉末成型材料あるいは固形成型材料
を溶融流動させて金型成型部へ流し込む樹脂注入口付近
の突起物を排除するように構成する。

【０００７】

【作用】本発明の前記構成によると、樹脂注入口の付近
に樹脂の流動を妨げる突起物をなくすることにより、上
下および中央部とその周辺部の樹脂流動先端ラインを容
易に揃えることができる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の半導体製造装置の実施例を図
にもとづいて説明する。図１は本発明の半導体製造装置
の一実施例を示すもので、Ａはトランスファ成型法を用
いた成型金型の上型平面図、Ｂは図１ＡのＡ−Ａ断面
図、図２は樹脂注入時における樹脂注入口付近における
樹脂流動状態を示すもので、Ａは断面図、Ｂは平面図で
ある。図において、半導体チップ６が搭載され、接着さ
れたリードフレーム５は、下型３ｂ上の所定の位置に載
置される。この後、上型３ｂがリードフレーム５を圧接
し、リードフレーム５は上型３ａ、下型３ｂにより締め
られ金型内に樹脂封止部、すなわち金型成型部３が形成
される。ここでは、樹脂注入口４は下型３ｂ上の角状の
金型成型部３の一つのコーナー部に形成されており、こ
の樹脂注入口４から樹脂が注入される。

【０００９】ここで、１番ピン１あるいはエジェクター
ピン２は、上型３ａに埋没されている。このために、樹
脂注入時において樹脂注入口４の付近における樹脂流動
は図２Ａ、Ｂに示すように半導体チップ６の上下におい
ても、半導体チップ６の中央部およびその周辺部におい
てもそのすべての流路において均一の流動速度になる。
すなわちすべての流路において樹脂流動ラインは揃うこ
とになる。よって、樹脂封止時のボイド７やリードフレ
ーム５のダイパッドもしくはサポートバーの変形を回避
することができる。

【００１０】特に、ＴＳＯＰ（Thin Small Out-line pa
ckage ）のように、厚みが１．０ｍｍと薄い半導体装置
においては、前述のようなごくわずかな突起物である１
番ピン１あるいはエジェクターピン２を樹脂注入口４付
近から排除することは効果的である。次に、本発明の半
導体製造装置の他の実施例を図３Ａ、Ｂの平面図に示
す。本実施例では、エジェクターピン２を設けず、１番
ピン１のみを樹脂注入口４以外のコーナーに設けた例で
あり、その作用および効果は前述の実施例と同じである
ことは言うまでもない。

【００１１】

【発明の効果】本発明により得られる効果を簡単に説明
すれば、半導体装置を樹脂で封止する際に、粉末成型材
料あるいは固形成型材料を溶融流動させて金型成型部へ
流し込む樹脂注入口付近の突起物を排除するように構成
することにより、上下および中央部とその周辺部の樹脂
流動先端ラインを容易に揃え、ガスの閉じ込めによるボ
イドの発生を抑え、リードフレームのインナーリード部
およびダイパッドを変形させるおそれがなく、樹脂モー
ルド電子部品の品質を保ち、生産性も向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置の一実施例を示すもの
で、Ａはトランスファ成型法を用いた成型金型の上型平
面図、Ｂは図１ＡのＡ−Ａ断面図である。

【図２】樹脂注入時における樹脂注入口付近における樹
脂流動状態を示すもので、Ａは断面図、Ｂは平面図であ
る。

【図３】本発明の半導体製造装置の他の実施例を示すも
ので、Ａ、Ｂは、エジェクターピンを設けず、１番ピン
のみを樹脂注入口以外のコーナーに設けた平面図であ
る。

【図４】従来例の平面図で、Ａは１番ピンを樹脂注入口
付近に設けた例、Ｂはエジェクターピンを樹脂注入口付
近に設けた例である。

【図５】図４ＡのＡ−Ａ断面図である。

【図６】従来例の樹脂注入状態を示す断面図である。

【図７】従来例の樹脂注入状態を示す断面図である。

【図８】従来例の樹脂注入状態を示す平面図で、注入樹
脂が樹脂注入口付近にある例である。

【図９】従来例の樹脂注入状態を示す平面図で、注入樹
脂が半導体チップ上にまで注入されてきた例である。

【図１０】従来例の樹脂注入状態を示す平面図で、注入
樹脂が樹脂注入口の対角付近にまで注入されてきた例で
ある。

【符号の説明】

１ １番ピン ２ エジェクターピン ３ 金型成型部 ３ａ 上型 ３ｂ 下型 ４ 樹脂注入口 ５ リードフレーム ６ 半導体チップ ７ ボイド

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置を粉末成型材料あるいは固形
   成型材料を溶融流動させて金型内で封止するトランスフ
   ァ成型法を用いた半導体製造装置において、 前記粉末成型材料あるいは前記固形成型材料を溶融流動
   させて金型成型部へ流し込む樹脂注入口付近の突起物を
   排除したことを特徴とする半導体製造装置。