JPH0621145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0621145A JPH0621145A JP4194890A JP19489092A JPH0621145A JP H0621145 A JPH0621145 A JP H0621145A JP 4194890 A JP4194890 A JP 4194890A JP 19489092 A JP19489092 A JP 19489092A JP H0621145 A JPH0621145 A JP H0621145A
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- resistor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルムキャリヤやリードフレーム等のリー
ド構造体に搭載された半導体チップがトランスファモー
ルド法によって樹脂封止される際に、樹脂の流動抵抗の
不均衡に起因する半導体チップの上下変動や傾き等を未
然に防止できるようにする。 【構成】 フィルムキャリヤ１に半導体チップ４を搭載
し、この半導体チップ４側であるフィルムキャリヤ１の
上面に、四角形枠状の抵抗体５を設ける。フィルムキャ
リヤ１が上金型１１及び下金型１２によって挟持され、
ゲート１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に樹
脂２０が注入される。抵抗体５によって、キャビティ１
５及び１６内における樹脂２０の流動抵抗のバランスが
とれ、樹脂２０がフィルムキャリヤ１及び半導体チップ
４の上下に偏りなく注入される。
ド構造体に搭載された半導体チップがトランスファモー
ルド法によって樹脂封止される際に、樹脂の流動抵抗の
不均衡に起因する半導体チップの上下変動や傾き等を未
然に防止できるようにする。 【構成】 フィルムキャリヤ１に半導体チップ４を搭載
し、この半導体チップ４側であるフィルムキャリヤ１の
上面に、四角形枠状の抵抗体５を設ける。フィルムキャ
リヤ１が上金型１１及び下金型１２によって挟持され、
ゲート１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に樹
脂２０が注入される。抵抗体５によって、キャビティ１
５及び１６内における樹脂２０の流動抵抗のバランスが
とれ、樹脂２０がフィルムキャリヤ１及び半導体チップ
４の上下に偏りなく注入される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリヤやリ
ードフレーム等のリード構造体と、このリード構造体に
搭載された半導体チップとからなり、その半導体チップ
がトランスファモールド法によって樹脂封止される半導
体装置に関する。
ードフレーム等のリード構造体と、このリード構造体に
搭載された半導体チップとからなり、その半導体チップ
がトランスファモールド法によって樹脂封止される半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの実装技術の一つとして、
ＴＡＢ（Tape automated Bonding）方式が知られてい
る。このＴＡＢ方式は、図３（ａ）に示すように、ポリ
イミド樹脂等からなる可撓性かつ絶縁性を有するフィル
ム基材２上にＣｕ箔等の導電性金属材料からなる複数の
リード３を形成してなるフィルムキャリヤ１を用い、そ
れら各リード３と半導体チップ４に形成された複数の電
極とを一括して接合する方式である。
ＴＡＢ（Tape automated Bonding）方式が知られてい
る。このＴＡＢ方式は、図３（ａ）に示すように、ポリ
イミド樹脂等からなる可撓性かつ絶縁性を有するフィル
ム基材２上にＣｕ箔等の導電性金属材料からなる複数の
リード３を形成してなるフィルムキャリヤ１を用い、そ
れら各リード３と半導体チップ４に形成された複数の電
極とを一括して接合する方式である。
【０００３】そして、従来から、ＴＡＢ方式において半
導体チップ４を保護のために樹脂封止する方法の１つに
トランスファモールド法がある。このトランスファモー
ルド法は、図３（ａ）に示すように、半導体チップ４が
搭載されたフィルムキャリヤ１を上金型１１と下金型１
２とからなる樹脂成形金型によって挟持し、加熱溶融し
た樹脂２０を加圧して上金型１１及び下金型１２のゲー
ト１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に注入し
て固化させる方法である。
導体チップ４を保護のために樹脂封止する方法の１つに
トランスファモールド法がある。このトランスファモー
ルド法は、図３（ａ）に示すように、半導体チップ４が
搭載されたフィルムキャリヤ１を上金型１１と下金型１
２とからなる樹脂成形金型によって挟持し、加熱溶融し
た樹脂２０を加圧して上金型１１及び下金型１２のゲー
ト１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に注入し
て固化させる方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＡＢ
方式におけるフィルムキャリヤ１は極めて薄くかつ可撓
性を有しているため、半導体チップ４を樹脂封止する際
に、キャビティ１５及び１６内における樹脂２０の流動
抵抗の差異の影響を受け、半導体チップ４が上下に変動
したり傾いたりするという問題があった。
方式におけるフィルムキャリヤ１は極めて薄くかつ可撓
性を有しているため、半導体チップ４を樹脂封止する際
に、キャビティ１５及び１６内における樹脂２０の流動
抵抗の差異の影響を受け、半導体チップ４が上下に変動
したり傾いたりするという問題があった。
【０００５】即ち、図３（ａ）に示すように、通常、半
導体チップ４は樹脂モールドの中央で封止されるように
キャビティ１５及び１６内の中央に位置させるが、その
半導体チップ４がフェイスダウンでフィルムキャリヤ１
に搭載されている場合には、半導体チップ４側であるキ
ャビティ１５の容積がキャビティ１６の容積よりも大き
くなる。このため、図３（ｂ）に示すように、注入され
た樹脂２０はキャビティ１５内で流動し易くキャビティ
１６内で流動し難くなり、この樹脂２０の流動抵抗の差
異によって、半導体チップ４が下方に変動してしまう。
そして、このような状態になると、樹脂２０の流動抵抗
の差異はさらに大きくなり、半導体チップ４の変動量が
さらに増大する。
導体チップ４は樹脂モールドの中央で封止されるように
キャビティ１５及び１６内の中央に位置させるが、その
半導体チップ４がフェイスダウンでフィルムキャリヤ１
に搭載されている場合には、半導体チップ４側であるキ
ャビティ１５の容積がキャビティ１６の容積よりも大き
くなる。このため、図３（ｂ）に示すように、注入され
た樹脂２０はキャビティ１５内で流動し易くキャビティ
１６内で流動し難くなり、この樹脂２０の流動抵抗の差
異によって、半導体チップ４が下方に変動してしまう。
そして、このような状態になると、樹脂２０の流動抵抗
の差異はさらに大きくなり、半導体チップ４の変動量が
さらに増大する。
【０００６】なお、キャビティ１６側への樹脂注入量や
樹脂注入圧をキャビティ１５側よりも大きくすることに
よって、樹脂２０の流動抵抗のバランスをとることが考
えられるが、これらの調整は非常に微妙なものが要求さ
れるので極めて困難であり、場合によっては、図３
（ｃ）に示すように、半導体チップ４が上方に変動して
しまうこともある。
樹脂注入圧をキャビティ１５側よりも大きくすることに
よって、樹脂２０の流動抵抗のバランスをとることが考
えられるが、これらの調整は非常に微妙なものが要求さ
れるので極めて困難であり、場合によっては、図３
（ｃ）に示すように、半導体チップ４が上方に変動して
しまうこともある。
【０００７】このように、樹脂封止時の半導体チップ４
の上下変動や傾き等によって、フィルムキャリヤ１また
は半導体チップ４の表面露出や、フィルムキャリヤ１即
ちリード３の変形等が発生し、樹脂モールドの成形が非
常に不安定になるという問題があった。
の上下変動や傾き等によって、フィルムキャリヤ１また
は半導体チップ４の表面露出や、フィルムキャリヤ１即
ちリード３の変形等が発生し、樹脂モールドの成形が非
常に不安定になるという問題があった。
【０００８】なお、上述したフィルムキャリヤに限ら
ず、導電性材料によって形成されるリードフレームにお
いても、狭ピッチ・多ピン化の要求の中で、そのリード
フレームの薄膜化が進むと、半導体チップの樹脂封止時
に同様な問題が生じてくる。
ず、導電性材料によって形成されるリードフレームにお
いても、狭ピッチ・多ピン化の要求の中で、そのリード
フレームの薄膜化が進むと、半導体チップの樹脂封止時
に同様な問題が生じてくる。
【０００９】そこで本発明は、フィルムキャリヤやリー
ドフレーム等のリード構造体に搭載された半導体チップ
がトランスファモールド法によって樹脂封止される際
に、樹脂の流動抵抗の不均衡に起因する半導体チップの
上下変動や傾き等を未然に防止できる半導体装置を提供
することを目的とする。
ドフレーム等のリード構造体に搭載された半導体チップ
がトランスファモールド法によって樹脂封止される際
に、樹脂の流動抵抗の不均衡に起因する半導体チップの
上下変動や傾き等を未然に防止できる半導体装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、リード構造体と、このリード構造体に搭
載された半導体チップとからなり、前記リード構造体が
上金型及び下金型によって挟持され、前記上金型及び下
金型のキャビティ内に注入される樹脂によって前記半導
体チップが樹脂封止される半導体装置において、樹脂封
止時に前記キャビティ内に注入される樹脂の流動に対す
る抵抗体を前記リード構造体に設けたものである。
に、本発明は、リード構造体と、このリード構造体に搭
載された半導体チップとからなり、前記リード構造体が
上金型及び下金型によって挟持され、前記上金型及び下
金型のキャビティ内に注入される樹脂によって前記半導
体チップが樹脂封止される半導体装置において、樹脂封
止時に前記キャビティ内に注入される樹脂の流動に対す
る抵抗体を前記リード構造体に設けたものである。
【００１１】また、前記リード構造体の上下両面のうち
前記半導体チップが搭載された面に前記抵抗体を設ける
とよい。
前記半導体チップが搭載された面に前記抵抗体を設ける
とよい。
【００１２】なお、前記抵抗体が前記樹脂と同一の材料
によって形成されているとよい。
によって形成されているとよい。
【００１３】さらに、前記リード構造体が絶縁性のフィ
ルム基材上に導電性のリードを形成してなるフィルムキ
ャリヤであるとよい。
ルム基材上に導電性のリードを形成してなるフィルムキ
ャリヤであるとよい。
【００１４】さらに、前記リード構造体が導電性材料に
よって形成されたリードフレームであってもよい。
よって形成されたリードフレームであってもよい。
【００１５】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、半導
体チップが樹脂封止される際、リード構造体に設けられ
た抵抗体によって、キャビティ内に注入される樹脂の流
動抵抗のバランスがとれ、樹脂がリード構造体及び半導
体チップの上下に偏りなく注入されるので、半導体チッ
プが上下に変動しない。これによって、キャビティ内に
おける樹脂の流動抵抗の不均衡に起因する半導体チップ
の上下変動や傾き等が防止される。
体チップが樹脂封止される際、リード構造体に設けられ
た抵抗体によって、キャビティ内に注入される樹脂の流
動抵抗のバランスがとれ、樹脂がリード構造体及び半導
体チップの上下に偏りなく注入されるので、半導体チッ
プが上下に変動しない。これによって、キャビティ内に
おける樹脂の流動抵抗の不均衡に起因する半導体チップ
の上下変動や傾き等が防止される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２を参
照して説明する。なお、前記従来例と実質的に同一の構
成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
照して説明する。なお、前記従来例と実質的に同一の構
成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１７】図１（ａ）及び図２に示すように、本実施
例におけるフィルムキャリヤ１は、前述と同様に、フィ
ルム基材２とこのフィルム基材２上に形成された複数の
リード３とからなり、樹脂封止前には半導体チップ４の
各電極が各リード３に接合されている。
例におけるフィルムキャリヤ１は、前述と同様に、フィ
ルム基材２とこのフィルム基材２上に形成された複数の
リード３とからなり、樹脂封止前には半導体チップ４の
各電極が各リード３に接合されている。
【００１８】ところで、フィルムキャリヤ１の上面に
は、樹脂２０の流動抵抗を調整するための抵抗体５が設
けられている。この抵抗体５は四角形枠状をなし、半導
体チップ４の外周近傍におけるフィルム基材２上に接着
剤によって固着されている。そして、図２に示すよう
に、抵抗体５の一つのコーナー部には切欠部５ａが設け
られ、この切欠部５ａがゲート１３による樹脂注入方向
（矢印方向）に対向されている。そして、抵抗体５の大
きさは、上側のゲート１３からの樹脂２０の流動経路の
総和が、下側のゲート１４からの樹脂２０の流動経路の
総和と同等になるように設定されている。なお、抵抗体
５は例えばエポキシ樹脂等、封止用の樹脂２０と同一の
材料によって形成するの好ましい。
は、樹脂２０の流動抵抗を調整するための抵抗体５が設
けられている。この抵抗体５は四角形枠状をなし、半導
体チップ４の外周近傍におけるフィルム基材２上に接着
剤によって固着されている。そして、図２に示すよう
に、抵抗体５の一つのコーナー部には切欠部５ａが設け
られ、この切欠部５ａがゲート１３による樹脂注入方向
（矢印方向）に対向されている。そして、抵抗体５の大
きさは、上側のゲート１３からの樹脂２０の流動経路の
総和が、下側のゲート１４からの樹脂２０の流動経路の
総和と同等になるように設定されている。なお、抵抗体
５は例えばエポキシ樹脂等、封止用の樹脂２０と同一の
材料によって形成するの好ましい。
【００１９】本実施例の半導体装置を樹脂封止する際に
は、まず、図１（ａ）に示すように、半導体チップ４を
搭載したフィルムキャリヤ１を上金型１１と下金型１２
とによって挟持し、加熱溶融した樹脂２０を加圧してゲ
ート１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に注入
する。そして、図１（ｂ）に示すように、樹脂２０がキ
ャビティ１５及び１６内に完全に充填された状態では、
抵抗体５も樹脂２０によって封止される。
は、まず、図１（ａ）に示すように、半導体チップ４を
搭載したフィルムキャリヤ１を上金型１１と下金型１２
とによって挟持し、加熱溶融した樹脂２０を加圧してゲ
ート１３及び１４からキャビティ１５及び１６内に注入
する。そして、図１（ｂ）に示すように、樹脂２０がキ
ャビティ１５及び１６内に完全に充填された状態では、
抵抗体５も樹脂２０によって封止される。
【００２０】上記樹脂注入の際、フィルムキャリヤ１に
設けられた抵抗体５によって、キャビティ１５及び１６
内における樹脂２０の流動抵抗のバランスがとれ、樹脂
２０がフィルムキャリヤ１及び半導体チップ４の上下に
偏りなく注入される。従って、半導体チップ４が上下に
変動したり傾いたりすることを未然に防止することがで
きる。なお、抵抗体５に切欠部５ａが設けられているの
で、樹脂２０は切欠部５ａを通って半導体チップ４の周
囲にも円滑に流動される。また、樹脂２０の注入完了時
には抵抗体５も封止されるので、従来と全く同様な外観
の樹脂モールドを成形することができる。さらに、抵抗
体５を樹脂２０と同一の材料によって形成すると、封止
後には樹脂２０と抵抗体５とが一体となるので、極めて
強固な樹脂モールドが得られる。
設けられた抵抗体５によって、キャビティ１５及び１６
内における樹脂２０の流動抵抗のバランスがとれ、樹脂
２０がフィルムキャリヤ１及び半導体チップ４の上下に
偏りなく注入される。従って、半導体チップ４が上下に
変動したり傾いたりすることを未然に防止することがで
きる。なお、抵抗体５に切欠部５ａが設けられているの
で、樹脂２０は切欠部５ａを通って半導体チップ４の周
囲にも円滑に流動される。また、樹脂２０の注入完了時
には抵抗体５も封止されるので、従来と全く同様な外観
の樹脂モールドを成形することができる。さらに、抵抗
体５を樹脂２０と同一の材料によって形成すると、封止
後には樹脂２０と抵抗体５とが一体となるので、極めて
強固な樹脂モールドが得られる。
【００２１】なお、上記実施例ではフィルムキャリヤ１
に半導体チップ４を搭載したものについて述べたが、導
電性金属材料によって形成されたリードフレームを用
い、このリードフレームに半導体チップを搭載したもの
についても、同様な抵抗体を設けることができる。
に半導体チップ４を搭載したものについて述べたが、導
電性金属材料によって形成されたリードフレームを用
い、このリードフレームに半導体チップを搭載したもの
についても、同様な抵抗体を設けることができる。
【００２２】以上、本発明の一実施例に付き説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、実施例では、半導体チップ側の樹
脂の流動抵抗が小さいので、抵抗体を半導体チップ側で
あるフィルムキャリヤの上面に設けたが、樹脂の流動抵
抗の差異に応じて下面または上下両面に設けてもよい。
また、実施例では抵抗体を四角形枠状としたが、この抵
抗体は様々な形状及び個数に変更してよい。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、実施例では、半導体チップ側の樹
脂の流動抵抗が小さいので、抵抗体を半導体チップ側で
あるフィルムキャリヤの上面に設けたが、樹脂の流動抵
抗の差異に応じて下面または上下両面に設けてもよい。
また、実施例では抵抗体を四角形枠状としたが、この抵
抗体は様々な形状及び個数に変更してよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リード構造体に設けられた抵抗体によって、キャビティ
内における樹脂の流動抵抗のバランスをとることができ
るので、半導体チップの上下変動や傾き等を未然に防止
することができる。従って、リード構造体または半導体
チップの表面露出やリードの変形等がない、極めて安定
した樹脂モールドを成形することができる。そして、抵
抗体も樹脂によって封止されるので、従来と全く同様な
外観の樹脂モールドを成形することができる。また、本
発明によれば、樹脂流動に対する抵抗体をリード構造体
そのものに設けているので、リード構造体及び半導体チ
ップの形状や大きさが様々に異なっても、金型を設計変
更することなく、同一の金型による樹脂封止が可能とな
る。
リード構造体に設けられた抵抗体によって、キャビティ
内における樹脂の流動抵抗のバランスをとることができ
るので、半導体チップの上下変動や傾き等を未然に防止
することができる。従って、リード構造体または半導体
チップの表面露出やリードの変形等がない、極めて安定
した樹脂モールドを成形することができる。そして、抵
抗体も樹脂によって封止されるので、従来と全く同様な
外観の樹脂モールドを成形することができる。また、本
発明によれば、樹脂流動に対する抵抗体をリード構造体
そのものに設けているので、リード構造体及び半導体チ
ップの形状や大きさが様々に異なっても、金型を設計変
更することなく、同一の金型による樹脂封止が可能とな
る。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の樹脂封止工
程を順に示す断面図である。
程を順に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例におけるフィルムキャリヤの平
面図である。
面図である。
【図３】従来の半導体装置の樹脂封止工程を順に示す断
面図である。
面図である。
１ フィルムキャリヤ ２ フィルム基材 ３ リード ４ 半導体チップ ５ 抵抗体 ５ａ 切欠部 １１ 上金型 １２ 下金型 １３、１４ ゲート １５、１６ キャビティ ２０ 樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 リード構造体と、このリード構造体に搭
載された半導体チップとからなり、前記リード構造体が
上金型及び下金型によって挟持され、前記上金型及び下
金型のキャビティ内に注入される樹脂によって前記半導
体チップが樹脂封止される半導体装置において、 樹脂封止時に前記キャビティ内に注入される樹脂の流動
に対する抵抗体を前記リード構造体に設けたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記リード構造体の上下両面のうち前記
半導体チップが搭載された面に前記抵抗体を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記抵抗体が前記樹脂と同一の材料によ
って形成されていることを特徴とする請求項１または２
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記リード構造体が絶縁性のフィルム基
材上に導電性のリードを形成してなるフィルムキャリヤ
であることを特徴とする請求項１、２または３記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 前記リード構造体が導電性材料によって
形成されたリードフレームであることを特徴とする請求
項１、２または３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194890A JPH0621145A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194890A JPH0621145A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621145A true JPH0621145A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16332034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194890A Withdrawn JPH0621145A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492768B1 (en) | 1998-06-05 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having an improved indirectly heated cathode |
| US6614147B2 (en) | 2000-01-11 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having an improved indirectly heated cathode structure |
| JP2011199146A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品の樹脂封止方法およびそれを用いて製造された電子部品封止成形品 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4194890A patent/JPH0621145A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492768B1 (en) | 1998-06-05 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having an improved indirectly heated cathode |
| US6614147B2 (en) | 2000-01-11 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube having an improved indirectly heated cathode structure |
| JP2011199146A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品の樹脂封止方法およびそれを用いて製造された電子部品封止成形品 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |