JPH0484452A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0484452A JPH0484452A JP2197747A JP19774790A JPH0484452A JP H0484452 A JPH0484452 A JP H0484452A JP 2197747 A JP2197747 A JP 2197747A JP 19774790 A JP19774790 A JP 19774790A JP H0484452 A JPH0484452 A JP H0484452A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は下面にコンタクト電極を有する樹脂基板の上面
にＩＣチップを載置し、ＩＣチップを含む樹脂基板を樹
脂封止して成る半導体装置に関するものであり、特に封
止樹脂の流れを規制する構造に関するものである。
にＩＣチップを載置し、ＩＣチップを含む樹脂基板を樹
脂封止して成る半導体装置に関するものであり、特に封
止樹脂の流れを規制する構造に関するものである。
ＩＣチップを樹脂基板上に搭載し、ＩＣチップ及び樹脂
基板を樹脂封止したビングリッドアレイ（以下ＰＧＡと
いう。）やパッドアレイキャリア（以下ＰＡＣという。
基板を樹脂封止したビングリッドアレイ（以下ＰＧＡと
いう。）やパッドアレイキャリア（以下ＰＡＣという。
）は、小型、薄型の半導体装部品として近年広く普及し
ている。特にＰＧＡはコンピューター等の交換用メモリ
ーとして広（採用されており、又、ＰＡＣは携帯用小型
電子機器の実装部品として広（採用されている。
ている。特にＰＧＡはコンピューター等の交換用メモリ
ーとして広（採用されており、又、ＰＡＣは携帯用小型
電子機器の実装部品として広（採用されている。
ここでＰＧＡを従来例として樹脂封止型半導体装置の構
造を説明する。
造を説明する。
第８図は樹脂封止型ＰＧＡの断面図、第９図は樹脂封止
する金型の要部断面図、第１０図は樹脂基板の下面図、
第１１図は樹脂基板の断面図、第１２図は第９図Ａ部の
拡大断面図を示す。
する金型の要部断面図、第１０図は樹脂基板の下面図、
第１１図は樹脂基板の断面図、第１２図は第９図Ａ部の
拡大断面図を示す。
第８図に示すごとくコンタクトビン１を下面に有する樹
脂基板２の上面にＩＣチップ３を載置した後、トランス
ファーモールドによりＩＣチップ６を含む樹脂基板２の
上面全体及び側面を被覆し封止樹脂層４を形成する。６
はＰＧＡ装置との脱着を容易にするための高さ規制用の
段を有するスタンドビンである。
脂基板２の上面にＩＣチップ３を載置した後、トランス
ファーモールドによりＩＣチップ６を含む樹脂基板２の
上面全体及び側面を被覆し封止樹脂層４を形成する。６
はＰＧＡ装置との脱着を容易にするための高さ規制用の
段を有するスタンドビンである。
上記した樹脂封止型ＰＧＡｃＩ）↓遣方法を第９図にも
とづいて説明する。
とづいて説明する。
コンタクトビン１を下面側に有する樹脂基板２の上面に
ＩＣチップ３を実装したＰＧＡを前記コンタクトビン１
の透穴８を有する下金型７に圧入固定する。次にＰＧＡ
を圧入固定した下金型Ｚ上に上金型１１を被せることに
よってＰＧＡの上面及び側面に空隙が形成される。然る
後樹脂ゲート１０より封止樹脂を圧力を伴って注入し、
封止樹脂層４をトランスファーモールドし、樹脂が硬化
しだ後ＰＧＡを取り出して樹脂ゲート１０部分の余分な
樹脂を切落すことにより樹脂封止型ＰＧＡを完成させる
。
ＩＣチップ３を実装したＰＧＡを前記コンタクトビン１
の透穴８を有する下金型７に圧入固定する。次にＰＧＡ
を圧入固定した下金型Ｚ上に上金型１１を被せることに
よってＰＧＡの上面及び側面に空隙が形成される。然る
後樹脂ゲート１０より封止樹脂を圧力を伴って注入し、
封止樹脂層４をトランスファーモールドし、樹脂が硬化
しだ後ＰＧＡを取り出して樹脂ゲート１０部分の余分な
樹脂を切落すことにより樹脂封止型ＰＧＡを完成させる
。
しかし前記樹脂基板２は湿潤性を有するため、第１０図
に示すごと（、その下面側にダミーパターン１４及びそ
れを保護する絶縁コート１５を形成するが、そのため第
１１図に示すごとく下面側は、中央部と端部に断差が生
じる。このため、第１２図に示すごとく、下金型７と樹
脂基板２の外周部に空隙２０が生じ、封止樹脂の注入時
にその圧力により封止樹脂層４がその空隙２０を通って
下金型７の透穴８や樹脂基板２の下面側に流れ出し、外
観上及び樹脂上著しく問題があった。
に示すごと（、その下面側にダミーパターン１４及びそ
れを保護する絶縁コート１５を形成するが、そのため第
１１図に示すごとく下面側は、中央部と端部に断差が生
じる。このため、第１２図に示すごとく、下金型７と樹
脂基板２の外周部に空隙２０が生じ、封止樹脂の注入時
にその圧力により封止樹脂層４がその空隙２０を通って
下金型７の透穴８や樹脂基板２の下面側に流れ出し、外
観上及び樹脂上著しく問題があった。
そこで本出願人は上記問題点を解決する手段を特開平１
−１６９９５３号公報に提案しており、それを図面に基
づいて説明する。
−１６９９５３号公報に提案しており、それを図面に基
づいて説明する。
第１３図は樹脂基板の下面図、第１４図はその断面図、
第１５図は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前述の第
１Ｏ図、第１１図及び第１２図に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。
第１５図は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前述の第
１Ｏ図、第１１図及び第１２図に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。
すなわち、第１３図において第１０図と異る部分は樹脂
基板２の下面外周部に枠パターン１２と、絶縁コート１
３とによる枠３ｏを設けることにより、第１４図に示す
ごとく外周部の枠３ｏと中央部のダミーパターン１４上
の絶縁コート１５とが同じ高さとなるようにしている。
基板２の下面外周部に枠パターン１２と、絶縁コート１
３とによる枠３ｏを設けることにより、第１４図に示す
ごとく外周部の枠３ｏと中央部のダミーパターン１４上
の絶縁コート１５とが同じ高さとなるようにしている。
次に第１５図により本発明のＰＧＡのインサートモール
ドを前記第１２図に示す従来例との対応によって説明す
る。
ドを前記第１２図に示す従来例との対応によって説明す
る。
すなわち金型内に於いて下金型７に圧入固定された樹脂
基板２の下面は前述のごとく外周部の枠３０と中央部の
絶縁コート１５とが同じ高さになっているため前記樹脂
基板２の外周部の空隙２゜が存在しなくなる。
基板２の下面は前述のごとく外周部の枠３０と中央部の
絶縁コート１５とが同じ高さになっているため前記樹脂
基板２の外周部の空隙２゜が存在しなくなる。
従って加圧注入された封止樹脂層４は枠３ｏによって阻
止されることにより透穴８や、樹脂基板２の下面側への
流入が無くなる。
止されることにより透穴８や、樹脂基板２の下面側への
流入が無くなる。
上記構成によれば、封止樹脂の流れ止めとじて充分な効
果を発揮するが、上記構成では、通常の配線パターンの
他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹脂基
板が大きくなりてしまう。
果を発揮するが、上記構成では、通常の配線パターンの
他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹脂基
板が大きくなりてしまう。
又、ダミーパターンは配線パターンを形成すると同時に
形成することができるが、その厚味はそれ程厚くないの
で、ダミーパターンの上には更に絶縁コートを設ける必
要があった。そのため従来より製造工程が増えてコスト
アップになるという問題があった。
形成することができるが、その厚味はそれ程厚くないの
で、ダミーパターンの上には更に絶縁コートを設ける必
要があった。そのため従来より製造工程が増えてコスト
アップになるという問題があった。
本発明の目的は、上記の如き問題点を解決し、特別な部
材を用いずに封止樹脂の流れを規制することができる樹
脂封止型半導体装置を提供することである。
材を用いずに封止樹脂の流れを規制することができる樹
脂封止型半導体装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するための本発明の構成は、下面側に
複数のコンタクト電極を有するとともに、上面側に該コ
ンタクト電極を電気的に導くためのスルーホール電極を
有する樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に載置されると
ともに、前記スルーホール電極を介して前記コンタクト
電極と電気的に接続されるＩＣチップと、該ＩＣチップ
を含む前記樹脂基板の上面、側面及び下面の一部をモー
ルドする封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記樹脂基板の下面側には、前記コンタクト電極
と該下面側の外周部のみを露呈するようにレジストを形
成しており、該レジストの外周部によって前記樹脂基板
の下面側をモールドする封止樹脂の流れを規制するよう
に構成したことを特徴としている。
複数のコンタクト電極を有するとともに、上面側に該コ
ンタクト電極を電気的に導くためのスルーホール電極を
有する樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に載置されると
ともに、前記スルーホール電極を介して前記コンタクト
電極と電気的に接続されるＩＣチップと、該ＩＣチップ
を含む前記樹脂基板の上面、側面及び下面の一部をモー
ルドする封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記樹脂基板の下面側には、前記コンタクト電極
と該下面側の外周部のみを露呈するようにレジストを形
成しており、該レジストの外周部によって前記樹脂基板
の下面側をモールドする封止樹脂の流れを規制するよう
に構成したことを特徴としている。
又、スルーホール電極には樹脂基板の上面側から封止樹
脂が充填されていることを特徴としている。
脂が充填されていることを特徴としている。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の第一実施例を示すバンドアレイキャリア（
ＰＡＣ）の断面図、第２図（ａ）は本発明の第二実施例
を示すＰＡＣの平面図、第２図ｔｂ）は第２図（ａ）の
要部断面図である。
図は本発明の第一実施例を示すバンドアレイキャリア（
ＰＡＣ）の断面図、第２図（ａ）は本発明の第二実施例
を示すＰＡＣの平面図、第２図ｔｂ）は第２図（ａ）の
要部断面図である。
第１図において、６１は樹脂基板であり、表面側にはリ
ード電極３６が形成されるとともに、リード電極６６に
ワイヤーボンディングされたＩＣチップ６５が搭載され
ている。リード電極３６は樹脂基板３１を貫通するスル
ーホール電極６４を介して裏面側のリード電極６２と電
気的に接続されている。樹脂基板３１の裏面側には、リ
ード電極３２の一部分のみが露呈するようにシート状の
レジスト３８が設げられている。リード電極６２の露呈
した部分はコンタクト電極として使用され、このコンタ
クト電極６２にはノ・ンダポールを入れてリフローする
ことにより電極３７が形成されている。６６は封止樹脂
であり、ＩＣチップ３５を含む樹脂基板６１の上面と側
面を封止している。
ード電極３６が形成されるとともに、リード電極６６に
ワイヤーボンディングされたＩＣチップ６５が搭載され
ている。リード電極３６は樹脂基板３１を貫通するスル
ーホール電極６４を介して裏面側のリード電極６２と電
気的に接続されている。樹脂基板３１の裏面側には、リ
ード電極３２の一部分のみが露呈するようにシート状の
レジスト３８が設げられている。リード電極６２の露呈
した部分はコンタクト電極として使用され、このコンタ
クト電極６２にはノ・ンダポールを入れてリフローする
ことにより電極３７が形成されている。６６は封止樹脂
であり、ＩＣチップ３５を含む樹脂基板６１の上面と側
面を封止している。
更に封止樹脂６６は樹脂基板６１の上面からスルーホー
ル電極６４内に充填されており、これにより封止樹脂６
６と樹脂基板６１との密着力を高めている。
ル電極６４内に充填されており、これにより封止樹脂６
６と樹脂基板６１との密着力を高めている。
次に本発明の第二実施例を第２図（ａ）、（ｂ）に基づ
いて説明する。尚以下の実施例において、第１図と同一
の構成要素には同じ番号を付け、その説明を省略する。
いて説明する。尚以下の実施例において、第１図と同一
の構成要素には同じ番号を付け、その説明を省略する。
第一実施例と本実施例の異なる部分は、レジスト３８の
外形の大きさである。即ち、本実施例では第２図（ａ）
、（ｂ）に示す如く、レジスト３８は、電極６７と樹脂
基板６１の下面側外周部を露呈するように形成されてお
り、封止樹脂６６は樹脂基板３１の下面外周部も覆うよ
うに形成されている。
外形の大きさである。即ち、本実施例では第２図（ａ）
、（ｂ）に示す如く、レジスト３８は、電極６７と樹脂
基板６１の下面側外周部を露呈するように形成されてお
り、封止樹脂６６は樹脂基板３１の下面外周部も覆うよ
うに形成されている。
次に上記第二実施例に示したＰＡＣの製造方法を説明す
る。第３図は樹脂基板３１を樹脂モールド用の下金型３
９へ入れた状態を示す平面図、第４図は金型へ封止樹脂
を注入する状態を示す断面図である。第３図において、
６９はモールド用の下金型であり、封止形状を決めるキ
ャビティー３９ａと、キャビティー３９ａに封止樹脂６
６を導くためのゲート溝３９Ｃが形成されている。樹脂
基板６１はその四つ角に位置決め用の突起３１ａが形成
されており、この突起３１ａがキャビティー３９ａの四
隅に係合している。そして第４図に示す如（下金型６９
の上面に上金型４０が載置され、上金型４０とゲート溝
３９Ｃの間に形成されるゲート４１を通してキャビティ
ー３９８内に封止樹脂６６が充填されている。封止樹脂
３６は樹脂基板６１の上面、側面及び下面を覆うように
流れ込むが、下面側はレジスト６８によって流れが規制
され、樹脂基板３１の外周部のみを覆うように構成され
ている。更に封止樹脂６６はスルーホール電極６４にも
充填されているので、樹脂基板６１とより強力に密着し
ている。
る。第３図は樹脂基板３１を樹脂モールド用の下金型３
９へ入れた状態を示す平面図、第４図は金型へ封止樹脂
を注入する状態を示す断面図である。第３図において、
６９はモールド用の下金型であり、封止形状を決めるキ
ャビティー３９ａと、キャビティー３９ａに封止樹脂６
６を導くためのゲート溝３９Ｃが形成されている。樹脂
基板６１はその四つ角に位置決め用の突起３１ａが形成
されており、この突起３１ａがキャビティー３９ａの四
隅に係合している。そして第４図に示す如（下金型６９
の上面に上金型４０が載置され、上金型４０とゲート溝
３９Ｃの間に形成されるゲート４１を通してキャビティ
ー３９８内に封止樹脂６６が充填されている。封止樹脂
３６は樹脂基板６１の上面、側面及び下面を覆うように
流れ込むが、下面側はレジスト６８によって流れが規制
され、樹脂基板３１の外周部のみを覆うように構成され
ている。更に封止樹脂６６はスルーホール電極６４にも
充填されているので、樹脂基板６１とより強力に密着し
ている。
上記製造方法は本発明の第二実施例を示すが、第一実施
例はレジスト６８の大きさが異なるのみで、そのモール
ド方法は同じである。
例はレジスト６８の大きさが異なるのみで、そのモール
ド方法は同じである。
次に本発明によるＰＡＣの他の製造方法を説明する。前
述の製造方法では、ＰＡＣを個々にモールドする方法を
示したが、以下に複数個のＰＡＣを同時にモールドする
製造方法を説明する。
述の製造方法では、ＰＡＣを個々にモールドする方法を
示したが、以下に複数個のＰＡＣを同時にモールドする
製造方法を説明する。
第５図は複数個のＩＣチップ６５を搭載した短冊状の樹
脂基板６１を示しており、ＩＣチップ６５の周囲４辺に
はそれぞれ穴３１ｂが形成されている。この樹脂基板３
１を金型にセットした状態を第６図の断面図に示す。図
において６９は下金型であり、キャビティー３９８と１
突起６９６が形成されている。下金型３９のキャビティ
ー３９ａには樹脂基板６１のＩＣチップ３５搭載部分が
収納されるとともに、穴３１ｂが突起３９ｂの外側に係
合する。そして樹脂基板３１と突起３９ｂの間には隙間
４３を形成する。更に樹脂基板６１の上にはキャビティ
ープレート４２が載置されている。第７図に示す如く、
キャビティープレート４２には、封止形状を決めるキャ
ビティー４２ａと、封止樹脂をキャビティー４２ａに導
くためのゲート溝４２ｂと、位置決め穴４２Ｃが形成さ
れている。キャビティー４２ａは下型６９のキャビティ
ー３９ａと同じ形状をしており、位置決めビン（図示せ
ず）に位置決め穴４２Ｃをセットしたときに両キャビテ
ィーが一致するようになっている。そして最後に上金型
４０が搭載されている。この状態でゲート溝４２ｂから
封止樹脂３６をキャビティー４２ａ、３９ａ内に充填す
ることにより、ＩＣチップ６５、樹脂基板６１の上面、
側面、下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹
脂基板６１の下面にはレジスト６８が形成されているの
で、レジスト３８の外周部により封止樹脂３６の流れが
規制され、不必要な封止樹脂６６の流れを防止すること
ができる。
脂基板６１を示しており、ＩＣチップ６５の周囲４辺に
はそれぞれ穴３１ｂが形成されている。この樹脂基板３
１を金型にセットした状態を第６図の断面図に示す。図
において６９は下金型であり、キャビティー３９８と１
突起６９６が形成されている。下金型３９のキャビティ
ー３９ａには樹脂基板６１のＩＣチップ３５搭載部分が
収納されるとともに、穴３１ｂが突起３９ｂの外側に係
合する。そして樹脂基板３１と突起３９ｂの間には隙間
４３を形成する。更に樹脂基板６１の上にはキャビティ
ープレート４２が載置されている。第７図に示す如く、
キャビティープレート４２には、封止形状を決めるキャ
ビティー４２ａと、封止樹脂をキャビティー４２ａに導
くためのゲート溝４２ｂと、位置決め穴４２Ｃが形成さ
れている。キャビティー４２ａは下型６９のキャビティ
ー３９ａと同じ形状をしており、位置決めビン（図示せ
ず）に位置決め穴４２Ｃをセットしたときに両キャビテ
ィーが一致するようになっている。そして最後に上金型
４０が搭載されている。この状態でゲート溝４２ｂから
封止樹脂３６をキャビティー４２ａ、３９ａ内に充填す
ることにより、ＩＣチップ６５、樹脂基板６１の上面、
側面、下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹
脂基板６１の下面にはレジスト６８が形成されているの
で、レジスト３８の外周部により封止樹脂３６の流れが
規制され、不必要な封止樹脂６６の流れを防止すること
ができる。
尚、上記の説明ではＰＡＣを実施例として説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、ＰＧＡ
等の他の半導体装置にも利用することができる。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、ＰＧＡ
等の他の半導体装置にも利用することができる。
以上の説明で明らかな如く本発明によれば、樹脂封止型
半導体装置において、樹脂基板の下面側に形成されたコ
ンタクト電極と、該樹脂基板の下面側外周部のみを露呈
するようにレジストを形成しており、該レジストの外周
部によって封止樹脂の流れ規制しているので、不必要な
封止樹脂が樹脂基板の下面に流れ込むのを防止すること
ができる。
半導体装置において、樹脂基板の下面側に形成されたコ
ンタクト電極と、該樹脂基板の下面側外周部のみを露呈
するようにレジストを形成しており、該レジストの外周
部によって封止樹脂の流れ規制しているので、不必要な
封止樹脂が樹脂基板の下面に流れ込むのを防止すること
ができる。
又、スルーホール電極の穴に封止樹脂を充填することに
より、樹脂基板と封止樹脂の密着力を一層高めることが
できる。
より、樹脂基板と封止樹脂の密着力を一層高めることが
できる。
第１図は本発明の第一実施例を示すＰＡＣの断面図、第
２図（ａ）は本発明の第二実施例を示すＰＡＣの平面図
、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の要部断面図、第３図は
樹脂基板を下金型へ入れた状態を示す平面図、第４図は
金型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図、第５図は
短冊状の樹脂基板を示す平面図、第６図は第５図の樹脂
基板を金型にセットした状態を示す断面図、第７図はキ
ャビティープレートの外観図、第８図は従来のＰＧＡを
示す断面図、第９図は従来のＰＧＡの製造方法を示す断
面図、第１０図は従来の樹脂基板の平面図、第１１図は
第１０図の断面図、第１２図は第９図の部分拡大図、第
１３図は従来の他の樹脂基板を示す平面図、第１４図は
第１３図の断面図、第１５図は従来の他のＰＧＡの製造
方法を示す要部断面図である。 ６１・・・・・・樹脂基板、 ６２．６６・・・・・・リード電極、 ６４・・・・・・スルーホール電極、 ３５・・・・・・ＩＣチップ、 ３６・・・・・・封止樹脂、 ６７・・・・・・コンタクト電極、 ３８・・・・・・レジスト。 第 ！ 図 第 図 第 図 第 ２ ｇ （ａ） （ｂ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図
２図（ａ）は本発明の第二実施例を示すＰＡＣの平面図
、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の要部断面図、第３図は
樹脂基板を下金型へ入れた状態を示す平面図、第４図は
金型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図、第５図は
短冊状の樹脂基板を示す平面図、第６図は第５図の樹脂
基板を金型にセットした状態を示す断面図、第７図はキ
ャビティープレートの外観図、第８図は従来のＰＧＡを
示す断面図、第９図は従来のＰＧＡの製造方法を示す断
面図、第１０図は従来の樹脂基板の平面図、第１１図は
第１０図の断面図、第１２図は第９図の部分拡大図、第
１３図は従来の他の樹脂基板を示す平面図、第１４図は
第１３図の断面図、第１５図は従来の他のＰＧＡの製造
方法を示す要部断面図である。 ６１・・・・・・樹脂基板、 ６２．６６・・・・・・リード電極、 ６４・・・・・・スルーホール電極、 ３５・・・・・・ＩＣチップ、 ３６・・・・・・封止樹脂、 ６７・・・・・・コンタクト電極、 ３８・・・・・・レジスト。 第 ！ 図 第 図 第 図 第 ２ ｇ （ａ） （ｂ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）下面側に複数のコンタクト電極を有するとともに
、上面側に該コンタクト電極を電気的に導くためのスル
ーホール電極を有する樹脂基板と、該樹脂基板の上面側
に載置されるとともに、前記スルーホール電極を介して
前記コンタクト電極と電気的に接続されるＩＣチップと
、該ＩＣチップを含む前記樹脂基板の上面、側面及び下
面の一部をモールドする封止樹脂とからなる樹脂封止型
半導体装置において、前記樹脂基板の下面側には、前記
コンタクト電極と該下面側の外周部のみを露呈するよう
にレジストを形成しており、該レジストの外周部によっ
て前記樹脂基板の下面側をモールドする封止樹脂の流れ
を規制するように構成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - （２）スルーホール電極には樹脂基板の上面側から封止
樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１記載の
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197747A JPH0484452A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197747A JPH0484452A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19532897A Division JP3197847B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP19532997A Division JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484452A true JPH0484452A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16379671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197747A Pending JPH0484452A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484452A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298297A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-11-12 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体パッケージの実装方法 |
| WO1998025302A1 (fr) * | 1996-12-04 | 1998-06-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs obture a la resine, fabrication dudit dispositif |
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
| KR100214522B1 (ko) * | 1996-11-26 | 1999-08-02 | 구본준 | 버텀 리드형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2002222998A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体素子 |
| US7795545B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-09-14 | Denso Corporation | Hot melt water-resistant structure |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP2197747A patent/JPH0484452A/ja active Pending
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| US6459145B1 (en) | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
| US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
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| US6285087B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-09-04 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin-shield type semiconductor device |
| JP2002222998A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体素子 |
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