JP3073467B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- electrode
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は下面にコンタクト電
極を有する樹脂基板の上面にＩＣチップを載置し、ＩＣ
チップを含む樹脂基板を樹脂封止して成る半導体装置に
関するものである。
極を有する樹脂基板の上面にＩＣチップを載置し、ＩＣ
チップを含む樹脂基板を樹脂封止して成る半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを樹脂基板上に搭載し、ＩＣ
チップ及び樹脂基板を樹脂封止したピングリッドアレイ
（以下ＰＧＡという。）やパッドアレイキャリア（以下
ＰＡＣという。）は、小型、薄型の半導体実装部品とし
て近年広く普及している。特にＰＧＡはコンピューター
等の交換用メモリーとして広く採用されており、又、Ｐ
ＡＣは携帯用小型電子機器の実装部品として広く採用さ
れている。
チップ及び樹脂基板を樹脂封止したピングリッドアレイ
（以下ＰＧＡという。）やパッドアレイキャリア（以下
ＰＡＣという。）は、小型、薄型の半導体実装部品とし
て近年広く普及している。特にＰＧＡはコンピューター
等の交換用メモリーとして広く採用されており、又、Ｐ
ＡＣは携帯用小型電子機器の実装部品として広く採用さ
れている。
【０００３】ここでＰＧＡを従来例として樹脂封止型半
導体装置の構造を説明する。図８は樹脂封止型ＰＧＡの
断面図、図９は樹脂封止する金型の要部断面図、図１０
は樹脂基板の下面図、図１１は樹脂基板の断面図、図１
２は図９Ａ部の拡大断面図を示す。図８に示すごとくコ
ンタクトピン１を下面に有する樹脂基板２の上面にＩＣ
チップ３を載置した後、トランスファーモールドにより
ＩＣチップ３を含む樹脂基板２の上面全体及び側面を被
覆し封止樹脂層４を形成する。６はＰＧＡ装置との脱着
を容易にするための高さ規制用の段を有するスタンドピ
ンである。上記した樹脂封止型ＰＧＡの製造方法を図９
にもとづいて説明する。コンタクトピン１を下面側に有
する樹脂基板２の上面にＩＣチップ３を実装したＰＧＡ
を、前記コンタクトピン１の逃穴８を有する下金型７に
圧入固定する。次にＰＧＡを圧入固定した下金型７上に
上金型１１を被せることによってＰＧＡの上面及び側面
に空隙が形成される。然る後樹脂ゲート１０より封止樹
脂を圧力を伴って注入し、封止樹脂層４をトランスファ
ーモールドし、樹脂が硬化した後ＰＧＡを取り出して樹
脂ゲート１０部分の余分な樹脂を切落すことにより樹脂
封止型ＰＧＡを完成させる。
導体装置の構造を説明する。図８は樹脂封止型ＰＧＡの
断面図、図９は樹脂封止する金型の要部断面図、図１０
は樹脂基板の下面図、図１１は樹脂基板の断面図、図１
２は図９Ａ部の拡大断面図を示す。図８に示すごとくコ
ンタクトピン１を下面に有する樹脂基板２の上面にＩＣ
チップ３を載置した後、トランスファーモールドにより
ＩＣチップ３を含む樹脂基板２の上面全体及び側面を被
覆し封止樹脂層４を形成する。６はＰＧＡ装置との脱着
を容易にするための高さ規制用の段を有するスタンドピ
ンである。上記した樹脂封止型ＰＧＡの製造方法を図９
にもとづいて説明する。コンタクトピン１を下面側に有
する樹脂基板２の上面にＩＣチップ３を実装したＰＧＡ
を、前記コンタクトピン１の逃穴８を有する下金型７に
圧入固定する。次にＰＧＡを圧入固定した下金型７上に
上金型１１を被せることによってＰＧＡの上面及び側面
に空隙が形成される。然る後樹脂ゲート１０より封止樹
脂を圧力を伴って注入し、封止樹脂層４をトランスファ
ーモールドし、樹脂が硬化した後ＰＧＡを取り出して樹
脂ゲート１０部分の余分な樹脂を切落すことにより樹脂
封止型ＰＧＡを完成させる。
【０００４】しかし前記樹脂基板２は湿潤性を有するた
め、図１０に示すごとく、その下面側にダミーパターン
１４及びそれを保護する絶縁コート１５を形成するが、
そのため図１１に示すごとく下面側は、中央部と端部に
段差が生じる。このため、図１２に示すごとく、下金型
７と樹脂基板２の外周部に空隙２０が生じ、封止樹脂の
注入時にその圧力により封止樹脂層４がその空隙２０を
通って下金型７の逃穴８や樹脂基板２の下面側に流れ出
し、外観上及び封止上著しく問題があった。そこで本出
願人は上記問題点を解決する手段を特開平１−１６９９
５３号公報に提案しており、それを図面に基づいて説明
する。
め、図１０に示すごとく、その下面側にダミーパターン
１４及びそれを保護する絶縁コート１５を形成するが、
そのため図１１に示すごとく下面側は、中央部と端部に
段差が生じる。このため、図１２に示すごとく、下金型
７と樹脂基板２の外周部に空隙２０が生じ、封止樹脂の
注入時にその圧力により封止樹脂層４がその空隙２０を
通って下金型７の逃穴８や樹脂基板２の下面側に流れ出
し、外観上及び封止上著しく問題があった。そこで本出
願人は上記問題点を解決する手段を特開平１−１６９９
５３号公報に提案しており、それを図面に基づいて説明
する。
【０００５】図１３は樹脂基板の下面図、図１４はその
断面図、図１５は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前
述の図１０、図１１及び図１２に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。すなわ
ち、図１３において図１０と異なる部分は樹脂基板２の
下面外周に枠パターン１２と、絶縁コート１３とによる
枠３０を設けることにより、図１４に示すごとく外周部
の枠３０と中央部のダミーパターン１４上の絶縁コート
１５とが同じ高さとなるようにしている。次に図１５に
より本発明のＰＧＡのインサートモールドを前記図１２
に示す従来例との対応によって説明する。すなわち金型
内に於いて下金型７に圧入固定された樹脂基板２の下面
は前述のごとく外周部の枠３０と中央部の絶縁コート１
５とが同じ高さになっているため前記樹脂基板２の外周
部の空隙２０が存在しなくなる。従って加圧注入された
封止樹脂層４は枠３０によって阻止されることにより逃
穴８や、樹脂基板２の下面側への流入が無くなる。
断面図、図１５は金型の部分拡大断面図で、それぞれ前
述の図１０、図１１及び図１２に対応するものであり、
同一要素には同一番号を付し説明を省略する。すなわ
ち、図１３において図１０と異なる部分は樹脂基板２の
下面外周に枠パターン１２と、絶縁コート１３とによる
枠３０を設けることにより、図１４に示すごとく外周部
の枠３０と中央部のダミーパターン１４上の絶縁コート
１５とが同じ高さとなるようにしている。次に図１５に
より本発明のＰＧＡのインサートモールドを前記図１２
に示す従来例との対応によって説明する。すなわち金型
内に於いて下金型７に圧入固定された樹脂基板２の下面
は前述のごとく外周部の枠３０と中央部の絶縁コート１
５とが同じ高さになっているため前記樹脂基板２の外周
部の空隙２０が存在しなくなる。従って加圧注入された
封止樹脂層４は枠３０によって阻止されることにより逃
穴８や、樹脂基板２の下面側への流入が無くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記構成によれば、封
止樹脂の流れ止めとして充分な効果を発揮するが、樹脂
基板に対する封止樹脂の密着力が不充分であり、信頼性
上問題があった。また上記構成では、通常の配線パター
ンの他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹
脂基板が大きくなってしまう。近年、半導体装置は小
型、薄型化が進む中で、基板が大型化すること、また半
導体装置全体の総厚を厚くすることは避けなければなら
ない。しかしながらＰＧＡは前述の如く樹脂基板が大き
くなる問題があり、また外部とのコンタクト端子として
長いコンタクトピン１を使用するので、コンタクトピン
１と樹脂基板２を係合するために厚い樹脂基板が必要と
なり、半導体装置として薄型化が難しい構造となってい
る。本発明の目的は、上記の如き問題点を解決し、小型
で且つ薄型が可能で、樹脂基板に対する封止樹脂の密着
力を高めた樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。
止樹脂の流れ止めとして充分な効果を発揮するが、樹脂
基板に対する封止樹脂の密着力が不充分であり、信頼性
上問題があった。また上記構成では、通常の配線パター
ンの他にダミーパターンを形成するため、その分だけ樹
脂基板が大きくなってしまう。近年、半導体装置は小
型、薄型化が進む中で、基板が大型化すること、また半
導体装置全体の総厚を厚くすることは避けなければなら
ない。しかしながらＰＧＡは前述の如く樹脂基板が大き
くなる問題があり、また外部とのコンタクト端子として
長いコンタクトピン１を使用するので、コンタクトピン
１と樹脂基板２を係合するために厚い樹脂基板が必要と
なり、半導体装置として薄型化が難しい構造となってい
る。本発明の目的は、上記の如き問題点を解決し、小型
で且つ薄型が可能で、樹脂基板に対する封止樹脂の密着
力を高めた樹脂封止型半導体装置を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の構成は、上面側にはＩＣチップと接続する
ためのリード電極を形成するとともに、下面側には複数
の列を成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面
側のリード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホ
ール電極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上
面側に搭載したＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
とともに、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール
電極内に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に
形成したハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前
記スルーホール電極から離れた位置に設けており、前記
樹脂基板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジ
ストを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置で
ある。
めの本発明の構成は、上面側にはＩＣチップと接続する
ためのリード電極を形成するとともに、下面側には複数
の列を成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面
側のリード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホ
ール電極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上
面側に搭載したＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
とともに、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール
電極内に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に
形成したハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前
記スルーホール電極から離れた位置に設けており、前記
樹脂基板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジ
ストを設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置で
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の第一実施の形態を
示すパッドアレイキャリア（ＰＡＣ）の断面図、図２
（ａ）は本発明の第二実施の形態を示すＰＡＣの平面
図、図２（ｂ）は図２の要部断面図である。図１におい
て、３１は樹脂基板であり、表面側にはリード電極３３
が形成されるとともに、リード電極３３にワイヤーボン
ディングされたＩＣチップ３５が搭載されている。リー
ド電極３３は樹脂基板３１を貫通するスルーホール電極
３４を介して裏面側のリード電極３２と電気的に接続さ
れている。樹脂基板３１の裏面側には、スルーホール電
極３４から離れた位置にリード電極３２の一部分のみが
露呈するように、シート状のレジスト３８が設けられて
いる。リード電極３２の露呈した部分はコンタクト電極
３２ａとして使用され、複数の列を成して形成されると
ともに、このコンタクト電極３２ａにはハンダボールを
入れてリフローすることにより電極３７が形成されてい
る。即ち、コンタクト電極３２ａはリード電極３２を介
してスルーホール電極３４に接続し、ハンダ電極はスル
ーホール電極３４から離れて形成されているので、リフ
ロー時に溶融したハンダがスルーホール電極３４内に流
れ込むことがない。それによりハンダ電極の高さを一定
に保つことができ、ＰＡＣを他の回路基板に実装すると
きの接続信頼性を向上できるものである。３６は封止樹
脂であり、ＩＣチップ３５を含む樹脂基板３１の上面と
側面を封止している。更に封止樹脂３６は樹脂基板３１
の上面からスルーホール電極３４内に充填されており、
これにより封止樹脂３６と樹脂基板３１との密着力を高
めている。また前述の如く樹脂基板３１の裏面側には、
スルーホール電極３４から離れた位置にリード電極３２
の一部分のみが露呈するように、シート状のレジスト３
８が設けられ、スルーホール電極３４はレジスト３８で
覆われるので、封止樹脂３６がスルーホール電極３４か
ら漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなくな
る。
に基づいて説明する。図１は本発明の第一実施の形態を
示すパッドアレイキャリア（ＰＡＣ）の断面図、図２
（ａ）は本発明の第二実施の形態を示すＰＡＣの平面
図、図２（ｂ）は図２の要部断面図である。図１におい
て、３１は樹脂基板であり、表面側にはリード電極３３
が形成されるとともに、リード電極３３にワイヤーボン
ディングされたＩＣチップ３５が搭載されている。リー
ド電極３３は樹脂基板３１を貫通するスルーホール電極
３４を介して裏面側のリード電極３２と電気的に接続さ
れている。樹脂基板３１の裏面側には、スルーホール電
極３４から離れた位置にリード電極３２の一部分のみが
露呈するように、シート状のレジスト３８が設けられて
いる。リード電極３２の露呈した部分はコンタクト電極
３２ａとして使用され、複数の列を成して形成されると
ともに、このコンタクト電極３２ａにはハンダボールを
入れてリフローすることにより電極３７が形成されてい
る。即ち、コンタクト電極３２ａはリード電極３２を介
してスルーホール電極３４に接続し、ハンダ電極はスル
ーホール電極３４から離れて形成されているので、リフ
ロー時に溶融したハンダがスルーホール電極３４内に流
れ込むことがない。それによりハンダ電極の高さを一定
に保つことができ、ＰＡＣを他の回路基板に実装すると
きの接続信頼性を向上できるものである。３６は封止樹
脂であり、ＩＣチップ３５を含む樹脂基板３１の上面と
側面を封止している。更に封止樹脂３６は樹脂基板３１
の上面からスルーホール電極３４内に充填されており、
これにより封止樹脂３６と樹脂基板３１との密着力を高
めている。また前述の如く樹脂基板３１の裏面側には、
スルーホール電極３４から離れた位置にリード電極３２
の一部分のみが露呈するように、シート状のレジスト３
８が設けられ、スルーホール電極３４はレジスト３８で
覆われるので、封止樹脂３６がスルーホール電極３４か
ら漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなくな
る。
【０００９】次に本発明の第二実施の形態を図２
（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。尚以下の実施の形
態において、図１と同一の構成要素には同じ番号を付
け、その説明を省略する。第一実施の形態と本実施の形
態の異なる部分は、レジスト３８の外形の大きさであ
る。即ち、本実施の形態では図２（ａ）、（ｂ）に示す
如く、レジスト３８は、電極３７と樹脂基板３１の下面
側外周部を露呈するように形成されており、封止樹脂３
６は樹脂基板３１の下面外周部も覆うように形成されて
いる。
（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。尚以下の実施の形
態において、図１と同一の構成要素には同じ番号を付
け、その説明を省略する。第一実施の形態と本実施の形
態の異なる部分は、レジスト３８の外形の大きさであ
る。即ち、本実施の形態では図２（ａ）、（ｂ）に示す
如く、レジスト３８は、電極３７と樹脂基板３１の下面
側外周部を露呈するように形成されており、封止樹脂３
６は樹脂基板３１の下面外周部も覆うように形成されて
いる。
【００１０】次に上記第二実施の形態に示したＰＡＣの
製造方法を説明する。図３は樹脂基板３１を樹脂モール
ド用の下金型３９へ入れた状態を示す平面図、図４は金
型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図である。図３
において、３９はモールド用の下金型であり、封止形状
を決めるキャビティー３９ａと、キャビティー３９ａに
封止樹脂３６を導くためのゲート溝３９ｃが形成されて
いる。樹脂基板３１はその四つ角に位置決め用の突起３
１ａが形成されており、この突起３１ａがキャビティー
３９ａの四隅に係合している。そして図４に示す如く下
金型３９の上面に上金型４０が載置され、上金型４０と
ゲート溝３９ｃの間に形成されるゲート４１を通してキ
ャビティー３９ａ内に封止樹脂３６が充填されている。
封止樹脂３６は樹脂基板３１の上面、側面及び下面を覆
うように流れ込むが、下面側はレジスト３８によって流
れが規制され、樹脂基板３１の外周部のみを覆うように
構成されている。更に封止樹脂３６はスルーホール電極
３４にも充填されているので、樹脂基板３１とより強力
に密着している。
製造方法を説明する。図３は樹脂基板３１を樹脂モール
ド用の下金型３９へ入れた状態を示す平面図、図４は金
型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図である。図３
において、３９はモールド用の下金型であり、封止形状
を決めるキャビティー３９ａと、キャビティー３９ａに
封止樹脂３６を導くためのゲート溝３９ｃが形成されて
いる。樹脂基板３１はその四つ角に位置決め用の突起３
１ａが形成されており、この突起３１ａがキャビティー
３９ａの四隅に係合している。そして図４に示す如く下
金型３９の上面に上金型４０が載置され、上金型４０と
ゲート溝３９ｃの間に形成されるゲート４１を通してキ
ャビティー３９ａ内に封止樹脂３６が充填されている。
封止樹脂３６は樹脂基板３１の上面、側面及び下面を覆
うように流れ込むが、下面側はレジスト３８によって流
れが規制され、樹脂基板３１の外周部のみを覆うように
構成されている。更に封止樹脂３６はスルーホール電極
３４にも充填されているので、樹脂基板３１とより強力
に密着している。
【００１１】上記製造方法は本発明の第二実施の形態を
示すが、第一実施の形態はレジスト３８の大きさが異な
るのみで、そのモールド方法は同じである。次に本発明に
よるＰＡＣの他の製造方法を説明する。前述の製造方法
では、ＰＡＣを個々にモールドする方法を示したが、以
下に複数個のＰＡＣを同時にモールドする製造方法を説
明する。図５は複数個のＩＣチップ３５を搭載した短冊
状の樹脂基板３１を示しており、ＩＣチップ３５の周囲
４辺にはそれぞれ穴３１ｂが形成されている。この樹脂
基板３１を金型にセットした状態を図６の断面図に示
す。図において３９は下金型であり、キャビティー３９
ａと、突起３９ｂが形成されている。下金型３９のキャ
ビティー３９ａには樹脂基板３１のＩＣチップ３５搭載
部分が収納されるとともに、穴３１ｂが突起３９ｂの外
側に係合する。そして樹脂基板３１と突起３９ｂの間に
は隙間４３を形成する。
示すが、第一実施の形態はレジスト３８の大きさが異な
るのみで、そのモールド方法は同じである。次に本発明に
よるＰＡＣの他の製造方法を説明する。前述の製造方法
では、ＰＡＣを個々にモールドする方法を示したが、以
下に複数個のＰＡＣを同時にモールドする製造方法を説
明する。図５は複数個のＩＣチップ３５を搭載した短冊
状の樹脂基板３１を示しており、ＩＣチップ３５の周囲
４辺にはそれぞれ穴３１ｂが形成されている。この樹脂
基板３１を金型にセットした状態を図６の断面図に示
す。図において３９は下金型であり、キャビティー３９
ａと、突起３９ｂが形成されている。下金型３９のキャ
ビティー３９ａには樹脂基板３１のＩＣチップ３５搭載
部分が収納されるとともに、穴３１ｂが突起３９ｂの外
側に係合する。そして樹脂基板３１と突起３９ｂの間に
は隙間４３を形成する。
【００１２】更に樹脂基板３１の上にはキャビティープ
レート４２が載置されている。図７に示す如く、キャビ
ティープレート４２には、封止形状を決めるキャビティ
ー４２ａと、封止樹脂をキャビティー４２ａに導くため
のゲート溝４２ｂと、位置決め穴４２ｃが形成されてい
る。キャビティー４２ａは下型３９のキャビティー３９
ａと同じ形状をしており、位置決めピン（図示せず）に
位置決め穴４２ｃをセットしたときに両キャビティーが
一致するようになっている。そして最後に上金型４５が
搭載されている。この状態でゲート溝４２ｂから封止樹
脂３６をキャビティー４２ａ、３９ａ内に充填すること
により、ＩＣチップ３５、樹脂基板３１の上面、側面、
下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹脂基板
３１の下面にはレジスト３８が形成されているので、レ
ジスト３８の外周部により封止樹脂３６の流れが規制さ
れ、不必要な封止樹脂３６の流れを防止することができ
る。
レート４２が載置されている。図７に示す如く、キャビ
ティープレート４２には、封止形状を決めるキャビティ
ー４２ａと、封止樹脂をキャビティー４２ａに導くため
のゲート溝４２ｂと、位置決め穴４２ｃが形成されてい
る。キャビティー４２ａは下型３９のキャビティー３９
ａと同じ形状をしており、位置決めピン（図示せず）に
位置決め穴４２ｃをセットしたときに両キャビティーが
一致するようになっている。そして最後に上金型４５が
搭載されている。この状態でゲート溝４２ｂから封止樹
脂３６をキャビティー４２ａ、３９ａ内に充填すること
により、ＩＣチップ３５、樹脂基板３１の上面、側面、
下面の外周部をモールドしている。前述の如く樹脂基板
３１の下面にはレジスト３８が形成されているので、レ
ジスト３８の外周部により封止樹脂３６の流れが規制さ
れ、不必要な封止樹脂３６の流れを防止することができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く本発明によれ
ば、上面側にはＩＣチップと接続するためのリード電極
を形成するとともに、下面側には複数の列を成して設け
られたコンタクト電極を形成し、上面側のリード電極と
下面側のコンタクト電極とをスルーホール電極を介して
接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に搭載したＩ
Ｃチップと、該ＩＣチップを封止するとともに、前記樹
脂基板の上面側から前記スルーホール電極内に充填され
る封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成したハンダ電
極とを有し、前記コンタクト電極は前記スルーホール電
極から離れた位置に設けており、前記樹脂基板の下面側
には前記スルーホール電極を覆うレジストを設けたの
で、ハンダ電極をリフロー時に溶融したハンダがスルー
ホール電極内に流れ込むことがない。それによりハンダ
電極の高さを一定に保つことができ、ＰＡＣを他の回路
基板に実装するときの接続信頼性を向上できる。また樹
脂基板に対する封止樹脂の密着力を高めた樹脂封止型半
導体装置を提供できる。また複数のスルーホール電極に
封止樹脂を充填すれば、より密着力を高めることができ
る。さらに樹脂基板の裏面側には、スルーホール電極か
ら離れた位置にリード電極の一部分のみが露呈するよう
に、シート状のレジストが設けられ、スルーホール電極
はレジストで覆われるので、封止樹脂がスルーホール電
極から漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなく
なる。
ば、上面側にはＩＣチップと接続するためのリード電極
を形成するとともに、下面側には複数の列を成して設け
られたコンタクト電極を形成し、上面側のリード電極と
下面側のコンタクト電極とをスルーホール電極を介して
接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に搭載したＩ
Ｃチップと、該ＩＣチップを封止するとともに、前記樹
脂基板の上面側から前記スルーホール電極内に充填され
る封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成したハンダ電
極とを有し、前記コンタクト電極は前記スルーホール電
極から離れた位置に設けており、前記樹脂基板の下面側
には前記スルーホール電極を覆うレジストを設けたの
で、ハンダ電極をリフロー時に溶融したハンダがスルー
ホール電極内に流れ込むことがない。それによりハンダ
電極の高さを一定に保つことができ、ＰＡＣを他の回路
基板に実装するときの接続信頼性を向上できる。また樹
脂基板に対する封止樹脂の密着力を高めた樹脂封止型半
導体装置を提供できる。また複数のスルーホール電極に
封止樹脂を充填すれば、より密着力を高めることができ
る。さらに樹脂基板の裏面側には、スルーホール電極か
ら離れた位置にリード電極の一部分のみが露呈するよう
に、シート状のレジストが設けられ、スルーホール電極
はレジストで覆われるので、封止樹脂がスルーホール電
極から漏れ出すことがなく、外観品質を損うことがなく
なる。
【図１】本発明の第一実施の形態を示すＰＡＣの断面図
である。
である。
【図２】（ａ）は本発明の第二実施の形態を示すＰＡＣ
の平面図、（ｂ）は図２（ａ）の要部断面図である。
の平面図、（ｂ）は図２（ａ）の要部断面図である。
【図３】樹脂基板を下金型へ入れた状態を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】金型へ封止樹脂を注入する状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】短冊状の樹脂基板を示す平面図である。
【図６】図５の樹脂基板を金型にセットした状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】キャビティープレートの外観図である。
【図８】従来のＰＧＡを示す断面図である。
【図９】従来のＰＧＡの製造方法を示す断面図である。
【図１０】従来の樹脂基板の平面図である。
【図１１】図１０の断面図である。
【図１２】図９の部分拡大図である。
【図１３】従来の他の樹脂基板を示す平面図である。
【図１４】図１３の断面図である。
【図１５】従来の他のＰＧＡの製造方法を示す要部断面
図である。
図である。
３１ 樹脂基板、 ３２、３３ リード電極 ３４ スルーホール電極 ３５ ＩＣチップ ３６ 封止樹脂 ３７ コンタクト電極 ３８ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 23/12
Claims (1)
- 【請求項１】 上面側にはＩＣチップと接続するための
リード電極を形成するとともに、下面側には複数の列を
成して設けられたコンタクト電極を形成し、上面側のリ
ード電極と下面側のコンタクト電極とをスルーホール電
極を介して接続した樹脂基板と、該樹脂基板の上面側に
搭載したＩＣチップと、該ＩＣチップを封止するととも
に、前記樹脂基板の上面側から前記スルーホール電極内
に充填される封止樹脂と、前記コンタクト電極に形成し
たハンダ電極とを有し、前記コンタクト電極は前記スル
ーホール電極から離れた位置に設けており、前記樹脂基
板の下面側には前記スルーホール電極を覆うレジストを
設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19532997A JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19532997A JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197747A Division JPH0484452A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065064A JPH1065064A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3073467B2 true JP3073467B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16339365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19532997A Expired - Lifetime JP3073467B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073467B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001160597A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Nec Corp | 半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法 |
| JP2013149674A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP19532997A patent/JP3073467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1065064A (ja) | 1998-03-06 |
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