JP3427874B2 - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 364
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 131
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 131
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 94
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置とその製造方法に関する。
装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、ＩＣカードや、メモリカード
が急速に発達し、これに伴ってカードの中に搭載される
樹脂封止型半導体装置も薄型のものが要求されるように
なっており、薄型化を実現させる方法も数多く提案され
ている。その一つとして、例えば図２５（ａ）、（ｂ）
に示す構造のものがある。
が急速に発達し、これに伴ってカードの中に搭載される
樹脂封止型半導体装置も薄型のものが要求されるように
なっており、薄型化を実現させる方法も数多く提案され
ている。その一つとして、例えば図２５（ａ）、（ｂ）
に示す構造のものがある。
【０００３】図２５（ａ）、（ｂ）において符号１は樹
脂封止型半導体装置、２は半導体素子である。半導体素
子２には、絶縁性の接着テープ３によってその一方の面
にチップサポート４が接着固定され、さらに該チップサ
ポート４の両側に接続された金線５を介してリード６が
電気的に接続されている。そして、このような状態でチ
ップサポート４の上面および半導体素子２の底面が露出
するようにモールド樹脂７で封止されることにより、樹
脂封止型半導体装置１が形成される。このような構造に
よれば、特に半導体素子２の底面を覆うモールド樹脂７
をなくしているので、その分厚みを薄くすることがで
き、例えば全体を０．５ｍｍ程度の薄いものにすること
ができる。
脂封止型半導体装置、２は半導体素子である。半導体素
子２には、絶縁性の接着テープ３によってその一方の面
にチップサポート４が接着固定され、さらに該チップサ
ポート４の両側に接続された金線５を介してリード６が
電気的に接続されている。そして、このような状態でチ
ップサポート４の上面および半導体素子２の底面が露出
するようにモールド樹脂７で封止されることにより、樹
脂封止型半導体装置１が形成される。このような構造に
よれば、特に半導体素子２の底面を覆うモールド樹脂７
をなくしているので、その分厚みを薄くすることがで
き、例えば全体を０．５ｍｍ程度の薄いものにすること
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記樹
脂封止型半導体装置１では、たしかにその厚さを薄くす
ることはできるものの、プリント基板への実装面積を考
えた場合、リード６がモールド樹脂７の外側に長く延び
出ているため、その実装面積については半導体素子２の
大きさに比べてかなり広い面積が必要になってしまう。
したがって、前記樹脂封止型半導体装置１では、プリン
ト基板への実装を考えた場合、十分な高密度実装を実現
するには未だ改善すべき課題が残されているのである。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、プリント基板への高密度実装を可能にす
る樹脂封止型半導体装置と、その製造方法を提供するこ
とにある。
脂封止型半導体装置１では、たしかにその厚さを薄くす
ることはできるものの、プリント基板への実装面積を考
えた場合、リード６がモールド樹脂７の外側に長く延び
出ているため、その実装面積については半導体素子２の
大きさに比べてかなり広い面積が必要になってしまう。
したがって、前記樹脂封止型半導体装置１では、プリン
ト基板への実装を考えた場合、十分な高密度実装を実現
するには未だ改善すべき課題が残されているのである。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、プリント基板への高密度実装を可能にす
る樹脂封止型半導体装置と、その製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子と、この
半導体素子の一つの面に接続され、かつ該面上の内側に
配置されたリードと、該リードが接続された半導体素子
の面上にて該半導体素子とリードとを接続する金線と、
前記リードの一部と半導体素子との間に設けられて該リ
ードを半導体素子に固定する絶縁性の接着テープとを備
え、前記リードが接続された半導体素子の面上に、該面
の外形形状と略同一の外形形状を有する枠状のダムバー
が、前記リードと接触しない状態で絶縁性の接着テープ
を介して半導体素子に固定され、該ダムバーの内側にモ
ールド樹脂が充填されて前記リードが接続された半導体
素子の面がリードの上面部を覆うことなく封止され、か
つ該面以外の面が露出せしめられてなることを前記課題
の解決手段とした。
記載の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子と、この
半導体素子の一つの面に接続され、かつ該面上の内側に
配置されたリードと、該リードが接続された半導体素子
の面上にて該半導体素子とリードとを接続する金線と、
前記リードの一部と半導体素子との間に設けられて該リ
ードを半導体素子に固定する絶縁性の接着テープとを備
え、前記リードが接続された半導体素子の面上に、該面
の外形形状と略同一の外形形状を有する枠状のダムバー
が、前記リードと接触しない状態で絶縁性の接着テープ
を介して半導体素子に固定され、該ダムバーの内側にモ
ールド樹脂が充填されて前記リードが接続された半導体
素子の面がリードの上面部を覆うことなく封止され、か
つ該面以外の面が露出せしめられてなることを前記課題
の解決手段とした。
【０００６】この樹脂封止型半導体装置によれば、リー
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面をリ
ードの上面部が覆われないように封止し、該面以外の面
が露出するように充填されているので、装置全体の厚さ
が半導体素子の厚さに接着テープの厚さとリードあるい
はダムバーの厚さとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が半導体素子の底面積にほぼ一致する
ものとなる。
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面をリ
ードの上面部が覆われないように封止し、該面以外の面
が露出するように充填されているので、装置全体の厚さ
が半導体素子の厚さに接着テープの厚さとリードあるい
はダムバーの厚さとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が半導体素子の底面積にほぼ一致する
ものとなる。
【０００７】本発明における請求項１２記載の樹脂封止
型半導体装置では、半導体素子と、この半導体素子の一
つの面に接続され、かつ該面上の内側に配置されたリー
ドと、該リードが接続された半導体素子の面上にて該半
導体素子とリードとを接続する金線と、前記リードの一
部と半導体素子との間に設けられて該リードを半導体素
子に固定する絶縁性の接着テープとを備え、前記リード
が接続された半導体素子の面上に、該面の外形形状と略
同一の外形形状を有する枠状のダムバーが、前記リード
と接触しない状態で絶縁性の接着テープを介して半導体
素子に固定され、該ダムバーの内側にモールド樹脂が充
填されて前記リードが接続された半導体素子の面がリー
ドの上面部を覆うことなく封止され、かつ該面以外の面
がコーティング樹脂で覆われてなることを前記課題の解
決手段とした。
型半導体装置では、半導体素子と、この半導体素子の一
つの面に接続され、かつ該面上の内側に配置されたリー
ドと、該リードが接続された半導体素子の面上にて該半
導体素子とリードとを接続する金線と、前記リードの一
部と半導体素子との間に設けられて該リードを半導体素
子に固定する絶縁性の接着テープとを備え、前記リード
が接続された半導体素子の面上に、該面の外形形状と略
同一の外形形状を有する枠状のダムバーが、前記リード
と接触しない状態で絶縁性の接着テープを介して半導体
素子に固定され、該ダムバーの内側にモールド樹脂が充
填されて前記リードが接続された半導体素子の面がリー
ドの上面部を覆うことなく封止され、かつ該面以外の面
がコーティング樹脂で覆われてなることを前記課題の解
決手段とした。
【０００８】この樹脂封止型半導体装置によれば、リー
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面を封
止し、さらに該面以外の面がコーティング樹脂で覆われ
てなるので、装置全体の厚さが半導体素子の厚さに接着
テープの厚さとリードあるいはダムバーの厚さとコーテ
ィング樹脂の厚さとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が、半導体素子の底面積に比べコーテ
ィング樹脂の厚さ分程度だけ大きくなったにすぎないも
のとなる。さらに、リードが接続された半導体素子の面
以外の面をコーティング樹脂で覆ったことにより、取り
扱い時等において該面に傷等がつきにくくなるなど、そ
の耐衝撃性が向上する。
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面を封
止し、さらに該面以外の面がコーティング樹脂で覆われ
てなるので、装置全体の厚さが半導体素子の厚さに接着
テープの厚さとリードあるいはダムバーの厚さとコーテ
ィング樹脂の厚さとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が、半導体素子の底面積に比べコーテ
ィング樹脂の厚さ分程度だけ大きくなったにすぎないも
のとなる。さらに、リードが接続された半導体素子の面
以外の面をコーティング樹脂で覆ったことにより、取り
扱い時等において該面に傷等がつきにくくなるなど、そ
の耐衝撃性が向上する。
【０００９】本発明における請求項１４記載の樹脂封止
型半導体装置では、半導体素子と、この半導体素子の一
つの面に接続され、かつ該面上の内側に配置されたリー
ドと、該リードが接続された半導体素子の面上にて該半
導体素子とリードとを接続する金線と、前記リードの一
部と半導体素子との間に設けられて該リードを半導体素
子に固定する絶縁性の接着テープとを備え、前記リード
が接続された半導体素子の面上が、リードの上面部のみ
を露出し、かつ該リードの残部を封止した状態となるよ
うモールド樹脂で覆われてなり、前記リードが接続され
た半導体素子の面以外の面が露出せしめられてなること
を前記課題の解決手段とした。
型半導体装置では、半導体素子と、この半導体素子の一
つの面に接続され、かつ該面上の内側に配置されたリー
ドと、該リードが接続された半導体素子の面上にて該半
導体素子とリードとを接続する金線と、前記リードの一
部と半導体素子との間に設けられて該リードを半導体素
子に固定する絶縁性の接着テープとを備え、前記リード
が接続された半導体素子の面上が、リードの上面部のみ
を露出し、かつ該リードの残部を封止した状態となるよ
うモールド樹脂で覆われてなり、前記リードが接続され
た半導体素子の面以外の面が露出せしめられてなること
を前記課題の解決手段とした。
【００１０】この樹脂封止型半導体装置によれば、リー
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面上
を、リードの上面部のみが露出しかつ該リードの残部が
封止された状態となるように覆っているので、装置全体
の厚さが半導体素子の厚さに接着テープとリードあるい
はダムバーの厚みとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が半導体素子の底面積にほぼ一致する
ものとなる。さらに、これをプリント基板に実装するに
あたっては、モールド樹脂に覆われることなく露出した
リードの上面部を、プリント基板の所定位置にはんだ付
けすればよくなる。
ドが半導体素子の面上の内側に配置されており、またモ
ールド樹脂が、リードが接続された半導体素子の面上
を、リードの上面部のみが露出しかつ該リードの残部が
封止された状態となるように覆っているので、装置全体
の厚さが半導体素子の厚さに接着テープとリードあるい
はダムバーの厚みとを加えただけのものとなり、また、
該装置の実装面積が半導体素子の底面積にほぼ一致する
ものとなる。さらに、これをプリント基板に実装するに
あたっては、モールド樹脂に覆われることなく露出した
リードの上面部を、プリント基板の所定位置にはんだ付
けすればよくなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態例によっ
て詳しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第
１実施形態例を示す図である。なお、これらの図におい
て図２５（ａ）、（ｂ）に示した構成要素と同一の構成
要素には、同一の符号を付す。（以下に述べる第２実施
形態例以降を示す図においても同様とする。）
て詳しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第
１実施形態例を示す図である。なお、これらの図におい
て図２５（ａ）、（ｂ）に示した構成要素と同一の構成
要素には、同一の符号を付す。（以下に述べる第２実施
形態例以降を示す図においても同様とする。）
【００１２】図１（ａ）、（ｂ）において符号１０は樹
脂封止型半導体装置（以下、半導体装置と略称する）で
ある。この半導体装置１０は、図１（ａ）に示すように
矩形板状の半導体素子２と、この半導体素子２の回路形
成面２ａに接続された複数のリード６と、前記回路形成
面２ａ上にて半導体素子２とリード６とをそれぞれ電気
的に接続する複数の金線５と、リード６と半導体素子２
との間に設けられて該リード６を半導体素子２に固定す
る絶縁性の接着テープ３とを備えたものである。
脂封止型半導体装置（以下、半導体装置と略称する）で
ある。この半導体装置１０は、図１（ａ）に示すように
矩形板状の半導体素子２と、この半導体素子２の回路形
成面２ａに接続された複数のリード６と、前記回路形成
面２ａ上にて半導体素子２とリード６とをそれぞれ電気
的に接続する複数の金線５と、リード６と半導体素子２
との間に設けられて該リード６を半導体素子２に固定す
る絶縁性の接着テープ３とを備えたものである。
【００１３】リード６は、半導体素子２の回路形成面２
ａ上の内側に位置せしめられて該回路形成面２ａの側方
に延びださないように配設されたもので、ダウンセット
加工が施されて接着テープ３の厚さ分程度段違いに形成
されたものである。また、このリード６の下側６ａは半
導体素子２の中央側に向けてその状態で半導体素子２に
当接せしめられ、上側６ｂは半導体素子２の外側に向け
てその状態で接着テープ３を介して半導体素子２に接着
固定されている。また、これらリード６は、図１（ｂ）
に示すように、半導体素子１上にて二列に配設されてい
る。なお、リード６と半導体素子２とを接続する金線５
は、リード６の下側６ａの上面に接続されており、リー
ド６の上側６ｂの上面より上に延びださないように配設
されている。
ａ上の内側に位置せしめられて該回路形成面２ａの側方
に延びださないように配設されたもので、ダウンセット
加工が施されて接着テープ３の厚さ分程度段違いに形成
されたものである。また、このリード６の下側６ａは半
導体素子２の中央側に向けてその状態で半導体素子２に
当接せしめられ、上側６ｂは半導体素子２の外側に向け
てその状態で接着テープ３を介して半導体素子２に接着
固定されている。また、これらリード６は、図１（ｂ）
に示すように、半導体素子１上にて二列に配設されてい
る。なお、リード６と半導体素子２とを接続する金線５
は、リード６の下側６ａの上面に接続されており、リー
ド６の上側６ｂの上面より上に延びださないように配設
されている。
【００１４】接着テープ３は、例えばポリイミド樹脂か
らなるもので、その両面に接着剤層（図示略）を形成し
たものである。また、この接着テープ３は、この例では
矩形枠状で、かつその外形形状が前記回路形成面２ａの
外形形状に略一致したものであり、その外縁が前記回路
形成面２ａの外縁に略一致せしめられた状態に該回路形
成面２ａに接着されたものである。また、半導体素子２
の回路形成面２ａ上には、前記接着テープ３によってダ
ムバー１１が接着固定されている。ダムバー１１は、回
路形成面２ａの外形形状と略同一の外形形状を有するも
ので、リード６と同じ肉厚に形成されたものである。ま
た、このダムバー１１は、前記リード６と接触しない状
態で、かつその外縁が前記回路形成面２ａの外縁に略一
致せしめられた状態に配置されたものである。
らなるもので、その両面に接着剤層（図示略）を形成し
たものである。また、この接着テープ３は、この例では
矩形枠状で、かつその外形形状が前記回路形成面２ａの
外形形状に略一致したものであり、その外縁が前記回路
形成面２ａの外縁に略一致せしめられた状態に該回路形
成面２ａに接着されたものである。また、半導体素子２
の回路形成面２ａ上には、前記接着テープ３によってダ
ムバー１１が接着固定されている。ダムバー１１は、回
路形成面２ａの外形形状と略同一の外形形状を有するも
ので、リード６と同じ肉厚に形成されたものである。ま
た、このダムバー１１は、前記リード６と接触しない状
態で、かつその外縁が前記回路形成面２ａの外縁に略一
致せしめられた状態に配置されたものである。
【００１５】また、半導体素子２の回路形成面２ａ上に
は、ダムバー１１の内側にモールド樹脂７が充填硬化さ
れており、これによって回路形成面２ａは、ダムバー１
１の上面およびリード６の上側６ｂの上面が覆われるこ
となく、モールド樹脂によって封止されたものとなって
いる。また、この半導体装置１０では、前述したモール
ド樹脂による充填封止により、その半導体素子２はその
回路形成面２ａ以外の面を露出したものとなっている。
は、ダムバー１１の内側にモールド樹脂７が充填硬化さ
れており、これによって回路形成面２ａは、ダムバー１
１の上面およびリード６の上側６ｂの上面が覆われるこ
となく、モールド樹脂によって封止されたものとなって
いる。また、この半導体装置１０では、前述したモール
ド樹脂による充填封止により、その半導体素子２はその
回路形成面２ａ以外の面を露出したものとなっている。
【００１６】次に、このような半導体装置１０の製造方
法ついて説明する。まず、図２（ａ）に示すようなリー
ドフレーム１２を用意する。このリードフレーム１２
は、矩形枠状の金属製リードフレーム枠１３と、このリ
ードフレーム枠１３の内部に金属製のダムバーサポート
１４を介して連結された複数のリードフレーム本体１５
とを備えて構成されたものである。リードフレーム本体
１５は、図２（ｂ）、（ｃ）に示すようにダムバーサポ
ート１４を介して連結された矩形枠状の金属製ダムバー
１１と、このダムバー１１に接触することなく該ダムバ
ー１１内に配置された複数の金属製リード６と、これら
リード６をダムバー６に連結する接着テープ３とを備え
て形成されたものである。
法ついて説明する。まず、図２（ａ）に示すようなリー
ドフレーム１２を用意する。このリードフレーム１２
は、矩形枠状の金属製リードフレーム枠１３と、このリ
ードフレーム枠１３の内部に金属製のダムバーサポート
１４を介して連結された複数のリードフレーム本体１５
とを備えて構成されたものである。リードフレーム本体
１５は、図２（ｂ）、（ｃ）に示すようにダムバーサポ
ート１４を介して連結された矩形枠状の金属製ダムバー
１１と、このダムバー１１に接触することなく該ダムバ
ー１１内に配置された複数の金属製リード６と、これら
リード６をダムバー６に連結する接着テープ３とを備え
て形成されたものである。
【００１７】このリードフレーム本体１５を作製するに
は、まず、図２（ｄ）に示すように、ダムバー１１とこ
れに連結されたリードサポート１６と、このリードサポ
ート１６の両側にそれぞれ連結されたリード６とからな
るものを用意する。次に、図２（ｅ）に示すようにリー
ド６の連結側、すなわちリードサポート１６側の端部に
金属メッキ１７を施し、さらにこの金属メッキ１７を施
した側の反対の側の面に接着テープ３を貼着する。この
接着テープ３としては、ダムバー１１と略同一の外形形
状を有した枠状のもので、ダムバー１１の裏面（リード
６における金属メッキ１７と反対側の面と同一の面）全
体を覆い、かつ該ダムバー１１とリード６とを連結する
形状・寸法のものが用いられる。ただし、リード６との
接着部分については、該リード６の金属メッキ１７と反
対の側のみに接着するようにその大きさが調整されてい
る。そして、このように接着テープ３でダムバー１１と
リード６とを連結した後、リード６の接着テープ３が接
着されていない側にダウンセット加工を施し、さらにリ
ードサポート１６をダムバー１１およびリード６から切
り離して図２（ｂ）、（ｃ）に示したリードフレーム本
体１５を得る。
は、まず、図２（ｄ）に示すように、ダムバー１１とこ
れに連結されたリードサポート１６と、このリードサポ
ート１６の両側にそれぞれ連結されたリード６とからな
るものを用意する。次に、図２（ｅ）に示すようにリー
ド６の連結側、すなわちリードサポート１６側の端部に
金属メッキ１７を施し、さらにこの金属メッキ１７を施
した側の反対の側の面に接着テープ３を貼着する。この
接着テープ３としては、ダムバー１１と略同一の外形形
状を有した枠状のもので、ダムバー１１の裏面（リード
６における金属メッキ１７と反対側の面と同一の面）全
体を覆い、かつ該ダムバー１１とリード６とを連結する
形状・寸法のものが用いられる。ただし、リード６との
接着部分については、該リード６の金属メッキ１７と反
対の側のみに接着するようにその大きさが調整されてい
る。そして、このように接着テープ３でダムバー１１と
リード６とを連結した後、リード６の接着テープ３が接
着されていない側にダウンセット加工を施し、さらにリ
ードサポート１６をダムバー１１およびリード６から切
り離して図２（ｂ）、（ｃ）に示したリードフレーム本
体１５を得る。
【００１８】次に、このようにして用意されたリードフ
レーム１２を、そのリードフレーム本体１５のダムバー
１１の外縁が半導体素子２の回路形成面の外縁に略一致
するようにしてこの半導体素子２に載せ、熱圧着法によ
り前記接着テープ３によって前記リード６およびダムバ
ー１１を半導体素子２上に固定する。次いで、従来と同
様にして半導体素子２上に固定されたリード６と半導体
素子２とを金線５で接続し、続いてこれを図３（ａ）、
（ｂ）に示すように成形金型１８のキャビティー１９内
に入れる。なお、図３（ａ）は、図１（ｂ）に示した半
導体装置１０における矢印Ａ方向に見た側面を表し、図
３（ｂ）は、図１（ｂ）に示した半導体装置１０におけ
る矢印Ｂ方向に見た側面を表している。
レーム１２を、そのリードフレーム本体１５のダムバー
１１の外縁が半導体素子２の回路形成面の外縁に略一致
するようにしてこの半導体素子２に載せ、熱圧着法によ
り前記接着テープ３によって前記リード６およびダムバ
ー１１を半導体素子２上に固定する。次いで、従来と同
様にして半導体素子２上に固定されたリード６と半導体
素子２とを金線５で接続し、続いてこれを図３（ａ）、
（ｂ）に示すように成形金型１８のキャビティー１９内
に入れる。なお、図３（ａ）は、図１（ｂ）に示した半
導体装置１０における矢印Ａ方向に見た側面を表し、図
３（ｂ）は、図１（ｂ）に示した半導体装置１０におけ
る矢印Ｂ方向に見た側面を表している。
【００１９】ここで、この成形金型１８としては、下型
１８ａに形成されたキャビティー１９の深さが、半導体
素子２と接着テープ３とダムバー１１との厚さの合計厚
さに等しいものが用いられる。したがって、この成形金
型１８は、そのキャビティー１９を形成する底面および
上面（上型１８ｂの下面）により、半導体素子２の底面
（回路形成面と反対の側の面）とダムバー１１およびリ
ード６の上面とを挟んだ状態でこれをキャビティー１９
内に収容するものとなる。また、この成形金型１８は、
その上型１８ｂに樹脂注入孔２０とガス抜き溝２１（図
３（ｂ）参照）とを形成したものとなっており、該ガス
抜き溝２１と下型１８ａの上面との間にリードフレーム
１２のダムバーサポート１４を挟むようになっている。
１８ａに形成されたキャビティー１９の深さが、半導体
素子２と接着テープ３とダムバー１１との厚さの合計厚
さに等しいものが用いられる。したがって、この成形金
型１８は、そのキャビティー１９を形成する底面および
上面（上型１８ｂの下面）により、半導体素子２の底面
（回路形成面と反対の側の面）とダムバー１１およびリ
ード６の上面とを挟んだ状態でこれをキャビティー１９
内に収容するものとなる。また、この成形金型１８は、
その上型１８ｂに樹脂注入孔２０とガス抜き溝２１（図
３（ｂ）参照）とを形成したものとなっており、該ガス
抜き溝２１と下型１８ａの上面との間にリードフレーム
１２のダムバーサポート１４を挟むようになっている。
【００２０】そして、このような成形金型１８を用いて
その樹脂注入孔２０からキャビティー１９内にモールド
樹脂を充填し、かつ成形温度１７０〜１８０℃程度にし
て充填した樹脂を硬化させる。このとき、樹脂の充填は
図３（ａ）に示したように半導体素子２の回路形成面２
ａの中央部に行う。すると、ダムバー１１が枠状に形成
され、かつ該ダムバー１１の上面が上型１８ｂに当接し
ていることから、充填された樹脂はダムバー１１にせき
止められた状態になり、その外側に流れず、これにより
半導体素子２の側面や底面に流れ込むことがない。な
お、この充填中、ガス抜き溝２１からキャビティー１９
内の空気が流れ出ることにより、モールド樹脂の充填は
円滑になされる。したがって、この樹脂充填により、図
１（ｂ）に示したようにダムバー１１の上面とリード６
の上側６ｂの上面のみを露出させてこれ以外の回路形成
面２ａを封止するとともに、該回路形成面２ａ以外の面
を露出させた状態にモールド樹脂封止することができ
る。その後、このモールド樹脂封止した半導体素子２を
成形金型１８から取り出して図４（ａ）に示すようにダ
ムバー１１に連結するダムバーサポート１４をカット
し、図４（ｂ）に示すようにダムバー１１をリードフレ
ーム枠１３から切り離して半導体装置１０を得る。
その樹脂注入孔２０からキャビティー１９内にモールド
樹脂を充填し、かつ成形温度１７０〜１８０℃程度にし
て充填した樹脂を硬化させる。このとき、樹脂の充填は
図３（ａ）に示したように半導体素子２の回路形成面２
ａの中央部に行う。すると、ダムバー１１が枠状に形成
され、かつ該ダムバー１１の上面が上型１８ｂに当接し
ていることから、充填された樹脂はダムバー１１にせき
止められた状態になり、その外側に流れず、これにより
半導体素子２の側面や底面に流れ込むことがない。な
お、この充填中、ガス抜き溝２１からキャビティー１９
内の空気が流れ出ることにより、モールド樹脂の充填は
円滑になされる。したがって、この樹脂充填により、図
１（ｂ）に示したようにダムバー１１の上面とリード６
の上側６ｂの上面のみを露出させてこれ以外の回路形成
面２ａを封止するとともに、該回路形成面２ａ以外の面
を露出させた状態にモールド樹脂封止することができ
る。その後、このモールド樹脂封止した半導体素子２を
成形金型１８から取り出して図４（ａ）に示すようにダ
ムバー１１に連結するダムバーサポート１４をカット
し、図４（ｂ）に示すようにダムバー１１をリードフレ
ーム枠１３から切り離して半導体装置１０を得る。
【００２１】このようにして得られた半導体装置１０に
あっては、モールド樹脂７がリード６の上面を覆うこと
なく回路形成面２ａのみを封止し、該回路形成面２ａ以
外の面を露出させているので、半導体装置１０全体の厚
さが半導体素子２の厚さに接着テープ３とダムバー１１
（あるいはリード６）の厚みとを加えただけのものとな
り、十分に薄いものとなる。また、リード６が半導体素
子２の回路形成面２ａ上の内側に配置されていることか
ら、該半導体装置１０の実装面積が半導体素子２の底面
積にほぼ一致するものとなり、その実質的な実装面積が
従来に比べ格段に小さいものとなる。したがって、厚さ
を十分薄くし、かつ実装面積も十分小さくされているこ
とから、この半導体装置１０はプリント基板への高密度
実装を実現にすることができる。
あっては、モールド樹脂７がリード６の上面を覆うこと
なく回路形成面２ａのみを封止し、該回路形成面２ａ以
外の面を露出させているので、半導体装置１０全体の厚
さが半導体素子２の厚さに接着テープ３とダムバー１１
（あるいはリード６）の厚みとを加えただけのものとな
り、十分に薄いものとなる。また、リード６が半導体素
子２の回路形成面２ａ上の内側に配置されていることか
ら、該半導体装置１０の実装面積が半導体素子２の底面
積にほぼ一致するものとなり、その実質的な実装面積が
従来に比べ格段に小さいものとなる。したがって、厚さ
を十分薄くし、かつ実装面積も十分小さくされているこ
とから、この半導体装置１０はプリント基板への高密度
実装を実現にすることができる。
【００２２】また、このような半導体装置１０の製造方
法によれば、半導体素子２の外形形状と同じ外形形状を
有するダムバー１１と、これに接着テープ３を介して電
気的に導通することなく連結されたリード６とからなる
リードフレーム本体１５を用いているので、ダムバー１
１によって樹脂の流れをせき止めるようにしてモールド
樹脂充填を行うことができ、これにより前記半導体装置
１０を容易に製造することがきる。また、上型１８ｂの
下面でダムバー１１の上面を、下型１８ａのキャビティ
ー１９の底面で半導体素子２の底面を挟み、この状態で
樹脂の充填を行うことにより、充填された樹脂がダムバ
ー１１にせき止められるようにするので、キャビティー
１９についてはその平面方向の大きさが半導体素子２よ
り大きければ他に制限されることなく、したがって大き
さの異なる半導体素子に対してもその厚さが同じであれ
ば成形金型１８を兼用して用いることができる。
法によれば、半導体素子２の外形形状と同じ外形形状を
有するダムバー１１と、これに接着テープ３を介して電
気的に導通することなく連結されたリード６とからなる
リードフレーム本体１５を用いているので、ダムバー１
１によって樹脂の流れをせき止めるようにしてモールド
樹脂充填を行うことができ、これにより前記半導体装置
１０を容易に製造することがきる。また、上型１８ｂの
下面でダムバー１１の上面を、下型１８ａのキャビティ
ー１９の底面で半導体素子２の底面を挟み、この状態で
樹脂の充填を行うことにより、充填された樹脂がダムバ
ー１１にせき止められるようにするので、キャビティー
１９についてはその平面方向の大きさが半導体素子２よ
り大きければ他に制限されることなく、したがって大き
さの異なる半導体素子に対してもその厚さが同じであれ
ば成形金型１８を兼用して用いることができる。
【００２３】図５（ａ）は図２〜図４を参照して説明し
た製造方法の第１の変形例を説明するための図である。
図５（ａ）を参照してこの第１の変形例を説明する。こ
の第１変形例が図２〜図４に示した製造方法と異なると
ころは、使用するリードフレームにおけるリードフレー
ム本体の構成が前記リードフレーム本体１５とやや違う
点である。すなわち、この第１変形例では、リードフレ
ーム本体として、図５（ａ）に示すように、接着テープ
３の外形が半導体素子２の回路形成面２ａの外形よりわ
ずかに大きく形成され、さらにダムバー１１の外形が接
着テープ３の外形寸法よりわずかに大きく形成されたも
のが用いられる。
た製造方法の第１の変形例を説明するための図である。
図５（ａ）を参照してこの第１の変形例を説明する。こ
の第１変形例が図２〜図４に示した製造方法と異なると
ころは、使用するリードフレームにおけるリードフレー
ム本体の構成が前記リードフレーム本体１５とやや違う
点である。すなわち、この第１変形例では、リードフレ
ーム本体として、図５（ａ）に示すように、接着テープ
３の外形が半導体素子２の回路形成面２ａの外形よりわ
ずかに大きく形成され、さらにダムバー１１の外形が接
着テープ３の外形寸法よりわずかに大きく形成されたも
のが用いられる。
【００２４】そして、このようなリードフレーム本体を
用い、前記例と同様にし、接着テープ３の外縁を半導体
素子２の回路形成面２ａの外縁に略一致するようにして
該接着テープ３を回路形成面２ａに接着し、以下前記例
と同様にして各工程の処理を行う。すると、熱圧着法に
よって接着テープ３を回路形成面２ａに接着した際、図
５（ａ）に示すように熱圧着時に接着テープ３の外縁部
が一部溶融し、この溶融部分がしみだして半導体素子２
の側面の一部を覆い、かつダムバー１１の下面の外縁部
の一部をも覆うようになる。
用い、前記例と同様にし、接着テープ３の外縁を半導体
素子２の回路形成面２ａの外縁に略一致するようにして
該接着テープ３を回路形成面２ａに接着し、以下前記例
と同様にして各工程の処理を行う。すると、熱圧着法に
よって接着テープ３を回路形成面２ａに接着した際、図
５（ａ）に示すように熱圧着時に接着テープ３の外縁部
が一部溶融し、この溶融部分がしみだして半導体素子２
の側面の一部を覆い、かつダムバー１１の下面の外縁部
の一部をも覆うようになる。
【００２５】したがって、この製造方法によれば、得ら
れる半導体装置（図示略）を、その側面部において接着
テープ３がダムバー１１の下面に対して広い面積で接着
し、かつ半導体素子２に対してこれの回路形成面２ａだ
けでなく側面上部にまで接着したものとすることがで
き、これにより外部から半導体素子２表面に不純物が浸
入するのを防止することができる。
れる半導体装置（図示略）を、その側面部において接着
テープ３がダムバー１１の下面に対して広い面積で接着
し、かつ半導体素子２に対してこれの回路形成面２ａだ
けでなく側面上部にまで接着したものとすることがで
き、これにより外部から半導体素子２表面に不純物が浸
入するのを防止することができる。
【００２６】なお、参考として、図２〜図４に示した製
造方法によって得られる半導体装置１０の、熱圧着後の
接着テープ３の状態について図５（ｂ）を参照して説明
すると、この例では接着テープ３、ダムバー１１が共に
半導体素子２の回路素子面２ａと略同一の大きさである
ことから、接着テープの溶融によるしみだしが少なく、
したがって半導体素子２の側面を覆う面積がほんのわず
かになる。また、図５（ｃ）に示すように、仮に接着テ
ープ３が回路素子面２ａと略同一の大きさであり、かつ
ダムバー１１が回路素子面２ａより小さい場合には、接
着テープ３の溶融によるしみだしがダムバー１１の側面
を覆う方向に起こる。また、図５（ｄ）に示すように、
仮に接着テープ３が回路素子面２ａと略同一の大きさで
あり、かつダムバー１１が回路素子面２ａより大きい場
合には、接着テープ３の溶融によるしみだしが半導体素
子２の側面およびダムバー１１の下面を覆う方向に起こ
る。しかし、接着テープ３が回路素子面２ａと略同一の
大きさであることから、溶融によるしみだし量は図５
（ａ）に比べた場合小となる。
造方法によって得られる半導体装置１０の、熱圧着後の
接着テープ３の状態について図５（ｂ）を参照して説明
すると、この例では接着テープ３、ダムバー１１が共に
半導体素子２の回路素子面２ａと略同一の大きさである
ことから、接着テープの溶融によるしみだしが少なく、
したがって半導体素子２の側面を覆う面積がほんのわず
かになる。また、図５（ｃ）に示すように、仮に接着テ
ープ３が回路素子面２ａと略同一の大きさであり、かつ
ダムバー１１が回路素子面２ａより小さい場合には、接
着テープ３の溶融によるしみだしがダムバー１１の側面
を覆う方向に起こる。また、図５（ｄ）に示すように、
仮に接着テープ３が回路素子面２ａと略同一の大きさで
あり、かつダムバー１１が回路素子面２ａより大きい場
合には、接着テープ３の溶融によるしみだしが半導体素
子２の側面およびダムバー１１の下面を覆う方向に起こ
る。しかし、接着テープ３が回路素子面２ａと略同一の
大きさであることから、溶融によるしみだし量は図５
（ａ）に比べた場合小となる。
【００２７】図６（ａ）、（ｂ）は図２〜図４を参照し
て説明した製造方法の第２の変形例を説明するための図
である。図６（ａ）、（ｂ）を参照してこの第２の変形
例を説明する。この第２の変形例が図２〜図４に示した
製造方法と主に異なるところは、使用するリードフレー
ム１２におけるダムバーサポート１４およびダムバー１
１に、樹脂の充填硬化時におけるガス抜き用の溝２２を
形成した点である。すなわち、この第２変形例では、リ
ードフレーム１２として、図６（ａ）に示すようにダム
バー１１の内縁からダムバーサポート１４を通ってリー
ドフレーム枠１３の外縁にまで延びる溝２２を形成した
ものを用意する。この溝２２は、後述するように樹脂充
填硬化時におけるガス抜き用の孔として機能するもので
あり、リードフレーム１２において接着テープ３が貼着
された側と反対の側に形成されたものである。
て説明した製造方法の第２の変形例を説明するための図
である。図６（ａ）、（ｂ）を参照してこの第２の変形
例を説明する。この第２の変形例が図２〜図４に示した
製造方法と主に異なるところは、使用するリードフレー
ム１２におけるダムバーサポート１４およびダムバー１
１に、樹脂の充填硬化時におけるガス抜き用の溝２２を
形成した点である。すなわち、この第２変形例では、リ
ードフレーム１２として、図６（ａ）に示すようにダム
バー１１の内縁からダムバーサポート１４を通ってリー
ドフレーム枠１３の外縁にまで延びる溝２２を形成した
ものを用意する。この溝２２は、後述するように樹脂充
填硬化時におけるガス抜き用の孔として機能するもので
あり、リードフレーム１２において接着テープ３が貼着
された側と反対の側に形成されたものである。
【００２８】そして、このような溝２２を形成したリー
ドフレーム１２を用いて半導体装置を製造するには、図
６（ｂ）に示すように、図３（ｂ）に示した成形金型１
８の上型１８ｂと異なり、ガス抜き溝２１を備えていな
い上型２３を用いることができる。つまり、前記溝２２
を有したリードフレーム１２を用い、これの溝２２がキ
ャビティー１９内から上型２３の外にまで延びるように
リードフレーム１２を配置することにより、樹脂充填時
にキャビティー１９内の空気が溝２２を通って排出さ
れ、これによりモールド樹脂１７の充填を円滑に行うこ
とができる。したがって、この製造方法によれば、モー
ルド樹脂封止に用いる上型２３に関しては樹脂注入孔２
０を設ける以外加工を不要にすることができ、したがっ
て製造コストの低減化を図ることができるとともに、こ
の上型２３を、半導体素子２の大きさに制限されること
が少ない共用性に富むものにすることができる。
ドフレーム１２を用いて半導体装置を製造するには、図
６（ｂ）に示すように、図３（ｂ）に示した成形金型１
８の上型１８ｂと異なり、ガス抜き溝２１を備えていな
い上型２３を用いることができる。つまり、前記溝２２
を有したリードフレーム１２を用い、これの溝２２がキ
ャビティー１９内から上型２３の外にまで延びるように
リードフレーム１２を配置することにより、樹脂充填時
にキャビティー１９内の空気が溝２２を通って排出さ
れ、これによりモールド樹脂１７の充填を円滑に行うこ
とができる。したがって、この製造方法によれば、モー
ルド樹脂封止に用いる上型２３に関しては樹脂注入孔２
０を設ける以外加工を不要にすることができ、したがっ
て製造コストの低減化を図ることができるとともに、こ
の上型２３を、半導体素子２の大きさに制限されること
が少ない共用性に富むものにすることができる。
【００２９】図７（ａ）、（ｂ）は図２〜図４を参照し
て説明した製造方法の第３変形例を説明するための図で
ある。図７（ａ）、（ｂ）を参照してこの第３変形例を
説明する。この第３変形例が図６（ａ）、（ｂ）に示し
た第２変形例と主に異なるところは、リードフレーム１
２として、ダムバーサポート１４に溝２２を形成すると
ともに、図７（ａ）に示すようにリードフレーム本体１
５、１５間にダムバー間リード２４を有し、該ダムバー
間リード２４にガス抜き用の孔として機能する溝２５と
孔２６とを形成したものを用いる点にある。
て説明した製造方法の第３変形例を説明するための図で
ある。図７（ａ）、（ｂ）を参照してこの第３変形例を
説明する。この第３変形例が図６（ａ）、（ｂ）に示し
た第２変形例と主に異なるところは、リードフレーム１
２として、ダムバーサポート１４に溝２２を形成すると
ともに、図７（ａ）に示すようにリードフレーム本体１
５、１５間にダムバー間リード２４を有し、該ダムバー
間リード２４にガス抜き用の孔として機能する溝２５と
孔２６とを形成したものを用いる点にある。
【００３０】すなわち、この第３変形例では、図７
（ａ）に示すようにリードフレーム１２として、リード
フレーム本体１５、１５およびこれらの間のダムバー間
リード２４に、一方のダムバー１１の内縁からダムバー
間リード２４を通って他方のダムバー１１の内縁にまで
延びる溝２５を、接着テープ３を貼着する面と反対の側
の面に形成し、さらにダムバー間リード２４に、この溝
２５から接着テープ３を貼着する面に貫通する孔２６を
形成したリードフレーム１２を用意する。
（ａ）に示すようにリードフレーム１２として、リード
フレーム本体１５、１５およびこれらの間のダムバー間
リード２４に、一方のダムバー１１の内縁からダムバー
間リード２４を通って他方のダムバー１１の内縁にまで
延びる溝２５を、接着テープ３を貼着する面と反対の側
の面に形成し、さらにダムバー間リード２４に、この溝
２５から接着テープ３を貼着する面に貫通する孔２６を
形成したリードフレーム１２を用意する。
【００３１】そして、このような溝２２、溝２５、孔２
６を形成したリードフレーム１２を用いて半導体装置を
製造するには、図７（ｂ）に示すように、図６（ｂ）に
示した成形金型の上型２３と同様にガス抜き溝２１を備
えておらず、かつキャビティーを広くして複数の半導体
素子の樹脂封止を同時に行えるようにした成形金型２７
を用いる。つまり、この成形金型２７には、その上型２
７ｂに樹脂注入孔２０が複数形成されており、樹脂充填
に際しては図７（ｂ）に示すようにこれら樹脂注入孔２
０から同時に樹脂注入を行う。
６を形成したリードフレーム１２を用いて半導体装置を
製造するには、図７（ｂ）に示すように、図６（ｂ）に
示した成形金型の上型２３と同様にガス抜き溝２１を備
えておらず、かつキャビティーを広くして複数の半導体
素子の樹脂封止を同時に行えるようにした成形金型２７
を用いる。つまり、この成形金型２７には、その上型２
７ｂに樹脂注入孔２０が複数形成されており、樹脂充填
に際しては図７（ｂ）に示すようにこれら樹脂注入孔２
０から同時に樹脂注入を行う。
【００３２】このようにして樹脂注入を行うと、ダムバ
ー１１の内部の空気が樹脂に押し出され、一部が溝２２
を通って成形金型２７の外に排出されると同時に、残部
が溝２５を通り、さらにこれに連通する孔２６を通って
半導体素子２、２間に流れる。したがって、この製造方
法にあっても、モールド樹脂１７の充填を円滑に行うこ
とができ、しかも、図６（ａ）、（ｂ）に示した製造方
法に比べ、ダムバー１１、１１間でも空気が流れるよう
にしたことから、リードフレーム１２の構成が複雑にな
ったりして空気抜きの効率が低下しても、これをダムバ
ー１１の内側から半導体素子２の外側に排出する道を形
成したことにより、空気抜きがより円滑になり、樹脂の
充填性の低下を十分に抑えることができる。また、複数
の半導体素子２を一つの成形金型２７で同時に樹脂封止
することができ、これにより成形金型の製作費を安価に
して製造コストの低減化を図ることができる。
ー１１の内部の空気が樹脂に押し出され、一部が溝２２
を通って成形金型２７の外に排出されると同時に、残部
が溝２５を通り、さらにこれに連通する孔２６を通って
半導体素子２、２間に流れる。したがって、この製造方
法にあっても、モールド樹脂１７の充填を円滑に行うこ
とができ、しかも、図６（ａ）、（ｂ）に示した製造方
法に比べ、ダムバー１１、１１間でも空気が流れるよう
にしたことから、リードフレーム１２の構成が複雑にな
ったりして空気抜きの効率が低下しても、これをダムバ
ー１１の内側から半導体素子２の外側に排出する道を形
成したことにより、空気抜きがより円滑になり、樹脂の
充填性の低下を十分に抑えることができる。また、複数
の半導体素子２を一つの成形金型２７で同時に樹脂封止
することができ、これにより成形金型の製作費を安価に
して製造コストの低減化を図ることができる。
【００３３】図８（ａ）は図２〜図４を参照して説明し
た製造方法の第４変形例を説明するための図である。こ
の第４変形例が図２〜図４に示した製造方法と異なると
ころは、使用する成形金型として、そのキャビティーを
形成する底面に溝部が形成されたものを用いる点にあ
る。すなわち、例えば図２〜図４に示した製造方法で
は、図８（ｂ）に示すようにそのキャビティー１９内に
異物２８があった場合、図３（ａ）に示した成形金型１
８ではその下型１８ａのキャビティー１９を形成する底
面と上型１８ｂの下面とで半導体素子２とこれの上に載
置されるリードフレーム１２とを挟むため、異物２８に
よって脆性材料である半導体素子２がダメージを受け、
特にダメージが大きい場合にはクラック２９が発生し、
半導体装置としての機能を損なってしまう。
た製造方法の第４変形例を説明するための図である。こ
の第４変形例が図２〜図４に示した製造方法と異なると
ころは、使用する成形金型として、そのキャビティーを
形成する底面に溝部が形成されたものを用いる点にあ
る。すなわち、例えば図２〜図４に示した製造方法で
は、図８（ｂ）に示すようにそのキャビティー１９内に
異物２８があった場合、図３（ａ）に示した成形金型１
８ではその下型１８ａのキャビティー１９を形成する底
面と上型１８ｂの下面とで半導体素子２とこれの上に載
置されるリードフレーム１２とを挟むため、異物２８に
よって脆性材料である半導体素子２がダメージを受け、
特にダメージが大きい場合にはクラック２９が発生し、
半導体装置としての機能を損なってしまう。
【００３４】そこで、この第４変形例では、異物２８が
あってもこれによりダメージを受ける確率が少なくなる
よう、図８（ａ）に示すように下型１８ａの、これが形
成するキャビティー１９の底面に溝３０を形成してい
る。このように溝３０を形成したことにより、樹脂充填
に際してキャビティー１９内に異物２８が残っていたと
してもこの異物２８が溝３０内に落ちていれば、半導体
素子２に何ら影響がなく、樹脂充填を円滑に行うことが
できるのである。なお、この第４変形例においては、キ
ャビティー１９の底面に溝３０を形成したが、溝に代え
て単なる凹部を形成しても、異物２８による影響を少な
くすることができる。
あってもこれによりダメージを受ける確率が少なくなる
よう、図８（ａ）に示すように下型１８ａの、これが形
成するキャビティー１９の底面に溝３０を形成してい
る。このように溝３０を形成したことにより、樹脂充填
に際してキャビティー１９内に異物２８が残っていたと
してもこの異物２８が溝３０内に落ちていれば、半導体
素子２に何ら影響がなく、樹脂充填を円滑に行うことが
できるのである。なお、この第４変形例においては、キ
ャビティー１９の底面に溝３０を形成したが、溝に代え
て単なる凹部を形成しても、異物２８による影響を少な
くすることができる。
【００３５】図９（ａ）は図２〜図４を参照して説明し
た製造方法の第５変形例を説明するための図である。こ
の第５変形例が前記第４変形例と異なるところは、キャ
ビティー１９の底面に形成する溝として、その溝の底面
が下方に膨らんだ曲面によって形成されてなる点であ
る。すなわち、この第５変形例では、図９（ａ）に示す
ようにキャビティー１９の底面に形成される溝３１が横
断面半円状に形成され、したがってその底面が下方に半
円状に膨らんだ曲面となっている。
た製造方法の第５変形例を説明するための図である。こ
の第５変形例が前記第４変形例と異なるところは、キャ
ビティー１９の底面に形成する溝として、その溝の底面
が下方に膨らんだ曲面によって形成されてなる点であ
る。すなわち、この第５変形例では、図９（ａ）に示す
ようにキャビティー１９の底面に形成される溝３１が横
断面半円状に形成され、したがってその底面が下方に半
円状に膨らんだ曲面となっている。
【００３６】ところで、前記第４変形例では、図９
（ｂ）に示すように異物２８の除去を例えばエアーガン
で空気を吹きつけ、これを吹き飛ばすようにしても、溝
３０の形状から異物２８が溝３０内に留まってしまうこ
とが考えられる。しかして、この第５変形例では、溝３
１が曲面形状をとっているため異物２８の除去が容易に
なる。したがって、異物除去に要する時間が短縮され、
その分工程の時間短縮化が図れるとともに、異物による
半導体素子２のダメージの発生をより確実に抑えること
ができる。
（ｂ）に示すように異物２８の除去を例えばエアーガン
で空気を吹きつけ、これを吹き飛ばすようにしても、溝
３０の形状から異物２８が溝３０内に留まってしまうこ
とが考えられる。しかして、この第５変形例では、溝３
１が曲面形状をとっているため異物２８の除去が容易に
なる。したがって、異物除去に要する時間が短縮され、
その分工程の時間短縮化が図れるとともに、異物による
半導体素子２のダメージの発生をより確実に抑えること
ができる。
【００３７】なお、この第５変形例においては、キャビ
ティー１９の底面に溝３１を形成したが、第４変形例と
同様に溝に代えて単なる凹部を形成してもよく、その場
合にこの凹部を、その凹面がキャビティー１９の底面の
下方に膨らんだ曲面によって形成すれば、異物２８によ
る影響をより少なくすることができる。
ティー１９の底面に溝３１を形成したが、第４変形例と
同様に溝に代えて単なる凹部を形成してもよく、その場
合にこの凹部を、その凹面がキャビティー１９の底面の
下方に膨らんだ曲面によって形成すれば、異物２８によ
る影響をより少なくすることができる。
【００３８】図１０（ａ）は図２〜図４を参照して説明
した製造方法の第６変形例を説明するための図である。
この第６変形例が前記第４変形例と異なるところは、キ
ャビティー１９の底面に形成する溝あるいは凹部を、該
底面の平面視形状にて、その上下方向および左右方向に
それぞれ対称に形成しあるいは配置した点である。すな
わち、この第６変形例では、図１０（ａ）に示すように
キャビティー１９の底面１９ａにおいて、図１０（ａ）
中Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに示すような凹部あるいは溝を形成し
ている。ここで、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは、この第６変形例の
うちのさらに第１例、第２例、第３例、第４例を示すも
ので、それぞれ底面１９ａ全体について図示するのを省
略し、四分割したうちの一部分つについてのみ示してい
る。
した製造方法の第６変形例を説明するための図である。
この第６変形例が前記第４変形例と異なるところは、キ
ャビティー１９の底面に形成する溝あるいは凹部を、該
底面の平面視形状にて、その上下方向および左右方向に
それぞれ対称に形成しあるいは配置した点である。すな
わち、この第６変形例では、図１０（ａ）に示すように
キャビティー１９の底面１９ａにおいて、図１０（ａ）
中Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに示すような凹部あるいは溝を形成し
ている。ここで、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは、この第６変形例の
うちのさらに第１例、第２例、第３例、第４例を示すも
ので、それぞれ底面１９ａ全体について図示するのを省
略し、四分割したうちの一部分つについてのみ示してい
る。
【００３９】図１０（ａ）中Ｃに示す構造は、平面視円
形状の凹部３２を縦横に等間隔で形成配置したものであ
り、Ｄに示す構造は、図中横方向に延びる複数の溝３３
を平行でかつ等間隔に形成配置したものである。また、
図１０（ａ）中Ｅに示す構造は、図中縦方向に延びる複
数の溝３４を平行でかつ等間隔に形成配置したものであ
り、Ｆに示す構造は、平面視矩形枠状の複数の溝３５を
同心状にかつ等間隔に形成配置したものである。
形状の凹部３２を縦横に等間隔で形成配置したものであ
り、Ｄに示す構造は、図中横方向に延びる複数の溝３３
を平行でかつ等間隔に形成配置したものである。また、
図１０（ａ）中Ｅに示す構造は、図中縦方向に延びる複
数の溝３４を平行でかつ等間隔に形成配置したものであ
り、Ｆに示す構造は、平面視矩形枠状の複数の溝３５を
同心状にかつ等間隔に形成配置したものである。
【００４０】ところで、前記第４変形例では、図１０
（ｂ）に示すように溝３０の配置が平面視した状態で非
対称である場合に、金型内に半導体素子２を配置し型締
めした際、半導体素子２に多少の傾きがあると溝３０の
角部に半導体素子２の裏面があたり、ここに力が集中し
てクラック３６が発生するおそれがある。
（ｂ）に示すように溝３０の配置が平面視した状態で非
対称である場合に、金型内に半導体素子２を配置し型締
めした際、半導体素子２に多少の傾きがあると溝３０の
角部に半導体素子２の裏面があたり、ここに力が集中し
てクラック３６が発生するおそれがある。
【００４１】しかして、前記Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆに示したご
とく縦横に対称な構造では、半導体素子１裏面に接する
金型の溝の配置を半導体素子１裏面に対し対称的な配置
したため、金型内に半導体素子２を配置した際、キャビ
ティー１９の底面が半導体素子２の裏面に均一に当接す
るようになる。したがって、半導体素子２に傾きが生ぜ
ず、型締めした際、半導体素子２の裏面にダメージが与
えられることがなくなる。なお、この第６変形例におい
ても、キャビティー１９の底面に形成する凹部３２ある
いは溝３３、３４、３５についてその凹面を、キャビテ
ィー１９の底面の下方に膨らんだ曲面によって形成して
もよい。
とく縦横に対称な構造では、半導体素子１裏面に接する
金型の溝の配置を半導体素子１裏面に対し対称的な配置
したため、金型内に半導体素子２を配置した際、キャビ
ティー１９の底面が半導体素子２の裏面に均一に当接す
るようになる。したがって、半導体素子２に傾きが生ぜ
ず、型締めした際、半導体素子２の裏面にダメージが与
えられることがなくなる。なお、この第６変形例におい
ても、キャビティー１９の底面に形成する凹部３２ある
いは溝３３、３４、３５についてその凹面を、キャビテ
ィー１９の底面の下方に膨らんだ曲面によって形成して
もよい。
【００４２】図１１（ａ）、（ｂ）は図２〜図４を参照
して説明した製造方法の第７変形例を説明するための図
である。なお、図１１（ａ）、（ｂ）は半導体素子２上
にリードフレームが設けられ、さらに樹脂充填がなされ
た後の状態を示している。この第７変形例が図２〜図４
に示した製造方法と主に異なるところは、使用するリー
ドフレームにおけるダムバーサポートに、ダムバーより
肉薄の部位が形成されている点である。
して説明した製造方法の第７変形例を説明するための図
である。なお、図１１（ａ）、（ｂ）は半導体素子２上
にリードフレームが設けられ、さらに樹脂充填がなされ
た後の状態を示している。この第７変形例が図２〜図４
に示した製造方法と主に異なるところは、使用するリー
ドフレームにおけるダムバーサポートに、ダムバーより
肉薄の部位が形成されている点である。
【００４３】すなわち、この第７変形例では、図１１
（ａ）、（ｂ）に示すように使用したリードフレーム３
６が、例えば図７（ａ）に示したリードフレーム１２と
異なり、ダムバーサポート１４に肉薄部１４ａが形成さ
れている。この肉薄部１４ａは、ダムバー１１に連続す
る部位に形成されたものであり、この肉薄部１４ａに連
続する部位のダムバーサポート１４は、ダムバー１１と
同じ肉厚に形成されたものとなっている。
（ａ）、（ｂ）に示すように使用したリードフレーム３
６が、例えば図７（ａ）に示したリードフレーム１２と
異なり、ダムバーサポート１４に肉薄部１４ａが形成さ
れている。この肉薄部１４ａは、ダムバー１１に連続す
る部位に形成されたものであり、この肉薄部１４ａに連
続する部位のダムバーサポート１４は、ダムバー１１と
同じ肉厚に形成されたものとなっている。
【００４４】また、このようにダムバーサポート１４に
肉薄部１４ａが形成されていることから、当然この肉薄
部１４ａにて該ダムバーサポート１４が切れ易く、これ
によりリードフレーム本体１５がリードフレーム枠１３
から外れ易くなってしまう。したがって、このようにリ
ードフレーム本体１５が不測にリードフレーム枠１３か
ら外れてしまうことを防止するため、本第７変形例で
は、図１１（ａ）に示すようにこのリードフレーム３６
に、リードフレーム本体１５、１５間におけるダムバー
１１、１１間にダムバー間リード３７を形成している。
そして、このダムバー間リード３７にもダムバー１１に
連続する部位に肉薄部３７ａ、３７ａを形成し、該ダム
バー間リード３７をカットし易くしている。
肉薄部１４ａが形成されていることから、当然この肉薄
部１４ａにて該ダムバーサポート１４が切れ易く、これ
によりリードフレーム本体１５がリードフレーム枠１３
から外れ易くなってしまう。したがって、このようにリ
ードフレーム本体１５が不測にリードフレーム枠１３か
ら外れてしまうことを防止するため、本第７変形例で
は、図１１（ａ）に示すようにこのリードフレーム３６
に、リードフレーム本体１５、１５間におけるダムバー
１１、１１間にダムバー間リード３７を形成している。
そして、このダムバー間リード３７にもダムバー１１に
連続する部位に肉薄部３７ａ、３７ａを形成し、該ダム
バー間リード３７をカットし易くしている。
【００４５】ところで、図１１（ａ）、（ｂ）に示した
ように樹脂充填を行った後、最終工程として半導体装置
を個片に分割するべく、図４（ａ）に示したように不要
なダムバーサポート１４をカットする。このとき、図１
１（ｃ）に示すようにモールド樹脂７にクラック３８が
発生するおそれがある。これは、ダムバーサポート１４
の肉厚が厚く形成されてしまった場合などに、カットし
にくくなることに起因して起こると考えられる。
ように樹脂充填を行った後、最終工程として半導体装置
を個片に分割するべく、図４（ａ）に示したように不要
なダムバーサポート１４をカットする。このとき、図１
１（ｃ）に示すようにモールド樹脂７にクラック３８が
発生するおそれがある。これは、ダムバーサポート１４
の肉厚が厚く形成されてしまった場合などに、カットし
にくくなることに起因して起こると考えられる。
【００４６】しかして、この第７変形例では、図１１
（ａ）、（ｂ）に示したようにダムバーサポート１４に
肉薄部１４ａを形成したことから、ここをカットするこ
とにより、前述したようなクラック３８の発生を防止す
ることができるのである。また、同様にダムバー間リー
ド３７にも肉薄部３７ａ、３７ａを形成したことから、
該ダムバー間リード３７もカットし易く、これによりダ
ムバー間リード３７のカットの際にもクラック３８の発
生が防止される。
（ａ）、（ｂ）に示したようにダムバーサポート１４に
肉薄部１４ａを形成したことから、ここをカットするこ
とにより、前述したようなクラック３８の発生を防止す
ることができるのである。また、同様にダムバー間リー
ド３７にも肉薄部３７ａ、３７ａを形成したことから、
該ダムバー間リード３７もカットし易く、これによりダ
ムバー間リード３７のカットの際にもクラック３８の発
生が防止される。
【００４７】図１２（ａ）、（ｂ）は図２〜図４を参照
して説明した製造方法の第８変形例を説明するための図
である。なお、図１２（ａ）、（ｂ）も半導体素子２上
にリードフレームが設けられ、さらに樹脂充填がなされ
た後の状態を示している。この第８変形例が図１１
（ａ）、（ｂ）に示した第７変形例と異なるところは、
使用するリードフレームとして、ダムバーサポート１４
の肉薄部１４ａおよびダムバー間リード３７に代えて、
それぞれ接着テープを設けた点である。
して説明した製造方法の第８変形例を説明するための図
である。なお、図１２（ａ）、（ｂ）も半導体素子２上
にリードフレームが設けられ、さらに樹脂充填がなされ
た後の状態を示している。この第８変形例が図１１
（ａ）、（ｂ）に示した第７変形例と異なるところは、
使用するリードフレームとして、ダムバーサポート１４
の肉薄部１４ａおよびダムバー間リード３７に代えて、
それぞれ接着テープを設けた点である。
【００４８】すなわち、この第８変形例では、図１２
（ａ）、（ｂ）に示すように使用したリードフレーム４
０が、そのリードフレーム本体１５のダムバー１１に、
間隙をおいてこれの外方に延びるダムバーサポート４１
を有し、該ダムバーサポート４１が、ダムバー１１に接
着テープ３ａで連結された構造のものとなっている。ま
た、このリードフレーム４０においても、リードフレー
ム本体１５とリードフレーム枠１３との連結を強化する
ため、リードフレーム本体１５、１５間がやはり接着テ
ープ３ｂで連結されている。ここで、接着テープ３ａ、
３ｂは、ダムバー１１とリード６…とを連結する接着テ
ープ３が、予め必要部分延ばされて形成されたものであ
る。
（ａ）、（ｂ）に示すように使用したリードフレーム４
０が、そのリードフレーム本体１５のダムバー１１に、
間隙をおいてこれの外方に延びるダムバーサポート４１
を有し、該ダムバーサポート４１が、ダムバー１１に接
着テープ３ａで連結された構造のものとなっている。ま
た、このリードフレーム４０においても、リードフレー
ム本体１５とリードフレーム枠１３との連結を強化する
ため、リードフレーム本体１５、１５間がやはり接着テ
ープ３ｂで連結されている。ここで、接着テープ３ａ、
３ｂは、ダムバー１１とリード６…とを連結する接着テ
ープ３が、予め必要部分延ばされて形成されたものであ
る。
【００４９】したがって、この第８変形例によれば、樹
脂充填を行った後、半導体装置を個片に分割するべくダ
ムバーサポート４１、さらにダムバー１１、１１間をカ
ットする際、薄く軟らかい接着テープ３ａ、３ｂをカッ
トすることにより、カットによる負荷がモールド樹脂７
に加わる度合いを極めて少なくすることができ、これに
より図１１（ｃ）に示したクラック３８の発生を確実に
防止することができる。また、図１１（ａ）、（ｂ）に
示した第７変形例では、ダムバーサポート１４、ダムバ
ー間リード３７の肉薄部１４ａ、３７ａをカットした
際、これら肉薄部１４ａ、３７ａの一部が切り残しとし
て突起状に残ってしまい、この切り残しが得られる半導
体装置の外観を損ない、さらにプリント基板実装時に隣
の半導体装置と接してしまって実装の妨げになるおそれ
があるが、図１２（ａ）、（ｂ）に示した第８変形例で
は、カット部分を薄く軟らかい接着テープ３ａ、３ｂと
しているため、切り残しができても外観上ほとんど問題
なく、またプリント基板実装時においても隣の半導体装
置の実装の妨げになるおそれがない。
脂充填を行った後、半導体装置を個片に分割するべくダ
ムバーサポート４１、さらにダムバー１１、１１間をカ
ットする際、薄く軟らかい接着テープ３ａ、３ｂをカッ
トすることにより、カットによる負荷がモールド樹脂７
に加わる度合いを極めて少なくすることができ、これに
より図１１（ｃ）に示したクラック３８の発生を確実に
防止することができる。また、図１１（ａ）、（ｂ）に
示した第７変形例では、ダムバーサポート１４、ダムバ
ー間リード３７の肉薄部１４ａ、３７ａをカットした
際、これら肉薄部１４ａ、３７ａの一部が切り残しとし
て突起状に残ってしまい、この切り残しが得られる半導
体装置の外観を損ない、さらにプリント基板実装時に隣
の半導体装置と接してしまって実装の妨げになるおそれ
があるが、図１２（ａ）、（ｂ）に示した第８変形例で
は、カット部分を薄く軟らかい接着テープ３ａ、３ｂと
しているため、切り残しができても外観上ほとんど問題
なく、またプリント基板実装時においても隣の半導体装
置の実装の妨げになるおそれがない。
【００５０】図１３（ａ）は、図１（ａ）、（ｂ）に示
した第１実施形態例の変形例を示す図であり、図１３
（ａ）において符号４２は半導体装置である。この半導
体装置４２が図１（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置１
０と異なるところは、ダムバー４３の肉厚が、リード６
の肉厚より十分厚く形成されている点である。
した第１実施形態例の変形例を示す図であり、図１３
（ａ）において符号４２は半導体装置である。この半導
体装置４２が図１（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置１
０と異なるところは、ダムバー４３の肉厚が、リード６
の肉厚より十分厚く形成されている点である。
【００５１】この半導体装置４２を製造するには、リー
ドフレーム１２として、リード６より肉厚が厚いダムバ
ー４３を備えたものを用意し、以下、図２〜図４に示し
た製造方法と同様にして行えばよい。ただし、使用する
成形金型としては、図３（ａ）に示した成形金型１８に
対し、図１３（ｂ）に示すように下型４４ａに形成され
るキャビティー４５の深さが、ダムバー４３とリード６
との肉厚の差分深く、かつ、上型４４ｂの下面の中央部
にダムバー４３とリード６との肉厚の差分突出する突出
部４６を有している点で異なるものを用いる。
ドフレーム１２として、リード６より肉厚が厚いダムバ
ー４３を備えたものを用意し、以下、図２〜図４に示し
た製造方法と同様にして行えばよい。ただし、使用する
成形金型としては、図３（ａ）に示した成形金型１８に
対し、図１３（ｂ）に示すように下型４４ａに形成され
るキャビティー４５の深さが、ダムバー４３とリード６
との肉厚の差分深く、かつ、上型４４ｂの下面の中央部
にダムバー４３とリード６との肉厚の差分突出する突出
部４６を有している点で異なるものを用いる。
【００５２】ところで、図１（ａ）、（ｂ）に示した半
導体装置１０では、これをプリント基板に実装する場
合、図１３（ｃ）に示すようにリード６をハンダ４７に
よってプリント基板４８に接続固定する。ところが、こ
の半導体装置１０はその全体構成がほとんど半導体素子
２で占められているため、その熱膨張係数はシリコンの
熱膨張係数である約３×１０-6／℃にほぼ一致するもの
となる。一方、プリント基板４８の熱膨張係数は、樹脂
の熱膨張係数である２〜３×１０-5 ／℃にほぼ同じと
なり、したがって半導体装置１０に比べ１桁大きいもの
となる。
導体装置１０では、これをプリント基板に実装する場
合、図１３（ｃ）に示すようにリード６をハンダ４７に
よってプリント基板４８に接続固定する。ところが、こ
の半導体装置１０はその全体構成がほとんど半導体素子
２で占められているため、その熱膨張係数はシリコンの
熱膨張係数である約３×１０-6／℃にほぼ一致するもの
となる。一方、プリント基板４８の熱膨張係数は、樹脂
の熱膨張係数である２〜３×１０-5 ／℃にほぼ同じと
なり、したがって半導体装置１０に比べ１桁大きいもの
となる。
【００５３】しかして、このようにプリント基板４８の
熱膨張係数が半導体装置１０の熱膨張係数に比べ大きい
ことから、基板実装後においては、熱膨張係数の差に起
因して生じる熱ストレスが、それぞれの接合部となるハ
ンダ４７に集中する。そして、この熱ストレスが大きく
なると、ハンダ４７にクラックが発生してしまい、導電
不良を招くおそれが生じてしまう。これを防ぐため、例
えばプリント基板４８に代えて、熱膨張係数が半導体素
子２に近いセラミックスの基板を用いればよいが、その
場合には、セラミックスの基板が非常に高価であること
から、大幅なコストアップを招いてしまう。
熱膨張係数が半導体装置１０の熱膨張係数に比べ大きい
ことから、基板実装後においては、熱膨張係数の差に起
因して生じる熱ストレスが、それぞれの接合部となるハ
ンダ４７に集中する。そして、この熱ストレスが大きく
なると、ハンダ４７にクラックが発生してしまい、導電
不良を招くおそれが生じてしまう。これを防ぐため、例
えばプリント基板４８に代えて、熱膨張係数が半導体素
子２に近いセラミックスの基板を用いればよいが、その
場合には、セラミックスの基板が非常に高価であること
から、大幅なコストアップを招いてしまう。
【００５４】そこで、このような不都合を解消するた
め、本変形例の半導体装置４２では、図１３（ａ）に示
したごとくダムバー４３の肉厚を、リード６の肉厚より
十分厚くしたのである。また、この半導体装置４２をプ
リント基板４８に実装するにあたっては、予めプリント
基板４８の所定位置に、ダムバー４３の位置・形状に対
応する溝４９を形成しておく。そして、半導体装置４２
のダムバー４３を突起としてプリント基板４８の溝４９
に嵌め込み、その状態でハンダ４７によってプリント基
板４８に接続固定する。
め、本変形例の半導体装置４２では、図１３（ａ）に示
したごとくダムバー４３の肉厚を、リード６の肉厚より
十分厚くしたのである。また、この半導体装置４２をプ
リント基板４８に実装するにあたっては、予めプリント
基板４８の所定位置に、ダムバー４３の位置・形状に対
応する溝４９を形成しておく。そして、半導体装置４２
のダムバー４３を突起としてプリント基板４８の溝４９
に嵌め込み、その状態でハンダ４７によってプリント基
板４８に接続固定する。
【００５５】すると、前記熱膨張係数の差に起因して生
じる熱ストレスが、ダムバー４３からなる突起をプリン
ト基板４８の溝４９に嵌め込むことによって緩和され、
これによりハンダ４７におけるクラックの発生が防止さ
れる。よって、この変形例の半導体装置４２にあって
は、これを基板に実装して実装構造とした場合に、半導
体装置４２の固定のためのハンダ４７にクラックが発生
するのを防止することができ、これによりハンダ４７に
よる電気的接続を良好な状態に確保することができる。
じる熱ストレスが、ダムバー４３からなる突起をプリン
ト基板４８の溝４９に嵌め込むことによって緩和され、
これによりハンダ４７におけるクラックの発生が防止さ
れる。よって、この変形例の半導体装置４２にあって
は、これを基板に実装して実装構造とした場合に、半導
体装置４２の固定のためのハンダ４７にクラックが発生
するのを防止することができ、これによりハンダ４７に
よる電気的接続を良好な状態に確保することができる。
【００５６】図１４は、本発明における第２実施形態例
を示す図であり、図１４において符号５０は半導体装置
である。この半導体装置５０が図１（ａ）、（ｂ）に示
した半導体装置１０と異なるところは、半導体素子２の
回路形成面２ａ以外の面が、コーティング樹脂で覆われ
てなる点である。すなわち、図１４に示した半導体装置
５０は、半導体素子２の回路形成面２ａ以外の面、さら
に回路形成面２ａ上にある接着テープ３の側端面がコー
ティング樹脂５１によって覆われている。このコーティ
ング樹脂５１は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂
などからなる厚さ２０〜３０μｍ程度のもので、半導体
装置５０そのものの大きさをほとんど変えないようにコ
ーティングされたものである。
を示す図であり、図１４において符号５０は半導体装置
である。この半導体装置５０が図１（ａ）、（ｂ）に示
した半導体装置１０と異なるところは、半導体素子２の
回路形成面２ａ以外の面が、コーティング樹脂で覆われ
てなる点である。すなわち、図１４に示した半導体装置
５０は、半導体素子２の回路形成面２ａ以外の面、さら
に回路形成面２ａ上にある接着テープ３の側端面がコー
ティング樹脂５１によって覆われている。このコーティ
ング樹脂５１は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂
などからなる厚さ２０〜３０μｍ程度のもので、半導体
装置５０そのものの大きさをほとんど変えないようにコ
ーティングされたものである。
【００５７】この半導体装置５０を製造するには、図２
〜図４に示した方法と同様にしてモールド樹脂封止まで
を行う。その後、得られた樹脂封止後の半導体装置を、
図１５（ａ）に示すように、前記コーティング樹脂５１
を溶剤に溶かしてなる液状樹脂５１ａを一杯に満たした
樹脂槽５２内に浸漬する。このとき、樹脂封止後の半導
体装置については、リードフレーム１２のダムバーサポ
ート１４をカットしていない状態のままのものとする。
また、樹脂槽５２については、その開口部の大きさを、
該樹脂槽５２に前記半導体装置を浸漬させて際、そのへ
りにダムバーサポート１４が懸架される大きさとする。
そして、このような状態の基に、半導体装置を、そのダ
ムバーサポート１４を樹脂槽５２のへりに懸架させた状
態で、前述したように半導体素子２側を液状樹脂５１ａ
中に適宜時間浸漬させる。続いて、樹脂槽５２から半導
体装置を引き上げ、図１５（ｂ）に示すように該半導体
装置に付着したコーティング樹脂を１００℃程度で数時
間乾燥し、硬化させる。その後、図２〜図４に示した方
法と同様にしてダムバーサポート１４のカットを行い、
図１４に示した半導体装置５０を得る。
〜図４に示した方法と同様にしてモールド樹脂封止まで
を行う。その後、得られた樹脂封止後の半導体装置を、
図１５（ａ）に示すように、前記コーティング樹脂５１
を溶剤に溶かしてなる液状樹脂５１ａを一杯に満たした
樹脂槽５２内に浸漬する。このとき、樹脂封止後の半導
体装置については、リードフレーム１２のダムバーサポ
ート１４をカットしていない状態のままのものとする。
また、樹脂槽５２については、その開口部の大きさを、
該樹脂槽５２に前記半導体装置を浸漬させて際、そのへ
りにダムバーサポート１４が懸架される大きさとする。
そして、このような状態の基に、半導体装置を、そのダ
ムバーサポート１４を樹脂槽５２のへりに懸架させた状
態で、前述したように半導体素子２側を液状樹脂５１ａ
中に適宜時間浸漬させる。続いて、樹脂槽５２から半導
体装置を引き上げ、図１５（ｂ）に示すように該半導体
装置に付着したコーティング樹脂を１００℃程度で数時
間乾燥し、硬化させる。その後、図２〜図４に示した方
法と同様にしてダムバーサポート１４のカットを行い、
図１４に示した半導体装置５０を得る。
【００５８】このようにして得られた半導体装置５０に
あっては、半導体素子２の回路形成面２ａ以外の面をコ
ーティング樹脂５１で覆ったことにより、取り扱い時等
において該面に傷等がつきにくくなるなど、その耐衝撃
性を向上させることができる。すなわち、半導体素子２
はシリコン等の脆性材料からなっているで、少しの傷で
も大きなクラックに至り、その機能が損なわれてしまい
易いものの、コーティング樹脂５１で覆うことにより、
外部からの衝撃を低減してクラックの発生を防止するこ
とができる。また、図１４に示すように、半導体素子２
の回路形成面２ａと接着テープ３の裏面との境界部につ
いてもコーティング樹脂５１で覆うことから、耐湿性に
関してもこれを向上させることができる。
あっては、半導体素子２の回路形成面２ａ以外の面をコ
ーティング樹脂５１で覆ったことにより、取り扱い時等
において該面に傷等がつきにくくなるなど、その耐衝撃
性を向上させることができる。すなわち、半導体素子２
はシリコン等の脆性材料からなっているで、少しの傷で
も大きなクラックに至り、その機能が損なわれてしまい
易いものの、コーティング樹脂５１で覆うことにより、
外部からの衝撃を低減してクラックの発生を防止するこ
とができる。また、図１４に示すように、半導体素子２
の回路形成面２ａと接着テープ３の裏面との境界部につ
いてもコーティング樹脂５１で覆うことから、耐湿性に
関してもこれを向上させることができる。
【００５９】また、このような半導体装置５０の製造方
法にあっては、ダムバーサポート１４のカットを行う前
に、該ダムバーサポート１４を液状樹脂５１ａが一杯に
満たされた樹脂槽５２のへりに懸架し、ダムバーサポー
ト１４の下面側を液状樹脂５１ａに浸漬するので、樹脂
コーティングが極めて容易であり、半導体装置５０の製
造を特別な装置を必要とすることなく、容易にしかも量
産性にも十分対応して製造することができる。
法にあっては、ダムバーサポート１４のカットを行う前
に、該ダムバーサポート１４を液状樹脂５１ａが一杯に
満たされた樹脂槽５２のへりに懸架し、ダムバーサポー
ト１４の下面側を液状樹脂５１ａに浸漬するので、樹脂
コーティングが極めて容易であり、半導体装置５０の製
造を特別な装置を必要とすることなく、容易にしかも量
産性にも十分対応して製造することができる。
【００６０】図１６（ａ）は、本発明における第３実施
形態例を示す図であり、図１６（ａ）において符号５３
は半導体装置である。この半導体装置５３が図１
（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置１０と異なるところ
は、ダムバー１１を有していない点である。すなわち、
図１６（ａ）に示した半導体装置５３は、半導体素子２
の回路形成面２ａ上に接着テープ３を介してリード６を
設け、かつこれらリード６と半導体素子２とを接続する
金線５を設け、さらにリード６の上面を露出させた状態
で該リード６と金線５とをモールド樹脂７で封止したも
のである。
形態例を示す図であり、図１６（ａ）において符号５３
は半導体装置である。この半導体装置５３が図１
（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置１０と異なるところ
は、ダムバー１１を有していない点である。すなわち、
図１６（ａ）に示した半導体装置５３は、半導体素子２
の回路形成面２ａ上に接着テープ３を介してリード６を
設け、かつこれらリード６と半導体素子２とを接続する
金線５を設け、さらにリード６の上面を露出させた状態
で該リード６と金線５とをモールド樹脂７で封止したも
のである。
【００６１】この半導体装置５３を製造するには、ま
ず、図１７（ａ）に示すリードフレーム５４を用意す
る。このリードフレーム５４は、リードフレーム枠１３
に矩形の開口部５５ａを有する接着テープ５５を貼着
し、さらに該接着テープ５５にリード６の一部を接着固
定したもので、該接着テープ５５とリード６とからリー
ドフレーム本体（図示略）を構成したものである。接着
テープ５５は、その開口部５５ａ形状を、半導体素子２
の回路形成面２ａの外形形状より小さくしたもので、該
開口部５５ａの内縁側にリード６の一部を接着し、その
残部を開口部５５ａ内に臨ませたものである。
ず、図１７（ａ）に示すリードフレーム５４を用意す
る。このリードフレーム５４は、リードフレーム枠１３
に矩形の開口部５５ａを有する接着テープ５５を貼着
し、さらに該接着テープ５５にリード６の一部を接着固
定したもので、該接着テープ５５とリード６とからリー
ドフレーム本体（図示略）を構成したものである。接着
テープ５５は、その開口部５５ａ形状を、半導体素子２
の回路形成面２ａの外形形状より小さくしたもので、該
開口部５５ａの内縁側にリード６の一部を接着し、その
残部を開口部５５ａ内に臨ませたものである。
【００６２】ここで、この接着テープ５５は、図１７
（ｃ）に示すようにそのリード６を接着した側の面に開
口部５５ａを形成する内縁からリード６を接着した位置
にかけて接着剤層５６ａを形成し、反対側の面に開口部
５５ａを形成する内縁から半導体素子２の回路形成面２
ａの外縁と同じ位置にまで接着剤層５６ｂを形成し、さ
らにリード６…を接着した側の面のリードフレーム枠１
３に対応する位置に接着剤層（樹脂略）を形成したもの
で、他の箇所には接着剤層を形成しないものである。
（ｃ）に示すようにそのリード６を接着した側の面に開
口部５５ａを形成する内縁からリード６を接着した位置
にかけて接着剤層５６ａを形成し、反対側の面に開口部
５５ａを形成する内縁から半導体素子２の回路形成面２
ａの外縁と同じ位置にまで接着剤層５６ｂを形成し、さ
らにリード６…を接着した側の面のリードフレーム枠１
３に対応する位置に接着剤層（樹脂略）を形成したもの
で、他の箇所には接着剤層を形成しないものである。
【００６３】次に、このリードフレーム５４のリードフ
レーム本体を、その接着テープ５５接着剤層５６ｂの外
縁が半導体素子２の回路形成面２ａの外縁に略一致する
ようにしてこの半導体素子２に載せ、該接着テープ５５
によって前記リード６を半導体素子２上に固定する。次
いで、半導体素子２上のリード６と半導体素子２の回路
形成面２ａとを金線５で接続し、さらに金線５を接続し
た半導体素子２を図１７（ｂ）に示すように成形金型５
７のキャビティー５８内に入れる。ここで、成形金型５
７としては、半導体素子２の厚さに等しい深さを有した
凹部５８ａを下型５７ａに形成し、リード６の肉厚に等
しい深さを有し、かつ回路形成面２ａより一回り小さい
開口形状の凹部５８ｂを上型５７ｂに形成したものが用
いられる。
レーム本体を、その接着テープ５５接着剤層５６ｂの外
縁が半導体素子２の回路形成面２ａの外縁に略一致する
ようにしてこの半導体素子２に載せ、該接着テープ５５
によって前記リード６を半導体素子２上に固定する。次
いで、半導体素子２上のリード６と半導体素子２の回路
形成面２ａとを金線５で接続し、さらに金線５を接続し
た半導体素子２を図１７（ｂ）に示すように成形金型５
７のキャビティー５８内に入れる。ここで、成形金型５
７としては、半導体素子２の厚さに等しい深さを有した
凹部５８ａを下型５７ａに形成し、リード６の肉厚に等
しい深さを有し、かつ回路形成面２ａより一回り小さい
開口形状の凹部５８ｂを上型５７ｂに形成したものが用
いられる。
【００６４】そして、このような成形金型５７を用い、
下型５７ａと上型５７ｂとの間に接着テープ５５の外周
部を挟んだ状態で樹脂注入孔２０からキャビティー５８
内にモールド樹脂を充填し、充填した樹脂を硬化させ
る。その後、半導体素子２を成形金型５７から取り出し
て図１７（ｃ）に示すように樹脂封止を完了した半導体
素子２を得、さらに半導体素子２の側方に延びる接着テ
ープ５５をカットして図１６（ａ）に示した半導体装置
５３を得る。
下型５７ａと上型５７ｂとの間に接着テープ５５の外周
部を挟んだ状態で樹脂注入孔２０からキャビティー５８
内にモールド樹脂を充填し、充填した樹脂を硬化させ
る。その後、半導体素子２を成形金型５７から取り出し
て図１７（ｃ）に示すように樹脂封止を完了した半導体
素子２を得、さらに半導体素子２の側方に延びる接着テ
ープ５５をカットして図１６（ａ）に示した半導体装置
５３を得る。
【００６５】本実施形態例の半導体装置５３では、ダム
バーを設けていないことから、図１６（ｃ）に示すよう
にハンダ５９を用いて該半導体装置５３をプリント基板
４８に実装した場合に、ハンダ５９がダムバーに導通す
ることによるリード６、６間の導通が起こらず、したが
って実装状態における電気的不良が抑制できる。
バーを設けていないことから、図１６（ｃ）に示すよう
にハンダ５９を用いて該半導体装置５３をプリント基板
４８に実装した場合に、ハンダ５９がダムバーに導通す
ることによるリード６、６間の導通が起こらず、したが
って実装状態における電気的不良が抑制できる。
【００６６】また、このような半導体装置５３の製造方
法にあっては、リードフレーム本体を形成する接着テー
プ５５に、その所定位置にしか接着剤層を設けていない
ため、該接着テープ５５の外周部を成形金型５７の下型
５７ａ、上型５７ｂの間に挟み、その状態でモールド樹
脂封止を行っても、該接着テープ５５が成形金型５７に
接着してしまうことを避けることができ、したがって樹
脂封止工程を支障なく行えることにより前記半導体装置
５３を容易に製造することができる。
法にあっては、リードフレーム本体を形成する接着テー
プ５５に、その所定位置にしか接着剤層を設けていない
ため、該接着テープ５５の外周部を成形金型５７の下型
５７ａ、上型５７ｂの間に挟み、その状態でモールド樹
脂封止を行っても、該接着テープ５５が成形金型５７に
接着してしまうことを避けることができ、したがって樹
脂封止工程を支障なく行えることにより前記半導体装置
５３を容易に製造することができる。
【００６７】図１８（ａ）、（ｂ）は、本発明における
樹脂封止型半導体装置の製造方法によって得られる半導
体装置の一例を示す図であり、図１８（ａ）、（ｂ）に
おいて符号６０は半導体装置である。この半導体装置６
０の製造方法が図２〜図４を参照して説明した製造方法
と異なるところは、図１９に示すリードフレーム６１を
用いる点である。
樹脂封止型半導体装置の製造方法によって得られる半導
体装置の一例を示す図であり、図１８（ａ）、（ｂ）に
おいて符号６０は半導体装置である。この半導体装置６
０の製造方法が図２〜図４を参照して説明した製造方法
と異なるところは、図１９に示すリードフレーム６１を
用いる点である。
【００６８】このリードフレーム６１は、リードフレー
ム枠１３と、このリードフレーム枠１３の内部に複数の
ダムバーサポート６２を介して連結されたリードフレー
ム本体６３とから構成されたものである。リードフレー
ム本体６３は、半導体素子２の回路形成面２ａの外形形
状と略同一の外形形状を有する枠状のダムバー６４と、
該ダムバー６４に連続してこれの内側に延びる複数のリ
ード６と、これらリード６、６間を連結し、かつダムバ
ー６４に連結するリードサポート６５と、前記ダムバー
６４の一方の面からリード６の途中にまでかけてこれら
に接着した接着テープ（図示略）とからなるものであ
る。ダムバー６４には、隣り合うリード６、６間の全て
に、これら６、６間が電気的に不連続になる（導通しな
い）ように絶縁性樹脂からなる樹脂部６６が形成されて
いる。この樹脂部６６となる絶縁性樹脂は、後に充填さ
れるモールド樹脂と同じ樹脂からなっている。また、こ
のリードフレーム６１では、図２（ａ）〜図２（ｅ）に
示したリードフレーム１２と異なり、リードフレームの
状態でリード６に金属メッキを施すことなく、後述する
ようにモールド樹脂封止後、リード６に金属メッキ（ハ
ンダメッキ）が施される。
ム枠１３と、このリードフレーム枠１３の内部に複数の
ダムバーサポート６２を介して連結されたリードフレー
ム本体６３とから構成されたものである。リードフレー
ム本体６３は、半導体素子２の回路形成面２ａの外形形
状と略同一の外形形状を有する枠状のダムバー６４と、
該ダムバー６４に連続してこれの内側に延びる複数のリ
ード６と、これらリード６、６間を連結し、かつダムバ
ー６４に連結するリードサポート６５と、前記ダムバー
６４の一方の面からリード６の途中にまでかけてこれら
に接着した接着テープ（図示略）とからなるものであ
る。ダムバー６４には、隣り合うリード６、６間の全て
に、これら６、６間が電気的に不連続になる（導通しな
い）ように絶縁性樹脂からなる樹脂部６６が形成されて
いる。この樹脂部６６となる絶縁性樹脂は、後に充填さ
れるモールド樹脂と同じ樹脂からなっている。また、こ
のリードフレーム６１では、図２（ａ）〜図２（ｅ）に
示したリードフレーム１２と異なり、リードフレームの
状態でリード６に金属メッキを施すことなく、後述する
ようにモールド樹脂封止後、リード６に金属メッキ（ハ
ンダメッキ）が施される。
【００６９】このようなリードフレーム６１を用いて半
導体装置６０を製造するには、予めリードフレーム本体
６３からリードサポート６５を取り除いておく。そし
て、図２〜図４に示した場合と同様にして該リードフレ
ーム６１のリードフレーム本体６３を半導体素子２の回
路形成面２ａ上に載せ、接着テープで固定する。次い
で、半導体素子２上のリード６と半導体素子２の回路形
成面２ａとを金線５で接続し、さらに金線５を接続した
半導体素子２を成形金型（図示略）のキャビティー内に
入れる。そして、該成形金型中にて前記ダムバー６４の
内側にモールド樹脂を充填し、半導体素子２の回路形成
面２ａを封止する。その後、半導体素子２を成形金型か
ら取り出し、リード６に金属メッキ（ハンダメッキ）を
施し、さらにダムバーサポート６２をカットして図１８
（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置６０を得る。
導体装置６０を製造するには、予めリードフレーム本体
６３からリードサポート６５を取り除いておく。そし
て、図２〜図４に示した場合と同様にして該リードフレ
ーム６１のリードフレーム本体６３を半導体素子２の回
路形成面２ａ上に載せ、接着テープで固定する。次い
で、半導体素子２上のリード６と半導体素子２の回路形
成面２ａとを金線５で接続し、さらに金線５を接続した
半導体素子２を成形金型（図示略）のキャビティー内に
入れる。そして、該成形金型中にて前記ダムバー６４の
内側にモールド樹脂を充填し、半導体素子２の回路形成
面２ａを封止する。その後、半導体素子２を成形金型か
ら取り出し、リード６に金属メッキ（ハンダメッキ）を
施し、さらにダムバーサポート６２をカットして図１８
（ａ）、（ｂ）に示した半導体装置６０を得る。
【００７０】このようにして得られた半導体装置６０
は、ダムバー６４が樹脂部６６を有していることから、
該ダムバー６４にリード６が連続しているにもかかわら
ずリード６、６間での電気的導通を避けることができ
る。また、このような半導体装置６０の製造方法にあっ
ては、各リード６がそれぞれダムバー６４を介してダム
バーサポート６２に電気的に通じていることから、この
ダムバーサポート６２を利用することにより、従来と同
様にリード６へのハンダメッキを行うことができる。
は、ダムバー６４が樹脂部６６を有していることから、
該ダムバー６４にリード６が連続しているにもかかわら
ずリード６、６間での電気的導通を避けることができ
る。また、このような半導体装置６０の製造方法にあっ
ては、各リード６がそれぞれダムバー６４を介してダム
バーサポート６２に電気的に通じていることから、この
ダムバーサポート６２を利用することにより、従来と同
様にリード６へのハンダメッキを行うことができる。
【００７１】図２０（ａ）、（ｂ）は本発明における第
４の実施形態例を示す図である。この実施例では図２０
（ａ）、（ｂ）に示されるようにダムバー１１はリード
６近傍部にハーフエッチングが施されており、このハー
フエッチングが施された部分はモールド樹脂７で覆われ
ている。この実施例におけるリードフレームは、図２１
（ａ）、（ｂ）に示されるように、ダムバー１１にハー
フエッチング１１’が施されており、さらに、このハー
フエッチングされた部分に隣接してサポート部７０が形
成されている。このサポート部により、これらのハーフ
エッチング部分１１’がダムバーやサポート部の端面に
はみ出さないようになっている。このように、リード６
近傍のダムバーのみを樹脂で覆ったので、リードとダム
バー１１間の距離が広がり、電気的リークの発生を低減
できる。また、ハーフエッチング部分はリード近傍のダ
ムバー１１および隣接部のサポート部７０にそれぞれの
面内で形成されている。このため、図示しない金型で上
下を挟み、樹脂を注入したとき、ハーフエッチング部分
に樹脂が入り込み、ダムバー１１およびサポート部７０
の端面で樹脂が止る。このようにして、リード６近傍を
モールド樹脂で覆うことが可能となる。
４の実施形態例を示す図である。この実施例では図２０
（ａ）、（ｂ）に示されるようにダムバー１１はリード
６近傍部にハーフエッチングが施されており、このハー
フエッチングが施された部分はモールド樹脂７で覆われ
ている。この実施例におけるリードフレームは、図２１
（ａ）、（ｂ）に示されるように、ダムバー１１にハー
フエッチング１１’が施されており、さらに、このハー
フエッチングされた部分に隣接してサポート部７０が形
成されている。このサポート部により、これらのハーフ
エッチング部分１１’がダムバーやサポート部の端面に
はみ出さないようになっている。このように、リード６
近傍のダムバーのみを樹脂で覆ったので、リードとダム
バー１１間の距離が広がり、電気的リークの発生を低減
できる。また、ハーフエッチング部分はリード近傍のダ
ムバー１１および隣接部のサポート部７０にそれぞれの
面内で形成されている。このため、図示しない金型で上
下を挟み、樹脂を注入したとき、ハーフエッチング部分
に樹脂が入り込み、ダムバー１１およびサポート部７０
の端面で樹脂が止る。このようにして、リード６近傍を
モールド樹脂で覆うことが可能となる。
【００７２】図２２（ａ）〜（ｃ）は本発明における第
５の実施形態例を示す図であり、ダムバー１１とリード
６との間に段差を設けることによりダムバー１１とリー
ド６間の電気的リークを低減できる。これらの実施例で
は図２２（ａ）〜（ｃ）の各図に示されるようにリード
６部分のみに絶縁テープ３、３’が２重に形成されてい
る。このような構成にすることにより、リード６部分は
絶縁テープ３、３’の２枚分の厚さ、ダムバー１１部分
は絶縁テープ３の１枚分の厚さとなり、ダムバー１１と
リード６との間に絶縁テープ３’分の段差が形成でき
る。図２３は図２２に示した実施例のリードフレームに
ついての説明図である。（ａ）はリード部分に絶縁テー
プ３’を接着した図、（ｂ）は（ａ）においてリード部
分で切断した断面図、（ｃ）はリード部分に絶縁テープ
３’を接着した後にさらに絶縁テープ３を接着し、リー
ド３の曲げ加工をした図であり、（ｄ）は（ｃ）におい
てリード部分で切断した断面図である。この図に示され
るように、リードを形成することにより、ダムバー１１
とリード６との間に絶縁テープ３’の１枚分の段差が形
成される。
５の実施形態例を示す図であり、ダムバー１１とリード
６との間に段差を設けることによりダムバー１１とリー
ド６間の電気的リークを低減できる。これらの実施例で
は図２２（ａ）〜（ｃ）の各図に示されるようにリード
６部分のみに絶縁テープ３、３’が２重に形成されてい
る。このような構成にすることにより、リード６部分は
絶縁テープ３、３’の２枚分の厚さ、ダムバー１１部分
は絶縁テープ３の１枚分の厚さとなり、ダムバー１１と
リード６との間に絶縁テープ３’分の段差が形成でき
る。図２３は図２２に示した実施例のリードフレームに
ついての説明図である。（ａ）はリード部分に絶縁テー
プ３’を接着した図、（ｂ）は（ａ）においてリード部
分で切断した断面図、（ｃ）はリード部分に絶縁テープ
３’を接着した後にさらに絶縁テープ３を接着し、リー
ド３の曲げ加工をした図であり、（ｄ）は（ｃ）におい
てリード部分で切断した断面図である。この図に示され
るように、リードを形成することにより、ダムバー１１
とリード６との間に絶縁テープ３’の１枚分の段差が形
成される。
【００７３】図２４（ａ）〜（ｃ）は本発明における第
６の実施形態例を示す図であり、図２２に示される実施
例において各リード６の間にダムバー１１の高さと同じ
溝７１が設けられている。図（ａ）はリード部分で切断
した断面図、図（ｂ）は樹脂部分で切断した断面図、図
（ｃ）は図（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図である。この
実施例では、ダムバー１１とリード６間に絶縁テープ
３’分の段差を設け、さらにリード６間にダムバー１１
の高さと同じ溝７１を設けた。このため。ダムバーとリ
ード間の不純物による電気的リークのみではなくさら
に、リード６間の電気リークも低減することができる。
６の実施形態例を示す図であり、図２２に示される実施
例において各リード６の間にダムバー１１の高さと同じ
溝７１が設けられている。図（ａ）はリード部分で切断
した断面図、図（ｂ）は樹脂部分で切断した断面図、図
（ｃ）は図（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図である。この
実施例では、ダムバー１１とリード６間に絶縁テープ
３’分の段差を設け、さらにリード６間にダムバー１１
の高さと同じ溝７１を設けた。このため。ダムバーとリ
ード間の不純物による電気的リークのみではなくさら
に、リード６間の電気リークも低減することができる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載の樹脂封止型半導体装置は、装置全体の厚さ
が、半導体素子の厚さに接着テープの厚さとリードある
いはダムバーの厚さとを加えただけの薄いものとなり、
またその実装面積が、半導体素子の底面積にほぼ一致す
る極めて小さいものとなることから、プリント基板への
高密度実装を可能にすることができる。
項１記載の樹脂封止型半導体装置は、装置全体の厚さ
が、半導体素子の厚さに接着テープの厚さとリードある
いはダムバーの厚さとを加えただけの薄いものとなり、
またその実装面積が、半導体素子の底面積にほぼ一致す
る極めて小さいものとなることから、プリント基板への
高密度実装を可能にすることができる。
【００７５】本発明における請求項１２記載の樹脂封止
型半導体装置は、装置全体の厚さが、半導体素子の厚さ
に接着テープの厚さとリードあるいはダムバーの厚さと
コーティング樹脂の厚さとを加えただけの薄いものとな
り、またその実装面積が、半導体素子の底面積に比べコ
ーティング樹脂の厚さ分程度だけ大きくなったにすぎな
い小さいものとなることから、プリント基板への高密度
実装を可能にすることができる。さらに、リードが接続
された半導体素子の面以外の面をコーティング樹脂で覆
ったことにより、取り扱い時等において該面に傷等がつ
きにくくなるなど、その耐衝撃性を向上せしめることが
できる。
型半導体装置は、装置全体の厚さが、半導体素子の厚さ
に接着テープの厚さとリードあるいはダムバーの厚さと
コーティング樹脂の厚さとを加えただけの薄いものとな
り、またその実装面積が、半導体素子の底面積に比べコ
ーティング樹脂の厚さ分程度だけ大きくなったにすぎな
い小さいものとなることから、プリント基板への高密度
実装を可能にすることができる。さらに、リードが接続
された半導体素子の面以外の面をコーティング樹脂で覆
ったことにより、取り扱い時等において該面に傷等がつ
きにくくなるなど、その耐衝撃性を向上せしめることが
できる。
【００７６】本発明における請求項１４記載の樹脂封止
型半導体装置は、装置全体の厚さが、半導体素子の厚さ
に接着テープの厚さとリードの厚さとを加えただけの薄
いものとなり、またその実装面積が、半導体素子の底面
積にほぼ一致する極めて小さいものとなることから、プ
リント基板への高密度実装を可能にすることができる。
さらに、これをプリント基板に実装するにあたっては、
モールド樹脂に覆われることなく露出したリードの上面
部を、プリント基板の所定位置にはんだ付けすることに
より、電気的不良を生じることなく確実に行うことがで
きる。
型半導体装置は、装置全体の厚さが、半導体素子の厚さ
に接着テープの厚さとリードの厚さとを加えただけの薄
いものとなり、またその実装面積が、半導体素子の底面
積にほぼ一致する極めて小さいものとなることから、プ
リント基板への高密度実装を可能にすることができる。
さらに、これをプリント基板に実装するにあたっては、
モールド樹脂に覆われることなく露出したリードの上面
部を、プリント基板の所定位置にはんだ付けすることに
より、電気的不良を生じることなく確実に行うことがで
きる。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の第１実施形態
例の概略構成を示す図であり、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は斜視図である。
例の概略構成を示す図であり、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は斜視図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造方法を説明する
ための図であり、（ａ）は用意するリードフレームの概
略構成を示す平面図、（ｂ）はリードフレーム本体の概
略構成を示す平面図、（ｃ）は（ｂ）のＲ−Ｒ線矢視断
面図、（ｄ）、（ｅ）は（ｂ）に示したリードフレーム
本体の製造方法説明図である。
ための図であり、（ａ）は用意するリードフレームの概
略構成を示す平面図、（ｂ）はリードフレーム本体の概
略構成を示す平面図、（ｃ）は（ｂ）のＲ−Ｒ線矢視断
面図、（ｄ）、（ｅ）は（ｂ）に示したリードフレーム
本体の製造方法説明図である。
【図３】図１に示した半導体装置の製造方法を説明する
ための図で、成形金型中にて樹脂封止を行う状態を説明
するための図であり、（ａ）は図１（ｂ）中矢印Ａ方向
に見た側面を示す要部側断面図、（ｂ）は図１（ｂ）中
矢印Ｂ方向に見た側面を示す要部側断面図である。
ための図で、成形金型中にて樹脂封止を行う状態を説明
するための図であり、（ａ）は図１（ｂ）中矢印Ａ方向
に見た側面を示す要部側断面図、（ｂ）は図１（ｂ）中
矢印Ｂ方向に見た側面を示す要部側断面図である。
【図４】図１に示した半導体装置の製造方法を説明する
ための図であり、（ａ）はダムバーサポートをカットす
る前の状態を示す側面図、（ｂ）はダムバーサポートを
カットした後の状態を示す側面図である。
ための図であり、（ａ）はダムバーサポートをカットす
る前の状態を示す側面図、（ｂ）はダムバーサポートを
カットした後の状態を示す側面図である。
【図５】（ａ）は図２〜図４に示した製造方法の第１変
形例を説明するための図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第
１変形例の作用を説明するための参考図である。
形例を説明するための図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第
１変形例の作用を説明するための参考図である。
【図６】図２〜図４に示した製造方法の第２変形例を説
明するための図であり、（ａ）はリードフレームの要部
平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側
断面図である。
明するための図であり、（ａ）はリードフレームの要部
平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側
断面図である。
【図７】図２〜図４に示した製造方法の第３変形例を説
明するための図であり、（ａ）はリードフレームの要部
平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側
断面図である。
明するための図であり、（ａ）はリードフレームの要部
平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側
断面図である。
【図８】図２〜図４に示した製造方法の第４変形例を説
明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型を説
明するための側断面図、（ｂ）は第４変形例の作用を説
明するための参考図である。
明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型を説
明するための側断面図、（ｂ）は第４変形例の作用を説
明するための参考図である。
【図９】図２〜図４に示した製造方法の第５変形例を説
明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型の要
部側断面図、（ｂ）は第５変形例の作用を説明するため
の参考図である。
明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型の要
部側断面図、（ｂ）は第５変形例の作用を説明するため
の参考図である。
【図１０】図２〜図４に示した製造方法の第６変形例を
説明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型の
要部平面図、（ｂ）は第６変形例の作用を説明するため
の参考図である。
説明するための図であり、（ａ）は使用する成形金型の
要部平面図、（ｂ）は第６変形例の作用を説明するため
の参考図である。
【図１１】図２〜図４に示した製造方法の第７変形例を
説明するための図であり、（ａ）は用意するリードフレ
ームの要部平面図、（ｂ）は製造工程を説明するための
側断面図、（ｃ）は第７変形例の作用を説明するための
参考図である。
説明するための図であり、（ａ）は用意するリードフレ
ームの要部平面図、（ｂ）は製造工程を説明するための
側断面図、（ｃ）は第７変形例の作用を説明するための
参考図である。
【図１２】図２〜図４に示した製造方法の第８変形例を
説明するための図であり、（ａ）は用意するリードフレ
ームの要部平面図、（ｂ）は製造工程を説明するための
側断面図である。
説明するための図であり、（ａ）は用意するリードフレ
ームの要部平面図、（ｂ）は製造工程を説明するための
側断面図である。
【図１３】図１に示した樹脂封止型半導体装置の第１実
施形態例の変形例を示す図であり、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側断面図、
（ｃ）はこの変形例の作用を説明するための参考図、
（ｄ）はこの変形例の実装状態を示す要部側断面図であ
る。
施形態例の変形例を示す図であり、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は樹脂封止工程を説明するための要部側断面図、
（ｃ）はこの変形例の作用を説明するための参考図、
（ｄ）はこの変形例の実装状態を示す要部側断面図であ
る。
【図１４】本発明の樹脂封止型半導体装置の第２実施形
態例の概略構成を示す側断面図である。
態例の概略構成を示す側断面図である。
【図１５】図１４に示した半導体装置の製造方法を説明
するための図であり、（ａ）、（ｂ）は樹脂コーティン
グ処理を工程順に説明するための側断面図である。
するための図であり、（ａ）、（ｂ）は樹脂コーティン
グ処理を工程順に説明するための側断面図である。
【図１６】本発明の樹脂封止型半導体装置の第３実施形
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す側断面図、（ｂ）はこの実施形態例の作用を説明する
ための参考図、（ｃ）はこの実施形態例の実装状態を示
す要部側断面図である。
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す側断面図、（ｂ）はこの実施形態例の作用を説明する
ための参考図、（ｃ）はこの実施形態例の実装状態を示
す要部側断面図である。
【図１７】図１６に示した半導体装置の製造方法を説明
するための図であり、（ａ）は用意するリードフレーム
の概略構成を示す要部平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を
説明するための要部側断面図、（ｃ）は用意したリード
フレームにおける接着テープの構成を説明するための要
部側断面図である。
するための図であり、（ａ）は用意するリードフレーム
の概略構成を示す要部平面図、（ｂ）は樹脂封止工程を
説明するための要部側断面図、（ｃ）は用意したリード
フレームにおける接着テープの構成を説明するための要
部側断面図である。
【図１８】本発明の製造方法によって得られる半導体装
置の一例の概略構成を示す図であり、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は斜視図である。
置の一例の概略構成を示す図であり、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は斜視図である。
【図１９】図１８に示した半導体装置の製造に用いられ
るリードフレームの概略構成を示す平面図である。
るリードフレームの概略構成を示す平面図である。
【図２０】本発明の樹脂封止型半導体装置の第４実施形
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す側断面図、（ｂ）は斜視図である。
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す側断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図２１】本発明の樹脂封止型半導体装置の第４実施形
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
態例を説明するための図であり、（ａ）は概略構成を示
す上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【図２２】本発明の樹脂封止型半導体装置の第５実施形
態例を説明するための図である。
態例を説明するための図である。
【図２３】本発明の樹脂封止型半導体装置の第５実施形
態例におけるリードフレームを説明するための図であ
り、（ａ）、（ｃ）は概略構成を示す上面図、（ｂ）、
（ｄ）はそれぞれ（ａ）、（ｃ）の断面図、である。
態例におけるリードフレームを説明するための図であ
り、（ａ）、（ｃ）は概略構成を示す上面図、（ｂ）、
（ｄ）はそれぞれ（ａ）、（ｃ）の断面図、である。
【図２４】本発明の樹脂封止型半導体装置の第６実施形
態例を説明するための図であり、（ａ）、（ｂ）は概略
構成を示す側断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ’断面図である。
態例を説明するための図であり、（ａ）、（ｂ）は概略
構成を示す側断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ’断面図である。
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の一例の概略構
成を示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は斜視図
である。
成を示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は斜視図
である。
２ 半導体素子
２ａ 回路形成面
３ 接着テープ
５ 金線
６ リード
７ モールド樹脂
１０、４２、５０、５３、６０ 半導体装置
１１、４３、６４ ダムバー
１２、４０、５４、６１ リードフレーム
１３ リードフレーム枠
１４、４１ ダムバーサポート
１５、６３ リードフレーム本体
１６ リードサポート
２２、２５、３０、３１、３３、３４、３５ 溝
２４ ダムバー間サポート
２６ 孔
３２ 凹部
５１ コーティング樹脂
６６ 樹脂部
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/28
H01L 21/56
H01L 23/12 501
Claims (24)
- 【請求項１】 表面に電極を有する半導体素子と、 この半導体素子表面の外周に沿って形成されたダムバー
と、 前記電極と電気的に接続され、かつ、前記ダムバーの内
側にこのダムバーとは電気的に独立して設けられるリー
ドと、 前記ダムバーに囲まれた領域に形成され、かつリードの
一部を露出するようにして形成されたモールド樹脂と、 を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記ダムバーおよび、前記リードは絶縁
性テープにより前記半導体素子に固着されていることを
特徴とする請求項１項記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記ダムバーの肉厚が、前記リードの肉厚より
厚く形成されてなる、ことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の樹脂封止
型半導体装置において、前記半導体素子の側面および裏
面がコーティング樹脂で覆われていることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 表面に電極を有する半導体素子と、 前記半導体素子の表面上に、前記電極を露出した状態で
形成される接着テープと、一端側が 前記接着テープ上に固定され、前記電極方向に
屈曲した屈曲部を介して該接着テープ上に配置されない
他端側が前記電極近傍に延在するリードと、前記 リードの他端側と前記電極とを接続する導電ワイヤ
と、 前記リードの前記接着テープ上に対応する部分を露出す
るようにして前記リードの一部と、前記電極と、前記導
電ワイヤとを封止するモールド樹脂と、 を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 表面に電極を有する半導体素子を準備す
る工程と、 前記半導体素子表面の外形形状と略同一の外形形状を有
する枠状のダムバーと該ダムバーと電気的に独立して該
ダムバー内に配置されたリードとが絶縁性の接着テープ
により固定されたリードフレームを形成する工程と、 前記ダムバーの外縁が前記半導体素子の表面の外縁に略
一致するようにしてこの半導体素子の表面に載せ、前記
接着テープによって前記リードおよびダムバーを半導体
素子上に固定する工程と、 半導体素子上に固定されたリードと半導体素子とを導電
ワイヤで接続する工程と、 金型中にて前記ダムバーの内側にモールド樹脂を充填
し、前記半導体素子表面を封止する工程と、を備えたこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 前記接着テープの外形形状が、これが接着せしめられる
半導体素子の面の外形形状と略同一に形成され、かつそ
の寸法が該半導体素子の面の外形寸法よりわずかに大き
く形成され、前記ダムバーの外形寸法が、前記接着テー
プの外形寸法よりわずかに大きく形成され、前記接着テ
ープの外縁がダムバーの外縁に略一致するようにして該
接着テープがダムバーに接着せしめられたものである、
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 前記ダムバーはこれの外方に延びるダムバーサポートを
有し、かつ該ダムバーサポートとこれに連続するダムバ
ーの部分の、前記接着テープと反対の側の面に、ダムバ
ーの内縁からダムバーサポートの先端縁にまで延びる溝
を有したものである、ことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 前記リードフレームは、複数のリードフレーム本体とこ
れらのダムバー間を連結するダムバー間リードとを有
し、かつ該ダムバー間リードとこれに連続するダムバー
の部分の、前記接着テープと反対の側の面に、一方のダ
ムバーの内縁からダムバー間リードを通って他方のダム
バーの内縁にまで延びる溝を有し、さらにダムバー間リ
ードの前記溝を設けた面と異なる面に、該溝に連通する
孔を形成したたものであり、 前記モールド樹脂を充填し、リードを接続した半導体素
子の面を封止する工程は、前記リードフレームのリード
フレーム本体の数と同数の半導体素子上に、該リードフ
レームを固定した状態で行うものである、ことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、 金型中にてダムバーの内側にモ
ールド樹脂を充填し、リードを接続した半導体素子の面
を封止する前記工程は、金型として、そのキャビティー
を形成する底面に凹部が形成されたものを用い、該底面
に、半導体素子の前記リードを接続した面と反対の側の
面を当接させて行う、ことを特徴とする樹脂封止型半導
体の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、前記底面に形成された凹部は、
その凹面が前記底面の下方に膨らんだ曲面によって形成
されてなる、ことを特徴とする樹脂封止型半導体の製造
方法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、 前記底面に形成された凹部は、該底面の平面視形状に
て、その上下方向および左右方向にそれぞれ対称に形成
されあるいは配置されてなる、ことを特徴とする樹脂封
止型半導体の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、 用意されるリードフレームは、ダムバーにこれの外方に
延びるダムバーサポートを有してなり、該ダムバーサポ
ートが、ダムバーに連続するダムバーより肉薄の部位
と、この肉薄の部位に連続するダムバーと同じ肉厚の部
位とからなる、ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、 用意されるリードフレームは、ダムバーに、間隙をおい
てこれの外方に延びるダムバーサポートを有してなり、
該ダムバーサポートが、ダムバーに接着テープで連結さ
れてなる、ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１５】 半導体素子の表面の外形形状と略同一
の外形形状を有する枠状のダムバーと、該ダムバーと接
触しない状態で該ダムバー内に配置されたリードと、該
リードの一部と前記ダムバーとにこれらの同じ側の面で
接着することにより、これらリードの一部と前記ダムバ
ーとを接続する絶縁性の接着テープとからなるリードフ
レームを用意する工程と、 前記リードフレームのダムバーの外縁が前記半導体素子
の表面の外縁に略一致するようにしてこの半導体素子の
面に載せ、前記接着テープによって前記リードおよびダ
ムバーを半導体素子上に固定する工程と、 半導体素子上に固定されたリードと半導体素子とを金線
で接続する工程と、 金型中にて前記ダムバーの内側にモールド樹脂を充填
し、前記リードを接続した半導体素子の面を封止する工
程と、 モールド樹脂充填後、半導体素子上の接着テープの上面
より下側を液状のコーティング樹脂中に浸漬し、浸漬後
引き上げて付着したコーティング樹脂を乾燥させ硬化さ
せる工程と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 表面に電極を有する半導体素子と、前記 半導体素子の表面に接続され、かつ該表面上の内側
に配置されたリードと、前記 半導体素子とリードとを接続するワイヤと、 前記リードの一部と半導体素子との間にて前記半導体素
子の表面の外縁まで延在するように設けられ、該リード
を半導体素子に固定する絶縁性の接着テープと、 前記リードが接続された半導体素子の面上をリードの上
面部及び前記接着テープの一部を露出し、かつ該リード
の残部を封止するモールド樹脂とを備え、 前記リードが接続された半導体素子の面以外の面が露出
せしめられてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項１７】 半導体素子と、この半導体素子の一つ
の面に接続されるリードと、前記半導体素子とリードと
を接続する金線と、前記半導体素子の一部を露出させた
状態で該半導体素子を封止するモールド樹脂とを有した
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 リードを接続する半導体素子の面の外形形状より大きい
外形形状を有する枠状であり、かつその開口部形状が前
記リードを接続する半導体素子の面の外形形状より小さ
い形状である接着テープと、該接着テープの内縁側に一
部が接着され、かつ残部が前記開口部内に臨んで配設さ
れたリードとからなり、前記接着テープがそのリードを
接着した面にてその内縁からリードを接着した位置にか
けて接着剤層を有し、かつそのリードを接着した面と反
対の側の面にてその内縁から前記リードを接続する半導
体素子の面の外縁のなす形状と同じ形状をなす位置にま
で接着剤層を有したリードフレーム本体を用意する工程
と、 前記リードフレーム本体を、その接着テープにおけるリ
ードを接着した面と反対の側の面の接着剤層の外縁がリ
ードを接続する半導体素子の面の外縁に略一致するよう
にしてこの半導体素子の面に載せ、該接着テープによっ
て前記リードを半導体素子上に固定する工程と、 半導体素子上に固定されたリードと半導体素子とを金線
で接続する工程と、 金型中にて前記リードを接続した半導体素子の面上にの
みモールド樹脂を注入し、該リードが接続された半導体
素子の面上が、リードの上面部のみを露出し、かつ該リ
ードの残部を封止した状態となるようモールド樹脂で覆
う工程と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１８】 半導体素子と、この半導体素子の一つ
の面に接続されるリードと、前記半導体素子とリードと
を接続する金線と、前記半導体素子の一部を露出させた
状態で該半導体素子を封止するモールド樹脂とを有した
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 リードを接続する半導体素子の面の外形形状と略同一の
外形形状を有する枠状のダムバーと、該ダムバーに連続
してこれの内側に延びる複数のリードと、前記ダムバー
の一方の面に接着した絶縁性の接着テープとからなり、
前記ダムバーが、前記複数のリードの各リード間が電気
的に不連続になるよう各リード間にて絶縁性樹脂からな
る樹脂部を有して形成されたものであるリードフレーム
本体を有したリードフレームを用意する工程と、 前記リードフレームを、そのリードフレーム本体のダム
バーの外縁がリードを接続する半導体素子の面の外縁に
略一致するようにしてこの半導体素子の面に載せ、前記
接着テープによって前記リードおよびダムバーを半導体
素子上に固定する工程と、 半導体素子上に固定されたリードと半導体素子とを金線
で接続する工程と、 金型中にて前記ダムバーの内側にモールド樹脂を充填
し、前記リードを接続した半導体素子の面を封止する工
程と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１９】 表面に電極を有する半導体素子と、 この半導体素子表面の外周に沿って形成されたダムバー
と、 前記電極と電気的に接続され、かつ、前記ダムバーの内
側にこのダムバーとは電気的に独立して設けられるリー
ドと、 前記半導体素子表面に前記ダムバーおよび前記リードを
固着する固着材と、 前記半導体素子表面を前記リードの一部を露出した状態
で封止する封止材と、を有し、 前記ダムバーは、前記リードに対応する部分が他の部分
よりも薄く形成され、かつ、この薄く形成された部分の
周囲には前記他の部分と同じ厚さのサポート部が形成さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２０】 請求項１９項記載の樹脂封止型半導体
装置において、 前記ダムバーの前記他の部分よりも薄く形成された部分
に前記封止材が充填されていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項２１】 請求項１９項記載の樹脂封止型半導体
装置において、 前記リードの一部と、前記ダムバーはそれぞれその上面
を略同一面に形成されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項２２】 表面に電極を有する半導体素子と、 この半導体素子表面の外周に沿って形成されたダムバー
と、 前記電極と電気的に接続され、かつ、前記ダムバーの内
側にこのダムバーとは電気的に独立して段違いに高く設
けられるリードと、 前記半導体素子表面に前記ダムバーおよび前記リードを
固着する固着材と、 前記半導体素子表面を前記リードの一部を露出した状態
で封止する封止材と、を有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の樹脂封止型半導体装
置において、 前記固着材は絶縁テープからなり、前記ダムバーを固着
する部分の厚さが、前記リードを固着する部分の厚さよ
りも薄いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２４】 請求項２２記載の樹脂封止型半導体装
置において、 前記封止材は、前記ダムバー上面と略同一面になるよう
に形成され、かつ、前記リードの側面がこの封止材によ
り覆われていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27601896A JP3427874B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
| TW086105000A TW334605B (en) | 1996-05-16 | 1997-04-17 | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof |
| US08/847,980 US5877542A (en) | 1996-05-16 | 1997-04-24 | Plastic molded type semiconductor device |
| EP20030077346 EP1406299A1 (en) | 1996-05-16 | 1997-04-29 | Plastic molded semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP97302914A EP0807973B1 (en) | 1996-05-16 | 1997-04-29 | Plastic molded type semiconductor device and method of manufacturing the same |
| DE69739897T DE69739897D1 (de) | 1996-05-16 | 1997-04-29 | Halbleiteranordnung vom Plastikumhüllungstyp und Herstellungsverfahren dafür |
| CNB971110425A CN1162905C (zh) | 1996-05-16 | 1997-05-16 | 塑料模制型半导体器件及其制造方法 |
| KR1019970018825A KR100346671B1 (ko) | 1996-05-16 | 1997-05-16 | 플라스틱성형타입반도체장치및그의제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-121196 | 1996-05-16 | ||
| JP12119696 | 1996-05-16 | ||
| JP27601896A JP3427874B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032287A JPH1032287A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3427874B2 true JP3427874B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=26458614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27601896A Expired - Fee Related JP3427874B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5877542A (ja) |
| EP (2) | EP1406299A1 (ja) |
| JP (1) | JP3427874B2 (ja) |
| KR (1) | KR100346671B1 (ja) |
| CN (1) | CN1162905C (ja) |
| DE (1) | DE69739897D1 (ja) |
| TW (1) | TW334605B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6336973B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-01-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for modifying the configuration of an exposed surface of a viscous fluid |
| US6013535A (en) * | 1997-08-05 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Method for applying adhesives to a lead frame |
| US6040205A (en) * | 1997-08-05 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling the depth of immersion of a semiconductor element in an exposed surface of a viscous fluid |
| JP3169072B2 (ja) | 1998-05-15 | 2001-05-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2000156435A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3784597B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-06-14 | 沖電気工業株式会社 | 封止樹脂及び樹脂封止型半導体装置 |
| US6457224B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dambar punch setup jig |
| JP2002092575A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 小型カードとその製造方法 |
| US6707135B2 (en) * | 2000-11-28 | 2004-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor leadframe for staggered board attach |
| TWI246175B (en) * | 2004-10-11 | 2005-12-21 | Ind Tech Res Inst | Bonding structure of device packaging |
| US7989933B1 (en) * | 2008-10-06 | 2011-08-02 | Amkor Technology, Inc. | Increased I/O leadframe and semiconductor device including same |
| JP5208099B2 (ja) | 2009-12-11 | 2013-06-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール |
| CN102104013B (zh) * | 2010-11-10 | 2013-06-12 | 华为终端有限公司 | 数据卡的组装方法及数据卡 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583375A (en) * | 1990-06-11 | 1996-12-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with lead structure within the planar area of the device |
| JP2895920B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1999-05-31 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2934357B2 (ja) * | 1992-10-20 | 1999-08-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| KR0152901B1 (ko) * | 1993-06-23 | 1998-10-01 | 문정환 | 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| JP3146849B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2001-03-19 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
| JPH08222681A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| TW314650B (ja) * | 1995-06-21 | 1997-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
| KR0169820B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1999-01-15 | 김광호 | 금속 회로 기판을 갖는 칩 스케일 패키지 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP27601896A patent/JP3427874B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-17 TW TW086105000A patent/TW334605B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-24 US US08/847,980 patent/US5877542A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-29 EP EP20030077346 patent/EP1406299A1/en not_active Withdrawn
- 1997-04-29 EP EP97302914A patent/EP0807973B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-29 DE DE69739897T patent/DE69739897D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-16 CN CNB971110425A patent/CN1162905C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-16 KR KR1019970018825A patent/KR100346671B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100346671B1 (ko) | 2002-09-18 |
| JPH1032287A (ja) | 1998-02-03 |
| DE69739897D1 (de) | 2010-07-15 |
| KR19980032123A (ko) | 1998-07-25 |
| US5877542A (en) | 1999-03-02 |
| EP0807973A3 (en) | 1999-08-04 |
| EP0807973A2 (en) | 1997-11-19 |
| CN1162905C (zh) | 2004-08-18 |
| CN1171627A (zh) | 1998-01-28 |
| EP0807973B1 (en) | 2010-06-02 |
| TW334605B (en) | 1998-06-21 |
| EP1406299A1 (en) | 2004-04-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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