JP3309889B2 - 半導体素子の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体素子の樹脂封止方法Info
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- JP3309889B2 JP3309889B2 JP7960095A JP7960095A JP3309889B2 JP 3309889 B2 JP3309889 B2 JP 3309889B2 JP 7960095 A JP7960095 A JP 7960095A JP 7960095 A JP7960095 A JP 7960095A JP 3309889 B2 JP3309889 B2 JP 3309889B2
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- resin
- semiconductor element
- mold
- cavity
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の樹脂封止
方法、特にモールド樹脂の流動により半導体素子がステ
イシフトしたりリードとエッジにてショートしたりする
虞れのない半導体素子の樹脂封止方法に関する。
方法、特にモールド樹脂の流動により半導体素子がステ
イシフトしたりリードとエッジにてショートしたりする
虞れのない半導体素子の樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ構造を有する半導体装置の封止は
一般に液状樹脂によるポッティングにより行われている
が、樹脂のポッティングによる封止には耐湿性が悪く、
またパッケージ外形の形状にバラツキが生じ易いという
問題があり、そのため、トランスファーモールドによる
封止も行われており、高い信頼度、高品質が特に強く要
求される半導体装置についてはＴＡＢ構造であってもト
ランスファーモールドにより封止する必要があるといえ
る。
一般に液状樹脂によるポッティングにより行われている
が、樹脂のポッティングによる封止には耐湿性が悪く、
またパッケージ外形の形状にバラツキが生じ易いという
問題があり、そのため、トランスファーモールドによる
封止も行われており、高い信頼度、高品質が特に強く要
求される半導体装置についてはＴＡＢ構造であってもト
ランスファーモールドにより封止する必要があるといえ
る。
【０００３】そのＴＡＢ構造の半導体装置に対するトラ
ンスファーモールドは、従来、図３（Ａ）、（Ｂ）に示
す方法で行われた。 （Ａ）先ず、半導体素子１のアルミニウム電極２、２、
…上にバリアメタル膜を介して金からなるバンプ３、
３、…を形成しておき、ＴＡＢテープ４のインナーリー
ド５、５、…とバンプ３、３、…とをギャングボンディ
ング方式により接合する。尚、６、６、…はアウターリ
ード、７はインナーリード５、５、…及びアウターリー
ド６、６、…を保持する例えばポリイミドテープ、８は
リードを保護するコーティング層である。
ンスファーモールドは、従来、図３（Ａ）、（Ｂ）に示
す方法で行われた。 （Ａ）先ず、半導体素子１のアルミニウム電極２、２、
…上にバリアメタル膜を介して金からなるバンプ３、
３、…を形成しておき、ＴＡＢテープ４のインナーリー
ド５、５、…とバンプ３、３、…とをギャングボンディ
ング方式により接合する。尚、６、６、…はアウターリ
ード、７はインナーリード５、５、…及びアウターリー
ド６、６、…を保持する例えばポリイミドテープ、８は
リードを保護するコーティング層である。
【０００４】（Ｂ）次に、図３（Ａ）に示すように半導
体素子１が接続された状態のＴＡＢテープ４をモールド
上型９とモールド下型１０との間に挟み込む。勿論、上
型９、下型１０に対してのＴＡＢテープ４の位置は予め
設定された通りにされており、そして、各半導体素子１
はそれぞれモールド金型９、１０のキャビティ１１内に
位置する。尚、半導体素子（チップ）１はモールドによ
り自己に加わる応力を最小にするため応力の中立点であ
るパッケージの厚み方向における中央に位置するように
されている。その後、図３（Ｂ）に示すように、樹脂を
モールド金型９、１０の各キャビティ１１内に樹脂１２
を注入することにより封止をする。
体素子１が接続された状態のＴＡＢテープ４をモールド
上型９とモールド下型１０との間に挟み込む。勿論、上
型９、下型１０に対してのＴＡＢテープ４の位置は予め
設定された通りにされており、そして、各半導体素子１
はそれぞれモールド金型９、１０のキャビティ１１内に
位置する。尚、半導体素子（チップ）１はモールドによ
り自己に加わる応力を最小にするため応力の中立点であ
るパッケージの厚み方向における中央に位置するように
されている。その後、図３（Ｂ）に示すように、樹脂を
モールド金型９、１０の各キャビティ１１内に樹脂１２
を注入することにより封止をする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の半導体素子の樹脂封止方法には、樹脂の注入時に
モールド樹脂の流動によりＴＡＢテープ４のインナーリ
ード５、５、…が変形し易く、半導体素子１の傾斜（ス
テイシフト）、やインナーリード５、５、…と半導体素
子１のエッジとの間でショートする等の不良が発生する
という問題があった。なぜならば、ＴＡＢ構造の半導体
装置は、半導体素子１がバンプ３、３、…を介してＴＡ
Ｂテープ４のインナーリード５、５、…に保持された構
造を有するが、半導体素子１を保持するインナーリード
５が厚さ１８〜３５μｍ、幅３５〜７０μｍ程度の銅箔
からなり、機械的強度が極めて弱いからである。
従来の半導体素子の樹脂封止方法には、樹脂の注入時に
モールド樹脂の流動によりＴＡＢテープ４のインナーリ
ード５、５、…が変形し易く、半導体素子１の傾斜（ス
テイシフト）、やインナーリード５、５、…と半導体素
子１のエッジとの間でショートする等の不良が発生する
という問題があった。なぜならば、ＴＡＢ構造の半導体
装置は、半導体素子１がバンプ３、３、…を介してＴＡ
Ｂテープ４のインナーリード５、５、…に保持された構
造を有するが、半導体素子１を保持するインナーリード
５が厚さ１８〜３５μｍ、幅３５〜７０μｍ程度の銅箔
からなり、機械的強度が極めて弱いからである。
【０００６】そのため、樹脂の注入時に半導体素子１の
上と下との間で樹脂１２の流動状態にアンバランスがあ
ると、半導体素子１に不均一な圧力が加わり、その結
果、機械的強度の弱いインナーリード５、５、…が容易
に変形して図３（Ｂ）に示すようなステイシフトが発生
するのである。シフトが非常に大きくて半導体素子１が
パッケージの外部に露出してしまう場合もある。ステイ
シフトは、半導体素子１がパッケージの外部に露出する
ような場合は勿論不良になるが、半導体素子１がパッケ
ージ外部に露出しなくても半導体素子１の位置がパッケ
ージ内の応力中立点から外れるために大きな応力が加わ
り信頼性の低下を招くので好ましくない。
上と下との間で樹脂１２の流動状態にアンバランスがあ
ると、半導体素子１に不均一な圧力が加わり、その結
果、機械的強度の弱いインナーリード５、５、…が容易
に変形して図３（Ｂ）に示すようなステイシフトが発生
するのである。シフトが非常に大きくて半導体素子１が
パッケージの外部に露出してしまう場合もある。ステイ
シフトは、半導体素子１がパッケージの外部に露出する
ような場合は勿論不良になるが、半導体素子１がパッケ
ージ外部に露出しなくても半導体素子１の位置がパッケ
ージ内の応力中立点から外れるために大きな応力が加わ
り信頼性の低下を招くので好ましくない。
【０００７】そして、ステイシフトが起きることによっ
て図２（Ｂ）の１３に示すようなエッジショートが発生
する。それに対して、モールド樹脂の低粘度化、モール
ド樹脂の流動の制御によりステイシフトを防止する試み
が為されたが成功していない。このような、モールド樹
脂の流動によりステイシフトが、更にはエッジショート
が発生することは例えば月刊誌「電子材料」１９９１年
４月号１０９〜１１４頁により紹介されている。このよ
うなモールド樹脂として低粘度のものを使用すること
は、確かにステイシフトの防止に若干寄与するも不完全
であり、しかも、封止効果の低減を招き、パッケージン
グの信頼性の低下につながることが懸念されるのであ
る。
て図２（Ｂ）の１３に示すようなエッジショートが発生
する。それに対して、モールド樹脂の低粘度化、モール
ド樹脂の流動の制御によりステイシフトを防止する試み
が為されたが成功していない。このような、モールド樹
脂の流動によりステイシフトが、更にはエッジショート
が発生することは例えば月刊誌「電子材料」１９９１年
４月号１０９〜１１４頁により紹介されている。このよ
うなモールド樹脂として低粘度のものを使用すること
は、確かにステイシフトの防止に若干寄与するも不完全
であり、しかも、封止効果の低減を招き、パッケージン
グの信頼性の低下につながることが懸念されるのであ
る。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体素子の樹脂封止方法において
モールド樹脂の流動により半導体素子がステイシフトし
たりリードとエッジにてショートしたりする虞れをなく
すことを目的とする。
されたものであり、半導体素子の樹脂封止方法において
モールド樹脂の流動により半導体素子がステイシフトし
たりリードとエッジにてショートしたりする虞れをなく
すことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体素子の
樹脂封止方法は、下型のキャビティに、該下型上に半導
体素子を保持しその電極を導出する保持手段をセットし
たときに上記半導体素子の裏面部が漬かる量の樹脂を滴
下し、該樹脂の硬化前に上記下型上に上記保持手段をセ
ットし、上記樹脂の硬化後、上記モールド金型の上型を
上記下型上に位置あわせした状態でキャビティ内にトラ
ンスファーモールド法によりモールド樹脂を注入して樹
脂封止することを特徴とする。請求項２の半導体素子の
樹脂封止方法は、請求項１の半導体素子の樹脂封止方法
において、モールド金型の下型のキャビティに滴下する
樹脂として、トランスファーモールド法により注入され
るモールド樹脂よりもガラス転移温度の高いものを用い
ることを特徴とする。
樹脂封止方法は、下型のキャビティに、該下型上に半導
体素子を保持しその電極を導出する保持手段をセットし
たときに上記半導体素子の裏面部が漬かる量の樹脂を滴
下し、該樹脂の硬化前に上記下型上に上記保持手段をセ
ットし、上記樹脂の硬化後、上記モールド金型の上型を
上記下型上に位置あわせした状態でキャビティ内にトラ
ンスファーモールド法によりモールド樹脂を注入して樹
脂封止することを特徴とする。請求項２の半導体素子の
樹脂封止方法は、請求項１の半導体素子の樹脂封止方法
において、モールド金型の下型のキャビティに滴下する
樹脂として、トランスファーモールド法により注入され
るモールド樹脂よりもガラス転移温度の高いものを用い
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１の半導体素子の樹脂封止方法によれ
ば、下型のキャビティに、該下型上に半導体素子を保持
する保持手段をセットしたとき該素子の裏面部が漬かる
量の樹脂を滴下し、その硬化前に上記下型上に上記保持
手段をセットするので、その樹脂の硬化により半導体素
子は上記セットされた保持手段により保持されたままの
状態で位置がその樹脂により固定された状態になる。そ
して、その半導体素子の位置が固定された状態でトラン
スファーモールドを行うので、モールド樹脂の流動によ
り半導体素子がステイシフトするおそれがなくなり、延
いてはステイシフトによる半導体素子のエッジとインナ
ーリードとのショート事故も防止することができる。請
求項２の半導体素子の樹脂封止方法によれば、下型のキ
ャビティに滴下する樹脂として、トランスファーモール
ド法により注入されるモールド樹脂よりもガラス転移温
度の高いものを用いるので、トランスファーモールド時
に既に硬化している、滴下された樹脂が軟化するおそれ
をなくすことができる。
ば、下型のキャビティに、該下型上に半導体素子を保持
する保持手段をセットしたとき該素子の裏面部が漬かる
量の樹脂を滴下し、その硬化前に上記下型上に上記保持
手段をセットするので、その樹脂の硬化により半導体素
子は上記セットされた保持手段により保持されたままの
状態で位置がその樹脂により固定された状態になる。そ
して、その半導体素子の位置が固定された状態でトラン
スファーモールドを行うので、モールド樹脂の流動によ
り半導体素子がステイシフトするおそれがなくなり、延
いてはステイシフトによる半導体素子のエッジとインナ
ーリードとのショート事故も防止することができる。請
求項２の半導体素子の樹脂封止方法によれば、下型のキ
ャビティに滴下する樹脂として、トランスファーモール
ド法により注入されるモールド樹脂よりもガラス転移温
度の高いものを用いるので、トランスファーモールド時
に既に硬化している、滴下された樹脂が軟化するおそれ
をなくすことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明半導体素子の樹脂封止方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｄ）は本発明半導体素子の樹脂封止方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図である。本実施例は、銅又は銅
合金で形成された薄いインナーリード（５）と、同じく
銅又は銅合金で形成された厚いアウターリード（６）を
例えばアルミニウムからなる接合層を介して接合しポリ
イミドテープ７で各リード間の位置関係を保持した構造
のリードフレーム（４ａ）に半導体素子（１）のアルミ
ニウム電極（２）をアルミニウムバンプ（３）を介して
接続したものを樹脂封止する半導体素子の樹脂封止方法
に、本発明を適用したものである。
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｄ）は本発明半導体素子の樹脂封止方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図である。本実施例は、銅又は銅
合金で形成された薄いインナーリード（５）と、同じく
銅又は銅合金で形成された厚いアウターリード（６）を
例えばアルミニウムからなる接合層を介して接合しポリ
イミドテープ７で各リード間の位置関係を保持した構造
のリードフレーム（４ａ）に半導体素子（１）のアルミ
ニウム電極（２）をアルミニウムバンプ（３）を介して
接続したものを樹脂封止する半導体素子の樹脂封止方法
に、本発明を適用したものである。
【００１２】（Ａ）先ず、図１（Ａ）に示すように、モ
ールド金型の下型１０の各キャビティ１１ａに、樹脂
（以後「ポッティング樹脂」と称する。）１２ａを滴下
する。その滴下する量は、樹脂封止する半導体素子
（１）を保持する保持手段であり、かつその各電極を外
部に導出する電極導出手段たるＴＡＢタイプのリードフ
レーム（４ａ）を上記下型１０上にセットしたときそれ
に保持された半導体素子（１）の底部が漬かる量であ
る。このポッティング樹脂１２ａは、後述するモールド
樹脂（１２ｂ）と同じか近似した値の線膨張係数を有
し、そのモールド樹脂（１２ｂ）よりもガラス転移温度
の高いものを用いる。ポッティング樹脂１２ａとしてモ
ールド樹脂（１２ｂ）と等しいあるいは近似した線膨張
係数を有するものを用いるのは、半導体素子１を封止す
る樹脂のポッティング樹脂１２ａからなる部分と、モー
ルド樹脂（１２ｂ）からなる部分との線膨張係数のアン
バランスにより樹脂パッケージに反りが生じるのを防止
するためである。
ールド金型の下型１０の各キャビティ１１ａに、樹脂
（以後「ポッティング樹脂」と称する。）１２ａを滴下
する。その滴下する量は、樹脂封止する半導体素子
（１）を保持する保持手段であり、かつその各電極を外
部に導出する電極導出手段たるＴＡＢタイプのリードフ
レーム（４ａ）を上記下型１０上にセットしたときそれ
に保持された半導体素子（１）の底部が漬かる量であ
る。このポッティング樹脂１２ａは、後述するモールド
樹脂（１２ｂ）と同じか近似した値の線膨張係数を有
し、そのモールド樹脂（１２ｂ）よりもガラス転移温度
の高いものを用いる。ポッティング樹脂１２ａとしてモ
ールド樹脂（１２ｂ）と等しいあるいは近似した線膨張
係数を有するものを用いるのは、半導体素子１を封止す
る樹脂のポッティング樹脂１２ａからなる部分と、モー
ルド樹脂（１２ｂ）からなる部分との線膨張係数のアン
バランスにより樹脂パッケージに反りが生じるのを防止
するためである。
【００１３】また、ポッティング樹脂１２ａとしてモー
ルド樹脂（１２ｂ）よりもガラス転移温度の高いものを
用いるのは、ポッティング樹脂１２ａがその硬化後に行
われるトランスファーモールド時に軟化するのを防止す
るためである。尚、１４はポッティング樹脂１２ａの滴
下に用いるポッティングツールである。
ルド樹脂（１２ｂ）よりもガラス転移温度の高いものを
用いるのは、ポッティング樹脂１２ａがその硬化後に行
われるトランスファーモールド時に軟化するのを防止す
るためである。尚、１４はポッティング樹脂１２ａの滴
下に用いるポッティングツールである。
【００１４】（Ｂ）次に、上記ポッティング樹脂１２ａ
が硬化する前に、図１（Ｂ）に示すように、リードフレ
ーム４ａをセットする。すると、当然のことながら、半
導体素子１の底部がそのポッティング樹脂１２ａに漬か
る。この状態でポッティング樹脂１２ａが硬化するのを
待つ。ポッティング樹脂１２ａが硬化すると、必然的
に、半導体素子１の位置がその硬化したポッティング樹
脂１２ａにより固定される。 （Ｃ）ポッティング樹脂１２ａが硬化した後、下型１０
上に上型９をセットする。すると、上型９と下型１０と
の間の各キャビティ１１内にリードフレーム４ａに保持
された半導体素子１が上記ポッティング樹脂１２ａによ
り裏面部（底部）を固定された状態で位置する状態にな
る。尚、１１ｂは上型１０のキャビティである。この状
態で、図１（Ｃ）に示すように、トランスファーモール
ドにより上記キャビティ１１内（より精確にはキャビテ
ィ１１のポッティング樹脂１２ａの滴下した後の残余の
部分）にモールド樹脂１２ｂを注入する。
が硬化する前に、図１（Ｂ）に示すように、リードフレ
ーム４ａをセットする。すると、当然のことながら、半
導体素子１の底部がそのポッティング樹脂１２ａに漬か
る。この状態でポッティング樹脂１２ａが硬化するのを
待つ。ポッティング樹脂１２ａが硬化すると、必然的
に、半導体素子１の位置がその硬化したポッティング樹
脂１２ａにより固定される。 （Ｃ）ポッティング樹脂１２ａが硬化した後、下型１０
上に上型９をセットする。すると、上型９と下型１０と
の間の各キャビティ１１内にリードフレーム４ａに保持
された半導体素子１が上記ポッティング樹脂１２ａによ
り裏面部（底部）を固定された状態で位置する状態にな
る。尚、１１ｂは上型１０のキャビティである。この状
態で、図１（Ｃ）に示すように、トランスファーモール
ドにより上記キャビティ１１内（より精確にはキャビテ
ィ１１のポッティング樹脂１２ａの滴下した後の残余の
部分）にモールド樹脂１２ｂを注入する。
【００１５】すると、半導体素子１は完全に樹脂封止さ
れた状態になる。尚、上述したように、モールド樹脂１
２ｂよりもポッティング樹脂１２ａの方がガラス転移温
度が高いので、このトランスファーモールドによりポッ
ティング樹脂１２ａが軟化するおそれがない。また、モ
ールド樹脂１２ｂとポッティング樹脂１２ａとの線膨張
係数が同じか近似しているので、樹脂１２ａ、１２ｂの
硬化収縮後において膨張係数のアンバランスによる反り
が生じるおそれがない。（Ｄ）トランスファーモールド
によるモールド樹脂１２ｂの注入が終わると樹脂封止が
済んだ半導体装置を取り出し、その後、アウターリード
６の切断及びフォーミングを行う。すると、図１（Ｄ）
に示すＴＡＢ構造の半導体装置が得られる。
れた状態になる。尚、上述したように、モールド樹脂１
２ｂよりもポッティング樹脂１２ａの方がガラス転移温
度が高いので、このトランスファーモールドによりポッ
ティング樹脂１２ａが軟化するおそれがない。また、モ
ールド樹脂１２ｂとポッティング樹脂１２ａとの線膨張
係数が同じか近似しているので、樹脂１２ａ、１２ｂの
硬化収縮後において膨張係数のアンバランスによる反り
が生じるおそれがない。（Ｄ）トランスファーモールド
によるモールド樹脂１２ｂの注入が終わると樹脂封止が
済んだ半導体装置を取り出し、その後、アウターリード
６の切断及びフォーミングを行う。すると、図１（Ｄ）
に示すＴＡＢ構造の半導体装置が得られる。
【００１６】このような半導体素子の樹脂封止方法によ
れば、下型１０のキャビティ１１ａ内にポッティングし
たポッティング樹脂１２ａにより半導体素子１の底部を
固定した状態でモールド樹脂１２ｂによるトランスファ
ーモールドを行うので、トランスファーモールド時に半
導体素子１がステイシフトするおそれがなくなる。従っ
て、封止用樹脂として粘度の低いものを用いることによ
ってステイシフトの生じる可能性を低くするという必要
性がないので、通常の粘度を持つ樹脂を用いて封止の信
頼性を高く確保することができる。また、ステイシフト
の生じるおそれがないので、トランスファーモールドに
おいて、流動フローの精密なコントロールが不要となる
ので、工程の安定化、歩留まり向上を図ることができ
る。
れば、下型１０のキャビティ１１ａ内にポッティングし
たポッティング樹脂１２ａにより半導体素子１の底部を
固定した状態でモールド樹脂１２ｂによるトランスファ
ーモールドを行うので、トランスファーモールド時に半
導体素子１がステイシフトするおそれがなくなる。従っ
て、封止用樹脂として粘度の低いものを用いることによ
ってステイシフトの生じる可能性を低くするという必要
性がないので、通常の粘度を持つ樹脂を用いて封止の信
頼性を高く確保することができる。また、ステイシフト
の生じるおそれがないので、トランスファーモールドに
おいて、流動フローの精密なコントロールが不要となる
ので、工程の安定化、歩留まり向上を図ることができ
る。
【００１７】そして、半導体素子１のステイシフトの防
止のために特殊なモールド金型を用いることは特に必要
ではなく、ＴＡＢ構造を有する半導体装置のモールド
に、従来から多く実施されてきているワイヤボンディン
グによりリードと半導体素子の電極との接続を行うタイ
プの半導体装置のモールドに用いられるモールド金型
を、用いることが可能である。従って、設備コストの低
減を図ることができる。尚、本発明はインナーリードに
ワイヤを介することなく半導体素子の電極を接続するタ
イプのリードフレーム（ＴＡＢテープによるリードフレ
ームも含む）を半導体素子保持手段、電極導出手段とし
て用いた半導体装置一般に適用することができる。
止のために特殊なモールド金型を用いることは特に必要
ではなく、ＴＡＢ構造を有する半導体装置のモールド
に、従来から多く実施されてきているワイヤボンディン
グによりリードと半導体素子の電極との接続を行うタイ
プの半導体装置のモールドに用いられるモールド金型
を、用いることが可能である。従って、設備コストの低
減を図ることができる。尚、本発明はインナーリードに
ワイヤを介することなく半導体素子の電極を接続するタ
イプのリードフレーム（ＴＡＢテープによるリードフレ
ームも含む）を半導体素子保持手段、電極導出手段とし
て用いた半導体装置一般に適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】請求項１の半導体素子の樹脂封止方法に
よれば、下型のキャビティに滴下した樹脂により半導体
素子の位置を固定された状態でトランスファーモールド
を行うので、モールド樹脂の流動により半導体素子がス
テイシフトするおそれがなくなり、延いてはステイシフ
トによる半導体素子のエッジとインナーリードとのショ
ート事故も防止することができる。請求項２の半導体素
子の樹脂封止方法によれば、ポッティング樹脂として、
トランスファーモールド法により注入されるモールド樹
脂よりもガラス転移温度の高いものを用いるので、トラ
ンスファーモールド時にポッティング樹脂が軟化するお
それをなくすことができる。
よれば、下型のキャビティに滴下した樹脂により半導体
素子の位置を固定された状態でトランスファーモールド
を行うので、モールド樹脂の流動により半導体素子がス
テイシフトするおそれがなくなり、延いてはステイシフ
トによる半導体素子のエッジとインナーリードとのショ
ート事故も防止することができる。請求項２の半導体素
子の樹脂封止方法によれば、ポッティング樹脂として、
トランスファーモールド法により注入されるモールド樹
脂よりもガラス転移温度の高いものを用いるので、トラ
ンスファーモールド時にポッティング樹脂が軟化するお
それをなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体素子の樹脂封
止方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
止方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は従来例を工程順に示す断面図
である。
である。
１ 半導体素子 ４ａ 保持手段（リードフレーム） ５ インナーリード ９ モールド金型の上型 １０ モールド金型の下型 １１ キャビティ １１ａ 下型のキャビティ １２ａ 滴下された樹脂（ポッティング樹脂） １２ｂ トランスファーモールドにより注入された樹脂
（モールド樹脂）
（モールド樹脂）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 B29C 45/02 B29C 45/14 B29C 45/26 B29L 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】 下型と上型からなるモールド金型のキャ
ビティ内に保持及び電極導出を為す保持手段に保持され
た半導体素子を位置させ該キャビティ内に樹脂を注入す
ることにより半導体素子を樹脂封止する半導体素子の樹
脂封止方法において、 上記モールド金型の下型のキャビティに、該下型上に上
記保持手段をセットしたときに上記半導体素子の少なく
とも裏面部が漬かる量の樹脂を滴下し、 上記樹脂の硬化前に上記下型上に上記半導体素子を保持
する保持手段をセットし、 上記樹脂の硬化後、上記モールド金型の上型を上記下型
上に位置合わせした状態で該上型と該下型との間の上記
キャビティ内にトランスファーモールド法によりモール
ド樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とする半導体
素子の樹脂封止方法 - 【請求項２】 モールド金型の下型のキャビティに滴下
する樹脂として、トランスファーモールド法により注入
されるモールド樹脂よりもガラス転移温度の高いものを
用いることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の樹
脂封止方法
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7960095A JP3309889B2 (ja) | 1995-03-11 | 1995-03-11 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7960095A JP3309889B2 (ja) | 1995-03-11 | 1995-03-11 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250525A JPH08250525A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3309889B2 true JP3309889B2 (ja) | 2002-07-29 |
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ID=13694511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP7960095A Expired - Fee Related JP3309889B2 (ja) | 1995-03-11 | 1995-03-11 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
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| JP (1) | JP3309889B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7993092B2 (en) | 2007-08-14 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Moving carrier for lead frame and method of moving lead frame using the moving carrier |
-
1995
- 1995-03-11 JP JP7960095A patent/JP3309889B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08250525A (ja) | 1996-09-27 |
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