JPH07283346A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07283346A JPH07283346A JP7736994A JP7736994A JPH07283346A JP H07283346 A JPH07283346 A JP H07283346A JP 7736994 A JP7736994 A JP 7736994A JP 7736994 A JP7736994 A JP 7736994A JP H07283346 A JPH07283346 A JP H07283346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- thermoplastic resin
- semiconductor device
- film
- carrier member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱可塑性樹脂を用いて薄肉のパッケージを形成
した場合であってもワイヤ等の断線やＴＡＢテープの変
形が発生せず、信頼性を確保できるとともに、製造コス
トを低くすることができる半導体装置を提供すること。 【構成】キャリア部材２１上に搭載された半導体素子２
０と、半導体素子２０の両面にそれぞれ密着して配置さ
れた熱可塑性樹脂フィルム３０ａ，３０ｂとを具備し、
フィルム３０ａ，３０ｂの周辺部が溶着されて半導体素
子２０が封止されている。
した場合であってもワイヤ等の断線やＴＡＢテープの変
形が発生せず、信頼性を確保できるとともに、製造コス
トを低くすることができる半導体装置を提供すること。 【構成】キャリア部材２１上に搭載された半導体素子２
０と、半導体素子２０の両面にそれぞれ密着して配置さ
れた熱可塑性樹脂フィルム３０ａ，３０ｂとを具備し、
フィルム３０ａ，３０ｂの周辺部が溶着されて半導体素
子２０が封止されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を熱可塑性
樹脂で封止することによりパッケージを形成した半導体
装置及びこの半導体装置製造方法に関する。
樹脂で封止することによりパッケージを形成した半導体
装置及びこの半導体装置製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からリードフレームやＴＡＢ（tape
automated bonding）テープ等のキャリア部材上に半導
体素子を載置し、キャリア部材とともに金型内に投入
し、この金型内に樹脂を流し込むことにより封止してパ
ッケージを形成した半導体装置がある。上記樹脂は通
常、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いて成形され
ている。エポキシ樹脂は成形時の流動性及び硬化後のリ
ードフレームとの密着性に優れているため広く用いられ
ている。しかし、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の保存
には冷凍庫が必要で取扱いが繁雑なこと、成形後の硬化
時間に６０〜１８０秒の時間がかかり生産性が低いこと
等の問題があった。
automated bonding）テープ等のキャリア部材上に半導
体素子を載置し、キャリア部材とともに金型内に投入
し、この金型内に樹脂を流し込むことにより封止してパ
ッケージを形成した半導体装置がある。上記樹脂は通
常、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いて成形され
ている。エポキシ樹脂は成形時の流動性及び硬化後のリ
ードフレームとの密着性に優れているため広く用いられ
ている。しかし、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の保存
には冷凍庫が必要で取扱いが繁雑なこと、成形後の硬化
時間に６０〜１８０秒の時間がかかり生産性が低いこと
等の問題があった。
【０００３】そこで、硬化時間を短縮させて生産性を向
上させるために、封止する樹脂として熱可塑性樹脂を用
いることが試みられている。これは、従来のトランスフ
ァ成形にかわって射出成形によりパッケージを成形する
ものであり、樹脂の硬化が１０秒程度で終了するため、
生産性が向上する利点がある。一方、半導体装置を小型
に形成するために、薄肉のパッケージが要求されてい
る。
上させるために、封止する樹脂として熱可塑性樹脂を用
いることが試みられている。これは、従来のトランスフ
ァ成形にかわって射出成形によりパッケージを成形する
ものであり、樹脂の硬化が１０秒程度で終了するため、
生産性が向上する利点がある。一方、半導体装置を小型
に形成するために、薄肉のパッケージが要求されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような熱可塑性
樹脂を用いて半導体装置の薄肉パッケージを形成する場
合には次のような問題があった。すなわち、熱可塑性樹
脂は熱硬化性樹脂に比べて軟化流動時の粘度が高く、ボ
ンディングされたワイヤやＴＡＢテープのバンプに接続
されているリード線が流動抵抗で変形し、断線する虞が
あった。
樹脂を用いて半導体装置の薄肉パッケージを形成する場
合には次のような問題があった。すなわち、熱可塑性樹
脂は熱硬化性樹脂に比べて軟化流動時の粘度が高く、ボ
ンディングされたワイヤやＴＡＢテープのバンプに接続
されているリード線が流動抵抗で変形し、断線する虞が
あった。
【０００５】また、熱可塑性樹脂を溶融させるためには
３００℃程度に加熱する必要があり、キャリア部材がＴ
ＡＢテープである場合は、加熱時にポリイミド樹脂製の
テープを熱変形させる虞があるため、薄肉のパッケージ
には適用困難であった。
３００℃程度に加熱する必要があり、キャリア部材がＴ
ＡＢテープである場合は、加熱時にポリイミド樹脂製の
テープを熱変形させる虞があるため、薄肉のパッケージ
には適用困難であった。
【０００６】さらに、熱可塑性樹脂で封止する場合には
半導体装置の形状が変わる度に金型を製作しなくてはな
らないので、製造コストが高くなるという問題があっ
た。また、射出成形を行うためには製造装置が大型にな
るという問題もあった。さらに、ランナやゲートなどの
廃材が発生するという問題もあった。
半導体装置の形状が変わる度に金型を製作しなくてはな
らないので、製造コストが高くなるという問題があっ
た。また、射出成形を行うためには製造装置が大型にな
るという問題もあった。さらに、ランナやゲートなどの
廃材が発生するという問題もあった。
【０００７】そこで本発明は、熱可塑性樹脂を用いて薄
肉のパッケージを形成した場合であってもワイヤ等の断
線やＴＡＢテープの変形が発生せず、信頼性を確保でき
るとともに、製造コストを低くすることができる半導体
装置及び半導体装置製造方法を提供することを目的とし
ている。
肉のパッケージを形成した場合であってもワイヤ等の断
線やＴＡＢテープの変形が発生せず、信頼性を確保でき
るとともに、製造コストを低くすることができる半導体
装置及び半導体装置製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明は、キャリア部材上に搭載され
た半導体素子と、この半導体素子の両面にそれぞれ設け
られた熱可塑性樹脂フィルムとを具備し、前記熱可塑性
樹脂フィルムの周辺部が溶着されて前記半導体素子が封
止されてなることとした。
達成するために、本発明は、キャリア部材上に搭載され
た半導体素子と、この半導体素子の両面にそれぞれ設け
られた熱可塑性樹脂フィルムとを具備し、前記熱可塑性
樹脂フィルムの周辺部が溶着されて前記半導体素子が封
止されてなることとした。
【０００９】また、キャリア部材上に半導体素子を搭載
する工程と、熱可塑性樹脂フィルムを前記半導体素子両
面にそれぞれ設ける工程と、前記熱可塑性樹脂フィルム
の周辺部を加熱溶着して前記半導体素子を封止する工程
とを備えるようにした。
する工程と、熱可塑性樹脂フィルムを前記半導体素子両
面にそれぞれ設ける工程と、前記熱可塑性樹脂フィルム
の周辺部を加熱溶着して前記半導体素子を封止する工程
とを備えるようにした。
【００１０】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。すなわち、半導体素子の両面に熱可塑性樹脂フィル
ムが配置され、この熱可塑性樹脂フィルムの周辺部を溶
着することにより半導体素子を封止するようにしたの
で、金型を用いて射出成形を行う必要がない。また、こ
のとき、フィルムは熱可塑性樹脂であるため短時間で硬
化する。
る。すなわち、半導体素子の両面に熱可塑性樹脂フィル
ムが配置され、この熱可塑性樹脂フィルムの周辺部を溶
着することにより半導体素子を封止するようにしたの
で、金型を用いて射出成形を行う必要がない。また、こ
のとき、フィルムは熱可塑性樹脂であるため短時間で硬
化する。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体装置を
示す断面図であり、図２は図１に示す半導体装置の製造
方法を示す工程図である。図１中１０は半導体装置を示
している。半導体装置１０は矩形状の半導体素子２０
と、この半導体素子２０を囲むように位置するキャリア
部材としてのＴＡＢテープ２１と、半導体素子２０の各
端子とＴＡＢテープ２１のリード部とを接続するリード
線２２と、半導体素子２０の一方の面に接着した熱可塑
性樹脂製のフィルム３０ａと、半導体素子２０の他方の
面に接着した熱可塑性樹脂製のフィルム３０ｂとを備え
ている。
示す断面図であり、図２は図１に示す半導体装置の製造
方法を示す工程図である。図１中１０は半導体装置を示
している。半導体装置１０は矩形状の半導体素子２０
と、この半導体素子２０を囲むように位置するキャリア
部材としてのＴＡＢテープ２１と、半導体素子２０の各
端子とＴＡＢテープ２１のリード部とを接続するリード
線２２と、半導体素子２０の一方の面に接着した熱可塑
性樹脂製のフィルム３０ａと、半導体素子２０の他方の
面に接着した熱可塑性樹脂製のフィルム３０ｂとを備え
ている。
【００１２】一方、このような半導体装置１０は次のよ
うな工程で製作される。すなわち、ＴＡＢテープ２１に
半導体素子２０を搭載した後、リード線２２により半導
体素子２０の各端子とＴＡＢテープ２１のリード部とを
接続する。次に図２の（ａ）に示すように、半導体素子
２０の両面にフィルム３０ａ，３０ｂを遠赤外線若しく
は低出力のレーザ光により仮止めする。熱可塑性樹脂に
としてポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を用い、
フィルム３０ａ，３０ｂの厚さは約０．２ｍｍのものを
用いた。
うな工程で製作される。すなわち、ＴＡＢテープ２１に
半導体素子２０を搭載した後、リード線２２により半導
体素子２０の各端子とＴＡＢテープ２１のリード部とを
接続する。次に図２の（ａ）に示すように、半導体素子
２０の両面にフィルム３０ａ，３０ｂを遠赤外線若しく
は低出力のレーザ光により仮止めする。熱可塑性樹脂に
としてポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を用い、
フィルム３０ａ，３０ｂの厚さは約０．２ｍｍのものを
用いた。
【００１３】次に、フィルム３０ａ，３０ｂが仮止めさ
れたＴＡＢテープ２１を次のステージに移動させる。こ
こで図２の（ｂ）に示すように加圧ブロック４０ａ，４
０ｂによりフィルム３０ａ，３０ｂ側からフィルム３０
ａ，３０ｂの周辺部である４辺を残して半導体素子２０
を所定の荷重で挟んで固定する。なお、荷重はフィルム
３０ａ，３０ｂにクラックが発生しない程度とする。
れたＴＡＢテープ２１を次のステージに移動させる。こ
こで図２の（ｂ）に示すように加圧ブロック４０ａ，４
０ｂによりフィルム３０ａ，３０ｂ側からフィルム３０
ａ，３０ｂの周辺部である４辺を残して半導体素子２０
を所定の荷重で挟んで固定する。なお、荷重はフィルム
３０ａ，３０ｂにクラックが発生しない程度とする。
【００１４】次に、図２の（ｃ）に示すように加圧ブロ
ック４０ａ，４０ｂに挟み込まれていないフィルム３０
ａ，３０ｂの周辺部をＹＡＧレーザ（不図示）のレーザ
光Ｌを照射し、フィルム３０ａ，３０ｂに沿って走査し
て溶融させて、ＴＡＢテープ２１に溶着させる。このと
き、ＹＡＧレーザの照射径は直径２ｍｍに設定されると
ともに、さらに小径に絞り込み、樹脂表面で３５０℃に
なるように出力が設定されている。
ック４０ａ，４０ｂに挟み込まれていないフィルム３０
ａ，３０ｂの周辺部をＹＡＧレーザ（不図示）のレーザ
光Ｌを照射し、フィルム３０ａ，３０ｂに沿って走査し
て溶融させて、ＴＡＢテープ２１に溶着させる。このと
き、ＹＡＧレーザの照射径は直径２ｍｍに設定されると
ともに、さらに小径に絞り込み、樹脂表面で３５０℃に
なるように出力が設定されている。
【００１５】レーザ光Ｌの照射によって４辺が溶着され
たのに基づき照射を止めて、図２の（ｄ）に示すように
加圧ブロック４０ａ，４０ｂを取り去る。完成した半導
体装置１０のパッケージ厚は約０．５ｍｍとなる。
たのに基づき照射を止めて、図２の（ｄ）に示すように
加圧ブロック４０ａ，４０ｂを取り去る。完成した半導
体装置１０のパッケージ厚は約０．５ｍｍとなる。
【００１６】このような構成であると、金型を用いて射
出成形を行う必要がない。このため、射出成形に伴うＴ
ＡＢテープの変形が発生しない。また、ランナやゲート
などの廃材が発生しない。さらに、半導体装置の外形の
変更は、フィルムの形状及びレーザの照射パターンを変
更することにより行うことができるため、金型を製作す
る必要がない。しがたって、コストダウンを図ることが
できる。さらに、半導体装置を作る装置を小型にするこ
とが可能となる。したがって、生産性を向上させるため
に熱可塑性樹脂を用いても、ワイヤの断線やＴＡＢテー
プの変形が発生せず、半導体装置としての信頼性を確保
できるとともに、低コスト化を実現することが可能であ
る。
出成形を行う必要がない。このため、射出成形に伴うＴ
ＡＢテープの変形が発生しない。また、ランナやゲート
などの廃材が発生しない。さらに、半導体装置の外形の
変更は、フィルムの形状及びレーザの照射パターンを変
更することにより行うことができるため、金型を製作す
る必要がない。しがたって、コストダウンを図ることが
できる。さらに、半導体装置を作る装置を小型にするこ
とが可能となる。したがって、生産性を向上させるため
に熱可塑性樹脂を用いても、ワイヤの断線やＴＡＢテー
プの変形が発生せず、半導体装置としての信頼性を確保
できるとともに、低コスト化を実現することが可能であ
る。
【００１７】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち上記実施例では、熱可塑性樹
脂としてポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を用い
ているが、液晶ポリマ（ＬＣＰ）を用いてもよい。この
ほか本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
るものではない。すなわち上記実施例では、熱可塑性樹
脂としてポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を用い
ているが、液晶ポリマ（ＬＣＰ）を用いてもよい。この
ほか本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の両面にそ
れぞれ密着して熱可塑性樹脂フィルムが配置され、この
熱可塑性樹脂フィルムの周辺部を溶着することにより半
導体素子を封止したので、金型を用いて射出成形を行う
必要がない。このため、射出成形に伴うワイヤ等の断線
やＴＡＢテープの変形が発生しない。また、ランナやゲ
ートなどの廃材が発生しない。さらに、半導体装置の外
形の変更は、フィルムの形状及びレーザの照射パターン
を変更することにより容易に行うことができる。したが
って、製造コストを低くすることができる。さらに、半
導体装置を作る装置を小型にすることが可能となる。し
たがって、熱可塑性樹脂を用いて断線、ＴＡＢテープの
変形などの虞がなく信頼性を確保できるとともに、低コ
スト化を実現することが可能である。
れぞれ密着して熱可塑性樹脂フィルムが配置され、この
熱可塑性樹脂フィルムの周辺部を溶着することにより半
導体素子を封止したので、金型を用いて射出成形を行う
必要がない。このため、射出成形に伴うワイヤ等の断線
やＴＡＢテープの変形が発生しない。また、ランナやゲ
ートなどの廃材が発生しない。さらに、半導体装置の外
形の変更は、フィルムの形状及びレーザの照射パターン
を変更することにより容易に行うことができる。したが
って、製造コストを低くすることができる。さらに、半
導体装置を作る装置を小型にすることが可能となる。し
たがって、熱可塑性樹脂を用いて断線、ＴＡＢテープの
変形などの虞がなく信頼性を確保できるとともに、低コ
スト化を実現することが可能である。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置を示す断面
図。
図。
【図２】同装置の製造工程を示す工程図。
１０…半導体装置 ２０…半導体素子 ２１…ＴＡＢテープ ２２…リード線 ３０ａ，３０ｂ…フィルム ４０ａ，４０ｂ…
加圧ブロック
加圧ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】キャリア部材上に搭載された半導体素子
と、この半導体素子の両面にそれぞれ設けられた熱可塑
性樹脂フィルムとを具備し、前記熱可塑性樹脂フィルム
の周辺部が溶着されて前記半導体素子が封止されてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】キャリア部材上に半導体素子を搭載する工
程と、熱可塑性樹脂フィルムを前記半導体素子両面にそ
れぞれ設ける工程と、前記熱可塑性樹脂フィルムの周辺
部を加熱し、前記熱可塑性樹脂フィルムと前記キャリア
部材とを溶着して前記半導体素子を封止する工程とを備
えていることを特徴とする半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7736994A JPH07283346A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7736994A JPH07283346A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283346A true JPH07283346A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13631992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7736994A Pending JPH07283346A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375098B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2014-03-18 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 시험용 캐리어 |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP7736994A patent/JPH07283346A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375098B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2014-03-18 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 시험용 캐리어 |
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