JPH1158449A - 半導体装置の樹脂封止成形金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止成形金型Info
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- JPH1158449A JPH1158449A JP9222514A JP22251497A JPH1158449A JP H1158449 A JPH1158449 A JP H1158449A JP 9222514 A JP9222514 A JP 9222514A JP 22251497 A JP22251497 A JP 22251497A JP H1158449 A JPH1158449 A JP H1158449A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置を樹脂封止する成形金型におい
て、キャビティーの樹脂注入口に当たる側面の短辺から
ゲートを形成して、上下のキャビティー内へ流入する樹
脂をバランスさせ、均等に充填させることができるよう
にした半導体装置の樹脂封止成形金型を提供する。 【解決手段】 半導体装置を樹脂で封止するモールドパ
ッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する成形
金型において、下キャビティー２１の短辺中央部の内側
に、成形品の抜き勾配をもつ突起部２２を設け、この突
起部２２に内側に向かって上昇する底面２４Ａを有する
ゲート２４を設ける。
て、キャビティーの樹脂注入口に当たる側面の短辺から
ゲートを形成して、上下のキャビティー内へ流入する樹
脂をバランスさせ、均等に充填させることができるよう
にした半導体装置の樹脂封止成形金型を提供する。 【解決手段】 半導体装置を樹脂で封止するモールドパ
ッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する成形
金型において、下キャビティー２１の短辺中央部の内側
に、成形品の抜き勾配をもつ突起部２２を設け、この突
起部２２に内側に向かって上昇する底面２４Ａを有する
ゲート２４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に係り、特に、半導体装置（ＩＣ）の樹脂封止成形金型
に関するものである。
に係り、特に、半導体装置（ＩＣ）の樹脂封止成形金型
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱硬化性樹脂による封止
成形は、金型を用いて行われている。その金型は、上金
型と下金型とで構成され、上金型には半導体装置を封止
し、モールドパッケージを形成する上キャビティー、熱
硬化性樹脂を加熱し、可塑化させるカル部、下金型には
そのタブレットを余熱するポット、可塑化された樹脂を
移送するランナー、半導体装置を封止し、モールドパッ
ケージを形成する下キャビティー、及びそのキャビティ
ー短辺にゲート部が設けられている。
成形は、金型を用いて行われている。その金型は、上金
型と下金型とで構成され、上金型には半導体装置を封止
し、モールドパッケージを形成する上キャビティー、熱
硬化性樹脂を加熱し、可塑化させるカル部、下金型には
そのタブレットを余熱するポット、可塑化された樹脂を
移送するランナー、半導体装置を封止し、モールドパッ
ケージを形成する下キャビティー、及びそのキャビティ
ー短辺にゲート部が設けられている。
【０００３】一方、リードフレームは、前工程でアイラ
ンドの上に半導体装置がボンディングされ、ワイヤーで
各リード端子と配線されている。まず、そのリードフレ
ームは、下金型にセットされ、熱硬化性樹脂のタブレッ
トがポット内に投入されると、上金型と下金型とが閉じ
られる。そして、可塑化された樹脂は、ランナーを通っ
て上下のキャビティー内へその短辺に設けられたゲート
から注入、充填されると共に保圧され、樹脂が硬化して
封止成形が完了する。
ンドの上に半導体装置がボンディングされ、ワイヤーで
各リード端子と配線されている。まず、そのリードフレ
ームは、下金型にセットされ、熱硬化性樹脂のタブレッ
トがポット内に投入されると、上金型と下金型とが閉じ
られる。そして、可塑化された樹脂は、ランナーを通っ
て上下のキャビティー内へその短辺に設けられたゲート
から注入、充填されると共に保圧され、樹脂が硬化して
封止成形が完了する。
【０００４】その後、金型よりリードフレームが取り出
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、半導体装置の樹脂封止成形品を完成させる。図８は
従来の半導体装置の成形品を示す斜視図であり、１はモ
ールドパッケージ、２はリードを示す。
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、半導体装置の樹脂封止成形品を完成させる。図８は
従来の半導体装置の成形品を示す斜視図であり、１はモ
ールドパッケージ、２はリードを示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体装置の成形金型では、ゲートがリードフ
レームを挟んで対向する上下キャビティーの短辺より外
側へ形成され、下金型に設けてられている。このため、
半導体装置を封止する樹脂が流入するキャビティー内の
流路断面が上下で違う（上＜下の状態）組立構造のモー
ルドパッケージを成形すると、そのゲートから注入され
た樹脂は、下キャビティー内に早く流入、充填され、そ
の先端の樹脂が上キャビティー内に回り込んでしまう。
た従来の半導体装置の成形金型では、ゲートがリードフ
レームを挟んで対向する上下キャビティーの短辺より外
側へ形成され、下金型に設けてられている。このため、
半導体装置を封止する樹脂が流入するキャビティー内の
流路断面が上下で違う（上＜下の状態）組立構造のモー
ルドパッケージを成形すると、そのゲートから注入され
た樹脂は、下キャビティー内に早く流入、充填され、そ
の先端の樹脂が上キャビティー内に回り込んでしまう。
【０００６】したがって、キャビティー内のガスは、上
下からの流入樹脂で挟まれることとなり、結果として、
モールドパッケージはボイドの有る成形品になってしま
うという問題点があった。本発明は、以上述べた問題点
を除去するために、半導体装置を樹脂封止する成形金型
において、キャビティーの樹脂注入口に当たる側面の短
辺からゲートを形成して、上下のキャビティー内へ流入
する樹脂をバランスさせ、均等に充填させることができ
るようにした半導体装置の樹脂封止成形金型を提供する
ことを目的とする。
下からの流入樹脂で挟まれることとなり、結果として、
モールドパッケージはボイドの有る成形品になってしま
うという問題点があった。本発明は、以上述べた問題点
を除去するために、半導体装置を樹脂封止する成形金型
において、キャビティーの樹脂注入口に当たる側面の短
辺からゲートを形成して、上下のキャビティー内へ流入
する樹脂をバランスさせ、均等に充填させることができ
るようにした半導体装置の樹脂封止成形金型を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置を樹脂で封止するモールドパッケージ
の成形に用いる上下キャビティーを有する成形金型にお
いて、下キャビティーの短辺中央部の内側に、成形品の
抜き勾配をもつ突起部を設け、この突起部に内側に向か
って上昇する底面を有するゲートを設けるようにしたも
のである。
成するために、 〔１〕半導体装置を樹脂で封止するモールドパッケージ
の成形に用いる上下キャビティーを有する成形金型にお
いて、下キャビティーの短辺中央部の内側に、成形品の
抜き勾配をもつ突起部を設け、この突起部に内側に向か
って上昇する底面を有するゲートを設けるようにしたも
のである。
【０００８】〔２〕半導体装置を樹脂で封止するモール
ドパッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する
成形金型において、下キャビティーの短辺コーナー部の
内側に、成形品の抜き勾配をもつ突起部を設け、この突
起部に内側に向かって上昇する底面を有するゲートを具
備するようにしたものである。 〔３〕半導体装置を樹脂で封止するモールドパッケージ
の成形に用いる上下キャビティーを有する成形金型にお
いて、下キャビティーの短辺が対向する上キャビティー
の短辺より内側に設定され、この内側の設定部に内側に
向かって上昇する底面を有するゲートを具備するように
したものである。
ドパッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する
成形金型において、下キャビティーの短辺コーナー部の
内側に、成形品の抜き勾配をもつ突起部を設け、この突
起部に内側に向かって上昇する底面を有するゲートを具
備するようにしたものである。 〔３〕半導体装置を樹脂で封止するモールドパッケージ
の成形に用いる上下キャビティーを有する成形金型にお
いて、下キャビティーの短辺が対向する上キャビティー
の短辺より内側に設定され、この内側の設定部に内側に
向かって上昇する底面を有するゲートを具備するように
したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の半導体
装置の樹脂封止成形金型の下キャビティー部を示す図で
あり、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）はその正面
図、図１（ｃ）はその樹脂封止成形金型の下キャビティ
ーの要部斜視図である。また、図２はその金型による半
導体装置の封止成形工程断面図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の半導体
装置の樹脂封止成形金型の下キャビティー部を示す図で
あり、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）はその正面
図、図１（ｃ）はその樹脂封止成形金型の下キャビティ
ーの要部斜視図である。また、図２はその金型による半
導体装置の封止成形工程断面図である。
【００１０】図２（ａ）に示すように、半導体装置２９
を封止し、モールドパッケージを成形する上キャビティ
ー１１、熱硬化性樹脂タブレット２７を加熱し、可塑化
させるカル部１２を上金型１０に設けている。また、下
キャビティー２１、ランナー２３、ゲート２４、熱硬化
性樹脂タブレット２７を余熱するポット２５を下金型２
０に設けている。なお、２６はプランジャー成形装置、
２８はリードフレームである。
を封止し、モールドパッケージを成形する上キャビティ
ー１１、熱硬化性樹脂タブレット２７を加熱し、可塑化
させるカル部１２を上金型１０に設けている。また、下
キャビティー２１、ランナー２３、ゲート２４、熱硬化
性樹脂タブレット２７を余熱するポット２５を下金型２
０に設けている。なお、２６はプランジャー成形装置、
２８はリードフレームである。
【００１１】そこで、図２（ｂ）に示すように、下キャ
ビティー２１はその短辺中央部の内側に成形後、容易に
離形できるように抜き勾配をもつ突起部２２が設けられ
ている。そして、この突起部２２には、底面２４Ａが上
方に向かって傾斜するとともに、内側に狭まるテーパー
側面２４Ｂ（図１参照）を有するゲート２４を形成した
構造になっている。なお、３０は金属細線（ワイヤ）で
ある。
ビティー２１はその短辺中央部の内側に成形後、容易に
離形できるように抜き勾配をもつ突起部２２が設けられ
ている。そして、この突起部２２には、底面２４Ａが上
方に向かって傾斜するとともに、内側に狭まるテーパー
側面２４Ｂ（図１参照）を有するゲート２４を形成した
構造になっている。なお、３０は金属細線（ワイヤ）で
ある。
【００１２】以下、本発明の半導体装置の樹脂封止成形
金型を用いた樹脂封止の成形方法について図２を参照し
ながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、リードフレーム
２８が下金型２０にセットされると共に、ポット２５内
に熱硬化性樹脂タブレット２７が投入される。そして、
上金型１０と下金型２０が閉じられる。
金型を用いた樹脂封止の成形方法について図２を参照し
ながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、リードフレーム
２８が下金型２０にセットされると共に、ポット２５内
に熱硬化性樹脂タブレット２７が投入される。そして、
上金型１０と下金型２０が閉じられる。
【００１３】（２）この状態で、図２（ｂ）に示すよう
に、加熱された熱硬化性樹脂タブレット２７は、プラン
ジャー成形装置２６により加圧される。カル部１２で加
熱、可塑化された樹脂２７′はランナー２３を通って、
ゲート２４から上下キャビティー１１，２１内へ注入さ
れる。そこで、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すよう
に、下キャビティー２１において、その短辺中央部の内
側の突起部２２に、底面２４Ａが上方向に向かって傾斜
するとともに、内側に狭まるテーパー側面２４Ｂを有す
るゲート２４が形成されているので、可塑化された樹脂
２７′は注入状態が変えられ、上下キャビティー１１，
２１内へ樹脂をバランス良く流入し、均等に充填され
る。
に、加熱された熱硬化性樹脂タブレット２７は、プラン
ジャー成形装置２６により加圧される。カル部１２で加
熱、可塑化された樹脂２７′はランナー２３を通って、
ゲート２４から上下キャビティー１１，２１内へ注入さ
れる。そこで、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すよう
に、下キャビティー２１において、その短辺中央部の内
側の突起部２２に、底面２４Ａが上方向に向かって傾斜
するとともに、内側に狭まるテーパー側面２４Ｂを有す
るゲート２４が形成されているので、可塑化された樹脂
２７′は注入状態が変えられ、上下キャビティー１１，
２１内へ樹脂をバランス良く流入し、均等に充填され
る。
【００１４】さらに、可塑化された樹脂２７′が流入
し、図２（ｃ）に示すように、上下キャビティー１１，
２１内は注入圧力で保圧され、樹脂が硬化し、半導体装
置の封止成形が完了する。図３はこの半導体装置の樹脂
封止成形金型で成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図を示す。この図において、
３１は突起部２２によって形成された切欠部である。な
お、従来例と同じ部分には同じ符号を付している。
し、図２（ｃ）に示すように、上下キャビティー１１，
２１内は注入圧力で保圧され、樹脂が硬化し、半導体装
置の封止成形が完了する。図３はこの半導体装置の樹脂
封止成形金型で成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図を示す。この図において、
３１は突起部２２によって形成された切欠部である。な
お、従来例と同じ部分には同じ符号を付している。
【００１５】このように、第１実施例によれば、成形金
型の下キャビティー短辺の内側中央に突起部を設け、そ
の突起部にゲートを形成した構造により、上下キャビテ
ィー内への樹脂の流入をバランスさせるようにしたの
で、上部と下部への樹脂が均等に充填されることにな
り、モールドパッケージは、従来のようにボイドが発生
することはなくなり、成形品における信頼性を確保する
ことができる。
型の下キャビティー短辺の内側中央に突起部を設け、そ
の突起部にゲートを形成した構造により、上下キャビテ
ィー内への樹脂の流入をバランスさせるようにしたの
で、上部と下部への樹脂が均等に充填されることにな
り、モールドパッケージは、従来のようにボイドが発生
することはなくなり、成形品における信頼性を確保する
ことができる。
【００１６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例の半導体装置の樹脂封成
形金型の下キャビティー部を示す図であり、図４（ａ）
はその平面図、図４（ｂ）はその正面図である。この実
施例においては、下金型の構造及びゲートの位置が変わ
る他は第１実施例と同様である。
る。図４は本発明の第２実施例の半導体装置の樹脂封成
形金型の下キャビティー部を示す図であり、図４（ａ）
はその平面図、図４（ｂ）はその正面図である。この実
施例においては、下金型の構造及びゲートの位置が変わ
る他は第１実施例と同様である。
【００１７】ここで、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す
ように、下キャビティー４１には、その短辺コーナー部
に内側へ成形後、容易に離形できるよう抜き勾配をもつ
突起部４２が設けられている。そして、この突起部４２
には、底面４３Ａが上方に向かって傾斜するとともに、
内側に狭まるテーパー側面４３Ｂからなるゲート４３を
成形した構造になっている。
ように、下キャビティー４１には、その短辺コーナー部
に内側へ成形後、容易に離形できるよう抜き勾配をもつ
突起部４２が設けられている。そして、この突起部４２
には、底面４３Ａが上方に向かって傾斜するとともに、
内側に狭まるテーパー側面４３Ｂからなるゲート４３を
成形した構造になっている。
【００１８】そこで、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す
ように、下キャビティー４１において、その短辺コーナ
ー部の突起部４２にゲート４３が設けられているので、
可塑化された樹脂２７′（図２参照）は、注入状態が変
えられ、上下キャビティー１１，４１内へバランス良く
流入し、均等に充填される。なお、１０は上金型、４０
は下金型である。
ように、下キャビティー４１において、その短辺コーナ
ー部の突起部４２にゲート４３が設けられているので、
可塑化された樹脂２７′（図２参照）は、注入状態が変
えられ、上下キャビティー１１，４１内へバランス良く
流入し、均等に充填される。なお、１０は上金型、４０
は下金型である。
【００１９】図５はこの金型で成形され、後工程でリー
ド部を加工したモールドパッケージの斜視図を示す。こ
の図において、５１は突起部４２によって形成された切
欠部である。なお、第１実施例と同じ部分には、同じ符
号を付している。このように、第２実施例によれば、成
形金型の下キャビティー短辺のコーナー部に内側へ突起
部を設け、その突起部にゲートを形成した構造により、
上下キャビティ内への樹脂の流入をバランスさせるよう
にしたので、上部と下部への封止樹脂が均等に充填され
ることになり、モールドパッケージは、従来のようにボ
イドが発生することはなくなり、成形品における信頼性
を確保することができる。
ド部を加工したモールドパッケージの斜視図を示す。こ
の図において、５１は突起部４２によって形成された切
欠部である。なお、第１実施例と同じ部分には、同じ符
号を付している。このように、第２実施例によれば、成
形金型の下キャビティー短辺のコーナー部に内側へ突起
部を設け、その突起部にゲートを形成した構造により、
上下キャビティ内への樹脂の流入をバランスさせるよう
にしたので、上部と下部への封止樹脂が均等に充填され
ることになり、モールドパッケージは、従来のようにボ
イドが発生することはなくなり、成形品における信頼性
を確保することができる。
【００２０】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図６は本発明の第３実施例の半導体装置の樹脂封成
形金型の下キャビティー部を示す図であり、図６（ａ）
はその平面図、図６（ｂ）はその正面図である。下金型
の構成以外は上記実施例と同様である。ここで、図６
（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、下キャビティー６
１はその短辺が対向する上キャビティー１１の短辺より
内側に設定してある。つまり、上キャビティー１１より
内側に突出部分６２が形成されている。その突出部分６
２の内側短辺にゲート６３を設けた構造になっている。
このゲート６３は底面６３Ａが上方に向かって傾斜する
とともに、内側に狭まるテーパー側面６３Ｂからなる構
造になっている。
る。図６は本発明の第３実施例の半導体装置の樹脂封成
形金型の下キャビティー部を示す図であり、図６（ａ）
はその平面図、図６（ｂ）はその正面図である。下金型
の構成以外は上記実施例と同様である。ここで、図６
（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、下キャビティー６
１はその短辺が対向する上キャビティー１１の短辺より
内側に設定してある。つまり、上キャビティー１１より
内側に突出部分６２が形成されている。その突出部分６
２の内側短辺にゲート６３を設けた構造になっている。
このゲート６３は底面６３Ａが上方に向かって傾斜する
とともに、内側に狭まるテーパー側面６３Ｂからなる構
造になっている。
【００２１】そこで、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す
ように、下キャビティー６１において、ゲート６３を設
けた短辺は、対向した上キャビティー１１の短辺より内
側に設定されているので、可塑化された樹脂２７′（図
２参照）は注入状態が変えられ、上下キャビティー１
１，６１内へバランスよく流入し、均等に充填される。
図７はこの金型で成形され、後工程でリード部を加工し
たモールドパッケージの斜視図である。この図におい
て、７１は突出部分６２によって形成された切欠部であ
る。なお、上記実施例と同じ部分には同じ符号を付して
いる。
ように、下キャビティー６１において、ゲート６３を設
けた短辺は、対向した上キャビティー１１の短辺より内
側に設定されているので、可塑化された樹脂２７′（図
２参照）は注入状態が変えられ、上下キャビティー１
１，６１内へバランスよく流入し、均等に充填される。
図７はこの金型で成形され、後工程でリード部を加工し
たモールドパッケージの斜視図である。この図におい
て、７１は突出部分６２によって形成された切欠部であ
る。なお、上記実施例と同じ部分には同じ符号を付して
いる。
【００２２】このように、第３実施例によれば、成形金
型の下キャビティー短辺の内側に突起部を設ける代わり
に、その短辺が対向する上キャビティーの短辺より内側
に設定するだけの構造にしたので、ゲートはその突出部
分に制約されることなく、成形に最適な位置に形成する
ことができる。また、上下キャビティー内への樹脂の流
入をバランスさせることができ、均等に充填されるよう
にしたので、成形品における信頼性の向上がより期待で
きる。
型の下キャビティー短辺の内側に突起部を設ける代わり
に、その短辺が対向する上キャビティーの短辺より内側
に設定するだけの構造にしたので、ゲートはその突出部
分に制約されることなく、成形に最適な位置に形成する
ことができる。また、上下キャビティー内への樹脂の流
入をバランスさせることができ、均等に充填されるよう
にしたので、成形品における信頼性の向上がより期待で
きる。
【００２３】上記したように、第１実施例では、成形金
型の下キャビティーの短辺中央部の内側に凸形状の突起
部を設けたり、第２実施例では、この突起部を短辺のコ
ーナー部に設けているが、その部分を円弧形状にしたゲ
ートを形成する等の変形を行うこともできる。また、本
実施例では、半導体装置の樹脂封止成形に適用したが、
他の電子部品の成形金型にも適用可能である。
型の下キャビティーの短辺中央部の内側に凸形状の突起
部を設けたり、第２実施例では、この突起部を短辺のコ
ーナー部に設けているが、その部分を円弧形状にしたゲ
ートを形成する等の変形を行うこともできる。また、本
実施例では、半導体装置の樹脂封止成形に適用したが、
他の電子部品の成形金型にも適用可能である。
【００２４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、成形金型の下キャ
ビティー短辺の中央部の内側に突起部を設け、その突起
部に内側に向かって上昇する底面を有するゲートを形成
することにより、上下キャビティー内への樹脂の流入を
バランスさせるようにしたので、上部と下部への樹脂が
均等に充填されることになり、モールドパッケージは、
従来のようにボイドが発生することはなくなり、成形品
における信頼性を確保することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、成形金型の下キャ
ビティー短辺の中央部の内側に突起部を設け、その突起
部に内側に向かって上昇する底面を有するゲートを形成
することにより、上下キャビティー内への樹脂の流入を
バランスさせるようにしたので、上部と下部への樹脂が
均等に充填されることになり、モールドパッケージは、
従来のようにボイドが発生することはなくなり、成形品
における信頼性を確保することができる。
【００２６】（２）請求項２記載の発明によれば、成形
金型の下キャビティーの短辺コーナー部の内側に突起部
を設け、その突起部に内側に向かって上昇する底面を有
するゲートを形成することにより、上下キャビティ内へ
の樹脂の流入をバランスさせるようにしたので、封止樹
脂が均等に充填されることになり、モールドパッケージ
には、従来のようにボイドが発生することはなくなり、
成形品における信頼性を確保することができる。
金型の下キャビティーの短辺コーナー部の内側に突起部
を設け、その突起部に内側に向かって上昇する底面を有
するゲートを形成することにより、上下キャビティ内へ
の樹脂の流入をバランスさせるようにしたので、封止樹
脂が均等に充填されることになり、モールドパッケージ
には、従来のようにボイドが発生することはなくなり、
成形品における信頼性を確保することができる。
【００２７】（３）請求項３記載の発明によれば、成形
金型の下キャビティー短辺の内側へに突起部を設ける代
わりに、その短辺が対向する上キャビティーの短辺より
内側に設定するとともに、内側に向かって上昇する底面
を有するゲートを設けるようにしたので、ゲートはその
突出部分に制約されることなく、成形に最適な位置に形
成することができる。
金型の下キャビティー短辺の内側へに突起部を設ける代
わりに、その短辺が対向する上キャビティーの短辺より
内側に設定するとともに、内側に向かって上昇する底面
を有するゲートを設けるようにしたので、ゲートはその
突出部分に制約されることなく、成形に最適な位置に形
成することができる。
【００２８】また、上下キャビティー内への樹脂の流入
をバランスさせることができ、均等に充填されるように
したので、成形品におけるさらなる信頼性の向上を図る
ことができる。
をバランスさせることができ、均等に充填されるように
したので、成形品におけるさらなる信頼性の向上を図る
ことができる。
【図１】本発明の第１実施例の半導体装置の樹脂封止成
形金型の下キャビティー部を示す図である。
形金型の下キャビティー部を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の半導体装置の樹脂封止成
形金型を用いた半導体装置の封止成形工程断面図であ
る。
形金型を用いた半導体装置の封止成形工程断面図であ
る。
【図３】本発明の第１実施例の半導体装置の樹脂封止成
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例の半導体装置の樹脂封成形
金型の下キャビティー部を示す図である。
金型の下キャビティー部を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例の半導体装置の樹脂封止成
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す半導体装置の樹脂封
成形金型の下キャビティー部を示す図である。
成形金型の下キャビティー部を示す図である。
【図７】本発明の第３実施例の半導体装置の樹脂封止成
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
形金型を用いて成形され、後工程でリード部を加工した
モールドパッケージの斜視図である。
【図８】従来の半導体装置の成形品を示す斜視図であ
る。
る。
１ モールドパッケージ ２ リード １０ 上金型 １１ 上キャビティー １２ カル部 ２０ 下金型 ２１，４１，６１ 下キャビティー ２２，４２ 突起部 ２３ ランナー ２４，４３，６３ ゲート ２４Ａ，４３Ａ，６３Ａ 底面 ２４Ｂ，４３Ｂ，６３Ｂ テーパー側面 ２５ ポット ２６ プランジャー成形装置 ２７ 熱硬化性樹脂タブレット ２８ リードフレーム ２９ 半導体装置 ２７′ 可塑化された樹脂 ３１，５１，７１ 切欠部 ６２ 突出部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置を樹脂で封止するモールドパ
ッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する成形
金型において、 下キャビティーの短辺中央部の内側に成形品の抜き勾配
をもつ突起部を設け、該突起部に内側に向かって上昇す
る底面を有するゲートを具備することを特徴とする半導
体装置の樹脂封止成形金型。 - 【請求項２】 半導体装置を樹脂で封止するモールドパ
ッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する成形
金型において、 下キャビティーの短辺コーナー部の内側に成形品の抜き
勾配をもつ突起部を設け、該突起部に内側に向かって上
昇する底面を有するゲートを具備することを特徴とする
半導体装置の樹脂封止成形金型。 - 【請求項３】 半導体装置を樹脂で封止するモールドパ
ッケージの成形に用いる上下キャビティーを有する成形
金型において、 下キャビティーの短辺が対向する上キャビティーの短辺
より内側に設定され、該内側の設定部に内側に向かって
上昇する底面を有するゲートを具備することを特徴とす
る半導体装置の樹脂封止成形金型。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22251497A JP3727446B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体装置の樹脂封止成形金型 |
| US09/062,972 US5853771A (en) | 1997-08-19 | 1998-04-21 | Molding die set and mold package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22251497A JP3727446B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体装置の樹脂封止成形金型 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003398634A Division JP2004114696A (ja) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | モールドパッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158449A true JPH1158449A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3727446B2 JP3727446B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=16783630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22251497A Expired - Fee Related JP3727446B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体装置の樹脂封止成形金型 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5853771A (ja) |
| JP (1) | JP3727446B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
| US11081627B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-08-03 | Nichia Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6143581A (en) * | 1999-02-22 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Asymmetric transfer molding method and an asymmetric encapsulation made therefrom |
| US6537853B1 (en) | 1999-02-22 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Overmolding encapsulation process |
| JP3552613B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-08-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | モールド装置及びモールディング方法 |
| US6576496B1 (en) | 2000-08-21 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array |
| US6969918B1 (en) * | 2001-08-30 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | System for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting |
| JP5333402B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2013-11-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20140275915A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device including a molded planar transformer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3635220A (en) * | 1967-06-13 | 1972-01-18 | Harold Elcaness | Device for suctioning |
| JPS54152970A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | Resin-molding method, mold and molded body |
| JPS55140541A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Forming mold |
| JPH029142A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2670201B2 (ja) * | 1991-08-30 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像データ圧縮符号化装置および方法 |
| US5197183A (en) * | 1991-11-05 | 1993-03-30 | Lsi Logic Corporation | Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages |
| JPH0682699B2 (ja) * | 1992-04-01 | 1994-10-19 | 道男 長田 | 半導体素子の樹脂封止成形方法 |
| JP3483994B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2004-01-06 | ローム株式会社 | 樹脂パッケージ型半導体装置の成形用金型装置、および半導体装置の樹脂パッケージング方法 |
-
1997
- 1997-08-19 JP JP22251497A patent/JP3727446B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-21 US US09/062,972 patent/US5853771A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005085A3 (en) * | 1998-11-19 | 2000-12-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin-encapsulated electronic device |
| US6504097B2 (en) | 1998-11-19 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
| US6779264B2 (en) | 1998-11-19 | 2004-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device |
| US11081627B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-08-03 | Nichia Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3727446B2 (ja) | 2005-12-14 |
| US5853771A (en) | 1998-12-29 |
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