JPS6276727A - 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型

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Publication number
JPS6276727A
JPS6276727A JP21766685A JP21766685A JPS6276727A JP S6276727 A JPS6276727 A JP S6276727A JP 21766685 A JP21766685 A JP 21766685A JP 21766685 A JP21766685 A JP 21766685A JP S6276727 A JPS6276727 A JP S6276727A
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JP
Japan
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mold
resin
air
lead frame
cavity
Prior art date
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Pending
Application number
JP21766685A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Chichihara
乳原 義治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP21766685A priority Critical patent/JPS6276727A/ja
Publication of JPS6276727A publication Critical patent/JPS6276727A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボイドおよびパリの発生量の少ない樹脂封止
型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスファー
成形金型に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に、半導体素子の樹脂封止は、第7図に示すように
、斜格子で示す部分Xに、半導体素子(図示せず)が装
着されているリードフレームlを、上型と下型とを備え
たトランスファー成形金型に、その半導体素子装着部が
上記金型のキャビティ内に位置するように装置し、上記
キャビティ内にランナおよびゲートを経由させて加熱軟
化樹脂を圧入して硬化させることにより行われている。
第7図において、1点鎖線で囲われた部分Yが樹脂封止
される部分であり、この部分は、第8図に示すように、
トランスファー成形金型の上型2および下型3のキャビ
ティ4に一致し、加熱軟化樹脂の圧入硬化により樹脂封
止される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、上記リードフレーム1は、全体の肉厚が同じ
であるため、トランスファー成形金型の上型2と下型3
とで型締めを行った際に、その型締圧力が、リードフレ
ームのり−ドビン5(第7図)とタイバー部6 (第7
図)の双方に均一かつ強固にかかる。したがって、トラ
ンスファー成形の樹脂圧入時に、第9図に示すように、
キャビティ4内の空気は、上記リードピン5.タイバー
部6からは殆ど逃気せず成形金型のエアーベント7から
逃気しようとするが、圧入樹脂8がエアーベント7を塞
ぐ場合が多く、しかもエアーベント7は1個所であるた
め充分な逃気が行われず、残留空気によって封止樹脂体
(プラスチックパッケージ)にボイドが発生するという
難点がある。第9図において、9は半導体素子、10は
ゲート、11はランチである。
また、型締圧力が、リードフレームlのリードピン5と
タイバー部6とに分散してかかるため、得られる樹脂封
止型半導体装置は、第10図に斜格子で示すように、タ
イバー部6と同様、リードピン5上にもパリZが張り出
したものとなる。12はプラスチックパッケージである
。第11図に上記装置の側面を示している。上記リード
ピン5の上のパリZの張り出し量を少なくしようとする
と、今度はボイドが多量に発生するため、半導体素子の
樹脂封止には、このようにある程度の量のパリとボイド
が発生することは避けられなかった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、パリ
とボイドの双方についてその発生量を低減させることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子を有
するリードフレームをトランスファー成形金型に装置し
、上記成形金型のキャビティ内に加熱軟化樹脂を圧入硬
化させることにより上記半導体素子を樹脂封止する工程
を備えた樹脂封止型半導体装置の製法であって、上記リ
ードフレームのタイバー部とトランスファー成形金型の
金型面との間に、キャビティ内の空気を逃気させるため
の小空隙を設けるようにしたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製法を第1の要旨とし、ランナ、ゲート
およびキャビティを備えたトランスファー成形金型であ
って、リードフレームのタイバー部に対応する金型面の
部分に、上記キャビティ内の空気逃気用の逃気溝が形成
されていることを特徴とするトランスファー成形金型を
第2の要旨とする。
すなわち、本発明によれば、リードフレームのタイバー
部とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビ
ティ内の空気を逃気させるための小空隙を設けたため、
キャビティへの樹脂正大の際に空気が円滑に逃気するよ
うになり、その結果、トランスファー成形金型の型締圧
力を高めても充分逃気が行われるようになり、ボイドの
発生とパリの発生の双方を同時に、著しく低減できるよ
うになるのである。
つぎに、実施例について詳しく説明する。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例に用いるリードフレームの
平面図であり、第2図はそれをB−B’で切断した部分
的断面図である。すなわち、このリードフレーム20は
、16ピンDIP(Dualin PacKage)に
用いるものであり、タイバー部22がリードピン21を
始めとする他の部分より薄肉に形成されている。この薄
肉部の深さtは、0゜5〜5μmの範囲内に設定されて
いる。それ以外の部分は第7図と同じである。
このリードフレーム20に設けられた半導体素子を第9
図に示す従来のトランスファー成形金型によって樹脂封
止する場合には、第3図および第4図に示すように、薄
肉のタイバー部22とトランスファー成形金型の金型面
との間に小空隙Cが形成され、樹脂正大の際、この小空
隙Cからキャビティ4内の空気(圧入樹脂8は粘度が高
(て洩出しない)が逃気する。したがって、残留空気に
よるボイドの発生量が著しく小さくなる。また、このよ
うに、小空隙cを形成した結果、リードフレーム20の
リードピン21の部分に対する型締圧力が高まり、トラ
ンスファー成形金型に対する型締圧力を向上(上記小空
隙Cの存在により型締圧力を高くしてもボイドが生じな
いことに由来する)させうろことと相俟ってパリの発生
量を大幅に低減しうるようになる。すなわち、第5図に
示すように、従来は、リードビン21上に1点鎖線Aで
示す部分迄パリが張り出していたのが、2点鎖線Bで示
す部分までパリが後退するようになる。
上記リードフレーム20を用い、16ピンDIP300
個取りにおいて、封止樹脂としてエポキシ樹脂系成形材
料(日東電工社製、MP−10)を用い、型締圧力25
0トン(1000kg/cffl)、樹脂圧入圧カフ0
kg/cfA、硬化条件175℃。
2分間の条件で樹脂封止した結果、ボイド数は従来の1
73に、パリ長さは従来の1/2に低減した。
なお、上記のリードフレーム20はタイバー部22の両
面を凹状にして薄肉にしているが、片面のみを凹状にし
て薄肉にしてもよい。また、タイバー部22を薄肉にす
るのではなく、他の部分を厚肉にしタイバー部22を相
対的に薄くするようにしてもよい。
第6図は他の実施例に用いるトランスファー成形金型の
要部断面図である。すなわち、このトランスファー成形
金型は、上下の金型23,24の金型面における、リー
ドフレームのタイバー部に対応する部分に、キャビティ
26内の空気逃気用の逃気溝25が形成されている。そ
れ以外の部分は従来公知のトランスファー成形金型と同
じである。
このようにした結果、リードビンおよびタイバー部の肉
厚が同じである、従来のリードフレーム1を用いても、
キャビティ26内の逃気が円滑に行われ、ボイドおよび
パリの発生を同時に低減できるようになる。
なお、上記金型は、上型23および下型24の双方に逃
気′a25を形成しているが、いずれか一方でもよいこ
とはいうまでもない。
〔発明の効果〕
本発明は、以上のように、リードフレームのクイバ一部
とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビテ
ィ内の空気を逃気させるための小空隙を設けるため、キ
ャビティ内への加熱軟化樹脂の圧入に際して残留空気が
極めて少なくなり、ボイドの発生量を大幅に低減できる
ようになる。
しかも、型締圧力がその空隙の存在によってリードフレ
ームのリードビンに相対的に強く加わるようになり、ま
たトランスファー成形金型全体の型締圧力を高めてもボ
イドが発生しないことからその圧力を高めうるようにな
り、この両者の効果の相乗作用によってパリの量も大幅
に低減しうるようになるのである。また、本発明のトラ
ンスファー成形金型は、金型面に逃気溝を形成すること
により上記キャビティ内の空気を逃気させるようにして
いるため、全体が均一厚の従来のリードフレームを用い
てもパリおよびボイドの発生を大幅に低減しうるのであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に用いるリードフレームの部
分的拡大平面図、第2図はそれをB−I3゛で切断した
部分的断面図、第3図はその使用説明図、第4図は第3
図の丸で囲まれた部分へにおける上下の型の型面とリー
ドフレームのタイバー部との接触状態を示す断面図、第
5図はパリの張り出し状態を示す説明図、第6図は本発
明の他の実施例に用いるトランスファー成形金型の要部
断面図、第7図ないし第9図は従来例の説明図、第10
図はそれによって得られた半導体装置の平面図、第11
図は同じくその側面図である。 2・・・上型 3・・・下型 4・・・キャビティ 8
・・・樹y+xo・・・リードフレーム 21・・・リ
ードビン22・・・タイバー部 25・・・逃気溝第1
図 第6図 第7図 第8図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子を有するリードフレームをトランスフ
    ァー成形金型に装置し、上記成形金型のキャビティ内に
    加熱軟化樹脂を圧入硬化させることにより上記半導体素
    子を樹脂封止する工程を備えた樹脂封止型半導体装置の
    製法であつて、上記リードフレームのタイバー部とトラ
    ンスファー成形金型の金型面との間に、キャビティ内の
    空気を逃気させるための小空隙を設けるようにしたこと
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製法。
  2. (2)ランナ、ゲートおよびキャビティを備えたトラン
    スファー成形金型であつて、リードフレームのタイバー
    部に対応する金型面の部分に、上記キャビティ内の空気
    逃気用の逃気溝が形成されていることを特徴とするトラ
    ンスファー成形金型。
JP21766685A 1985-09-30 1985-09-30 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 Pending JPS6276727A (ja)

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JP (1) JPS6276727A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077367A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム
JP2020009976A (ja) * 2018-07-12 2020-01-16 エイブリック株式会社 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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