JPS6276727A - 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型Info
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- JPS6276727A JPS6276727A JP21766685A JP21766685A JPS6276727A JP S6276727 A JPS6276727 A JP S6276727A JP 21766685 A JP21766685 A JP 21766685A JP 21766685 A JP21766685 A JP 21766685A JP S6276727 A JPS6276727 A JP S6276727A
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- JP
- Japan
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- mold
- resin
- air
- lead frame
- cavity
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- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ボイドおよびパリの発生量の少ない樹脂封止
型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスファー
成形金型に関するものである。
型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスファー
成形金型に関するものである。
一般に、半導体素子の樹脂封止は、第７図に示すように
、斜格子で示す部分Ｘに、半導体素子（図示せず）が装
着されているリードフレームｌを、上型と下型とを備え
たトランスファー成形金型に、その半導体素子装着部が
上記金型のキャビティ内に位置するように装置し、上記
キャビティ内にランナおよびゲートを経由させて加熱軟
化樹脂を圧入して硬化させることにより行われている。
、斜格子で示す部分Ｘに、半導体素子（図示せず）が装
着されているリードフレームｌを、上型と下型とを備え
たトランスファー成形金型に、その半導体素子装着部が
上記金型のキャビティ内に位置するように装置し、上記
キャビティ内にランナおよびゲートを経由させて加熱軟
化樹脂を圧入して硬化させることにより行われている。
第７図において、１点鎖線で囲われた部分Ｙが樹脂封止
される部分であり、この部分は、第８図に示すように、
トランスファー成形金型の上型２および下型３のキャビ
ティ４に一致し、加熱軟化樹脂の圧入硬化により樹脂封
止される。
される部分であり、この部分は、第８図に示すように、
トランスファー成形金型の上型２および下型３のキャビ
ティ４に一致し、加熱軟化樹脂の圧入硬化により樹脂封
止される。
ところが、上記リードフレーム１は、全体の肉厚が同じ
であるため、トランスファー成形金型の上型２と下型３
とで型締めを行った際に、その型締圧力が、リードフレ
ームのり−ドビン５（第７図）とタイバー部６ （第７
図）の双方に均一かつ強固にかかる。したがって、トラ
ンスファー成形の樹脂圧入時に、第９図に示すように、
キャビティ４内の空気は、上記リードピン５．タイバー
部６からは殆ど逃気せず成形金型のエアーベント７から
逃気しようとするが、圧入樹脂８がエアーベント７を塞
ぐ場合が多く、しかもエアーベント７は１個所であるた
め充分な逃気が行われず、残留空気によって封止樹脂体
（プラスチックパッケージ）にボイドが発生するという
難点がある。第９図において、９は半導体素子、１０は
ゲート、１１はランチである。
であるため、トランスファー成形金型の上型２と下型３
とで型締めを行った際に、その型締圧力が、リードフレ
ームのり−ドビン５（第７図）とタイバー部６ （第７
図）の双方に均一かつ強固にかかる。したがって、トラ
ンスファー成形の樹脂圧入時に、第９図に示すように、
キャビティ４内の空気は、上記リードピン５．タイバー
部６からは殆ど逃気せず成形金型のエアーベント７から
逃気しようとするが、圧入樹脂８がエアーベント７を塞
ぐ場合が多く、しかもエアーベント７は１個所であるた
め充分な逃気が行われず、残留空気によって封止樹脂体
（プラスチックパッケージ）にボイドが発生するという
難点がある。第９図において、９は半導体素子、１０は
ゲート、１１はランチである。
また、型締圧力が、リードフレームｌのリードピン５と
タイバー部６とに分散してかかるため、得られる樹脂封
止型半導体装置は、第１０図に斜格子で示すように、タ
イバー部６と同様、リードピン５上にもパリＺが張り出
したものとなる。１２はプラスチックパッケージである
。第１１図に上記装置の側面を示している。上記リード
ピン５の上のパリＺの張り出し量を少なくしようとする
と、今度はボイドが多量に発生するため、半導体素子の
樹脂封止には、このようにある程度の量のパリとボイド
が発生することは避けられなかった。
タイバー部６とに分散してかかるため、得られる樹脂封
止型半導体装置は、第１０図に斜格子で示すように、タ
イバー部６と同様、リードピン５上にもパリＺが張り出
したものとなる。１２はプラスチックパッケージである
。第１１図に上記装置の側面を示している。上記リード
ピン５の上のパリＺの張り出し量を少なくしようとする
と、今度はボイドが多量に発生するため、半導体素子の
樹脂封止には、このようにある程度の量のパリとボイド
が発生することは避けられなかった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、パリ
とボイドの双方についてその発生量を低減させることを
目的とする。
とボイドの双方についてその発生量を低減させることを
目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子を有
するリードフレームをトランスファー成形金型に装置し
、上記成形金型のキャビティ内に加熱軟化樹脂を圧入硬
化させることにより上記半導体素子を樹脂封止する工程
を備えた樹脂封止型半導体装置の製法であって、上記リ
ードフレームのタイバー部とトランスファー成形金型の
金型面との間に、キャビティ内の空気を逃気させるため
の小空隙を設けるようにしたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製法を第１の要旨とし、ランナ、ゲート
およびキャビティを備えたトランスファー成形金型であ
って、リードフレームのタイバー部に対応する金型面の
部分に、上記キャビティ内の空気逃気用の逃気溝が形成
されていることを特徴とするトランスファー成形金型を
第２の要旨とする。
するリードフレームをトランスファー成形金型に装置し
、上記成形金型のキャビティ内に加熱軟化樹脂を圧入硬
化させることにより上記半導体素子を樹脂封止する工程
を備えた樹脂封止型半導体装置の製法であって、上記リ
ードフレームのタイバー部とトランスファー成形金型の
金型面との間に、キャビティ内の空気を逃気させるため
の小空隙を設けるようにしたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製法を第１の要旨とし、ランナ、ゲート
およびキャビティを備えたトランスファー成形金型であ
って、リードフレームのタイバー部に対応する金型面の
部分に、上記キャビティ内の空気逃気用の逃気溝が形成
されていることを特徴とするトランスファー成形金型を
第２の要旨とする。
すなわち、本発明によれば、リードフレームのタイバー
部とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビ
ティ内の空気を逃気させるための小空隙を設けたため、
キャビティへの樹脂正大の際に空気が円滑に逃気するよ
うになり、その結果、トランスファー成形金型の型締圧
力を高めても充分逃気が行われるようになり、ボイドの
発生とパリの発生の双方を同時に、著しく低減できるよ
うになるのである。
部とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビ
ティ内の空気を逃気させるための小空隙を設けたため、
キャビティへの樹脂正大の際に空気が円滑に逃気するよ
うになり、その結果、トランスファー成形金型の型締圧
力を高めても充分逃気が行われるようになり、ボイドの
発生とパリの発生の双方を同時に、著しく低減できるよ
うになるのである。
つぎに、実施例について詳しく説明する。
第１図はこの発明の一実施例に用いるリードフレームの
平面図であり、第２図はそれをＢ−Ｂ’で切断した部分
的断面図である。すなわち、このリードフレーム２０は
、１６ピンＤＩＰ（Ｄｕａｌｉｎ ＰａｃＫａｇｅ）に
用いるものであり、タイバー部２２がリードピン２１を
始めとする他の部分より薄肉に形成されている。この薄
肉部の深さｔは、０゜５〜５μｍの範囲内に設定されて
いる。それ以外の部分は第７図と同じである。
平面図であり、第２図はそれをＢ−Ｂ’で切断した部分
的断面図である。すなわち、このリードフレーム２０は
、１６ピンＤＩＰ（Ｄｕａｌｉｎ ＰａｃＫａｇｅ）に
用いるものであり、タイバー部２２がリードピン２１を
始めとする他の部分より薄肉に形成されている。この薄
肉部の深さｔは、０゜５〜５μｍの範囲内に設定されて
いる。それ以外の部分は第７図と同じである。
このリードフレーム２０に設けられた半導体素子を第９
図に示す従来のトランスファー成形金型によって樹脂封
止する場合には、第３図および第４図に示すように、薄
肉のタイバー部２２とトランスファー成形金型の金型面
との間に小空隙Ｃが形成され、樹脂正大の際、この小空
隙Ｃからキャビティ４内の空気（圧入樹脂８は粘度が高
（て洩出しない）が逃気する。したがって、残留空気に
よるボイドの発生量が著しく小さくなる。また、このよ
うに、小空隙ｃを形成した結果、リードフレーム２０の
リードピン２１の部分に対する型締圧力が高まり、トラ
ンスファー成形金型に対する型締圧力を向上（上記小空
隙Ｃの存在により型締圧力を高くしてもボイドが生じな
いことに由来する）させうろことと相俟ってパリの発生
量を大幅に低減しうるようになる。すなわち、第５図に
示すように、従来は、リードビン２１上に１点鎖線Ａで
示す部分迄パリが張り出していたのが、２点鎖線Ｂで示
す部分までパリが後退するようになる。
図に示す従来のトランスファー成形金型によって樹脂封
止する場合には、第３図および第４図に示すように、薄
肉のタイバー部２２とトランスファー成形金型の金型面
との間に小空隙Ｃが形成され、樹脂正大の際、この小空
隙Ｃからキャビティ４内の空気（圧入樹脂８は粘度が高
（て洩出しない）が逃気する。したがって、残留空気に
よるボイドの発生量が著しく小さくなる。また、このよ
うに、小空隙ｃを形成した結果、リードフレーム２０の
リードピン２１の部分に対する型締圧力が高まり、トラ
ンスファー成形金型に対する型締圧力を向上（上記小空
隙Ｃの存在により型締圧力を高くしてもボイドが生じな
いことに由来する）させうろことと相俟ってパリの発生
量を大幅に低減しうるようになる。すなわち、第５図に
示すように、従来は、リードビン２１上に１点鎖線Ａで
示す部分迄パリが張り出していたのが、２点鎖線Ｂで示
す部分までパリが後退するようになる。
上記リードフレーム２０を用い、１６ピンＤＩＰ３００
個取りにおいて、封止樹脂としてエポキシ樹脂系成形材
料（日東電工社製、ＭＰ−１０）を用い、型締圧力２５
０トン（１０００ｋｇ／ｃｆｆｌ）、樹脂圧入圧カフ０
ｋｇ／ｃｆＡ、硬化条件１７５℃。
個取りにおいて、封止樹脂としてエポキシ樹脂系成形材
料（日東電工社製、ＭＰ−１０）を用い、型締圧力２５
０トン（１０００ｋｇ／ｃｆｆｌ）、樹脂圧入圧カフ０
ｋｇ／ｃｆＡ、硬化条件１７５℃。
２分間の条件で樹脂封止した結果、ボイド数は従来の１
７３に、パリ長さは従来の１／２に低減した。
７３に、パリ長さは従来の１／２に低減した。
なお、上記のリードフレーム２０はタイバー部２２の両
面を凹状にして薄肉にしているが、片面のみを凹状にし
て薄肉にしてもよい。また、タイバー部２２を薄肉にす
るのではなく、他の部分を厚肉にしタイバー部２２を相
対的に薄くするようにしてもよい。
面を凹状にして薄肉にしているが、片面のみを凹状にし
て薄肉にしてもよい。また、タイバー部２２を薄肉にす
るのではなく、他の部分を厚肉にしタイバー部２２を相
対的に薄くするようにしてもよい。
第６図は他の実施例に用いるトランスファー成形金型の
要部断面図である。すなわち、このトランスファー成形
金型は、上下の金型２３，２４の金型面における、リー
ドフレームのタイバー部に対応する部分に、キャビティ
２６内の空気逃気用の逃気溝２５が形成されている。そ
れ以外の部分は従来公知のトランスファー成形金型と同
じである。
要部断面図である。すなわち、このトランスファー成形
金型は、上下の金型２３，２４の金型面における、リー
ドフレームのタイバー部に対応する部分に、キャビティ
２６内の空気逃気用の逃気溝２５が形成されている。そ
れ以外の部分は従来公知のトランスファー成形金型と同
じである。
このようにした結果、リードビンおよびタイバー部の肉
厚が同じである、従来のリードフレーム１を用いても、
キャビティ２６内の逃気が円滑に行われ、ボイドおよび
パリの発生を同時に低減できるようになる。
厚が同じである、従来のリードフレーム１を用いても、
キャビティ２６内の逃気が円滑に行われ、ボイドおよび
パリの発生を同時に低減できるようになる。
なお、上記金型は、上型２３および下型２４の双方に逃
気′ａ２５を形成しているが、いずれか一方でもよいこ
とはいうまでもない。
気′ａ２５を形成しているが、いずれか一方でもよいこ
とはいうまでもない。
本発明は、以上のように、リードフレームのクイバ一部
とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビテ
ィ内の空気を逃気させるための小空隙を設けるため、キ
ャビティ内への加熱軟化樹脂の圧入に際して残留空気が
極めて少なくなり、ボイドの発生量を大幅に低減できる
ようになる。
とトランスファー成形金型の金型面との間に、キャビテ
ィ内の空気を逃気させるための小空隙を設けるため、キ
ャビティ内への加熱軟化樹脂の圧入に際して残留空気が
極めて少なくなり、ボイドの発生量を大幅に低減できる
ようになる。
しかも、型締圧力がその空隙の存在によってリードフレ
ームのリードビンに相対的に強く加わるようになり、ま
たトランスファー成形金型全体の型締圧力を高めてもボ
イドが発生しないことからその圧力を高めうるようにな
り、この両者の効果の相乗作用によってパリの量も大幅
に低減しうるようになるのである。また、本発明のトラ
ンスファー成形金型は、金型面に逃気溝を形成すること
により上記キャビティ内の空気を逃気させるようにして
いるため、全体が均一厚の従来のリードフレームを用い
てもパリおよびボイドの発生を大幅に低減しうるのであ
る。
ームのリードビンに相対的に強く加わるようになり、ま
たトランスファー成形金型全体の型締圧力を高めてもボ
イドが発生しないことからその圧力を高めうるようにな
り、この両者の効果の相乗作用によってパリの量も大幅
に低減しうるようになるのである。また、本発明のトラ
ンスファー成形金型は、金型面に逃気溝を形成すること
により上記キャビティ内の空気を逃気させるようにして
いるため、全体が均一厚の従来のリードフレームを用い
てもパリおよびボイドの発生を大幅に低減しうるのであ
る。
第１図は本発明の一実施例に用いるリードフレームの部
分的拡大平面図、第２図はそれをＢ−Ｉ３゛で切断した
部分的断面図、第３図はその使用説明図、第４図は第３
図の丸で囲まれた部分へにおける上下の型の型面とリー
ドフレームのタイバー部との接触状態を示す断面図、第
５図はパリの張り出し状態を示す説明図、第６図は本発
明の他の実施例に用いるトランスファー成形金型の要部
断面図、第７図ないし第９図は従来例の説明図、第１０
図はそれによって得られた半導体装置の平面図、第１１
図は同じくその側面図である。 ２・・・上型 ３・・・下型 ４・・・キャビティ ８
・・・樹ｙ＋ｘｏ・・・リードフレーム ２１・・・リ
ードビン２２・・・タイバー部 ２５・・・逃気溝第１
図 第６図 第７図 第８図
分的拡大平面図、第２図はそれをＢ−Ｉ３゛で切断した
部分的断面図、第３図はその使用説明図、第４図は第３
図の丸で囲まれた部分へにおける上下の型の型面とリー
ドフレームのタイバー部との接触状態を示す断面図、第
５図はパリの張り出し状態を示す説明図、第６図は本発
明の他の実施例に用いるトランスファー成形金型の要部
断面図、第７図ないし第９図は従来例の説明図、第１０
図はそれによって得られた半導体装置の平面図、第１１
図は同じくその側面図である。 ２・・・上型 ３・・・下型 ４・・・キャビティ ８
・・・樹ｙ＋ｘｏ・・・リードフレーム ２１・・・リ
ードビン２２・・・タイバー部 ２５・・・逃気溝第１
図 第６図 第７図 第８図
Claims (2)
- （１）半導体素子を有するリードフレームをトランスフ
ァー成形金型に装置し、上記成形金型のキャビティ内に
加熱軟化樹脂を圧入硬化させることにより上記半導体素
子を樹脂封止する工程を備えた樹脂封止型半導体装置の
製法であつて、上記リードフレームのタイバー部とトラ
ンスファー成形金型の金型面との間に、キャビティ内の
空気を逃気させるための小空隙を設けるようにしたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製法。 - （２）ランナ、ゲートおよびキャビティを備えたトラン
スファー成形金型であつて、リードフレームのタイバー
部に対応する金型面の部分に、上記キャビティ内の空気
逃気用の逃気溝が形成されていることを特徴とするトラ
ンスファー成形金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766685A JPS6276727A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766685A JPS6276727A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276727A true JPS6276727A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16707812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21766685A Pending JPS6276727A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 樹脂封止型半導体装置の製法およびそれに用いるトランスフア−成形金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077367A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム |
| JP2020009976A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21766685A patent/JPS6276727A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077367A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム |
| JP2020009976A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 |
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