JPH02129933A - Ｉｃカード用のモジュールの製造方法 - Google Patents
Ｉｃカード用のモジュールの製造方法Info
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- JPH02129933A JPH02129933A JP63284439A JP28443988A JPH02129933A JP H02129933 A JPH02129933 A JP H02129933A JP 63284439 A JP63284439 A JP 63284439A JP 28443988 A JP28443988 A JP 28443988A JP H02129933 A JPH02129933 A JP H02129933A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14647—Making flat card-like articles with an incorporated IC or chip module, e.g. IC or chip cards
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に樹脂部をモールド成形して半導体チ
ップを封止するＩＣカード用モジュールの製造方法に関
する。
ップを封止するＩＣカード用モジュールの製造方法に関
する。
従来、ＩＣカードに装着されるＩＣモジュールは第５図
に示すように構成されている。
に示すように構成されている。
第５図は従来のＩＣモジュールを示す図で、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｖ−Ｖ線断面図であ
る。第５図において、ｌは端子基板で、この端子基板１
の上面には配線回路（図示せず）が形成され、かつＩＣ
Ｃチップが実装されており、裏面には前記配線回路と接
続された電極端子（図示せず）が設けられている。３は
前記ＩＣチップ２０表面電極（図示せず）と前記配線回
路とを接続するための金属細線、４は前記ＩＣチフブ２
とを外部環境から保護するための封止樹脂で、この封止
樹脂４はエポキシ樹脂からなり、前記端子基板１上にモ
ールド成形されている。この封止樹脂４は端子基板１の
上面における略中央部に形成され、この封止樹脂４によ
って封止される部分の占有面積は端子基板１の上面の面
積に較べて小さく形成されている。なお、５は前記端子
基板１上に封止樹脂４を成形する際に同時に形成された
ゲート跡である。前記封止樹脂４を成形するには第６図
および第７図に示すようにＩＣチップ２が実装−された
端子基板、１をモールド金型内に装填して行われる。
は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｖ−Ｖ線断面図であ
る。第５図において、ｌは端子基板で、この端子基板１
の上面には配線回路（図示せず）が形成され、かつＩＣ
Ｃチップが実装されており、裏面には前記配線回路と接
続された電極端子（図示せず）が設けられている。３は
前記ＩＣチップ２０表面電極（図示せず）と前記配線回
路とを接続するための金属細線、４は前記ＩＣチフブ２
とを外部環境から保護するための封止樹脂で、この封止
樹脂４はエポキシ樹脂からなり、前記端子基板１上にモ
ールド成形されている。この封止樹脂４は端子基板１の
上面における略中央部に形成され、この封止樹脂４によ
って封止される部分の占有面積は端子基板１の上面の面
積に較べて小さく形成されている。なお、５は前記端子
基板１上に封止樹脂４を成形する際に同時に形成された
ゲート跡である。前記封止樹脂４を成形するには第６図
および第７図に示すようにＩＣチップ２が実装−された
端子基板、１をモールド金型内に装填して行われる。
第６図は従来のＩＣモジュールの製造方法における樹脂
封止工程においてモールド金型内に端子基板ｌを型締め
し封止用樹脂を注入した状態を示す断面図、第７図は同
じ（封止工程において下金型に端子基板を装填した状態
を示す平面図である。
封止工程においてモールド金型内に端子基板ｌを型締め
し封止用樹脂を注入した状態を示す断面図、第７図は同
じ（封止工程において下金型に端子基板を装填した状態
を示す平面図である。
これらの図において、６は下金型、７は上金型で、これ
ら下金型６および上金型７によってモールド金型が構成
されている。前記下金型６には端子基板１が嵌装される
凹部６ａが形成され、また、上金型７にはＩＣチップ２
および金属細線３が臨むキャビティ７ａと、このキャビ
ティ７ａ内に封止用樹脂を注入するためのゲー）７ｂお
よびランナー７Ｃが形成されている。前記下金型６の凹
部６ａおよび上金型７のキャビティ７ａ＋ゲート７ｂは
第７図に示すように一つのモールド金型に対して複数形
成されており、多数の端子基板１を同時に樹脂封止する
ことができるように構成されている。なお、第７図にお
いては下金型６に対する上金型７のキャビティ７ａ、ゲ
ート７ｂおよびランナー７ｃの位置を二点鎖線で示した
。すなわち、端子基板ｌ上に封止樹脂４をモールド成形
するには、先ず、下金型６の凹部６ａ内に端子電極を下
側にして端子基板１を挿入する。次いで、この下金型６
上に上金型７を圧接させ、端子基板１を両金型６，７で
型締めする。
ら下金型６および上金型７によってモールド金型が構成
されている。前記下金型６には端子基板１が嵌装される
凹部６ａが形成され、また、上金型７にはＩＣチップ２
および金属細線３が臨むキャビティ７ａと、このキャビ
ティ７ａ内に封止用樹脂を注入するためのゲー）７ｂお
よびランナー７Ｃが形成されている。前記下金型６の凹
部６ａおよび上金型７のキャビティ７ａ＋ゲート７ｂは
第７図に示すように一つのモールド金型に対して複数形
成されており、多数の端子基板１を同時に樹脂封止する
ことができるように構成されている。なお、第７図にお
いては下金型６に対する上金型７のキャビティ７ａ、ゲ
ート７ｂおよびランナー７ｃの位置を二点鎖線で示した
。すなわち、端子基板ｌ上に封止樹脂４をモールド成形
するには、先ず、下金型６の凹部６ａ内に端子電極を下
側にして端子基板１を挿入する。次いで、この下金型６
上に上金型７を圧接させ、端子基板１を両金型６，７で
型締めする。
この状態で第７図に示すように、ＩＣチップ２が上金型
７のキャビティ７ａ内に臨むことになる。そして、加熱
溶融された封止用樹脂をランナー７ｃおよびゲート７ｂ
を介してキャビティ７ａ内に注入する。
７のキャビティ７ａ内に臨むことになる。そして、加熱
溶融された封止用樹脂をランナー７ｃおよびゲート７ｂ
を介してキャビティ７ａ内に注入する。
この際、封止用樹脂はゲー）７ｂ内において下金型６上
から端子基板１上を通って流され、モールド成形される
ことになる。封止用樹脂が硬化し、モールド金型から端
子基ｖｉｆをそれぞれ離型させた後、ゲー）７ｂ内で硬
化した封止用樹脂を端子基板１の端部から切断させて樹
脂封止工程が終了する。
から端子基板１上を通って流され、モールド成形される
ことになる。封止用樹脂が硬化し、モールド金型から端
子基ｖｉｆをそれぞれ離型させた後、ゲー）７ｂ内で硬
化した封止用樹脂を端子基板１の端部から切断させて樹
脂封止工程が終了する。
しかるに、従来の樹脂封止方法においては、ゲ−）７ｂ
内で硬化された封止用樹脂が第５図に示すように端子基
板１上にゲート跡５となって残り、カード基体（図示せ
ず）にＩＣモジュールを装着する際にこのゲート跡５が
邪魔となり装着しにくかった。このような不具合を解消
するために従来においては、封止樹脂４が接着するのを
阻止するような処理を端子基板１のゲート７ｂと対応す
る部位に樹脂封止前に予め施しておいたり、ゲート跡５
を機械的に取り除く方法が採られていたが、前記非接着
処理を施す場合には、樹脂封止後のＩＣモジュールをカ
ード基体内に装着させる接着する際にも接着されにくく
なり悪影響を与え、また、機械的に除去する場合には、
端子基板１上の配線回路を誤って損傷させないような処
置が必要になり作業が煩わしくなるばかりか、ゲート跡
５が端子基板１に強固に接着されているために除去する
にも時間がかかる。さらにまた、下金型６における凹部
６ａの開口端縁と端子基板１の側面との間に形成された
僅かな間隙内に封止用樹脂が入り込み、この漏れた樹脂
が端子基板１の電極端子側へ廻り込むという問題もあっ
た。
内で硬化された封止用樹脂が第５図に示すように端子基
板１上にゲート跡５となって残り、カード基体（図示せ
ず）にＩＣモジュールを装着する際にこのゲート跡５が
邪魔となり装着しにくかった。このような不具合を解消
するために従来においては、封止樹脂４が接着するのを
阻止するような処理を端子基板１のゲート７ｂと対応す
る部位に樹脂封止前に予め施しておいたり、ゲート跡５
を機械的に取り除く方法が採られていたが、前記非接着
処理を施す場合には、樹脂封止後のＩＣモジュールをカ
ード基体内に装着させる接着する際にも接着されにくく
なり悪影響を与え、また、機械的に除去する場合には、
端子基板１上の配線回路を誤って損傷させないような処
置が必要になり作業が煩わしくなるばかりか、ゲート跡
５が端子基板１に強固に接着されているために除去する
にも時間がかかる。さらにまた、下金型６における凹部
６ａの開口端縁と端子基板１の側面との間に形成された
僅かな間隙内に封止用樹脂が入り込み、この漏れた樹脂
が端子基板１の電極端子側へ廻り込むという問題もあっ
た。
本発明に係るＩＣカード用モジュールの製造方法は、モ
ールド金型における樹脂封止部成形用キャビティと対応
する開口部が形成されかつランナーおよびゲートと対向
する面を有する遮蔽板を基板上に密接させてモールド金
型内に型締めし、しかる後、前記遮蔽板上を通してキャ
ビティ内にモールド用樹脂を注入するものである。
ールド金型における樹脂封止部成形用キャビティと対応
する開口部が形成されかつランナーおよびゲートと対向
する面を有する遮蔽板を基板上に密接させてモールド金
型内に型締めし、しかる後、前記遮蔽板上を通してキャ
ビティ内にモールド用樹脂を注入するものである。
封止用樹脂は基板に接することなくモールド金型のキャ
ビティ内に注入され、離型後に遮蔽板を基板から取り外
すことによってゲートで硬化された封止用樹脂を取り除
くことができる。
ビティ内に注入され、離型後に遮蔽板を基板から取り外
すことによってゲートで硬化された封止用樹脂を取り除
くことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第４図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係るＩＣカード用モジュールの製造方
法によって形成されたＩＣモジュールを示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中１−Ｉ線断面
図、第２図は離型後のＩＣモジュールを示す側断面図、
第３図は本発明に係るＩＣモジュールの製造方法におけ
る樹脂封止工程においてモールド金型内に封止用樹脂を
注入した状態を示す断面図、第４図は同じく本発明に係
るＩＣモジュールの製造方法における封止工程において
下金型に端子基板を装填した状態を示す平面図である。
法によって形成されたＩＣモジュールを示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中１−Ｉ線断面
図、第２図は離型後のＩＣモジュールを示す側断面図、
第３図は本発明に係るＩＣモジュールの製造方法におけ
る樹脂封止工程においてモールド金型内に封止用樹脂を
注入した状態を示す断面図、第４図は同じく本発明に係
るＩＣモジュールの製造方法における封止工程において
下金型に端子基板を装填した状態を示す平面図である。
これらの図において前記第５図ないし第７図で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。これらの図にお
いて、１１は端子基板１上のゲート跡５を取り除くため
の遮蔽板で、この遮蔽板１１は厚みがＯ０１鶴のステン
レス鋼板によって形成されており、上金型７のキャビテ
ィ７ａと対応する開口部１１ａが形成され、かつゲート
７ｂ、 ランナー７Ｃと対向する平坦面１１ｂが形成
されている。
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。これらの図にお
いて、１１は端子基板１上のゲート跡５を取り除くため
の遮蔽板で、この遮蔽板１１は厚みがＯ０１鶴のステン
レス鋼板によって形成されており、上金型７のキャビテ
ィ７ａと対応する開口部１１ａが形成され、かつゲート
７ｂ、 ランナー７Ｃと対向する平坦面１１ｂが形成
されている。
また、この遮蔽板１１の幅方向両側部には下金型６の位
置決めビン６ｂと嵌合される位置決め用透孔１１Ｃが複
数穿設されている。前記遮蔽板１１における開口部１１
ａの開口面積は、上金型７におけるキャビティ７ａの開
口面積より、換言すれば端子基板１上にモールド成形さ
れた封止樹脂４の外径寸法より僅かに大きくなるように
設定され、封止樹脂４をモールド成形した際に遮蔽板１
１が端子基板１の上側へ抜は易くなるように設けられて
いる。なお、１３は前記上金型７に穿設され、前記下金
型６の位置決めビン６ｂが臨むビン穴である。
置決めビン６ｂと嵌合される位置決め用透孔１１Ｃが複
数穿設されている。前記遮蔽板１１における開口部１１
ａの開口面積は、上金型７におけるキャビティ７ａの開
口面積より、換言すれば端子基板１上にモールド成形さ
れた封止樹脂４の外径寸法より僅かに大きくなるように
設定され、封止樹脂４をモールド成形した際に遮蔽板１
１が端子基板１の上側へ抜は易くなるように設けられて
いる。なお、１３は前記上金型７に穿設され、前記下金
型６の位置決めビン６ｂが臨むビン穴である。
このように構成された遮蔽板１１を使用してＩＣカード
用モジュールを製造するには、先ず、第３図に示すよう
に、下金型６の凹部６ａ内に端子電極を下側にして端子
基板１を挿入する。そして、第４図に示すように、前記
端子基板ｌのＩＣチップ２および金属細線３を開口部１
１ａ内に臨ませて遮蔽板１１を下金型６上に載置させる
。この際、遮蔽板１１の透孔１１ｃ内に下金型６の位置
決めビン６ｂを嵌合させることによって遮蔽板１１が所
定位置に配置されることになる。次いで、上金型７を遮
蔽板１１上に圧接させ、端子基板１および遮蔽板１１を
両金型６，７で型締めする。この状態で第３図に示すよ
うに、ＩＣチップ２が上金型７のキャビティ７ａ内に臨
むことになる。そして、加熱溶融された封止用樹脂をラ
ンナー７Ｃおよびゲート７ｂを介してキャビティ７ａ内
ぐ注入する。この際、封止用樹脂はランナー７Ｃおよび
ゲート７ｂと遮蔽板１１との間を流され、モールド成形
されることになる。封止用樹脂が硬化した後、第２図に
示すように、モールド金型から端子基板ｌをそれぞれ離
型させる。そして、遮蔽板１１を端子基板１のチップ実
装面の上側へ引張り、端子基板１から取り外す。遮蔽板
１１を端子基板１から取り外すことによって、第１図に
示すように、ゲー）７ｂ内で硬化した封止用樹脂が封止
樹脂４から切断されることになり、樹脂封止工程が終了
する。
用モジュールを製造するには、先ず、第３図に示すよう
に、下金型６の凹部６ａ内に端子電極を下側にして端子
基板１を挿入する。そして、第４図に示すように、前記
端子基板ｌのＩＣチップ２および金属細線３を開口部１
１ａ内に臨ませて遮蔽板１１を下金型６上に載置させる
。この際、遮蔽板１１の透孔１１ｃ内に下金型６の位置
決めビン６ｂを嵌合させることによって遮蔽板１１が所
定位置に配置されることになる。次いで、上金型７を遮
蔽板１１上に圧接させ、端子基板１および遮蔽板１１を
両金型６，７で型締めする。この状態で第３図に示すよ
うに、ＩＣチップ２が上金型７のキャビティ７ａ内に臨
むことになる。そして、加熱溶融された封止用樹脂をラ
ンナー７Ｃおよびゲート７ｂを介してキャビティ７ａ内
ぐ注入する。この際、封止用樹脂はランナー７Ｃおよび
ゲート７ｂと遮蔽板１１との間を流され、モールド成形
されることになる。封止用樹脂が硬化した後、第２図に
示すように、モールド金型から端子基板ｌをそれぞれ離
型させる。そして、遮蔽板１１を端子基板１のチップ実
装面の上側へ引張り、端子基板１から取り外す。遮蔽板
１１を端子基板１から取り外すことによって、第１図に
示すように、ゲー）７ｂ内で硬化した封止用樹脂が封止
樹脂４から切断されることになり、樹脂封止工程が終了
する。
なお、ゲー）７ｂ内で硬化しゲート跡５として残った封
止用樹脂を封止樹脂４から容易に切断することができる
ように、離型後に封止樹脂４とゲート跡５との接合部に
切り込みを設けてもよい。
止用樹脂を封止樹脂４から容易に切断することができる
ように、離型後に封止樹脂４とゲート跡５との接合部に
切り込みを設けてもよい。
以上説明したように本発明に係るＩＣＣカードモモジュ
ール製造方法にれば、モールド金型における樹脂封止部
成形用キャビティと対応する開口部が形成されかつラン
ナーおよびゲートと対向する面を有する遮蔽板を基板上
に密接させてモールド金型内に型締めし、しかる後、前
記遮蔽板上を通してキャビティ内にモールド用樹脂を注
入するため、封止用樹脂は基板に接することなくモール
ド金型のキャビティ内に注入され、離型後に遮蔽板を基
板から取り外すことによってゲートで硬化された封止用
樹脂を基板上から取り除（ことができる、したがって、
ゲートで硬化された封止用樹脂を容易にしかも再現性良
く確実に取り除（ことができ、基板と下金型との境目か
ら樹脂が漏れ、基板の電極端子側へ廻り込むのを防ぐこ
とができるから信頬性の高いＩＣモジュールを得ること
ができる。
ール製造方法にれば、モールド金型における樹脂封止部
成形用キャビティと対応する開口部が形成されかつラン
ナーおよびゲートと対向する面を有する遮蔽板を基板上
に密接させてモールド金型内に型締めし、しかる後、前
記遮蔽板上を通してキャビティ内にモールド用樹脂を注
入するため、封止用樹脂は基板に接することなくモール
ド金型のキャビティ内に注入され、離型後に遮蔽板を基
板から取り外すことによってゲートで硬化された封止用
樹脂を基板上から取り除（ことができる、したがって、
ゲートで硬化された封止用樹脂を容易にしかも再現性良
く確実に取り除（ことができ、基板と下金型との境目か
ら樹脂が漏れ、基板の電極端子側へ廻り込むのを防ぐこ
とができるから信頬性の高いＩＣモジュールを得ること
ができる。
第１図は本発明に係るＩＣカード用モジュールの製造方
法によって形成されたＩＣモジュールを示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｉｉ線断面図
、第２図は離型後のＩＣモジェ−ルを示す側断面図、第
３図は本発明に係るＩＣモジュールの製造方法における
樹脂封止工程においてモールド金型内に封止用樹脂を注
入した状態を示す断面図、第４図は同じく本発明に係る
ＩＣモジュールの製造方法における封止工程において下
金型に端子基板を装填した状態を示す平面図、第５図は
従来のＩＣモジュールを示す図で、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｖ−Ｖ線断面図、第６図は従
来のｒｃモジュールの製造方法における樹脂封止工程に
おいてモールド金型内に端子基板１を型締めし封止用樹
脂を注入した状態を示す断面図、第７図は同じく封止工
程において下金型に端子基板を装填した状態を示す平面
図である。 １・・・・端子基板、２・・・・半導体チップ、４・・
・・封止樹脂、６・・・・下金型、７・・・・上金型、
７ａ・・・・キャビティ、７ｂ・・・・ゲート、７Ｃ・
・・・ランナー、１１・・、・遮蔽板、ｌｌａ・・・・
開口部、ｌｌｂ・・・・平坦面。
法によって形成されたＩＣモジュールを示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｉｉ線断面図
、第２図は離型後のＩＣモジェ−ルを示す側断面図、第
３図は本発明に係るＩＣモジュールの製造方法における
樹脂封止工程においてモールド金型内に封止用樹脂を注
入した状態を示す断面図、第４図は同じく本発明に係る
ＩＣモジュールの製造方法における封止工程において下
金型に端子基板を装填した状態を示す平面図、第５図は
従来のＩＣモジュールを示す図で、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）は（ａ）図中Ｖ−Ｖ線断面図、第６図は従
来のｒｃモジュールの製造方法における樹脂封止工程に
おいてモールド金型内に端子基板１を型締めし封止用樹
脂を注入した状態を示す断面図、第７図は同じく封止工
程において下金型に端子基板を装填した状態を示す平面
図である。 １・・・・端子基板、２・・・・半導体チップ、４・・
・・封止樹脂、６・・・・下金型、７・・・・上金型、
７ａ・・・・キャビティ、７ｂ・・・・ゲート、７Ｃ・
・・・ランナー、１１・・、・遮蔽板、ｌｌａ・・・・
開口部、ｌｌｂ・・・・平坦面。
Claims (1)
- 半導体チップが搭載された基板をモールド金型内に型締
めし、基板の半導体チップ搭載面上に樹脂部をモールド
成形して半導体チップを封止するＩＣカード用モジュー
ルの製造方法において、モールド金型における樹脂封止
部成形用キャビティと対応する開口部が形成されかつラ
ンナーおよびゲートと対向する面を有する遮蔽板を基板
上に密接させてモールド金型内に型締めし、しかる後、
前記遮蔽板上を通してキャビティ内にモールド用樹脂を
注入することを特徴とするＩＣカード用モジュールの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284439A JPH0724273B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Ｉｃカード用のモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284439A JPH0724273B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Ｉｃカード用のモジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129933A true JPH02129933A (ja) | 1990-05-18 |
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- 1988-11-09 JP JP63284439A patent/JPH0724273B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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