JPH06132362A - テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 101
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 34
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
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Abstract
及びゲートブレーク工程を容易にし、バリ発生を抑え、
成型性の良いテープキャリア、半導体装置及びそれを得
るための方法を得る。 【構成】 キャリアテープ1の両面にリード30を設け
て、キャリアテープ1の一面に樹脂封止金型の樹脂注入
部が設置可能なようにリード30が設けられていない表
面領域35aを形成してある。 【効果】 キャリアテープの一面のみを介して樹脂を注
入することが出来るため、簡単な構造の金型を用いて、
容易に樹脂封止及びゲートブレークを行うことができ、
バリ発生も抑えられる。また、両面にリードを設ける構
造なので、多ピン化にも対応出来る。
Description
し、特に樹脂封止してなるテープキャリアパッケージ
(以下、T.C.P.という。)構造に適したテープキ
ャリアと、それを用いた半導体装置及びそれの製造方法
に関する。
リアの構造を示す断面図である。図において、テープキ
ャリア5は、ポリイミド等から成るキャリアテープ1
と、キャリアテープ1の上面に設けられたリード2と、
リード2の一端に接続されてテスト時に用いられるテス
トパッド3とを備えている。また、リード2上及びキャ
リアテープ1上に、レジスト4が設けられている。図6
は、図5のテープキャリア5を用いた半導体装置の樹脂
封止する前の状態を示した上面図である。図6に示すよ
うに、リード2は、半導体素子6の各辺から外部に延び
て出ており、リード2の半導体素子6と反対側の端に
は、テストパッド3が設けられている。キャリアテープ
1の両サイドには、長手方向に一列に並んで、キャリア
テープ1を機械的に給送するための係合孔18が形成さ
れており、テストパッド3は、テスト時においてテスト
ピンを接触しやすくするために、キャリアテープ1上の
係合孔18寄りの内側の部分に設けられている。テスト
パッド3の幅は、リード幅に比べてかなり広く0.7m
m程度あるため、多ピン化に伴い、テストパッド3は、
数百μm程度の間隔で緻密に設けられ、ピン数増加が困
難になってきている。また、キャリアテープ1には、樹
脂封止金型を用いて樹脂封止する際に、キャリアテープ
1の裏側から表側に封止樹脂を導き注入するための穴8
が設けられている。
で、従来の樹脂封止方法を示したものである。半導体素
子6は、放熱用金属キャップ9上に搭載され、半導体素
子6上に設けられたバンプ7を介して、リード2及びテ
ストパッド3と電気的に接続されている。金属キャップ
9は、絞り加工が施され、周囲につば9aが形成されて
いる。金属キャップ9の内部にあたる部分に半導体素子
6が接続されており、つば9aの部分がキャリアテープ
1の裏面に接合されている。以上のように構成されたテ
ープキャリア5及び半導体素子6は、金属キャップ9と
ともに、樹脂封止に用いられる封止金型によりクランプ
されている。封止金型は、上型10及び下型11から構
成され、半導体素子6及び金属キャップ9を取り囲むよ
うに上型10及び下型11によってキャビティー14を
形成している。また、下型11内には、樹脂16の樹脂
流路となるランナー12が設けられ、上型10内には、
穴8を介してランナー12と連通するように、ランナー
13が設けられている。ランナー12を設けるべき位置
を図6に2点鎖線により示す。ランナー13とキャビテ
ィー14の間には、ゲート15が設けられ、樹脂16
は、ゲート15を通ってキャビティー14内にランナー
13から注入される。
上にあるテストパッド3に、樹脂16が付着すると硬化
し、テストパッド3に接着した状態となり、ランナー1
3及び12等を除去するゲートブレーク工程において、
テストパッド3が、付着した樹脂16とともに剥離して
しまうことがあり、そのため、樹脂16は、テストパッ
ド3に付着しないように、封止金型の下型11内に設け
られたランナー12により、キャリアテープ1の下面を
通って導かれ、キャビティ14内に、低圧トランスファ
ー法等により注入される。ところが、テープキャリア1
の下側からそのままキャビティ14内に注入しようとす
ると、金属キャップ9により、樹脂注入が妨げられるの
で、キャビティ14の手前に、穴8をキャリアテープ1
に設け、樹脂16をキャリアテープ1の下面から上面に
穴8により導きだし、ゲート15よりキャビティ14内
に注入する。なお、キャビティ14内の下方に、金属キ
ャップ9の外側になる部分14aがあり、金属キャップ
9に妨げられ、樹脂16が注入されにくい場合は、必要
に応じて、金属キャップ9に穴9bを設けてもよい。ま
た、ランナー12及び13内の不要な樹脂16等を取り
除くゲートブレーク工程は、まず、ゲート15の部分の
樹脂16を、キャリアテープ1を湾曲させることにより
折る。その後、ランナー12及び13内の樹脂16が穴
8を介してキャリアテープ1の下面から上面につながっ
ているため、キャリアテープ1を湾曲させて、ランナー
13内の樹脂を穴8より抜き出す。以上のようにして、
図8に示すような従来のT.C.P.構造を備えた半導
体装置が得られる。
ャリアテープ1は、上型10及び下型11によりクラン
プされているが、図9に示すように、下型11内にラン
ナー12が設けられているため、穴8の部分においては
クランプ出来ない状態にある。そのため、上型10等の
金型熱により、キャリアテープ1が膨張して、上型10
との間に隙間17が出来てしまい、樹脂16が、ランナ
ー12から、穴8を通って、ランナー13に導かれる際
に、この隙間17に樹脂16が注入され、成型後、隙間
17内の樹脂16が、図8に示すようなバリ19として
キャリアテープ1上に残ることになり、リード2やテス
トパッド3にまで広がり付着することがあった。
テープキャリア及びそれを用いた半導体装置は以上のよ
うに構成され、樹脂封止用金型10及び11により、キ
ャリアテープ1の下面部及び上面部に、穴8を介して連
結している2つのランナー12及び13をそれぞれ設け
なければならず、金型構造が複雑になるとともに、穴8
がキャリアテープ1に設けられているため、穴8の部分
においては、金型10及び11により確実にクランプす
ることが出来ず、キャリアテープ1と上型10との間に
隙間17が生じてしまい、成型時に樹脂によるバリ19
が発生しやすく、また、ゲートブレーク工程も困難であ
るという問題点があった。
めになされたもので、複雑な金型構造を必要とせず、樹
脂封止工程及びゲートブレーク工程を容易にし、バリ発
生を抑え、成型性が良く、かつ、多ピン化に伴いピン数
増加に対応可能な半導体装置、及びそれに用いるテープ
キャリアを得ることを目的とする。
項1の発明は、キャリアテープとリードを備え、樹脂封
止金型を用いて半導体素子を樹脂封止して実装するため
のテープキャリアにおいて、キャリアテープの両面にリ
ードを設け、また、キャリアテープの一面上に樹脂封止
金型の樹脂注入用ランナーを直接配置させ得る、リード
が設けられていない表面領域を形成したことを特徴とす
るテープキャリアである。
とリードを備え、樹脂封止金型を用いて、放熱用金属キ
ャップ内に搭載された半導体素子を樹脂封止して実装す
るためのテープキャリアにおいて、キャリアテープの両
面にリードを設け、また、キャリアテープの放熱用金属
キャップとは反対側の面上に、樹脂封止金型の樹脂注入
用ランナーを直接配置させ得る、リードが設けられてい
ない表面領域を形成したことを特徴とするテープキャリ
アである。
上に設けられたリードと、リードに電気的に接続されて
放熱用金属キャップ内に搭載された半導体素子を備え、
放熱用金属キャップと、キャリアテープを、リードの内
端と共に樹脂封止する半導体装置において、リードをキ
ャリアテープの両面に設け、キャリアテープの放熱用金
属キャップとは反対側の面上に、樹脂封止金型の樹脂注
入用ランナーを直接配置させ得る、リードが設けられて
いない表面領域が形成されている半導体装置である。
た半導体装置は、キャリアテープの両面にリードを設
け、キャリアテープの放熱用金属キャップと反対側の面
上に、樹脂封止金型の樹脂注入用ランナーを直接配置さ
せ得る表面領域を備えており、封止金型の樹脂注入用ラ
ンナーにより、キャリアテープの金属キャップと反対側
の面上のみに樹脂を通して樹脂を注入し、樹脂封止され
る。樹脂封止を行う際に、封止金型により、隙間なく確
実にクランプ出来るため、バリ発生が起こらず、テスト
パッド等に樹脂は付着しない。また、ゲートブレーク工
程においては、ゲート部の樹脂を折ると、不要な樹脂が
取り除かれる。
て説明する。図1は本発明のT.C.P.用テープキャ
リア32の構造を示す断面図である。図1に示すよう
に、ポリイミド等からなるキャリアテープ1の両面上
に、リード30及びテストパッド31が接着されてお
り、テストパッド31はリード30の一端30aに電気
的に接続されている。また、リード30の他端30b
は、キャリアテープ1の両面に設けられたリード30の
他端30bの高さを同じにして半導体素子等に接続しや
すいように、上側のものは下方に、下側のものは上方に
向けて、緩いカーブをつけて成形されている。また、レ
ジスト4が、リード30上も含めたキャリアテープ1の
両面全体を覆うように固着されている。
用いた半導体装置の樹脂封止する前の状態を示す上面図
である。図2に示すように、キャリアテープ1は略々矩
形をして帯状に延びており、その中央部分に半導体素子
6が設けられ、半導体素子6の各辺には、キャリアテー
プ1の両面に設けられたリード30が接続され、半導体
素子6とテストパッド31は、リード30を介して、電
気的に接続されている。キャリアテープ1の両サイドに
は長手方向に一列に並んだ係合孔18が設けられてお
り、製造工程において、係合孔18を用いて、キャリア
テープ1はスプロケットホイール等の給送手段(図示し
てない)により機械的に送られる。テストパッド31は
テスト時にテストピンが接触しやすいように、係合孔1
8の近くに設けられている。リード30及びテストパッ
ド31は、図の破線に示すように、キャリアテープ1の
裏面にも設けられているため、キャリアテープ1の表面
には、従来のものに比べて、半数以下のリード30及び
テストパッド31を設ければよく、キャリアテープ1の
表面上には余裕ができたため、図の2点鎖線が示すよう
に、封止樹脂の注入部となるランナー35(図3参照)
の設置可能な表面領域35aが形成されている。多ピン
の半導体装置の場合には、表面領域35aを除いたキャ
リアテープ1の両面上のすべての部分にリード30等を
設けることが出来るので、従来の2倍近くのリード等が
設置可能である。
で、この発明の実施例における封止方法を示したもので
ある。図において、上述の図1に示したテープキャリア
32が、封止金型の下型33上に載置され、下型33と
上型34によりクランプされている。また、下型33上
に、放熱用金属キャップ9が搭載されており、金属キャ
ップ9は、絞り加工が施されて、周囲につば9aが形成
されている。半導体素子6が金属キャップ9の内側の部
分に搭載されており、半導体素子6とリード30は、バ
ンプ7を介して、電気的に接続されている。つば9aは
テープキャリア32の裏面に接着されているが、レジス
ト4により短絡は防止されている。また、上型34内に
は、樹脂16の流路であるランナー35が設けられてい
る。上型34及び下型33によりキャビティ36が形成
され、半導体素子6及び金属キャップ9を格納してい
る。キャビティ36とランナー35は、ゲート37を介
して連通されている。
を、上型10に設けられたランナー35内を通って導か
れる。このとき、ランナー35内には、リード30及び
テストパッド31は存在しないので、リード30及びテ
ストパッド31に樹脂16が付着することはない。次に
樹脂16は、そのままキャリアテープ1の表面上のみを
通って、ランナー35からキャビティ36内に、上型3
4内に設けられたゲート37を通って注入される。この
とき、上型34及び下型33において、確実に隙間なく
クランプされているため、金型熱等によるキャリアテー
プ1の膨張等によるたるみがない状態で樹脂注入が出
来、バリ発生を防ぐことが出来る。なお、樹脂注入の際
に、金属キャップ9により妨げられ、樹脂が注入されに
くい部分がキャビティ36内にある場合には、必要に応
じて、金属キャップ9に穴9a等を設けてもよい。ま
た、ゲートブレーク工程は、キャリアテープ1を湾曲さ
せて、ゲート37の部分の樹脂16を折ることにより、
容易にテープキャリア1からランナー35の部分の樹脂
16を分離させ取り去ることができ、リード30の一部
及びテストパッド31は外部に露出する。上記のように
して得られる樹脂封止した半導体装置の断面図を図4に
示す。
ープキャリア及びそれを用いた半導体装置は、キャリア
テープ1の両面にリード30及びテストパッド31を設
けたため、従来の片面だけに設けていたのに比べて、キ
ャリアテープの上面に余裕が出来、封止金型の樹脂注入
用ランナー35を直接配置させ得る表面領域35aを形
成することが出来る。また、樹脂封止を行う際に、構造
の簡単な封止金型を用いて、隙間なく、確実にクランプ
し、封止金型の上型34内に設けられたランナー35等
から成る樹脂注入部を介して、テストパッド31等に樹
脂16を付着せずに、かつ、バリ発生も起こらず、キャ
リアテープ1の上面のみを通って容易に樹脂注入するこ
とができ、成型性もよい。ゲートブレーク工程において
も、従来のようにキャリアテープ1に設けられた穴から
樹脂を取り出す等の困難な作業が不要となり、ゲート3
7部分の樹脂16を折るだけで、容易に、かつ、確実
に、不要な樹脂を取り除くことができる。また、多ピン
化に伴い、多数のリード及びテストパッドを設けること
が必要な場合にも、キャリアテープ1の両面にリード等
を設けることができるので、ピン数増加にも対応でき
る。
面図である。
脂封止する前の状態を示す上面図である。
図である。
断面図である。
脂封止する前の状態を示す上面図である。
である。
面図である。
キャリアテープのたるみを示す部分拡大断面図である。
上にあるテストパッド3及びリード2に、樹脂16が付
着すると硬化し、テストパッド3及びリード2に接着し
た状態となり、ランナー13及び12等を除去するゲー
トブレーク工程において、テストパッド3及びリード2
が、付着した樹脂16とともに剥離してしまうことがあ
り、そのため、樹脂16は、テストパッド3及びリード
2に付着しないように、封止金型の下型11内に設けら
れたランナー12により、キャリアテープ1の下面を通
って導かれ、キャビティ14内に、低圧トランスファー
法等により注入される。ところが、テープキャリア1の
下側からそのままキャビティ14内に注入しようとする
と、金属キャップ9により、樹脂注入が妨げられるの
で、キャビティ14の手前に、穴8をキャリアテープ1
に設け、樹脂16をキャリアテープ1の下面から上面に
穴8により導きだし、ゲート15よりキャビティ14内
に注入する。なお、キャビティ14内の下方に、金属キ
ャップ9の外側になる部分14aがあり、金属キャップ
9に妨げられ、樹脂16が注入されにくい場合は、必要
に応じて、金属キャップ9に穴9bを設けてもよい。ま
た、ランナー12及び13内の不要な樹脂16等を取り
除くゲートブレーク工程は、まず、ゲート15の部分の
樹脂16を、キャリアテープ1を湾曲させることにより
折る。その後、ランナー12及び13内の樹脂16が穴
8を介してキャリアテープ1の下面から上面につながっ
ているため、キャリアテープ1を湾曲させて、ランナー
13内の樹脂を穴8より抜き出す。以上のようにして、
図8に示すような従来のT.C.P.構造を備えた半導
体装置が得られる。
Claims (4)
- 【請求項1】 キャリアテープとリードとを備え、樹脂
封止金型を用いて半導体素子を樹脂封止して実装するた
めのテープキャリアに於いて、上記リードを上記キャリ
アテープの両面に設け、上記キャリアテープの一面上
に、上記リードが設けられておらず、かつ上記樹脂封止
金型の樹脂注入用ランナーを直接配置させ得る表面領域
を形成したことを特徴とするテープキャリア。 - 【請求項2】 キャリアテープとリードとを備え、樹脂
封止金型を用いて放熱用金属キャップ内に搭載された半
導体素子を樹脂封止して実装するためのテープキャリア
に於いて、上記リードを上記キャリアテープの両面に設
け、上記キャリアテープの上記金属キャップと反対側の
面上に、上記リードが設けられておらず、かつ上記樹脂
封止金型の樹脂注入用ランナーを直接配置させ得る表面
領域を形成したことを特徴とするテープキャリア。 - 【請求項3】 キャリアテープと、上記キャリアテープ
上に設けられたリードと、上記リードに電気的に接続さ
れて放熱用金属キャップ内に搭載された半導体素子と、
上記半導体素子、上記金属キャップおよび上記キャリア
テープを上記リードの内端と共に樹脂封止する封止樹脂
とを備えた半導体装置に於いて、上記リードを上記キャ
リアテープの両面に設け、上記キャリアテープの上記金
属キャップと反対側の面上に、上記リードが設けられて
おらず、かつ製造中に樹脂封止金型の樹脂注入用ランナ
ーを直接配置させ得る表面領域が形成されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 キャリアテープとリードとを備え、樹脂
封止金型を用いて放熱用金属キャップ内に搭載された半
導体素子を樹脂封止して実装するためのテープキャリア
であって、上記リードを上記キャリアテープの両面に設
け、上記キャリアテープの上記金属キャップとは反対側
の面上に、上記リードが設けられておらず、かつ上記樹
脂封止金型の樹脂注入用ランナーを直接配置させ得る表
面領域を形成したテープキャリアを用意する工程と、 上記リードの内端に金属キャップ内に搭載された半導体
素子を電気的に接続する工程と、 上記キャリアテープの上記表面領域に上記樹脂封止金型
の樹脂注入用ランナーを直接配置して、上記半導体素
子、上記金属キャップおよび上記キャリアテープを上記
リードの内端と共に上記樹脂封止金型の成型空洞内に収
容する工程と、 上記樹脂注入用ランナーを通して封止樹脂を上記成型空
洞内に充填して硬化させる工程と、 樹脂封止された上記半導体素子を上記金型から取り出す
工程と、 上記樹脂封止された上記半導体素子をテープキャリアか
ら切り離す工程とを備えたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27744392A JP3226628B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
US08/135,570 US5391923A (en) | 1992-10-15 | 1993-10-14 | Tape carrier including leads on both sides and resin-encapsulated semiconductor device incorporating the tape carrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27744392A JP3226628B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06132362A true JPH06132362A (ja) | 1994-05-13 |
JP3226628B2 JP3226628B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=17583647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27744392A Expired - Fee Related JP3226628B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5391923A (ja) |
JP (1) | JP3226628B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5717246A (en) * | 1996-07-29 | 1998-02-10 | Micron Technology, Inc. | Hybrid frame with lead-lock tape |
JP3577848B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-10-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置の外形カット方法及びそれに用いる半導体製造装置 |
US6111315A (en) * | 1997-01-21 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with offset die pad |
JP3414645B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2003-06-09 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
SG92771A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-11-19 | Chee Peng Neo | In-process tape bur monitoring |
KR100850457B1 (ko) * | 2002-06-10 | 2008-08-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 양면의 단자가 연결된 기판 및 이를 제조하는 방법 |
JP5752002B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2015-07-22 | 株式会社アドバンテスト | 試験用キャリア |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2054609A (en) * | 1935-01-23 | 1936-09-15 | Quasi Arc Co Ltd | Electrode or welding rod |
GB2089873A (en) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Wickramasuriya Damasius Benett | Convertible ladder |
JPS60179439A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | ゴム組成物 |
US4648481A (en) * | 1986-04-21 | 1987-03-10 | Alpha Metal Corp. | Multipurpose aluminum folding ladder equipped with a detachable stand-on board and supporting handrails |
DE3627303A1 (de) * | 1986-08-12 | 1988-02-18 | Geis & Knoblauch Gmbh & Co Kg | Steiggeraet |
JPS63204735A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のパツケ−ジ構造 |
JPH0783036B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | キヤリアテープ |
JP2609894B2 (ja) * | 1988-02-25 | 1997-05-14 | トーワ株式会社 | 被封止部品のトランスファ樹脂封止成形方法とこれに用いられる樹脂封止成形用金型装置及びフィルムキャリア |
JPH0290632A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の樹脂封止装置 |
DE8906444U1 (de) * | 1989-05-25 | 1989-07-13 | Gröning, Klaus J., 7000 Stuttgart | Als Gangway für Wasserfahrzeuge ausgebildete Vorrichtung |
JPH0338634A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-19 | Konica Corp | 明室下での取扱い可能なハロゲン化銀写真材料 |
JPH0680706B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27744392A patent/JP3226628B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-14 US US08/135,570 patent/US5391923A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5391923A (en) | 1995-02-21 |
JP3226628B2 (ja) | 2001-11-05 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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