JPS63204735A - 半導体装置のパツケ−ジ構造 - Google Patents
半導体装置のパツケ−ジ構造Info
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- JPS63204735A JPS63204735A JP62038555A JP3855587A JPS63204735A JP S63204735 A JPS63204735 A JP S63204735A JP 62038555 A JP62038555 A JP 62038555A JP 3855587 A JP3855587 A JP 3855587A JP S63204735 A JPS63204735 A JP S63204735A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテープキャリア・ボンディング方式によって半
導体チップが接合された半導体装置のパッケージ構造に
関するものである。
導体チップが接合された半導体装置のパッケージ構造に
関するものである。
テープキャリア・ボンディング方式（以下ＴＡＢ方式と
略す）はリード線の引き出しにワイヤリードを使用しな
いワイヤレス拳ボンディング法のひとつであり、高速自
動ボンディングが可能なため、このＴＡＢ方式によって
製造された半導体装置は年々多くなってきている。
略す）はリード線の引き出しにワイヤリードを使用しな
いワイヤレス拳ボンディング法のひとつであり、高速自
動ボンディングが可能なため、このＴＡＢ方式によって
製造された半導体装置は年々多くなってきている。
さて、このＴＡＢ方式に裏面電位を必要とする半導体チ
ップを用いる場合には、基板上の配線に半導体チップの
裏面を接着し、その配線と半導体チップの表面端子とを
リード配線を介して接続することにより半導体チップの
裏面電位を得ていた。
ップを用いる場合には、基板上の配線に半導体チップの
裏面を接着し、その配線と半導体チップの表面端子とを
リード配線を介して接続することにより半導体チップの
裏面電位を得ていた。
第６図はＴＡＢ方式によってテープ基材に半導体チップ
が固着され良状態を示す斜視図、第７図は半導体チップ
が基板に実装された状態を示す側断面図である。これら
の図において、符号１は表面に突起電極２が形成された
半導体チップ、３はテープ基材で、このテープ基材３に
は半導体チップ１を臨む開口部３ａと後述する半導体チ
ップ１の切シ離し工程でテープ基材３から半導体チップ
１を切断する位置となるアウターリード孔３ｂが設けら
れると共に、インナーリード４ａおよびアウターリード
４ｂからなるリード配線４が貼着されている。すなわち
、半導体チップ１はＴＡＢ方式におけるインナーリード
ボンディング工程によって前記インナーリード４ａに突
起電極２がボンディングツール等によって熱圧着される
ことによシテープ基材３に固着されている。なお、突起
電極２は半導体チップに形成される他、インナーリード
４ａに形成されるものもある。５は半導体チップ１をテ
ープ基材３に固定すると共に保護するための封止樹脂、
６は半導体装置と他の回路を接続するだめの基板で、こ
の基板６上には前記アウターリード４ｂが接合される基
板配線７ａおよび半導体チップ１の裏面が接着される基
板配線７ｂが設けられている。８は半導体チップ１の裏
面と基板配線７ｂを接着するダイスボンディング材、９
は外装樹脂である。
が固着され良状態を示す斜視図、第７図は半導体チップ
が基板に実装された状態を示す側断面図である。これら
の図において、符号１は表面に突起電極２が形成された
半導体チップ、３はテープ基材で、このテープ基材３に
は半導体チップ１を臨む開口部３ａと後述する半導体チ
ップ１の切シ離し工程でテープ基材３から半導体チップ
１を切断する位置となるアウターリード孔３ｂが設けら
れると共に、インナーリード４ａおよびアウターリード
４ｂからなるリード配線４が貼着されている。すなわち
、半導体チップ１はＴＡＢ方式におけるインナーリード
ボンディング工程によって前記インナーリード４ａに突
起電極２がボンディングツール等によって熱圧着される
ことによシテープ基材３に固着されている。なお、突起
電極２は半導体チップに形成される他、インナーリード
４ａに形成されるものもある。５は半導体チップ１をテ
ープ基材３に固定すると共に保護するための封止樹脂、
６は半導体装置と他の回路を接続するだめの基板で、こ
の基板６上には前記アウターリード４ｂが接合される基
板配線７ａおよび半導体チップ１の裏面が接着される基
板配線７ｂが設けられている。８は半導体チップ１の裏
面と基板配線７ｂを接着するダイスボンディング材、９
は外装樹脂である。
したがって、テープ基材３に固着された半導体チップ１
はテープ基材３におけるアウターリード孔３ｂからアク
タ−リード４ｂと共に所定寸法に打ち抜かれ、次いで基
板配線Ｔ＆および７ｂにアウターリード４ｂの切断端お
よび半導体チップ１の裏面が接合され、外装樹脂９によ
って固定される。この際、半導体チップの裏面は基板配
線７ｂおよび図示しないリード配線を介して突起電極２
に接続されている。
はテープ基材３におけるアウターリード孔３ｂからアク
タ−リード４ｂと共に所定寸法に打ち抜かれ、次いで基
板配線Ｔ＆および７ｂにアウターリード４ｂの切断端お
よび半導体チップ１の裏面が接合され、外装樹脂９によ
って固定される。この際、半導体チップの裏面は基板配
線７ｂおよび図示しないリード配線を介して突起電極２
に接続されている。
ＴＡＢＴＡＢ方式てテープ基材に固着された裏面電位を
要する半導体チップは最終的に基板上に接合させてから
でないと半導体チップの裏面と表面端子が接続されない
ので、インナーリードボンディング後にテストすること
は不可能であった。このため半導体チップとインナーリ
ードとの接合不良を起した半導体チップおよび封止樹脂
により欠陥が生じた半導体チップなどのバーンインが不
可能であり、製品としての歩留が落ちることとなる。
要する半導体チップは最終的に基板上に接合させてから
でないと半導体チップの裏面と表面端子が接続されない
ので、インナーリードボンディング後にテストすること
は不可能であった。このため半導体チップとインナーリ
ードとの接合不良を起した半導体チップおよび封止樹脂
により欠陥が生じた半導体チップなどのバーンインが不
可能であり、製品としての歩留が落ちることとなる。
また上記のような不良半導体チップの接合された基板は
全て無駄になってしまうといった問題もあった。
全て無駄になってしまうといった問題もあった。
本発明に係る半導体装置のパッケージ構造は金属キャッ
プの開口縁にフランジを設け、このフランジを折曲させ
ることによってキャップの開口側に突出する突起を形成
し、この金属キャップの内側底面を前記半導体チップの
裏面に接着すると共に、半導体チップの表面電極に裏面
電位接続用リードを介して前記突起を接続したものであ
る。
プの開口縁にフランジを設け、このフランジを折曲させ
ることによってキャップの開口側に突出する突起を形成
し、この金属キャップの内側底面を前記半導体チップの
裏面に接着すると共に、半導体チップの表面電極に裏面
電位接続用リードを介して前記突起を接続したものであ
る。
金属キャップおよび裏面電位接続用リードを介して半導
体チップの裏面と表面の電極が接続される。
体チップの裏面と表面の電極が接続される。
以下、本発明を図に示す実施例を使って詳細に説明する
。第１図は本実施例における半導体装置のパッケージ構
造を示す正面図、第２図は第１図中Ｉ−Ｉ線断面図、第
３図は基板に実装された状態を示す側面図、第４図はＴ
ＡＢ方式によってテープ基材に半導体チップが固着され
た状態を示す斜視口、第５図は要部拡大図である。これ
らの図において、符号１１〜１４および１６〜１９で示
すものは前述の従来例に使用したものと同一部材である
が、ここにおいてさらに詳細に説明する。符号１１は半
導体チップを示し、その表面側に突起電極１２が形成さ
れている。１３はリード配線で、このリード配線１３は
第４図に示すように後述するテープ基材１４上に貼着さ
れ、前記突起電極１２と接合されるインナーリード１３
ｍと後述する基板配線と接合されるアウターリード１３
ｂとから形成されると共に、半導体チップ１１の裏面と
接続するための裏面電位接続リード１３ｃを有している
。
。第１図は本実施例における半導体装置のパッケージ構
造を示す正面図、第２図は第１図中Ｉ−Ｉ線断面図、第
３図は基板に実装された状態を示す側面図、第４図はＴ
ＡＢ方式によってテープ基材に半導体チップが固着され
た状態を示す斜視口、第５図は要部拡大図である。これ
らの図において、符号１１〜１４および１６〜１９で示
すものは前述の従来例に使用したものと同一部材である
が、ここにおいてさらに詳細に説明する。符号１１は半
導体チップを示し、その表面側に突起電極１２が形成さ
れている。１３はリード配線で、このリード配線１３は
第４図に示すように後述するテープ基材１４上に貼着さ
れ、前記突起電極１２と接合されるインナーリード１３
ｍと後述する基板配線と接合されるアウターリード１３
ｂとから形成されると共に、半導体チップ１１の裏面と
接続するための裏面電位接続リード１３ｃを有している
。
１４はテープ基材で、このテープ基材１４には半導体チ
ップ１１を臨む開口部１４ｍと後述する半導体チップの
切り離し工程で半導体チップ１１をアウターリード１３
ｂと共に切シ離すためのアウターリード孔１４ｂとこの
アウターリード孔１４ｂに設けたテープ基材切シ欠き１
４ｃが形成されている。１５は半導体チップの裏面と前
記リード配線１３における裏面電位接続リード１３ｅを
接続する金属キャップで、この金属キャンプ１５はその
開口縁に形成されたフランジ部１５ｍと裏面電位接続リ
ード１３ｅと対応する部位にフランジ１５ｍを折曲させ
、金属キャップ１５の開口側お突出するごとく形成され
た突起１５ｂが設けられている。１６は前記金属キャッ
プ１５と半導体チップの裏面および突起１５ｂと裏面電
位接続リード１３ｃとを接着する接着料で、この接着材
１６には主に導電性の樹脂を使用するが、ろう材による
ろう接も考えられる。１Ｔは封止樹脂である。すなわち
、ＴＡＢ方式によシテープ基材１４にリード配線を介し
て固着された半導体チップ１１を裏面側から金属キャッ
プ１５をテープ基材に設けたテープ基材切り欠＠１４ｃ
に突起１５ｂを挿入して位置を合わせ被冠させることに
よって金属キャップの内側底面と半導体チップ１１の裏
面および第５図に示すようＫその突起１５ｂと接続リー
ド１３ｃが接着される。また、金属キャップ１５のフラ
ンジ部１５ｍとテープ基材１４は接着材（図示せず）に
よって接着するかあるい拡、前記封止樹脂１７を用いて
接着する。１８は基板配線１９が設けられた基板で、こ
の基板１８に金属キャップ１５内に埋没するごとく設け
られた半導体チップ１１が折曲されたアウターリード１
３を介して接続されている。したがって、インナーリー
ドボンディングが終了し、金属キャップ１５が接着され
た半導体チップ１１は第１図に示すようにテープ基材１
４のアウターリード孔１４ｂから所定寸法に打ち抜かれ
る。さらに、基板１８上の所定位置に金属キャップ１５
を配設し、基板１８上の基板配線１９にアクタ−リード
１３ｂの切断端を熱圧着等により接合することによって
基板１８上に半導体チップ１１が実装される。
ップ１１を臨む開口部１４ｍと後述する半導体チップの
切り離し工程で半導体チップ１１をアウターリード１３
ｂと共に切シ離すためのアウターリード孔１４ｂとこの
アウターリード孔１４ｂに設けたテープ基材切シ欠き１
４ｃが形成されている。１５は半導体チップの裏面と前
記リード配線１３における裏面電位接続リード１３ｅを
接続する金属キャップで、この金属キャンプ１５はその
開口縁に形成されたフランジ部１５ｍと裏面電位接続リ
ード１３ｅと対応する部位にフランジ１５ｍを折曲させ
、金属キャップ１５の開口側お突出するごとく形成され
た突起１５ｂが設けられている。１６は前記金属キャッ
プ１５と半導体チップの裏面および突起１５ｂと裏面電
位接続リード１３ｃとを接着する接着料で、この接着材
１６には主に導電性の樹脂を使用するが、ろう材による
ろう接も考えられる。１Ｔは封止樹脂である。すなわち
、ＴＡＢ方式によシテープ基材１４にリード配線を介し
て固着された半導体チップ１１を裏面側から金属キャッ
プ１５をテープ基材に設けたテープ基材切り欠＠１４ｃ
に突起１５ｂを挿入して位置を合わせ被冠させることに
よって金属キャップの内側底面と半導体チップ１１の裏
面および第５図に示すようＫその突起１５ｂと接続リー
ド１３ｃが接着される。また、金属キャップ１５のフラ
ンジ部１５ｍとテープ基材１４は接着材（図示せず）に
よって接着するかあるい拡、前記封止樹脂１７を用いて
接着する。１８は基板配線１９が設けられた基板で、こ
の基板１８に金属キャップ１５内に埋没するごとく設け
られた半導体チップ１１が折曲されたアウターリード１
３を介して接続されている。したがって、インナーリー
ドボンディングが終了し、金属キャップ１５が接着され
た半導体チップ１１は第１図に示すようにテープ基材１
４のアウターリード孔１４ｂから所定寸法に打ち抜かれ
る。さらに、基板１８上の所定位置に金属キャップ１５
を配設し、基板１８上の基板配線１９にアクタ−リード
１３ｂの切断端を熱圧着等により接合することによって
基板１８上に半導体チップ１１が実装される。
また、本実施例では金属キャップの底面が基板側に向け
られたものを示したが、金属キャップ１５を裏返して実
装することも考えられる。このようにするとリード配線
１３の長さを短縮することができる。
られたものを示したが、金属キャップ１５を裏返して実
装することも考えられる。このようにするとリード配線
１３の長さを短縮することができる。
以上説明したように本発明によれば半導体チップの裏面
に金属キャップを接着し、この金属キャップおよび裏面
電位接続リードを介して半導体チップの裏面と表面電極
を接続したため、半導体チップをテープ基材に固着した
時点で通電テストが可能になり、半導体チップの異常を
早期に発見することができるので基板への実装状態での
歩溜の向上およびコストダウンが実現される。また、金
属キャップに突起を設けたため裏面電位接続用リードと
の位置合わせが容易になる。
に金属キャップを接着し、この金属キャップおよび裏面
電位接続リードを介して半導体チップの裏面と表面電極
を接続したため、半導体チップをテープ基材に固着した
時点で通電テストが可能になり、半導体チップの異常を
早期に発見することができるので基板への実装状態での
歩溜の向上およびコストダウンが実現される。また、金
属キャップに突起を設けたため裏面電位接続用リードと
の位置合わせが容易になる。
第１図は本実施例における半導体装置のパッケージ構造
を示す正面図、第２図は第１図中Ｉ−Ｉ線断面図、第３
図は基板に実装された状態を示す側面図、第４図はＴＡ
Ｂ方式によってテープ基材に半導体チップが固着された
状態を示す斜視図、第５図は要部拡大図、第６図はＴＡ
Ｂ方式によって従来のテープ基材に半導体チップが固着
された状態を示す斜視図、第７図は半導体チップが基板
に実装された状態を示す側断面図である。 １１１・９・半導体チップ、１２・−・・表面電極、１
３ｅ・・・・裏面電位接続用リード、１４・−・・テー
プ基材、１５・−・−金属キャップ、１５ｂ・・・−突
起。
を示す正面図、第２図は第１図中Ｉ−Ｉ線断面図、第３
図は基板に実装された状態を示す側面図、第４図はＴＡ
Ｂ方式によってテープ基材に半導体チップが固着された
状態を示す斜視図、第５図は要部拡大図、第６図はＴＡ
Ｂ方式によって従来のテープ基材に半導体チップが固着
された状態を示す斜視図、第７図は半導体チップが基板
に実装された状態を示す側断面図である。 １１１・９・半導体チップ、１２・−・・表面電極、１
３ｅ・・・・裏面電位接続用リード、１４・−・・テー
プ基材、１５・−・−金属キャップ、１５ｂ・・・−突
起。
Claims (1)
- 裏面電位を要する半導体チップがテープキャリア・ボ
ンディング方式によつて固着された半導体装置において
、金属キャップの開口縁にフランジを設け、このフラン
ジを折曲することによつてキャップの開口側に突出する
突起を形成し、この金属キャップの内側底面を前記半導
体チップの裏面に接着すると共に、半導体チップの表面
電極に裏面電位接続用リードを介して前記突起を接続し
たことを特徴とする半導体装置のパッケージ構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038555A JPS63204735A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置のパツケ−ジ構造 |
| US07/156,571 US4839713A (en) | 1987-02-20 | 1988-02-17 | Package structure for semiconductor device |
| DE3805130A DE3805130A1 (de) | 1987-02-20 | 1988-02-18 | Gehaeuse fuer eine halbleiteranordnung |
| DE8816922U DE8816922U1 (ja) | 1987-02-20 | 1988-02-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038555A JPS63204735A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置のパツケ−ジ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204735A true JPS63204735A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12528537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62038555A Pending JPS63204735A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置のパツケ−ジ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204735A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358069A (en) * | 1992-07-23 | 1994-10-25 | Krause-Werk Gmbh & Co. Kg | Stepboard for ladders |
| US5365107A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape |
| US5391923A (en) * | 1992-10-15 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier including leads on both sides and resin-encapsulated semiconductor device incorporating the tape carrier |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62038555A patent/JPS63204735A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365107A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape |
| US5358069A (en) * | 1992-07-23 | 1994-10-25 | Krause-Werk Gmbh & Co. Kg | Stepboard for ladders |
| US5391923A (en) * | 1992-10-15 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier including leads on both sides and resin-encapsulated semiconductor device incorporating the tape carrier |
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