JPH01215051A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01215051A JPH01215051A JP63041071A JP4107188A JPH01215051A JP H01215051 A JPH01215051 A JP H01215051A JP 63041071 A JP63041071 A JP 63041071A JP 4107188 A JP4107188 A JP 4107188A JP H01215051 A JPH01215051 A JP H01215051A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテープ・オートメ−ティラド・ボンディング方
式（以下ＴＡＢ方式という）によって半導体素子が接合
された半導体装置に関し、特にそのパッケージ構造に関
するものである。
式（以下ＴＡＢ方式という）によって半導体素子が接合
された半導体装置に関し、特にそのパッケージ構造に関
するものである。
従来、ＴＡＢ方式に裏面電位を必要とする半導体素子を
用いる場合には、基板上の配線に半導体素子の裏面を接
着し、その配線と半導体素子の表面端子とをリード配線
を介して接続することによシ半導体素子の裏面電位を得
ていた。
用いる場合には、基板上の配線に半導体素子の裏面を接
着し、その配線と半導体素子の表面端子とをリード配線
を介して接続することによシ半導体素子の裏面電位を得
ていた。
第４図はＴＡＢ方式によってキャリアテープに半導体素
子が固着された状態を示す図で、同図（＆）は平面図、
（ｂ）は（１）図中ｆｆ−ｆｆ線断面図を示し、第５図
は半導体装置が基板に実装された状態を示す側断面図で
ある。これらの図において、符号１は半導体素子、２は
この半導体素子１のパッド上に固着されたバンプと呼ば
れる突起電極、３はキャリアテープで、このキャリアテ
ープ３はポリイミドテープ等によって形成され、半導体
素子１を臨む開口部３１と、後述する半導体素子１の切
シ離し工程でキャリアテープ３から半導体素子１を切断
する位置となるアウターリード孔３ｂとが設けられ、こ
れら開口部３＆とアウターリード孔３ｂによってサポー
ト部３ｃが形成されており、インナーリード４龜、アウ
ターリート’ ４ｂおよびテストパッド部４ｃからなる
リード配線４が貼着されている。また、このリード配ｆ
！４はテープ基材に銅等の金属箔を貼シ合わせ、その後
リードパターンに形成されておシ、リードのパターンが
複雑になったシ、あるいは長くなった際には、リードの
載置が不安定にならないよう前記サポート部３ｃによっ
て保持されることになる０すなわち、半導体素子１は、
ＴＡＢ方式におけるインナーリードボンディング工程に
おいて、ボンディングツール等によシ前記インナーリー
ド４ａに突起電極２が熱圧着されることによって、キャ
リアテープ３に固着されるととＫなる。なお、突起電極
２は半導体素子に形成される他、インナーリード４ａＫ
形成されるものもある０５は半導体素子１をキャリアテ
ープ３に固定すると共に保護するための封止樹脂、６は
半導体装置と他の回路を接続するための基板で、この基
板６上には前記アウターリード４ｂが接合される基板配
線７ａおよび半導体素子１の裏面が接着される基板配！
ｆＭ７ｂが設けられている。８は半導体素子１の裏面と
基板配線７ｂを接着するダイスボンディング材、９は外
装樹脂である０ したがって、キャリアテープ３に固着された半導体素子
１はキャリアテープ３におけるアウターリード孔３ｂか
らアクタ−リード４ｂと共に所定寸法に打ち抜痴れ、次
いで基板配線７ａおよび７ｂにアウターリード４ｂの切
断端および半導体素子１の裏面が接合され、外装樹脂９
によって固定される。この際、半導体素子１の裏面は基
板配線７ｂ および図示しないリード配線を介して突起
電極２に接続されている。
子が固着された状態を示す図で、同図（＆）は平面図、
（ｂ）は（１）図中ｆｆ−ｆｆ線断面図を示し、第５図
は半導体装置が基板に実装された状態を示す側断面図で
ある。これらの図において、符号１は半導体素子、２は
この半導体素子１のパッド上に固着されたバンプと呼ば
れる突起電極、３はキャリアテープで、このキャリアテ
ープ３はポリイミドテープ等によって形成され、半導体
素子１を臨む開口部３１と、後述する半導体素子１の切
シ離し工程でキャリアテープ３から半導体素子１を切断
する位置となるアウターリード孔３ｂとが設けられ、こ
れら開口部３＆とアウターリード孔３ｂによってサポー
ト部３ｃが形成されており、インナーリード４龜、アウ
ターリート’ ４ｂおよびテストパッド部４ｃからなる
リード配線４が貼着されている。また、このリード配ｆ
！４はテープ基材に銅等の金属箔を貼シ合わせ、その後
リードパターンに形成されておシ、リードのパターンが
複雑になったシ、あるいは長くなった際には、リードの
載置が不安定にならないよう前記サポート部３ｃによっ
て保持されることになる０すなわち、半導体素子１は、
ＴＡＢ方式におけるインナーリードボンディング工程に
おいて、ボンディングツール等によシ前記インナーリー
ド４ａに突起電極２が熱圧着されることによって、キャ
リアテープ３に固着されるととＫなる。なお、突起電極
２は半導体素子に形成される他、インナーリード４ａＫ
形成されるものもある０５は半導体素子１をキャリアテ
ープ３に固定すると共に保護するための封止樹脂、６は
半導体装置と他の回路を接続するための基板で、この基
板６上には前記アウターリード４ｂが接合される基板配
線７ａおよび半導体素子１の裏面が接着される基板配！
ｆＭ７ｂが設けられている。８は半導体素子１の裏面と
基板配線７ｂを接着するダイスボンディング材、９は外
装樹脂である０ したがって、キャリアテープ３に固着された半導体素子
１はキャリアテープ３におけるアウターリード孔３ｂか
らアクタ−リード４ｂと共に所定寸法に打ち抜痴れ、次
いで基板配線７ａおよび７ｂにアウターリード４ｂの切
断端および半導体素子１の裏面が接合され、外装樹脂９
によって固定される。この際、半導体素子１の裏面は基
板配線７ｂ および図示しないリード配線を介して突起
電極２に接続されている。
ＴＡＢ方弐によってキャリアテープに固着された裏面電
位を要する半導体素子は最終的に基板上に接合させてか
らでないと半導体素子の裏面と表面端子が接続されない
ので、インナーリードボンディング後の動作の確認がで
きなかった。このため半導体素子とインナーリードとの
接合不良を起した半導体素子および封止樹脂によシ欠陥
が生じた半導体素子などのバー／インが不可能であシ、
製品としての歩留が落ちることとなる。また、上記のよ
うな不良半導体素子の接合された基板は全て無駄になっ
てしまうという問題もあった。
位を要する半導体素子は最終的に基板上に接合させてか
らでないと半導体素子の裏面と表面端子が接続されない
ので、インナーリードボンディング後の動作の確認がで
きなかった。このため半導体素子とインナーリードとの
接合不良を起した半導体素子および封止樹脂によシ欠陥
が生じた半導体素子などのバー／インが不可能であシ、
製品としての歩留が落ちることとなる。また、上記のよ
うな不良半導体素子の接合された基板は全て無駄になっ
てしまうという問題もあった。
本発明に係る半導体装置は、内側底面に半導体素子の裏
面が接着される金属キャップを備え、先端がキャリアテ
ープの開口部内に挿入され前記金属キャップに接合され
るコンタクト部を半導体素子の表面電極と接続された裏
面電位接続用リードに一体に設けたものである。
面が接着される金属キャップを備え、先端がキャリアテ
ープの開口部内に挿入され前記金属キャップに接合され
るコンタクト部を半導体素子の表面電極と接続された裏
面電位接続用リードに一体に設けたものである。
金属キャップおよび裏面電位接続用リードを介して半導
体素子の裏面の電極とが接続される。
体素子の裏面の電極とが接続される。
以下、その構成等を図に示す実施例によυ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す側断面図、第２
図（ａ）、 （ｂ）はキャリアテープに半導体素子が固
着された状態を示す平面図と要部を拡大して示す断面図
である０これらの図において前記第４図および第５図で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、詳細な説明は省略する。これらの図に訃いて
、１１はキャップで、このキャップ１１は導電性の良い
金属によって形成され、その内側底面は半導体素子１の
裏面にダイスボンディング材８によって接合されている
。１２はリード配線４と前記キャップ１１とを接続する
ためのコンタクトリードで、このコンタクトリード１２
は、半導体素子ＩＫおける長面電位を必要とするパッド
（図示せず）上の突起電極２に接続された裏面電位接続
用リードとしてのリード配線４と一体く形成されている
。すなわち、このコンタクトリード１２は、リード配、
！！４を形成する際に、コンタクトリード１２となる部
分が残るように１キヤリアテープ３上に貼着された銅箔
をエツチング処理することによって形成される。
図（ａ）、 （ｂ）はキャリアテープに半導体素子が固
着された状態を示す平面図と要部を拡大して示す断面図
である０これらの図において前記第４図および第５図で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、詳細な説明は省略する。これらの図に訃いて
、１１はキャップで、このキャップ１１は導電性の良い
金属によって形成され、その内側底面は半導体素子１の
裏面にダイスボンディング材８によって接合されている
。１２はリード配線４と前記キャップ１１とを接続する
ためのコンタクトリードで、このコンタクトリード１２
は、半導体素子ＩＫおける長面電位を必要とするパッド
（図示せず）上の突起電極２に接続された裏面電位接続
用リードとしてのリード配線４と一体く形成されている
。すなわち、このコンタクトリード１２は、リード配、
！！４を形成する際に、コンタクトリード１２となる部
分が残るように１キヤリアテープ３上に貼着された銅箔
をエツチング処理することによって形成される。
１３は前記コンタクトリード１２の先端部が挿入される
透孔で、この透孔１３はキャリアテープ３のサポート部
３ｃに穿設されている。なお、１４は封止用樹脂である
。
透孔で、この透孔１３はキャリアテープ３のサポート部
３ｃに穿設されている。なお、１４は封止用樹脂である
。
このようＫｍ成された半導体装置を組立てるには、先ず
、ＴＡＢ方弐におけるインナーリードポンディング工程
においてキャリアテープ３にリード配線４を介して半導
体素子１を固着させる０そして、コンタクトリード１２
の先端部を第２図（ｂ）に示すように透孔１３内に挿入
させた状態で、半導体素子１の裏面とキャップ１１の内
側底面とをダイスポンディング材８によって接合させる
。次で前記コンタク） ＩＪ−ド１２の先端を前記半導
体素子１接合用ダイスボンディング材８によってキャッ
プ１１に接合させる。すなわち、この時点で半導体素子
１の裏面と表面のパッドはキャップ１１、フンタクトリ
ード１２、裏面電位接続用リードとしてのリード配線４
を介して連結されることになる。しかる後、封止樹脂１
４をキャップ１１内に充填し、半導体素子１およびリー
ド配線４等を封止する。樹脂封止後、アウターリード４
ｂを切断することによってキャリアテープ３から半導体
装置として分断されることになり、組立てが終了する０ したがって、半導体素子１の裏面と表面の突起電極２は
、封止樹脂１４によって封止される以前にキャップ１１
、コンタクトリード１２および裏面電位接続用リードと
してのリード配線４を介して接続され、インナーリード
ポンディング後の動作を確認することができる。
、ＴＡＢ方弐におけるインナーリードポンディング工程
においてキャリアテープ３にリード配線４を介して半導
体素子１を固着させる０そして、コンタクトリード１２
の先端部を第２図（ｂ）に示すように透孔１３内に挿入
させた状態で、半導体素子１の裏面とキャップ１１の内
側底面とをダイスポンディング材８によって接合させる
。次で前記コンタク） ＩＪ−ド１２の先端を前記半導
体素子１接合用ダイスボンディング材８によってキャッ
プ１１に接合させる。すなわち、この時点で半導体素子
１の裏面と表面のパッドはキャップ１１、フンタクトリ
ード１２、裏面電位接続用リードとしてのリード配線４
を介して連結されることになる。しかる後、封止樹脂１
４をキャップ１１内に充填し、半導体素子１およびリー
ド配線４等を封止する。樹脂封止後、アウターリード４
ｂを切断することによってキャリアテープ３から半導体
装置として分断されることになり、組立てが終了する０ したがって、半導体素子１の裏面と表面の突起電極２は
、封止樹脂１４によって封止される以前にキャップ１１
、コンタクトリード１２および裏面電位接続用リードと
してのリード配線４を介して接続され、インナーリード
ポンディング後の動作を確認することができる。
なお、本実施例におけるコンタクトリード１２は、キャ
リアテープ３に穿設された透孔１３内に先端部が挿入さ
れるものを示したが、本発明においてはこのような限定
にとられれることなく、例えば第３図に示すように形成
してもよい。第３図は他の実施例を示す平面図で、同図
において前記第１図および第２図と同一もしくは同等部
材については同一符号が付されている。第３図において
、コンタクトリード１２は先端部がキャリアテープ３の
開口部３ａに臨むように形成されておシ、組立て工程に
おいて前記先端部が開口部３ａ内に挿入され、キャップ
１１と接続されることになる０コンタクトリード１２を
このように形成すると透孔１３を穿設する手間が省ける
０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、内側底面に半導体
素子の裏面が接着される金属キャップを備え、先端がキ
ャリアテープの開口部内に挿入され前記金属キャップに
接合されるコンタクト部を前記半導体素子の表面電極と
接続された裏面電位接続用リードに一体に設けたため、
半導体素子をキャリアテープに固着した時点で動作の確
認ができ、半導体素子の異常を早期に発見することがで
きる。仁のため、歩留シの向上およびコストダウンが実
現される。
リアテープ３に穿設された透孔１３内に先端部が挿入さ
れるものを示したが、本発明においてはこのような限定
にとられれることなく、例えば第３図に示すように形成
してもよい。第３図は他の実施例を示す平面図で、同図
において前記第１図および第２図と同一もしくは同等部
材については同一符号が付されている。第３図において
、コンタクトリード１２は先端部がキャリアテープ３の
開口部３ａに臨むように形成されておシ、組立て工程に
おいて前記先端部が開口部３ａ内に挿入され、キャップ
１１と接続されることになる０コンタクトリード１２を
このように形成すると透孔１３を穿設する手間が省ける
０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、内側底面に半導体
素子の裏面が接着される金属キャップを備え、先端がキ
ャリアテープの開口部内に挿入され前記金属キャップに
接合されるコンタクト部を前記半導体素子の表面電極と
接続された裏面電位接続用リードに一体に設けたため、
半導体素子をキャリアテープに固着した時点で動作の確
認ができ、半導体素子の異常を早期に発見することがで
きる。仁のため、歩留シの向上およびコストダウンが実
現される。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す側断面図、第２
図（ａ）、 （ｂ）はキャリアテープに半導体素子が固
着された状態を示す平面図と要部を拡大して示す断面図
、第３図は他の実施例を示す平面図、第４図はＴＡＢ方
式によってキャリアテープに半導体素子が固着された状
態を示す図で、同図（ａ）は平面図、（ｂ）は消）図中
ＩＶ−ＩＶ線断面図を示し、第５図は半導体装置が基板
に実装された状態を示す側断面図である。 １・・−・半導体素子、２・・・・突起電極、３拳・・
・キャリアテープ、 ３ｍ＃・＃Ｏ開口部、４＠・・・
リード配線、１１・・・拳キャップ、１２・・・・コン
タクトリード、１３・・・・透孔。
図（ａ）、 （ｂ）はキャリアテープに半導体素子が固
着された状態を示す平面図と要部を拡大して示す断面図
、第３図は他の実施例を示す平面図、第４図はＴＡＢ方
式によってキャリアテープに半導体素子が固着された状
態を示す図で、同図（ａ）は平面図、（ｂ）は消）図中
ＩＶ−ＩＶ線断面図を示し、第５図は半導体装置が基板
に実装された状態を示す側断面図である。 １・・−・半導体素子、２・・・・突起電極、３拳・・
・キャリアテープ、 ３ｍ＃・＃Ｏ開口部、４＠・・・
リード配線、１１・・・拳キャップ、１２・・・・コン
タクトリード、１３・・・・透孔。
Claims (1)
- 裏面電位を要する半導体素子がＴＡＢ方式によつて固
着された半導体装置において、内側底面に半導体素子の
裏面が接着される金属キャップを備え、先端がキャリア
テープの開口部内に挿入され前記金属キャップに接合さ
れるコンタクト部を前記半導体素子の表面電極と接続さ
れた裏面電位接続用リードに一体に設けたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041071A JPH0680751B2 (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041071A JPH0680751B2 (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215051A true JPH01215051A (ja) | 1989-08-29 |
| JPH0680751B2 JPH0680751B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=12598213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041071A Expired - Fee Related JPH0680751B2 (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680751B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041071A patent/JPH0680751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680751B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |