JP2503646B2 - リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置 - Google Patents

リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置

Info

Publication number
JP2503646B2
JP2503646B2 JP1093734A JP9373489A JP2503646B2 JP 2503646 B2 JP2503646 B2 JP 2503646B2 JP 1093734 A JP1093734 A JP 1093734A JP 9373489 A JP9373489 A JP 9373489A JP 2503646 B2 JP2503646 B2 JP 2503646B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
integrated circuit
semiconductor integrated
tie bar
inner lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1093734A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02271654A (ja
Inventor
誠次 竹村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1093734A priority Critical patent/JP2503646B2/ja
Publication of JPH02271654A publication Critical patent/JPH02271654A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2503646B2 publication Critical patent/JP2503646B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止形の半導体集積回路装置を製造す
る場合に使用して好適な半導体集積回路に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
一般に、樹脂封止形の半導体集積回路装置を製造する
には、第4図に示すようなリードフレームAが使用され
る。
従来、この種のリードフレームAによって第5図
(a)および(b)に示すような半導体集積回路が形成
されている。これを同図に基づいて説明すると、符号1
で示すものは外枠2に吊りリード3によって弾性保持さ
れたダイパッド、4はこのダイパッド1上に接合され多
数の電極5をその周縁に有する半導体集積回路チップ、
6はこの半導体集積回路チップ4に金属細線7によって
接続されかつタイバー8によって連結されたインナーリ
ード6aとアウターリード6bからなるリード、9はこのリ
ード6のインナーリード6a,前記金属細線7および前記
半導体集積回路チップ4を封止する樹脂である。
このように構成された半導体集積回路は、樹脂封止後
にタイバー8を切断してから、リード成形加工を施すこ
とにより、第6図に示すような半導体集積回路装置Bを
製造することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、この種の半導体集積回路装置Bは、検査後
に第7図に示すように基板10上の導電パターン11にリー
ド6を接続して使用されるが、この際例えば抵抗やコン
デンサー等のチップ部品12も基板10上に実装される。こ
のため、基板10に対する半導体集積回路装置Bの実装に
は部品点数が嵩み、実装作業を煩雑にするという問題が
あった。また、基板10上にチップ部品12が必要であるこ
とは、部品実装スペースのみならずパターン用スペース
が広くなり、近年の高密度実装化に応じることができな
いという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、基
板に対する半導体集積回路装置の実装作業を簡単に行う
ことができると共に、近年の高密度実装化に応じること
ができる半導体集積回路を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るリードフレームは、互いに平行になるよ
うに形成した帯状の薄板からなる一対の外枠と、この外
枠の長手方向に複数並設しかつ外枠どうしの間に架け渡
されて外枠に一体に形成したタイバーと、これらのタイ
バーと外枠とによって囲まれた部位に配置しかつ外枠と
一体に形成した吊りリードを介して外枠に支持させたダ
イパッドと、前記タイバーに一体に形成してタイバーに
対して前記ダイパッド側に配設したインナーリードと、
このインナーリードに対して前記タイバーを挾んだ反対
側に配設したアウターリードとを備え、前記インナーリ
ードおよびアウターリードを外枠の並設方向に等間隔お
いて複数並設したリードフレームにおいて、互いに隣り
合うインナーリードのうち少なくとも一組のインナーリ
ードどうしの間に、これらのインナーリードのうちの一
方の先端部の近傍に延びるチップ部品接合部と、前記ダ
イパッドの近傍に延びるワイヤボンディング部とを有す
る補助インナーリードを前記タイバーに一体に形成して
配設したものである。また、本発明に係る半導体集積回
路装置は、前記リードフレームを用いて形成した半導体
集積回路装置であって、補助インナーリードの両側に位
置づけられた一組のインナーリードのうち補助インナー
リードのチップ部品接合部が近接する一方のインナーリ
ードと前記チップ部品接合部とにチップ部品を架け渡す
ように接合するとともに、前記補助インナーリードのワ
イヤボンディング部を、ダイパッドに固着した半導体集
積回路チップの電極に金属細線を介して接続し、ダイパ
ッド、吊りリード、半導体集積回路チップと電極、金属
細線、インナーリード、補助インナーリードおよび前記
チップ部品を一体的に樹脂封止したものである。
〔作用〕
本発明においては、半導体集積回路装置として基板上
に実装するに際し、基板上に半導体集積回路チップ以外
のチップ部品が不要になる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
第1図(a)および(b)は本発明に係る半導体集積
回路の樹脂封止前と封止後の状態を示す斜視図、第2図
は同じく本発明における半導体集積回路の形成時に使用
するリードフレームを示す斜視図で、同図以下において
第4図〜第7図と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号21で示
すものは前記電極5に前記金属細線7を介して接続する
リードで、前記半導体集積回路チップ4の周囲に設けら
れ、かつ前記タイバー8によって連結されている。前記
半導体集積回路チップ4は、互いに平行になるように形
成した帯状の薄板からなる一対の外枠2,2と、この外枠
2の長手方向に複数並設しかつ外枠2,2どうしの間に架
け渡されて外枠2に一体に形成した前記タイバー8とに
よって囲まれた部位に配置され、外枠2と一体に形成し
た吊りリード3を介して外枠2に支持させたダイパッド
1に接合されている。このリード21は、前記樹脂9外に
露呈するアウターリード21aと、このアウターリード21a
に接続するインナーリード21bとによって形成されてい
る。このアウターリード21aおよびインナーリード21bか
らなるリードは、外枠2,2の並設方向に等間隔おいて複
数並設されている。そして、互いに隣り合うインナーリ
ード21bのうち少なくとも一組のインナーリード21bどう
しの間に、前記タイバー8に一体に形成された補助イン
ナーリード22が配置されている。これらの互いに隣り合
うインナーリード21bの一方には、前記半導体集積回路
チップ4以外の前記チップ部品12を介して補助インナー
リード22が接続されている。
前記補助インナーリード22は、前記互いに隣り合うイ
ンナーリード21bのうちの一方の先端部の近傍に延びる
チップ部品接合部と、前記ダイパッド1の近傍に延びる
ワイヤボンディング部とを有し、前記インナーリード21
bと同様に前記樹脂9によって封止されている。一方、
他のインナーリード21bには各々が対応する前記電極5
が接続されている。
このように構成された半導体集積回路においては、第
3図に示すような半導体集積回路装置Cとして基板10上
に実装するに際し、基板10上に半導体集積回路チップ4
以外のチップ部品12が不要になる。
したがって、本実施例においては、基板10に対する半
導体集積回路装置Cの実装に必要な部品点数を削減する
ことができる。
また、本実施例においては、実装時に基板10上にチッ
プ部品12が不要であることは、部品実装スペースおよび
パターン用スペースを縮小させることができる。
次に、本発明における半導体集積回路を備えた半導体
集積回路装置Cの製造方法について説明する。
先ず、ダイパッド1上に半導体集積回路チップ4を接
合すると共に、一部のインナーリード21bと補助インナ
ーリード22に跨がってチップ部品12を装着する。次に、
補助リード22と他のインナーリード21bを各々が対応す
る電極5に金属細線7によって接続する。そして、樹脂
9によって半導体集積回路チップ4,金属細線7およびイ
ンナーリード21bを封止した後、樹脂9外のタイバー8
および補助リード22を切断してから、リード成形加工を
施す。
このようにして、半導体集積回路装置Cを製造するこ
とができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明に係るリードフレーム
は、互いに平行になるように形成した帯状の薄板からな
る一対の外枠と、この外枠の長手方向に複数並設しかつ
外枠どうしの間に架け渡されて外枠に一体に形成したタ
イバーと、これらのタイバーと外枠とによって囲まれた
部位に配置しかつ外枠と一体に形成した吊りリードを介
して外枠に支持させたダイパッドと、前記タイバーに一
体に形成してタイバーに対して前記ダイパッド側に配設
したインナーリードと、このインナーリードに対して前
記タイバーを挾んだ反対側に配設したアウターリードと
を備え、前記インナーリードおよびアウターリードを外
枠の並設方向に等間隔おいて複数並設したリードフレー
ムにおいて、互いに隣り合うインナーリードのうち少な
くとも一組のインナーリードどうしの間に、これらのイ
ンナーリードのうちの一方の先端部の近傍に延びるチッ
プ部品接合部と、前記ダイパッドの近傍に延びるワイヤ
ボンディング部とを有する補助インナーリードを前記タ
イバーに一体に形成して配設したものであり、また、本
発明に係る半導体集積回路装置は、前記リードフレーム
を用いて形成した半導体集積回路装置であって、補助イ
ンナーリードの両側に位置づけられた一組のインナーリ
ードのうち補助インナーリードのチップ部品接合部が近
接する一方のインナーリードと前記チップ部品接合部と
にチップ部品を架け渡すように接合するとともに、前記
補助インナーリードのワイヤボンディング部を、ダイパ
ッドに固着した半導体集積回路チップの電極に金属細線
を介して接続し、ダイパッド、吊りリード、半導体集積
回路チップと電極、金属細線、インナーリード、補助イ
ンナーリードおよび前記チップ部品を一体的に樹脂封止
したものであるため、半導体集積回路装置として基板上
に実装するに際し、基板上に半導体集積回路チップ以外
のチップ部品が不要になる。したがって、基板に対する
半導体集積回路装置の実装に必要な部品点数を削減する
ことができるから、基板に対する半導体集積回路装置の
実装作業を簡単に行うことができる。また、実装時に基
板上に半導体集積回路チップ以外のチップ部品が不要で
あることは、部品実装スペースおよびパターン用スペー
スを縮小させることができるから、近年の高密度実装化
に応じることができる。加えて、本発明によれば、いわ
ゆる標準的な半導体集積回路装置における寸法に余裕の
あるインナーリード間のスペースを有効利用してその外
形寸法を大きくすることなく、また、タイバーを利用し
てフラッシュばりを止める樹脂封止法やワイヤボンディ
ング法などの信頼性の確立された技術を用いて、樹脂封
止部内にチップ部品を搭載することができる。これによ
り、外形寸法が大きくなく、しかも、信頼性の高い半導
体集積回路装置を得ることができ、このような半導体集
積回路装置を実装する回路基板の実装密度を高めること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)および(b)は本発明に係る半導体集積回
路の樹脂封止前と封止後の状態を示す斜視図、第2図は
同じく本発明における半導体集積回路の形成時に使用す
るリードフレームを示す斜視図、第3図は本発明におけ
る半導体集積回路を備えた半導体集積回路装置を示す斜
視図、第4図は従来の半導体集積回路の形成時に使用す
るリードフレームを示す斜視図、第5図(a)および
(b)は従来の半導体集積回路の樹脂封止前と封止後の
状態を示す斜視図、第6図はその半導体集積回路を備え
た半導体集積回路装置を示す斜視図、第7図は半導体集
積回路装置の実装例を示す斜視図である。 1……ダイパッド、4……半導体集積回路チップ、5…
…電極、7……金属細線、8……タイバー、9……樹
脂、12……チップ部品、21……リード、21a……アウタ
ーリード、21b……インナーリード、22……補助インナ
ーリード。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】互いに平行になるように形成した帯状の薄
    板からなる一対の外枠と、この外枠の長手方向に複数並
    設しかつ外枠どうしの間に架け渡されて外枠に一体に形
    成したタイバーと、これらのタイバーと外枠とによって
    囲まれた部位に配置しかつ外枠と一体に形成した吊りリ
    ードを介して外枠に支持させたダイパッドと、前記タイ
    バーに一体に形成してタイバーに対して前記ダイパッド
    側に配設したインナーリードと、このインナーリードに
    対して前記タイバーを挾んだ反対側に配設したアウター
    リードとを備え、前記インナーリードおよびアウターリ
    ードを外枠の並設方向に等間隔おいて複数並設したリー
    ドフレームにおいて、互いに隣り合うインナーリードの
    うち少なくとも一組のインナーリードどうしの間に、こ
    れらのインナーリードのうちの一方の先端部の近傍に延
    びるチップ部品接合部と、前記ダイパッドの近傍に延び
    るワイヤボンディング部とを有する補助インナーリード
    を前記タイバーに一体に形成して配設したことを特徴と
    するリードフレーム。
  2. 【請求項2】請求項1記載のリードフレームを用いて形
    成した半導体集積回路装置であって、補助インナーリー
    ドの両側に位置づけられた一組のインナーリードのうち
    補助インナーリードのチップ部品接合部が近接する一方
    のインナーリードと前記チップ部品接合部とにチップ部
    品を架け渡すように接合するとともに、前記補助インナ
    ーリードのワイヤボンディング部を、ダイパッドに固着
    した半導体集積回路チップの電極に金属細線を介して接
    続し、ダイパッド、吊りリード、半導体集積回路チップ
    と電極、金属細線、インナーリード、補助インナーリー
    ドおよび前記チップ部品を一体的に樹脂封止したことを
    特徴とする半導体集積回路装置。
JP1093734A 1989-04-13 1989-04-13 リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置 Expired - Fee Related JP2503646B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093734A JP2503646B2 (ja) 1989-04-13 1989-04-13 リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093734A JP2503646B2 (ja) 1989-04-13 1989-04-13 リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02271654A JPH02271654A (ja) 1990-11-06
JP2503646B2 true JP2503646B2 (ja) 1996-06-05

Family

ID=14090640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1093734A Expired - Fee Related JP2503646B2 (ja) 1989-04-13 1989-04-13 リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2503646B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263461A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2727820B2 (ja) * 1991-09-20 1998-03-18 株式会社デンソー 半導体装置のリードフレーム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5993148U (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 東光株式会社 樹脂封止型モジユ−ル

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02271654A (ja) 1990-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5977615A (en) Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US6238953B1 (en) Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process for the device
JP2503646B2 (ja) リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置
KR0175417B1 (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법
US5606204A (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH09129798A (ja) 電子部品およびその製法
JPH08130267A (ja) 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH01257361A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2697743B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0366150A (ja) 半導体集積回路装置
JPH01140648A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH10242381A (ja) 複数のicチップを備えた密封型半導体装置の構造
JP3192238B2 (ja) 半導体装置の組立方法
KR200169976Y1 (ko) 반도체 패키지
JP2748620B2 (ja) 半導体装置
JPH0750384A (ja) マルチチップ半導体装置およびその製造方法
JPS62169461A (ja) 半導体装置
JPS63160262A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPS6060743A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0222886A (ja) 混成集積回路
JP2507271Y2 (ja) 半導体装置
JP2515882B2 (ja) リ―ドフレ―ム、リ―ドフレ―ムの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
JPS59198744A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2643898B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPS63110661A (ja) 半導体集積回路用樹脂封止形パツケ−ジ

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees