JP2727820B2 - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents
半導体装置のリードフレームInfo
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- JP2727820B2 JP2727820B2 JP3241463A JP24146391A JP2727820B2 JP 2727820 B2 JP2727820 B2 JP 2727820B2 JP 3241463 A JP3241463 A JP 3241463A JP 24146391 A JP24146391 A JP 24146391A JP 2727820 B2 JP2727820 B2 JP 2727820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- inner lead
- frame
- thermal expansion
- lead frame
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、チップ素子を組み込
み設定した半導体装置のリードフレームの構造に関す
る。
み設定した半導体装置のリードフレームの構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ノイズ電源を有する半導体回
路、あるいはジャイアントノイズが印加される環境で使
用される半導体回路等の集積回路を構成する半導体装置
にあっては、樹脂によってモールドされたリードフレー
ムに対して、ノイズ成分除去用のチップコンデンサ、チ
ップ抵抗等のチップ素子を実装している。
路、あるいはジャイアントノイズが印加される環境で使
用される半導体回路等の集積回路を構成する半導体装置
にあっては、樹脂によってモールドされたリードフレー
ムに対して、ノイズ成分除去用のチップコンデンサ、チ
ップ抵抗等のチップ素子を実装している。
【０００３】具体的には、集積回路素子を取り付けるリ
ードフレームに対して、チップコンデンサを導電性接着
剤を用いて取り付け設定するもので、半導体回路素子と
共にチップ素子を取り付けたリードフレームを樹脂によ
ってモールドして半導体集積回路装置が完成されるよう
にしている。
ードフレームに対して、チップコンデンサを導電性接着
剤を用いて取り付け設定するもので、半導体回路素子と
共にチップ素子を取り付けたリードフレームを樹脂によ
ってモールドして半導体集積回路装置が完成されるよう
にしている。
【０００４】図３は従来においてノイズ除去のためのノ
イズ除去チップ素子をリードフレームに実装した例を示
すもので、このリードフレームはアウターリード51と共
に第１および第２のインナーリード52および53を備え
る。
イズ除去チップ素子をリードフレームに実装した例を示
すもので、このリードフレームはアウターリード51と共
に第１および第２のインナーリード52および53を備え
る。
【０００５】ここで、アウターリード51は枠を構成する
ようにそれぞれＸおよびＹの直角方向に延びる２つの辺
部511 および512 を備えるもので、辺部511 および512
それぞれに対して、それぞれ内側方向に延びるように第
１および第２のタイバー54および55を突設し、これらタ
イバー54および55でそれぞれ第１および第２のインナー
リード52および53が支持されるようにしている。そし
て、この第１および第２のインナーリード52および53を
結合するようにして、チップコンデンサ56を導電ペース
トによる接着剤57を用いて取り付ける。
ようにそれぞれＸおよびＹの直角方向に延びる２つの辺
部511 および512 を備えるもので、辺部511 および512
それぞれに対して、それぞれ内側方向に延びるように第
１および第２のタイバー54および55を突設し、これらタ
イバー54および55でそれぞれ第１および第２のインナー
リード52および53が支持されるようにしている。そし
て、この第１および第２のインナーリード52および53を
結合するようにして、チップコンデンサ56を導電ペース
トによる接着剤57を用いて取り付ける。
【０００６】この様なリードフレームにあっては、チッ
プコンデンサ56がインナーリード52と53の相互間を結合
するように接着された後、モールドされた半導体回路装
置を構成するために加熱する工程が存在する。リードフ
レームが加熱されると、熱膨脹が生ずるもので、第１お
よび第２のタイバー54および55部において、それぞれア
ウターリード51の各辺部511 、512 から離れる方向に延
びるようになる。
プコンデンサ56がインナーリード52と53の相互間を結合
するように接着された後、モールドされた半導体回路装
置を構成するために加熱する工程が存在する。リードフ
レームが加熱されると、熱膨脹が生ずるもので、第１お
よび第２のタイバー54および55部において、それぞれア
ウターリード51の各辺部511 、512 から離れる方向に延
びるようになる。
【０００７】この熱膨脹による力は、タイバー54および
55にそれぞれ結合された第１および第２のインナーリー
ド52および53にそのまま作用し、またこの第１および第
２のインナーリード52および53がチップコンデンサ56に
よって結合されているものであるため、図に矢印で示す
ようにそれぞれ反対方向の力ｆがインナーリード52およ
び53それぞれに作用する。すなわち、加熱作用によって
チップコンデンサ56に対して捩じれの力および剪断力が
作用し、チップコンデンサ56が離脱するようになる。
55にそれぞれ結合された第１および第２のインナーリー
ド52および53にそのまま作用し、またこの第１および第
２のインナーリード52および53がチップコンデンサ56に
よって結合されているものであるため、図に矢印で示す
ようにそれぞれ反対方向の力ｆがインナーリード52およ
び53それぞれに作用する。すなわち、加熱作用によって
チップコンデンサ56に対して捩じれの力および剪断力が
作用し、チップコンデンサ56が離脱するようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、アウターリードに対してタ
イバーを介してインナーリードを結合し、このインナー
リードにチップ抵抗、チップコンデンサ等のチップ素子
を接着して実装した場合においても、その後のリードフ
レームの加熱処理工程によってチップ素子が離脱される
ことがなく、信頼性に富む半導体回路装置を構成できる
ようにした半導体装置のリードフレームを提供しようと
するものである。
な点に鑑みなされたもので、アウターリードに対してタ
イバーを介してインナーリードを結合し、このインナー
リードにチップ抵抗、チップコンデンサ等のチップ素子
を接着して実装した場合においても、その後のリードフ
レームの加熱処理工程によってチップ素子が離脱される
ことがなく、信頼性に富む半導体回路装置を構成できる
ようにした半導体装置のリードフレームを提供しようと
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームは、アウターリードに第１のタイバーによって結
合された第１のインナーリード、および第２のタイバー
によって結合された前記第１のインナーリードと平行に
設定される第２のインナーリードを設け、この第１およ
び第２のインナーリードの相互間にチップ素子接続結合
する。そして、第１および第２のタイバーは、第１およ
び第２のインナーリードの熱膨張の方向を抑制して、チ
ップ素子と第１および第２のインナーリードとのそれぞ
れの接続点での熱膨張の方向、およびこの熱膨張の大き
さがほぼ同一とされるように形成配置されるようにす
る。
レームは、アウターリードに第１のタイバーによって結
合された第１のインナーリード、および第２のタイバー
によって結合された前記第１のインナーリードと平行に
設定される第２のインナーリードを設け、この第１およ
び第２のインナーリードの相互間にチップ素子接続結合
する。そして、第１および第２のタイバーは、第１およ
び第２のインナーリードの熱膨張の方向を抑制して、チ
ップ素子と第１および第２のインナーリードとのそれぞ
れの接続点での熱膨張の方向、およびこの熱膨張の大き
さがほぼ同一とされるように形成配置されるようにす
る。
【００１０】
【作用】この様に構成される半導体装置のリードフレー
ムにおいて、チップ素子を実装した状態で加熱された場
合、第１および第２のインナーリードそれぞれの前記チ
ップ素子が接合された部分には、熱膨脹によって同一の
方向の力が作用するようになる。したがって、チップ素
子の第１および第２のそれぞれインナーリードとの結合
部には捩じれの力が作用することがなく、当然剪断力も
作用しない。したがって、リードフレームを加熱処理し
てもチップ素子が離脱されることがなく、この半導体装
置の信頼性は確実に確保される。
ムにおいて、チップ素子を実装した状態で加熱された場
合、第１および第２のインナーリードそれぞれの前記チ
ップ素子が接合された部分には、熱膨脹によって同一の
方向の力が作用するようになる。したがって、チップ素
子の第１および第２のそれぞれインナーリードとの結合
部には捩じれの力が作用することがなく、当然剪断力も
作用しない。したがって、リードフレームを加熱処理し
てもチップ素子が離脱されることがなく、この半導体装
置の信頼性は確実に確保される。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。図１はリードフレーム11の平面的な構成を示
すもので、このリードフレーム11は金属板を打ち抜き加
工等によって形成されたアウターリード12を備える。
説明する。図１はリードフレーム11の平面的な構成を示
すもので、このリードフレーム11は金属板を打ち抜き加
工等によって形成されたアウターリード12を備える。
【００１２】このアウターリード12は、直角に折曲され
た辺部121 および122 を備えるもので、その各辺部121
および122に対してそれぞれ内側に向けて第１および第
２のタイバー131 および132 が突設形成されている。ま
た、このアウターリード12の直角に形成された内側部分
に、アウターリード12との間に間隔を設定して第１のイ
ンナーリード14が配置される。
た辺部121 および122 を備えるもので、その各辺部121
および122に対してそれぞれ内側に向けて第１および第
２のタイバー131 および132 が突設形成されている。ま
た、このアウターリード12の直角に形成された内側部分
に、アウターリード12との間に間隔を設定して第１のイ
ンナーリード14が配置される。
【００１３】この第１のインナーリード14は、アウター
リード12の辺部121 および122 それぞれと平行となる辺
部141 および142 を備えるもので、この辺部141 および
142はそれぞれ第１および第２のタイバー131 および132
によって結合される。
リード12の辺部121 および122 それぞれと平行となる辺
部141 および142 を備えるもので、この辺部141 および
142はそれぞれ第１および第２のタイバー131 および132
によって結合される。
【００１４】アウターリード12には、さらに第１のタイ
バー131 と平行に第３のタイバー15が突設されている。
そして、この第３のタイバー15に第２のインナーリード
16が結合保持されるもので、この第２のインナーリード
16はタイバー15の延びる方向に設定された辺部161 と、
この辺部161 から直角に折曲され、アウターリード12の
辺部121 と平行にされる辺部162 とによって構成され
る。
バー131 と平行に第３のタイバー15が突設されている。
そして、この第３のタイバー15に第２のインナーリード
16が結合保持されるもので、この第２のインナーリード
16はタイバー15の延びる方向に設定された辺部161 と、
この辺部161 から直角に折曲され、アウターリード12の
辺部121 と平行にされる辺部162 とによって構成され
る。
【００１５】すなわち、第１のインナーリード14の辺部
141 と第２のインナーリード16の辺部162 とは、所定の
間隔をおいて平行に設定されるもので、この第１のイン
ナーリード14の第１のタイバー131 に結合される部分
と、第２のインナーリード16の辺部162 の中間位置部分
との間に、チップコンデンサ17が、導電ペーストによっ
て構成された接着剤181 、182 によって熱硬化接着され
ている。
141 と第２のインナーリード16の辺部162 とは、所定の
間隔をおいて平行に設定されるもので、この第１のイン
ナーリード14の第１のタイバー131 に結合される部分
と、第２のインナーリード16の辺部162 の中間位置部分
との間に、チップコンデンサ17が、導電ペーストによっ
て構成された接着剤181 、182 によって熱硬化接着され
ている。
【００１６】この図において、アウターリード12の辺部
121 の延びる方向（図の垂直方向）をＹ方向、その直角
の方向をＸ方向とした直角座標を設定すると、このリー
ドフレーム11が加熱された場合に、アウターリード12お
よび第１および第２のインナーリード14および16がＸ軸
およびＹ軸に対応して熱膨脹する。
121 の延びる方向（図の垂直方向）をＹ方向、その直角
の方向をＸ方向とした直角座標を設定すると、このリー
ドフレーム11が加熱された場合に、アウターリード12お
よび第１および第２のインナーリード14および16がＸ軸
およびＹ軸に対応して熱膨脹する。
【００１７】まず、第２のインナーリード16のチップコ
ンデンサ17との結合部においては、（Ｙ−）方向には拘
束されていないために加熱膨脹によって力ｆy22 が発生
するが、このインナーリード16の辺部162 が（Ｙ＋）方
向に延びるように設定されているため、熱膨脹によって
ｆy21 が発生され、ｆy22 の大きな膨脹分が打ち消され
る。さらに、このインナーリード16は（Ｘ＋）方向には
拘束されず、加熱によってｆx2の力が発生する。
ンデンサ17との結合部においては、（Ｙ−）方向には拘
束されていないために加熱膨脹によって力ｆy22 が発生
するが、このインナーリード16の辺部162 が（Ｙ＋）方
向に延びるように設定されているため、熱膨脹によって
ｆy21 が発生され、ｆy22 の大きな膨脹分が打ち消され
る。さらに、このインナーリード16は（Ｘ＋）方向には
拘束されず、加熱によってｆx2の力が発生する。
【００１８】この様に第２のインナーリード16の特にチ
ップコンデンサ17が結合された部分においては、ｆx2と
（ｆy22 −ｆy21 ）との合成ベクトルによって、ｆxy2
の方向に熱膨脹をするようになる。
ップコンデンサ17が結合された部分においては、ｆx2と
（ｆy22 −ｆy21 ）との合成ベクトルによって、ｆxy2
の方向に熱膨脹をするようになる。
【００１９】これに対して、第１のインナーリード14に
おいては、第２のインナーリード16と熱膨脹方向を同一
にするため、（Ｙ−）の方向に延ばすように辺部141 を
構成している。そして、この辺部141 の膨脹を制約する
ために、第１および第２のタイバー131 および132 によ
って、この第１のインナーリード14がアウターリード12
に結合されるようにしている。
おいては、第２のインナーリード16と熱膨脹方向を同一
にするため、（Ｙ−）の方向に延ばすように辺部141 を
構成している。そして、この辺部141 の膨脹を制約する
ために、第１および第２のタイバー131 および132 によ
って、この第１のインナーリード14がアウターリード12
に結合されるようにしている。
【００２０】すなわち、この第１のインナーリード14の
チップ素子17が接合される部分においてｆX1で示す（Ｘ
＋）方向への膨張と、その逆の（Ｘ−）方向への膨張を
第１のタイバー131 によって制約する。したがって、こ
の第１のインナーリード14はｆX1とｆY1の合成によって
ｆXY1 の方向に熱膨張する。
チップ素子17が接合される部分においてｆX1で示す（Ｘ
＋）方向への膨張と、その逆の（Ｘ−）方向への膨張を
第１のタイバー131 によって制約する。したがって、こ
の第１のインナーリード14はｆX1とｆY1の合成によって
ｆXY1 の方向に熱膨張する。
【００２１】したがって、ｆxy1 とｆxy2 のそれぞれ膨
脹方向と膨脹量をほぼ等価にすることが可能とされ、第
１および第２のインナーリード14と16との間を結合して
いるチップコンデンサ17に作用する捩じれ力および剪断
力が効果的に緩和される。したがって、チップコンデン
サ17は加熱処理された過程においても離脱されることが
なく、この半導体装置の信頼性が向上される。
脹方向と膨脹量をほぼ等価にすることが可能とされ、第
１および第２のインナーリード14と16との間を結合して
いるチップコンデンサ17に作用する捩じれ力および剪断
力が効果的に緩和される。したがって、チップコンデン
サ17は加熱処理された過程においても離脱されることが
なく、この半導体装置の信頼性が向上される。
【００２２】図２は他の実施例を示すもので、アウター
リード21の１つの辺部に、この辺部の延びる方向と直角
の方向に延びるようにして、第１および第２のインナー
リード22および23を設定する。そして、この第１および
第２のインナーリード22および23のそれぞれ基端部とア
ウターリード21との間を、それぞれタイバー24および25
によって結合させるようにする。
リード21の１つの辺部に、この辺部の延びる方向と直角
の方向に延びるようにして、第１および第２のインナー
リード22および23を設定する。そして、この第１および
第２のインナーリード22および23のそれぞれ基端部とア
ウターリード21との間を、それぞれタイバー24および25
によって結合させるようにする。
【００２３】すなわち、このリードフレーム11にあって
は、第１および第２のインナーリード22および23のそれ
ぞれ取り出し方向および寸法が同一に設定されるもの
で、これら平行のインナーリード22と23との間にチップ
コンデンサ17が接着剤181 および182 によって接着結合
されている。したがって、このインナーリード22、23そ
れぞれとチップコンデンサ17の接着結合部において、加
熱によって発生するｆ1 およびｆ2 の膨脹方向と膨脹量
を等価にすることができる。
は、第１および第２のインナーリード22および23のそれ
ぞれ取り出し方向および寸法が同一に設定されるもの
で、これら平行のインナーリード22と23との間にチップ
コンデンサ17が接着剤181 および182 によって接着結合
されている。したがって、このインナーリード22、23そ
れぞれとチップコンデンサ17の接着結合部において、加
熱によって発生するｆ1 およびｆ2 の膨脹方向と膨脹量
を等価にすることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
のリードフレームにあっては、例えばノイズ電源を有す
る場合、あるいはジャイアントノイズが印加される場合
の対策としてチップ抵抗あるいはチップコンデンサ等の
チップ素子が実装される場合、リードフレームの加熱処
理等が行われても、チップ素子の実装部分に対して、熱
膨脹によって捩じれ力、剪断力等が作用されることを抑
制できるものであり、チップ素子の離脱等が生ずること
がなく、この半導体装置の信頼性が確実に向上されるよ
うになる。
のリードフレームにあっては、例えばノイズ電源を有す
る場合、あるいはジャイアントノイズが印加される場合
の対策としてチップ抵抗あるいはチップコンデンサ等の
チップ素子が実装される場合、リードフレームの加熱処
理等が行われても、チップ素子の実装部分に対して、熱
膨脹によって捩じれ力、剪断力等が作用されることを抑
制できるものであり、チップ素子の離脱等が生ずること
がなく、この半導体装置の信頼性が確実に向上されるよ
うになる。
【図１】この発明の一実施例に係るリードフレームを示
す平面図。
す平面図。
【図２】この発明の他の実施例に係るリードフレームを
示す平面図。
示す平面図。
【図３】従来のリードフレームを説明する平面図。
11…リードフレーム、12、21…アウターリード、131 、
132 、15、24、25…タイバー、14、22…第１のインナー
リード、16、23…第２のインナーリード、17…チップコ
ンデンサ、181 、182 …接着剤。
132 、15、24、25…タイバー、14、22…第１のインナー
リード、16、23…第２のインナーリード、17…チップコ
ンデンサ、181 、182 …接着剤。
フロントページの続き (72)発明者 伊澤 一朗 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 加藤 初幸 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 石川 克己 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−191460（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271654（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−168659（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−98650（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】直角に接続して形成された第１の辺部 (12
2)と第２の辺部 (121)を有して枠を構成するアウターリ
ード(12)と、 前記アウターリード(12)の第１の辺部 (122)に平行とな
る第３の辺部 (142)と前記アウターリード(12)の第２の
辺部 (121)に平行となる第４の辺部 (141)を有し、前記
第１の辺部 (122)と第３の辺部 (142)を接続する第１の
タイバー(132)および前記第２の辺部 (121)と前記第４
の辺部 (141)を接続する第２のタイバー(131) にて前記
アウターリード(12)の枠の内側部分に該アウターリード
(12)に対し間隔をおいて結合設定された第１のインナー
リード(14)と、 基端部が前記アウターリード(12)の第２の辺部 (121)に
第３のタイバー(15)にて接続され、前記第１のインナー
リード(14)の第４の辺部 (141)に平行に設定される第５
の辺部 (162)を有する第２のインナーリード(16)と、 前記第１のインナーリード(14)の第４の辺部 (141)と前
記第２のインナーリード(16)の第５の辺部 (162)の間に
当該第４の辺部 (141)及び第５の辺部 (162)に対して略
直角に接続結合されたチップ素子(17)と、 を備え、 前記第１、第２、および第３のタイバー（132 、131 、
15）によって、前記第１および第２のインナーリード(1
4 、16) の熱膨張の方向を抑制して、前記チップ素子(1
7)と前記第１のインナーリード(14)の第４の辺部 (141)
と第２のインナーリード(16 ) の第５の辺部 (162)との
それぞれの接続点での熱膨張の方向、およびこの熱膨張
の大きさがほぼ同一とされることを特徴とする半導体装
置のリードフレーム。 - 【請求項２】枠を構成するアウターリード(21)と、 前記枠の１つの辺部に第１のタイバー(24)によって結合
され、この辺部の延びる方向と直角の方向に延びる第１
のインナーリード(22)と、 前記枠の前記辺部に第２のタイバー(25)によって結合さ
れ、この辺部の延びる方向と直角の方向に延びると共に
前記第１のインナーリード(22)に平行かつ実質 的に同一
寸法の第２のインナーリード(23)と、 前記第１のインナーリード(22)と前記第２のインナーリ
ード(23)の間に両第１及び第２のインナーリード(22 、
23) に対して略直角に接続結合されたチップ素子(17)
と、 を備え、 前記第１および第２のタイバー（24、25）によって、前
記第１および第２のインナーリード(22 、23) の熱膨張
の方向を抑制して、前記チップ素子(17)と前記第１のイ
ンナーリード(22)と前記第２のインナーリード(23)との
それぞれの接続点での熱膨張の方向、およびこの熱膨張
の大きさがほぼ同一とされることを特徴とする半導体装
置のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241463A JP2727820B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241463A JP2727820B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体装置のリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582697A JPH0582697A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2727820B2 true JP2727820B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17074694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3241463A Expired - Lifetime JP2727820B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727820B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206373A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| TW488054B (en) * | 2001-06-22 | 2002-05-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package for integrating surface mount devices |
| JP6653235B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-02-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194587A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Nec Corp | Semiconductor light receiving device |
| JPS58191460A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品 |
| JPH02168659A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-28 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2503646B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | リ―ドフレ―ムおよび半導体集積回路装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3241463A patent/JP2727820B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582697A (ja) | 1993-04-02 |
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