JP2694879B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2694879B2 JP2694879B2 JP3110938A JP11093891A JP2694879B2 JP 2694879 B2 JP2694879 B2 JP 2694879B2 JP 3110938 A JP3110938 A JP 3110938A JP 11093891 A JP11093891 A JP 11093891A JP 2694879 B2 JP2694879 B2 JP 2694879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode terminal
- semiconductor device
- load
- power module
- electrode terminals
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特に電
極の形状に関するものである。
極の形状に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は一般的なインサートケースで構成
されるモジュールの断面図を示したものである。図にお
いて、１は銅ベース板、２は絶縁基板、３は外部電極端
子、４はエポキシ樹脂、５はシリコンゲル、６は外部電
極端子をインサート（アウトサート）により固着したケ
ースを示す。
されるモジュールの断面図を示したものである。図にお
いて、１は銅ベース板、２は絶縁基板、３は外部電極端
子、４はエポキシ樹脂、５はシリコンゲル、６は外部電
極端子をインサート（アウトサート）により固着したケ
ースを示す。
【０００３】次に作用について説明する。インサートケ
ースを用いるパワーモジュールの一般的アセンブリは、
銅ベース板１上に絶縁基板２を接着し、この絶縁基板上
に各種半導体（図示していない）を半田等で溶着する。
この状態の製品にインサートケース６を上からかぶせる
様に銅ベース板１に接着する。この時、インサートケー
スと銅ベース板との接着部に接着剤（図示していない）
を塗布し、かつ電極端子３の絶縁基板２との接合面に半
田を塗布しておいて接着する。なおこの接着工程は加熱
して行ない、接合が完了する。
ースを用いるパワーモジュールの一般的アセンブリは、
銅ベース板１上に絶縁基板２を接着し、この絶縁基板上
に各種半導体（図示していない）を半田等で溶着する。
この状態の製品にインサートケース６を上からかぶせる
様に銅ベース板１に接着する。この時、インサートケー
スと銅ベース板との接着部に接着剤（図示していない）
を塗布し、かつ電極端子３の絶縁基板２との接合面に半
田を塗布しておいて接着する。なおこの接着工程は加熱
して行ない、接合が完了する。
【０００４】次に電極の作用について説明する。一般に
パワーモジュール内の電極端子はＳ字形状となっている
が（以下Ｓベンドと呼ぶ）、これはパワーモジュールの
組立及び動作時に発生する熱により各部品に生じる歪が
電極端子に加わる荷重をこのＳベンド部で吸収する様設
計されている。
パワーモジュール内の電極端子はＳ字形状となっている
が（以下Ｓベンドと呼ぶ）、これはパワーモジュールの
組立及び動作時に発生する熱により各部品に生じる歪が
電極端子に加わる荷重をこのＳベンド部で吸収する様設
計されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の電極端子は、以
上のようにＳベンド形状で設計されているが、Ｓベンド
加工には高さ方向、特に低くする事に対し限度がある。
これによりＳベンド高さを低くすることが困難であり、
パワーモジュール全高を低くできないという問題点があ
った。
上のようにＳベンド形状で設計されているが、Ｓベンド
加工には高さ方向、特に低くする事に対し限度がある。
これによりＳベンド高さを低くすることが困難であり、
パワーモジュール全高を低くできないという問題点があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パワーモジュール内の電極端子
高さを低くできるとともに、電極端子へ加わる荷重を吸
収することのできる半導体装置を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、パワーモジュール内の電極端子
高さを低くできるとともに、電極端子へ加わる荷重を吸
収することのできる半導体装置を得ることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、電極端子へ加わる荷重の吸収部を水平方向へＵ字
形の形状とすることにより、電極端子へ加わる引張り及
び圧縮荷重を吸収できる様にするとともに、パワーモジ
ュール内電極端子の高さを低くするものである。
置は、電極端子へ加わる荷重の吸収部を水平方向へＵ字
形の形状とすることにより、電極端子へ加わる引張り及
び圧縮荷重を吸収できる様にするとともに、パワーモジ
ュール内電極端子の高さを低くするものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体装置は、電極端子へ加
わる荷重を電極端子の水平面にＵ字形の形状を設ける事
により吸収するとともに、パワーモジュール内電極端子
の高さを低くすることにより、パワーモジュール全高を
低くでき、パワーモジュールの小型化が図れる。
わる荷重を電極端子の水平面にＵ字形の形状を設ける事
により吸収するとともに、パワーモジュール内電極端子
の高さを低くすることにより、パワーモジュール全高を
低くでき、パワーモジュールの小型化が図れる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１ａ，ｂ，ｃは電極端子３の正面図と平面図と
側面図であり、図が示す様に電極端子３へ加わる荷重の
吸収部３ａを、立ち上がり縦方向と直角方向の水平方向
へＵ字形に形成している。
する。図１ａ，ｂ，ｃは電極端子３の正面図と平面図と
側面図であり、図が示す様に電極端子３へ加わる荷重の
吸収部３ａを、立ち上がり縦方向と直角方向の水平方向
へＵ字形に形成している。
【００１０】次にその作用について説明する。図２ａは
通常の荷重が加わっていない状態であり、ｂ，ｃは各々
引張り荷重、圧縮荷重が加わった状態で、電極端子へ加
わる引張り及び圧縮荷重を吸収する動作を示す。即ち、
引張り、圧縮荷重とも、電極端子の水平方向へ延びたＵ
字形ベンド部３ａのたわみにより荷重を吸収する。
通常の荷重が加わっていない状態であり、ｂ，ｃは各々
引張り荷重、圧縮荷重が加わった状態で、電極端子へ加
わる引張り及び圧縮荷重を吸収する動作を示す。即ち、
引張り、圧縮荷重とも、電極端子の水平方向へ延びたＵ
字形ベンド部３ａのたわみにより荷重を吸収する。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、パワー
モジュール内の電極端子高さを、寸分高くすることな
く、水平方向に形成したＵベンド部で電極端子へ加わる
荷重を吸収できるようにしたので、パワーモジュールの
小型化、シリコンゲル使用量の削減が図れ、かつヒート
サイクル時の信頼性が得られる効果がある。
モジュール内の電極端子高さを、寸分高くすることな
く、水平方向に形成したＵベンド部で電極端子へ加わる
荷重を吸収できるようにしたので、パワーモジュールの
小型化、シリコンゲル使用量の削減が図れ、かつヒート
サイクル時の信頼性が得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による電極端子を示す正面
図ａと平面図ｂと側面図ｃである。
図ａと平面図ｂと側面図ｃである。
【図２】ａは電極端子の通常状態を、ｂ，ｃは引張り荷
重、及び圧縮荷重の吸収動作を示す図である。
重、及び圧縮荷重の吸収動作を示す図である。
【図３】従来のパワーモジュールの断面図である。
１ 銅ベース板 ２ 絶縁基板 ３ 外部電極 ３ａ 水平Ｕベンド部 ４ エポキシ樹脂 ５ シリコンゲル ６ インサートケース
Claims (1)
- 【請求項１】 ケース内で他の部品と共に基板上に立て
た状態で樹脂封止する電極端子を有する半導体装置にお
いて、上記電極端子を縦の長さ方向と直角方向の水平方
向へＵ字形に曲げたＵベンド荷重吸収部を設け、電極端
子にかかる荷重をこの水平方向のＵベンド部で吸収する
ようにし、荷重吸収部が電極高さに影響しないように構
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110938A JP2694879B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110938A JP2694879B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316358A JPH04316358A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2694879B2 true JP2694879B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=14548387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3110938A Expired - Lifetime JP2694879B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694879B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19638090C2 (de) * | 1996-09-18 | 2001-11-29 | Infineon Technologies Ag | Stromanschluß für Leistungshalbleiterbauelement |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123560U (ja) * | 1980-02-21 | 1981-09-19 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3110938A patent/JP2694879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04316358A (ja) | 1992-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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