JPH03228339A - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH03228339A JPH03228339A JP2460590A JP2460590A JPH03228339A JP H03228339 A JPH03228339 A JP H03228339A JP 2460590 A JP2460590 A JP 2460590A JP 2460590 A JP2460590 A JP 2460590A JP H03228339 A JPH03228339 A JP H03228339A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- leads
- bonding tool
- substrate
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に係り、特にＴＡＢ （Ｔ
ａｐｅ Ａｕｔｏ＋＊ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法に
よる半導体製造工程の一つであるアウターリードボンデ
ィング工程で用いられるボンディングツールの構造に関
するものである。
ａｐｅ Ａｕｔｏ＋＊ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法に
よる半導体製造工程の一つであるアウターリードボンデ
ィング工程で用いられるボンディングツールの構造に関
するものである。
半導体素子上のボンディングパッドと外部とを電気的に
接続する方法として、従来より、金やアルミ等の金属細
線とリードフレームを用いて接続する方法がある。しか
し、この方法だと半導体素子上の電極パッドの間隔をあ
まり狭めることができないという制約があった。そこで
最近、特に多数（主に１００以上）の電極パッドを有す
る半導体素子においては、Ｔ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法が用いられる様
になった。この発明は、ＴＡＢ法を用いて製造された半
導体装置を基板に取付ける工程、いわゆるアウターリー
ドボンディング工程で用いられる装置（アウターリード
ボンダー）の一部であるボンディングツールの構造に関
するものである。
接続する方法として、従来より、金やアルミ等の金属細
線とリードフレームを用いて接続する方法がある。しか
し、この方法だと半導体素子上の電極パッドの間隔をあ
まり狭めることができないという制約があった。そこで
最近、特に多数（主に１００以上）の電極パッドを有す
る半導体素子においては、Ｔ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法が用いられる様
になった。この発明は、ＴＡＢ法を用いて製造された半
導体装置を基板に取付ける工程、いわゆるアウターリー
ドボンディング工程で用いられる装置（アウターリード
ボンダー）の一部であるボンディングツールの構造に関
するものである。
以下、従来の技術について説明する。第３図ａ。
ｂは従来のボンディングツールを用いたアウターリード
ボンディング工程を示す断面図であり、図において、１
はボンディングツール、２は半導体素子、３はリード、
４は上記半導体素子２上に形成された電極と上記リード
３とを接続するバンプ、５はプリント配線等の基板、６
は上記基板５に形成されたボンディングパッド、７は上
記基板５と上記半導体素子２の間に介在させるスペーサ
ーである。
ボンディング工程を示す断面図であり、図において、１
はボンディングツール、２は半導体素子、３はリード、
４は上記半導体素子２上に形成された電極と上記リード
３とを接続するバンプ、５はプリント配線等の基板、６
は上記基板５に形成されたボンディングパッド、７は上
記基板５と上記半導体素子２の間に介在させるスペーサ
ーである。
次に動作について説明する。第３図ａ、ｂにおいて、ア
ウターリードボンディングの前工程であるインナーリー
ドボンディング工程により半導体素子２上の電極とリー
ド３をバンプ４を介して接続したものと、ボンディング
ツール１との位置合わせを行う。更に、これら位置合わ
せをしたものと、基板５上に形成されたボンディングパ
ッド６とを、スペーサー７をはさんで再度位置合わせを
する０次に、ボンディングツール１によってり−ト３を
ボンディングパッド６まで押し下げた後、加熱すること
により、リード３とボンディングパッド６とを接続する
。この時、リード３の一端はバンプ４により固定されて
いるため、バンプ４からボンディングパッド６までのリ
ード３の形状は、第３図すに示す様に直線的にフォーミ
ングされることとなる。
ウターリードボンディングの前工程であるインナーリー
ドボンディング工程により半導体素子２上の電極とリー
ド３をバンプ４を介して接続したものと、ボンディング
ツール１との位置合わせを行う。更に、これら位置合わ
せをしたものと、基板５上に形成されたボンディングパ
ッド６とを、スペーサー７をはさんで再度位置合わせを
する０次に、ボンディングツール１によってり−ト３を
ボンディングパッド６まで押し下げた後、加熱すること
により、リード３とボンディングパッド６とを接続する
。この時、リード３の一端はバンプ４により固定されて
いるため、バンプ４からボンディングパッド６までのリ
ード３の形状は、第３図すに示す様に直線的にフォーミ
ングされることとなる。
従来のボンディングツールによれば、バンプ４からボン
ディングパッド６までのり−ド３の形状が直線的にフォ
ーミングされた状態で接合されるため、リード３に対し
て熱や外力によるストレス（特に引張応力）が加わった
場合、リード３に強度劣化や破断が発生し、接合の信頼
性が著しく低下するなどの問題点があった。
ディングパッド６までのり−ド３の形状が直線的にフォ
ーミングされた状態で接合されるため、リード３に対し
て熱や外力によるストレス（特に引張応力）が加わった
場合、リード３に強度劣化や破断が発生し、接合の信頼
性が著しく低下するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、耐ストレス性を有する形状にリードをフォー
ミングできるボンディングツールを得ることを目的とす
る。
たもので、耐ストレス性を有する形状にリードをフォー
ミングできるボンディングツールを得ることを目的とす
る。
この発明に係るボンデインツールは、半導体装置のリー
ドを基板上のボンディングパッドに取り付けるアウター
リードボンディング工程に使用されるボンディングツー
ルにおいて、リードに接触するボンディングツール下面
に曲率部又は面取部を設けたものである。
ドを基板上のボンディングパッドに取り付けるアウター
リードボンディング工程に使用されるボンディングツー
ルにおいて、リードに接触するボンディングツール下面
に曲率部又は面取部を設けたものである。
この発明におけるボンディングツールは、その下面に曲
率部又は面取部を設けることにより、リードが耐ストレ
ス性を有するたわみを持った形状にフォーミングされた
状態で基板に接合されることとなる。
率部又は面取部を設けることにより、リードが耐ストレ
ス性を有するたわみを持った形状にフォーミングされた
状態で基板に接合されることとなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ａ、ｂにおいて、１はボンディングツール、２は半導
体素子、３はリード、４は上記半導体素子２上の電極と
上記リード３を接続するためのバンプ、５はプリント配
線等の基板、６は上記基板５に形成されたボンディング
パッド、７は上記基板５と上記半導体素子２の間に介在
させるスペーサー、８は上記ボンディングツール１の上
記リード３に接触する下面のへりの半導体素子２側に設
けられた曲率部である。
図ａ、ｂにおいて、１はボンディングツール、２は半導
体素子、３はリード、４は上記半導体素子２上の電極と
上記リード３を接続するためのバンプ、５はプリント配
線等の基板、６は上記基板５に形成されたボンディング
パッド、７は上記基板５と上記半導体素子２の間に介在
させるスペーサー、８は上記ボンディングツール１の上
記リード３に接触する下面のへりの半導体素子２側に設
けられた曲率部である。
次に動作について説明する。第１図ａ、ｂにおいて、従
来技術の場合と同様に、アウターリードボンディングの
前工程であるインナーリードボンディング工程により半
導体素子２上の電極とり−ド３をバンプ４を介して接続
したものと、ボンディングツール１との位置合わせを行
う。更に、これら位置合わせをしたものと、基板５上に
形成されたボンディングパッド６とを、スペーサー７を
はさんで位置合わせをする。次に、ボンディングツール
１を下降させて、曲率部８を設けた下面によりリード３
を基板５のボンディングパッド６に押し付けた後、加熱
することにより、リード３とボンディングパッド６とを
接続する。この際、ボンディングツール１の下部のリー
ド３は、ボンディングツール１の下面の形状に従って、
第１図すに示す様に曲率を持った形状にフォーミングさ
れた状態で基板５のボンディングパッド６に接着される
。即ち、バンプ４からボンディングパッド６までのリー
ド３はたわみを持った形状となる。
来技術の場合と同様に、アウターリードボンディングの
前工程であるインナーリードボンディング工程により半
導体素子２上の電極とり−ド３をバンプ４を介して接続
したものと、ボンディングツール１との位置合わせを行
う。更に、これら位置合わせをしたものと、基板５上に
形成されたボンディングパッド６とを、スペーサー７を
はさんで位置合わせをする。次に、ボンディングツール
１を下降させて、曲率部８を設けた下面によりリード３
を基板５のボンディングパッド６に押し付けた後、加熱
することにより、リード３とボンディングパッド６とを
接続する。この際、ボンディングツール１の下部のリー
ド３は、ボンディングツール１の下面の形状に従って、
第１図すに示す様に曲率を持った形状にフォーミングさ
れた状態で基板５のボンディングパッド６に接着される
。即ち、バンプ４からボンディングパッド６までのリー
ド３はたわみを持った形状となる。
なお、上記実施例では、ボンディングツール１の下面に
曲率部８を設けたが、第２図ａ、ｂに示す様に面取部９
を設けても同様の効果が得られる。
曲率部８を設けたが、第２図ａ、ｂに示す様に面取部９
を設けても同様の効果が得られる。
また、上記実施例ではボンディングツール１の下面の半
導体素子２側のみに、曲率部８又は面取部９を設けたが
、両側に設けた場合も上記実施例と同様の効果を奏する
。
導体素子２側のみに、曲率部８又は面取部９を設けたが
、両側に設けた場合も上記実施例と同様の効果を奏する
。
以上のようにこの発明によれば、リードに接触するボン
ディングツール下面に曲率部又は面取部を設けたので、
リードがたわみを持った状態でボンディングパッドに接
続され、リードに対する熱や外力によるストレスをこの
たわみで吸収することができ、ストレスに対して信頼性
が高い半導体装置を提供することができる。
ディングツール下面に曲率部又は面取部を設けたので、
リードがたわみを持った状態でボンディングパッドに接
続され、リードに対する熱や外力によるストレスをこの
たわみで吸収することができ、ストレスに対して信頼性
が高い半導体装置を提供することができる。
第１図ａ、ｂはこの発明の一実施例によるボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図、第２図ａ、ｂはこの発明の他の実施例によるボ
ンディングツールを用いたアウターリードボンディング
工程を示す断面図、第３図ａ、ｂは従来のボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図である。 図中、１はボンディングツール、２は半導体素子、３は
リード、４はバンブ、５は基板、６はボンディングパッ
ド、７はスペーサー、８は曲率部、９は面取部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図、第２図ａ、ｂはこの発明の他の実施例によるボ
ンディングツールを用いたアウターリードボンディング
工程を示す断面図、第３図ａ、ｂは従来のボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図である。 図中、１はボンディングツール、２は半導体素子、３は
リード、４はバンブ、５は基板、６はボンディングパッ
ド、７はスペーサー、８は曲率部、９は面取部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置のリードを基板上のボンディングパッドに取
り付けるアウターリードボンディング工程に使用される
ボンディングツールにおいて、上記リードを上記基板上
のボンディングパッドに押し付ける面のへりの片側又は
両側に、曲率部又は面取部を設けたことを特徴とするボ
ンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2460590A JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2460590A JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228339A true JPH03228339A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12142784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2460590A Pending JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228339A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190595A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US8008133B2 (en) | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
| US8216887B2 (en) | 2009-05-04 | 2012-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip package with stiffener frame and configured lid |
| US8232138B2 (en) | 2010-04-14 | 2012-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit board with notched stiffener frame |
| US8313984B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-20 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2460590A patent/JPH03228339A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190595A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US8008133B2 (en) | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
| US8313984B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-20 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
| US8927344B2 (en) | 2008-03-19 | 2015-01-06 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
| US8216887B2 (en) | 2009-05-04 | 2012-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip package with stiffener frame and configured lid |
| US8232138B2 (en) | 2010-04-14 | 2012-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit board with notched stiffener frame |
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