JPH03228339A - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH03228339A JPH03228339A JP2460590A JP2460590A JPH03228339A JP H03228339 A JPH03228339 A JP H03228339A JP 2460590 A JP2460590 A JP 2460590A JP 2460590 A JP2460590 A JP 2460590A JP H03228339 A JPH03228339 A JP H03228339A
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- JP
- Japan
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- bonding
- lead
- leads
- bonding tool
- substrate
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に係り、特にTAB (T
ape Auto+*ated Bonding)法に
よる半導体製造工程の一つであるアウターリードボンデ
ィング工程で用いられるボンディングツールの構造に関
するものである。
ape Auto+*ated Bonding)法に
よる半導体製造工程の一つであるアウターリードボンデ
ィング工程で用いられるボンディングツールの構造に関
するものである。
半導体素子上のボンディングパッドと外部とを電気的に
接続する方法として、従来より、金やアルミ等の金属細
線とリードフレームを用いて接続する方法がある。しか
し、この方法だと半導体素子上の電極パッドの間隔をあ
まり狭めることができないという制約があった。そこで
最近、特に多数(主に100以上)の電極パッドを有す
る半導体素子においては、T A B (Tape A
utomated Bonding)法が用いられる様
になった。この発明は、TAB法を用いて製造された半
導体装置を基板に取付ける工程、いわゆるアウターリー
ドボンディング工程で用いられる装置(アウターリード
ボンダー)の一部であるボンディングツールの構造に関
するものである。
接続する方法として、従来より、金やアルミ等の金属細
線とリードフレームを用いて接続する方法がある。しか
し、この方法だと半導体素子上の電極パッドの間隔をあ
まり狭めることができないという制約があった。そこで
最近、特に多数(主に100以上)の電極パッドを有す
る半導体素子においては、T A B (Tape A
utomated Bonding)法が用いられる様
になった。この発明は、TAB法を用いて製造された半
導体装置を基板に取付ける工程、いわゆるアウターリー
ドボンディング工程で用いられる装置(アウターリード
ボンダー)の一部であるボンディングツールの構造に関
するものである。
以下、従来の技術について説明する。第3図a。
bは従来のボンディングツールを用いたアウターリード
ボンディング工程を示す断面図であり、図において、1
はボンディングツール、2は半導体素子、3はリード、
4は上記半導体素子2上に形成された電極と上記リード
3とを接続するバンプ、5はプリント配線等の基板、6
は上記基板5に形成されたボンディングパッド、7は上
記基板5と上記半導体素子2の間に介在させるスペーサ
ーである。
ボンディング工程を示す断面図であり、図において、1
はボンディングツール、2は半導体素子、3はリード、
4は上記半導体素子2上に形成された電極と上記リード
3とを接続するバンプ、5はプリント配線等の基板、6
は上記基板5に形成されたボンディングパッド、7は上
記基板5と上記半導体素子2の間に介在させるスペーサ
ーである。
次に動作について説明する。第3図a、bにおいて、ア
ウターリードボンディングの前工程であるインナーリー
ドボンディング工程により半導体素子2上の電極とリー
ド3をバンプ4を介して接続したものと、ボンディング
ツール1との位置合わせを行う。更に、これら位置合わ
せをしたものと、基板5上に形成されたボンディングパ
ッド6とを、スペーサー7をはさんで再度位置合わせを
する0次に、ボンディングツール1によってり−ト3を
ボンディングパッド6まで押し下げた後、加熱すること
により、リード3とボンディングパッド6とを接続する
。この時、リード3の一端はバンプ4により固定されて
いるため、バンプ4からボンディングパッド6までのリ
ード3の形状は、第3図すに示す様に直線的にフォーミ
ングされることとなる。
ウターリードボンディングの前工程であるインナーリー
ドボンディング工程により半導体素子2上の電極とリー
ド3をバンプ4を介して接続したものと、ボンディング
ツール1との位置合わせを行う。更に、これら位置合わ
せをしたものと、基板5上に形成されたボンディングパ
ッド6とを、スペーサー7をはさんで再度位置合わせを
する0次に、ボンディングツール1によってり−ト3を
ボンディングパッド6まで押し下げた後、加熱すること
により、リード3とボンディングパッド6とを接続する
。この時、リード3の一端はバンプ4により固定されて
いるため、バンプ4からボンディングパッド6までのリ
ード3の形状は、第3図すに示す様に直線的にフォーミ
ングされることとなる。
従来のボンディングツールによれば、バンプ4からボン
ディングパッド6までのり−ド3の形状が直線的にフォ
ーミングされた状態で接合されるため、リード3に対し
て熱や外力によるストレス(特に引張応力)が加わった
場合、リード3に強度劣化や破断が発生し、接合の信頼
性が著しく低下するなどの問題点があった。
ディングパッド6までのり−ド3の形状が直線的にフォ
ーミングされた状態で接合されるため、リード3に対し
て熱や外力によるストレス(特に引張応力)が加わった
場合、リード3に強度劣化や破断が発生し、接合の信頼
性が著しく低下するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、耐ストレス性を有する形状にリードをフォー
ミングできるボンディングツールを得ることを目的とす
る。
たもので、耐ストレス性を有する形状にリードをフォー
ミングできるボンディングツールを得ることを目的とす
る。
この発明に係るボンデインツールは、半導体装置のリー
ドを基板上のボンディングパッドに取り付けるアウター
リードボンディング工程に使用されるボンディングツー
ルにおいて、リードに接触するボンディングツール下面
に曲率部又は面取部を設けたものである。
ドを基板上のボンディングパッドに取り付けるアウター
リードボンディング工程に使用されるボンディングツー
ルにおいて、リードに接触するボンディングツール下面
に曲率部又は面取部を設けたものである。
この発明におけるボンディングツールは、その下面に曲
率部又は面取部を設けることにより、リードが耐ストレ
ス性を有するたわみを持った形状にフォーミングされた
状態で基板に接合されることとなる。
率部又は面取部を設けることにより、リードが耐ストレ
ス性を有するたわみを持った形状にフォーミングされた
状態で基板に接合されることとなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図a、bにおいて、1はボンディングツール、2は半導
体素子、3はリード、4は上記半導体素子2上の電極と
上記リード3を接続するためのバンプ、5はプリント配
線等の基板、6は上記基板5に形成されたボンディング
パッド、7は上記基板5と上記半導体素子2の間に介在
させるスペーサー、8は上記ボンディングツール1の上
記リード3に接触する下面のへりの半導体素子2側に設
けられた曲率部である。
図a、bにおいて、1はボンディングツール、2は半導
体素子、3はリード、4は上記半導体素子2上の電極と
上記リード3を接続するためのバンプ、5はプリント配
線等の基板、6は上記基板5に形成されたボンディング
パッド、7は上記基板5と上記半導体素子2の間に介在
させるスペーサー、8は上記ボンディングツール1の上
記リード3に接触する下面のへりの半導体素子2側に設
けられた曲率部である。
次に動作について説明する。第1図a、bにおいて、従
来技術の場合と同様に、アウターリードボンディングの
前工程であるインナーリードボンディング工程により半
導体素子2上の電極とり−ド3をバンプ4を介して接続
したものと、ボンディングツール1との位置合わせを行
う。更に、これら位置合わせをしたものと、基板5上に
形成されたボンディングパッド6とを、スペーサー7を
はさんで位置合わせをする。次に、ボンディングツール
1を下降させて、曲率部8を設けた下面によりリード3
を基板5のボンディングパッド6に押し付けた後、加熱
することにより、リード3とボンディングパッド6とを
接続する。この際、ボンディングツール1の下部のリー
ド3は、ボンディングツール1の下面の形状に従って、
第1図すに示す様に曲率を持った形状にフォーミングさ
れた状態で基板5のボンディングパッド6に接着される
。即ち、バンプ4からボンディングパッド6までのリー
ド3はたわみを持った形状となる。
来技術の場合と同様に、アウターリードボンディングの
前工程であるインナーリードボンディング工程により半
導体素子2上の電極とり−ド3をバンプ4を介して接続
したものと、ボンディングツール1との位置合わせを行
う。更に、これら位置合わせをしたものと、基板5上に
形成されたボンディングパッド6とを、スペーサー7を
はさんで位置合わせをする。次に、ボンディングツール
1を下降させて、曲率部8を設けた下面によりリード3
を基板5のボンディングパッド6に押し付けた後、加熱
することにより、リード3とボンディングパッド6とを
接続する。この際、ボンディングツール1の下部のリー
ド3は、ボンディングツール1の下面の形状に従って、
第1図すに示す様に曲率を持った形状にフォーミングさ
れた状態で基板5のボンディングパッド6に接着される
。即ち、バンプ4からボンディングパッド6までのリー
ド3はたわみを持った形状となる。
なお、上記実施例では、ボンディングツール1の下面に
曲率部8を設けたが、第2図a、bに示す様に面取部9
を設けても同様の効果が得られる。
曲率部8を設けたが、第2図a、bに示す様に面取部9
を設けても同様の効果が得られる。
また、上記実施例ではボンディングツール1の下面の半
導体素子2側のみに、曲率部8又は面取部9を設けたが
、両側に設けた場合も上記実施例と同様の効果を奏する
。
導体素子2側のみに、曲率部8又は面取部9を設けたが
、両側に設けた場合も上記実施例と同様の効果を奏する
。
以上のようにこの発明によれば、リードに接触するボン
ディングツール下面に曲率部又は面取部を設けたので、
リードがたわみを持った状態でボンディングパッドに接
続され、リードに対する熱や外力によるストレスをこの
たわみで吸収することができ、ストレスに対して信頼性
が高い半導体装置を提供することができる。
ディングツール下面に曲率部又は面取部を設けたので、
リードがたわみを持った状態でボンディングパッドに接
続され、リードに対する熱や外力によるストレスをこの
たわみで吸収することができ、ストレスに対して信頼性
が高い半導体装置を提供することができる。
第1図a、bはこの発明の一実施例によるボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図、第2図a、bはこの発明の他の実施例によるボ
ンディングツールを用いたアウターリードボンディング
工程を示す断面図、第3図a、bは従来のボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図である。 図中、1はボンディングツール、2は半導体素子、3は
リード、4はバンブ、5は基板、6はボンディングパッ
ド、7はスペーサー、8は曲率部、9は面取部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図、第2図a、bはこの発明の他の実施例によるボ
ンディングツールを用いたアウターリードボンディング
工程を示す断面図、第3図a、bは従来のボンディング
ツールを用いたアウターリードボンディング工程を示す
断面図である。 図中、1はボンディングツール、2は半導体素子、3は
リード、4はバンブ、5は基板、6はボンディングパッ
ド、7はスペーサー、8は曲率部、9は面取部である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置のリードを基板上のボンディングパッドに取
り付けるアウターリードボンディング工程に使用される
ボンディングツールにおいて、上記リードを上記基板上
のボンディングパッドに押し付ける面のへりの片側又は
両側に、曲率部又は面取部を設けたことを特徴とするボ
ンディングツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2460590A JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2460590A JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03228339A true JPH03228339A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12142784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2460590A Pending JPH03228339A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | ボンディングツール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03228339A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190595A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US8008133B2 (en) | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
US8216887B2 (en) | 2009-05-04 | 2012-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip package with stiffener frame and configured lid |
US8232138B2 (en) | 2010-04-14 | 2012-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit board with notched stiffener frame |
US8313984B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-20 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2460590A patent/JPH03228339A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190595A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US8008133B2 (en) | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
US8313984B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-20 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
US8927344B2 (en) | 2008-03-19 | 2015-01-06 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
US8216887B2 (en) | 2009-05-04 | 2012-07-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip package with stiffener frame and configured lid |
US8232138B2 (en) | 2010-04-14 | 2012-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit board with notched stiffener frame |
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