JPH0382067A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH0382067A
JPH0382067A JP1218979A JP21897989A JPH0382067A JP H0382067 A JPH0382067 A JP H0382067A JP 1218979 A JP1218979 A JP 1218979A JP 21897989 A JP21897989 A JP 21897989A JP H0382067 A JPH0382067 A JP H0382067A
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JP
Japan
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recess
resin
lead
semiconductor device
internal
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JP1218979A
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Takumi Matsukura
松倉 巧
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に樹脂封止型
表面実装半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第5図に示す
ように、多数の電極パッドを有する半導体チップ1を中
央部に搭載するアイランド部2とアイランド部2の周辺
を囲ってアイランド部2に対して放射状に形成した複数
の内部リード5aとを有し、各電極パッドとそれに対応
する内部り−ド5aとの間をワイヤー3でワイヤボンデ
ィングした後、外周を樹脂4で気密封止する構成となっ
ていた。
表面実装型半導体装置はプリント基板に搭載する際に外
部リード部5bのみを半田ごてで加熱して半田付けを行
ない、樹脂4には熱がほとんどかからなかった為、何ら
問題は発生していなかった。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら近年その実装方法に変化がおこり、実装効
率を向上させるためにVPSや赤外線リフロー等のよう
にパッケージ全体を加熱して半田付けする方法になって
きた。このような実装方法では第6図に示すように熱ス
トレスでワイヤー3と内部リード5aの接合部にクラッ
ク6が発生して信頼性上の重大な問題が発生する。すな
わち、基板への実装時に半導体装置の温度が210〜2
60℃の高温になって樹脂4がガラス転移点(160℃
前f& )を越えてしまうため、樹脂4の熱膨張率が急
激に大きくなって、樹脂4がパッケージ外側へ向って膨
張しそれにともなってワイヤー3も一緒に移動するが、
ワイヤー3の先端は内部リード5aと接合している為に
応力が集中し、ワイヤー3の最も弱いリード側ネック部
分にクラック6が発生することになる。
本発明の目的は、実装時の耐熱ショック性を向上させた
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、内部リードの先端に
表面が他の表面よりも低い凹部を設け、その凹部にワイ
ヤボンディングをほどこした構造となっている。
内部リードの先端の凹部はハーフエッチ、プレス等によ
って形成することができる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図乃至第3図を参照すると、本発明の一実施例の樹
脂封止型半導体装置においては、表面がメツキ7された
複数の内部リード5aに囲まれたアイランド部2(リー
ド5と一体に形成されたリードフレームの状態から分離
されたもの〉に半導体素子1が接着されており、内部リ
ード5aの先端から200〜300μmの位置に深さ3
0〜50μm、巾30C)−500μmの凹部8がハー
フエッチ−ングにより形成されている。半導体素子1上
の電極パッドと内部リード5aの凹部8との間はボンデ
ィングワイヤー3によりそれぞれ接続されており、外部
リード5bを除く全体は樹脂4(点線で示す)により気
密封止されている。
このような構成にすることにより、VPSや赤外線リフ
ローによる自動実装時にパッケージ全体が加熱されて樹
脂4がパッケージ外側に向って膨張し応力が生じても、
凹部8により樹脂のハガレによるズレが抑制され、また
ワイヤーの最も弱いリード側ネック部分にかかる応力も
分散・緩和される為にワイヤーのクラックを防止するこ
とができる。
第4図は本発明の他の実施例による内部リード5a先端
部を示す6本実施例では、内部リード5aの先端部にハ
ーフエツチングで凹部を設けるかわりに、デイプレス加
工9をほどこして凹部を形成した。この実施例では凹部
をリードフレーム加工工程で形成できるため量産性がよ
く、また凹部の深さをリードフレーム厚以上に大きくで
きるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、内部リードの先端部に凹
部を設け、その凹部にボンディングをほどこすことによ
り、樹脂封止後の実装時の熱ストレスが加わっても、こ
の凹部によりワイヤーに直接かかる応力が緩和され、ま
た樹脂と内部リードの密着がよくなる為に樹脂の移動も
抑制され、ワイヤーのクラックを防止することができ、
従って自動実装時の半導体装置の信頼性を著しく向上さ
せる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の樹
脂を除いた状態の平面図、第2図は第1図のA−A’線
断面図、第3図は第2図の一部拡大断面図、第4図は本
発明の他の実施例によるリード先端部分の拡大断面図、
第5図は従来の半導体装置の断面図、第6図は第5図の
部分拡大断面図である。 1・・・半導体素子、2・・・アイランド部、3・・・
ボンディングワイヤー 4・・・樹脂、5・・・リード
、6・・・クラック、7・・・メツキ層、8・・・リー
ドの凹部、9・・・デイプレス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂に封止される内部リードの先端部に凹部を設け、ボ
    ンディングワイヤの前記リードへのボンディングが前記
    凹部において行なわれていることを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
JP1218979A 1989-08-24 1989-08-24 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH0382067A (ja)

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JP1218979A JPH0382067A (ja) 1989-08-24 1989-08-24 樹脂封止型半導体装置

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JPH0382067A true JPH0382067A (ja) 1991-04-08

Family

ID=16728365

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JP1218979A Pending JPH0382067A (ja) 1989-08-24 1989-08-24 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPH0382067A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334082A (ja) * 1993-05-25 1994-12-02 Rohm Co Ltd ボンディングパッド面の圧印加工方法
JP2006056582A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Hokuto Kagaku Kogyo Kk 不透水性吸収シート及び生鮮食品保冷方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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