JPH05206373A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はますます高性能化する集積回路におい
て、その動作時に発生するノイズを極力低減することを
目的とする。 【構成】リードフレーム上のできるだけ集積回路チップ
の近くいコンデンサを形成する。 【効果】集積回路チップのすぐ近くにコンデンサを形成
することにより高速動作時のノイズ発生をパッケージ外
にノイズ防止コンデンサをとりつける場合よりも、更に
効果的に低減することができる。また実装時にコンデン
サの取付が必要なくなり高密度実装が可能になる。
て、その動作時に発生するノイズを極力低減することを
目的とする。 【構成】リードフレーム上のできるだけ集積回路チップ
の近くいコンデンサを形成する。 【効果】集積回路チップのすぐ近くにコンデンサを形成
することにより高速動作時のノイズ発生をパッケージ外
にノイズ防止コンデンサをとりつける場合よりも、更に
効果的に低減することができる。また実装時にコンデン
サの取付が必要なくなり高密度実装が可能になる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】従来の技術としては、図3に示すよう
に、セラミックPGAケース5に半導体集積回路チップ
1を搭載し、ケース上にコンデンサ4を搭載した適用例
があるが、樹脂封止品においてはリードフレームにコン
デンサを形成することはなかった。
に、セラミックPGAケース5に半導体集積回路チップ
1を搭載し、ケース上にコンデンサ4を搭載した適用例
があるが、樹脂封止品においてはリードフレームにコン
デンサを形成することはなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術で
は、ますます高速動作高精度化する集積回路装置にノイ
ズの発生で悪影響を与える危険があるという欠点があ
る。
は、ますます高速動作高精度化する集積回路装置にノイ
ズの発生で悪影響を与える危険があるという欠点があ
る。
【0004】高速動作の為に電流電圧変動が激しくな
り、集積回路装置の電源変動が大きくなってスレッシュ
ホールド電圧の変動信号伝播の遅れをひきおこし、また
動作マージンの低下をひきおこす危険がある。
り、集積回路装置の電源変動が大きくなってスレッシュ
ホールド電圧の変動信号伝播の遅れをひきおこし、また
動作マージンの低下をひきおこす危険がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術に対
し、本発明はリードフレーム上にコンデンサを形成しこ
のコンデンサにより集積回路装置が動作する際に発生す
るノイズを効果的に低減する。
し、本発明はリードフレーム上にコンデンサを形成しこ
のコンデンサにより集積回路装置が動作する際に発生す
るノイズを効果的に低減する。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1(A),(B)および図2は本発明の一実施例
である。図1(A)は断面図、図1(B)、図2平面図
である。
る。図1(A),(B)および図2は本発明の一実施例
である。図1(A)は断面図、図1(B)、図2平面図
である。
【0007】図1に示すように、バウンダリレイヤーコ
ンデンサ4をリードフレームのアイランド部6上に半田
付けし、このバウンダリレイヤーコンデンサ4上に半導
体集積回路チップ1をマウントしている。半導体集積回
路チップはボンディングワイヤー2によりリード3と電
気的に接続している。半導体集積回路チップ1、アイラ
ンド部6、ボンディングワイヤー2等は樹脂(図示省
略)により封止される。
ンデンサ4をリードフレームのアイランド部6上に半田
付けし、このバウンダリレイヤーコンデンサ4上に半導
体集積回路チップ1をマウントしている。半導体集積回
路チップはボンディングワイヤー2によりリード3と電
気的に接続している。半導体集積回路チップ1、アイラ
ンド部6、ボンディングワイヤー2等は樹脂(図示省
略)により封止される。
【0008】図2は第2の実施例で、チップコンデンサ
4をリード間にまたがって搭載しており、半導体集積回
路チップ1は直にアイランド部3にマウンされている。
この他の部分は先の実施例と同じである。
4をリード間にまたがって搭載しており、半導体集積回
路チップ1は直にアイランド部3にマウンされている。
この他の部分は先の実施例と同じである。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明はリードフレ
ーム上にコンデンサを形成することにより集積回路装置
の動作時に発生するノイズを効果的に低減できるという
効果を有する。
ーム上にコンデンサを形成することにより集積回路装置
の動作時に発生するノイズを効果的に低減できるという
効果を有する。
【0010】また、従来集積回路装置のプリント板等へ
の実装時に必要としていたノイズ防止用のコンデンサの
とりつけが必要なくなるという効果を有する。
の実装時に必要としていたノイズ防止用のコンデンサの
とりつけが必要なくなるという効果を有する。
【図1】(A)は本発明の一実施例の断面図、(B)は
(A)の平面図。
(A)の平面図。
【図2】コンデンサの位置を変更第2実施例の平面図。
【図3】従来技術例(PGAケース)の概略図。
1 半導体集積回路チップ 2 ボンディングワイヤー 3 リード 4 コンデンサ 5 PGAケース 6 アイランド部
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレームのアイランド部に半導体
集積回路チップを搭載し、樹脂封止して成る半導体集積
回路装置において、リードフレームのリード間あるいは
前記アイランド部上にあらかじめコンデンサーを形成し
たことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1266492A JPH05206373A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1266492A JPH05206373A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05206373A true JPH05206373A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11811637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1266492A Pending JPH05206373A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05206373A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002246536A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Ibiden Co Ltd | 三次元実装パッケージの製造方法、及びその製造用のパッケージモジュール |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58191460A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品 |
JPS5948949A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路部品 |
JPS5972757A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS63132459A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | 容量内蔵半導体パツケ−ジ |
JPH02296360A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Ricoh Co Ltd | 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 |
JPH04162657A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH04188759A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0582697A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置のリードフレーム |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1266492A patent/JPH05206373A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58191460A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品 |
JPS5948949A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路部品 |
JPS5972757A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS63132459A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | 容量内蔵半導体パツケ−ジ |
JPH02296360A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Ricoh Co Ltd | 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 |
JPH04162657A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH04188759A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0582697A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置のリードフレーム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002246536A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Ibiden Co Ltd | 三次元実装パッケージの製造方法、及びその製造用のパッケージモジュール |
JP4694007B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2011-06-01 | イビデン株式会社 | 三次元実装パッケージの製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980210 |