JPH02296360A - 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 - Google Patents
裏面にコンデンサをもつ半導体装置Info
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- JPH02296360A JPH02296360A JP11789789A JP11789789A JPH02296360A JP H02296360 A JPH02296360 A JP H02296360A JP 11789789 A JP11789789 A JP 11789789A JP 11789789 A JP11789789 A JP 11789789A JP H02296360 A JPH02296360 A JP H02296360A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 20
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はパッケージのリードフレームに実装された半導
体チップに形成された半導体装置であって、大容量のコ
ンデンサを備えた半導体装置に関するものである。
体チップに形成された半導体装置であって、大容量のコ
ンデンサを備えた半導体装置に関するものである。
大容量のコンデンサは、例えばＣＭＯＳスタティックＲ
ＡＭ用のバックアップ電源や、水晶発振回路のコンデン
サ、ＣＲ発振回路のコンデンサなど、種々の用途に用い
られる。
ＡＭ用のバックアップ電源や、水晶発振回路のコンデン
サ、ＣＲ発振回路のコンデンサなど、種々の用途に用い
られる。
（従来の技術）
機器の高速化に伴ない、高速動作を行なう半導体集積回
路装置が要求されてくる。半導体集積回路装置が高速動
作を行なうと素子のスイッチング時にノイズにより誤動
作する可能性がでてくる。
路装置が要求されてくる。半導体集積回路装置が高速動
作を行なうと素子のスイッチング時にノイズにより誤動
作する可能性がでてくる。
半導体集積回路装置の回路規模か大きくなり、複雑にな
れば、電源ライン上のリップルも多くなり、大きくなる
傾向にある。
れば、電源ライン上のリップルも多くなり、大きくなる
傾向にある。
半導体集積回路装置を安定して高速動作させるには、ノ
イズ対策が必要であり、特に電源のノイズ対策が必須で
ある。
イズ対策が必要であり、特に電源のノイズ対策が必須で
ある。
電源を安定化させるにはコンデンサか用いられる。電源
ラインのリップルを除くバイパスコンデンサは、回路規
模に応して大きく作らなけれはならない。
ラインのリップルを除くバイパスコンデンサは、回路規
模に応して大きく作らなけれはならない。
コンデンサを設けるには、以下の何れかの手法が採られ
ている。
ている。
（１）コンデンサをパッケージの外側に外付けする。
（２）パッケージ内にコンデンサを内蔵する。
（３）ＩＣチップにコンデンサを形成する。
（発明が解決しようとする課題）
コンデンサを外付けする手法（１）では、プリント配線
基板の実装密度が低下し、部品点数の増加や実装工数の
増加、コストの増加を招く。
基板の実装密度が低下し、部品点数の増加や実装工数の
増加、コストの増加を招く。
手法（２）の場合、コンデンサをパッケージに内蔵する
という特殊な工程を必要とするため、これもコストの増
加を招く。
という特殊な工程を必要とするため、これもコストの増
加を招く。
手法（３）の場合、ＩＣチップの空き領域にコンデンサ
を形成するので、１〜１０ｐＦ程度の小容量のコンデン
サしか作ることができず、電源の安定化には不十分であ
る。
を形成するので、１〜１０ｐＦ程度の小容量のコンデン
サしか作ることができず、電源の安定化には不十分であ
る。
本発明は部品点数の増加や大幅なコストの増加を招くこ
となく、かつ、容量の大きいコンデンサを形成して、ノ
イズに対する耐性の高い半導体集積回路装置を提供する
ことを目的とするものである。
となく、かつ、容量の大きいコンデンサを形成して、ノ
イズに対する耐性の高い半導体集積回路装置を提供する
ことを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では半導体チップを一方の電極とし、その半導体
チップが取つけられるパッケージのり−トフレームを他
方の電極とするコンデンサを形成する。
チップが取つけられるパッケージのり−トフレームを他
方の電極とするコンデンサを形成する。
（実施例）
第１図は一実施例を表わす。
１は半導体集積回路が形成されるシリコンチップであり
、その裏面には酸化膜２が形成されている。３はシリコ
ンチップ１が実装されたパッケージのリードフレームで
ある。シリコンチップ１は酸化膜２が形成された裏面側
がリードフレーム３に対向するように導電性接合材４に
よって接着されている。
、その裏面には酸化膜２が形成されている。３はシリコ
ンチップ１が実装されたパッケージのリードフレームで
ある。シリコンチップ１は酸化膜２が形成された裏面側
がリードフレーム３に対向するように導電性接合材４に
よって接着されている。
シリコンチップ１を一方の電極とし、リードフレーム３
を他方の電極とし、酸化膜２を誘電体とするコンデンサ
が構成されている。
を他方の電極とし、酸化膜２を誘電体とするコンデンサ
が構成されている。
酸化膜２は厚さが１００人〜１０μｍ程度であり、好ま
しくは１０００人程度である。この酸化膜２は例えば１
００℃前後で酸化性雰囲気で熱酸化を行なうことに・よ
り形成することができる。
しくは１０００人程度である。この酸化膜２は例えば１
００℃前後で酸化性雰囲気で熱酸化を行なうことに・よ
り形成することができる。
このコンデンサを、例えば＠源うインのバイパスコンデ
ンサとして機能させるためには１例えばシリコンチップ
１をグラウンド電位とし、リードフレーム３を電源ライ
ンに接続すればよい。
ンサとして機能させるためには１例えばシリコンチップ
１をグラウンド電位とし、リードフレーム３を電源ライ
ンに接続すればよい。
第２図は他の実施例を表わす。
シリコンチップ１の裏面しこは絶縁膜は形成されておら
ず、シリコンチップ１の裏面は高誘電性接合材５によっ
てパッケージのリードフレーム３に接合されている。高
誘電性接合材５としては例えば低融点ガラスを用い、そ
の厚さは厚くとも数μｍ程度である。
ず、シリコンチップ１の裏面は高誘電性接合材５によっ
てパッケージのリードフレーム３に接合されている。高
誘電性接合材５としては例えば低融点ガラスを用い、そ
の厚さは厚くとも数μｍ程度である。
この場合は接合材５が誘電体となり、シリコンチップ１
とリードフレーム３をそれぞれ電極とするコンデンサが
構成される。
とリードフレーム３をそれぞれ電極とするコンデンサが
構成される。
第３図はさらに他の実施例を表わす。
パッケージのり−ｌ〜フレーム３上には誘電体層６を介
して金属電極７が設けられている。誘電体層６としては
例えば厚さが数μｍ以下の低融点カラス層を用いる。金
属電極７」二には導電性接合材４によってシリコンチッ
プ１が接合されている。
して金属電極７が設けられている。誘電体層６としては
例えば厚さが数μｍ以下の低融点カラス層を用いる。金
属電極７」二には導電性接合材４によってシリコンチッ
プ１が接合されている。
この実施例ではシリコンチップ１、導電性接合材４及び
電極７が同電位に保たれて一方の電極となり、リードフ
レーム３が他方の電極となり、それらの間に挾まれた誘
電体ＷＪ６とともにコンデンサが構成されている。
電極７が同電位に保たれて一方の電極となり、リードフ
レーム３が他方の電極となり、それらの間に挾まれた誘
電体ＷＪ６とともにコンデンサが構成されている。
第４図はさらに他の実施例を表わす。
断面がＵ字型をしたパッケージのリードフレーム３ａと
、同じく断面がＵ字型をした金属電極７ａが互いに一部
が他方のＵ字型部分に嵌まり込むように組み合わされ、
リードフレーム３ａと電極７ａの間に誘電体Ｍ６が設け
られている。電極７８上には導電性接合材４によってシ
リコンチップ１の裏面が接合されている。
、同じく断面がＵ字型をした金属電極７ａが互いに一部
が他方のＵ字型部分に嵌まり込むように組み合わされ、
リードフレーム３ａと電極７ａの間に誘電体Ｍ６が設け
られている。電極７８上には導電性接合材４によってシ
リコンチップ１の裏面が接合されている。
この実施例でもシリコンチップ］、接合材４及び電極７
ａが同電位に保たれて一方の電極となり、リードフレー
ム３ａが他方の電極となり、誘電体層６とともにコンデ
ンサが構成されている。
ａが同電位に保たれて一方の電極となり、リードフレー
ム３ａが他方の電極となり、誘電体層６とともにコンデ
ンサが構成されている。
第２図から第４図の実施例のコンデンサを電源ラインの
バイパスコンデンサとするときは、第１図と同しく例え
はリードフレーム３を電源ラインに接続し、シリコンチ
ップ１を接地すればよい。
バイパスコンデンサとするときは、第１図と同しく例え
はリードフレーム３を電源ラインに接続し、シリコンチ
ップ１を接地すればよい。
また、これらの実施例において、逆にシリコンチップ１
を電源ラインに接続し、リードフレーム３を接地しても
よい。
を電源ラインに接続し、リードフレーム３を接地しても
よい。
（発明の効果）
本発明では半導体集積回路が形成されるチップとそのチ
ップが取つけられるリードフレームを電極とするコンデ
ンサを形成したので、コンデンサを構成するシリコンチ
ップ、接合材、リードフレームはもともと使用している
部材であり、このコンデンサのために新たに部材を追加
する必要がなく、容易にコンデンサを形成することがで
きる。
ップが取つけられるリードフレームを電極とするコンデ
ンサを形成したので、コンデンサを構成するシリコンチ
ップ、接合材、リードフレームはもともと使用している
部材であり、このコンデンサのために新たに部材を追加
する必要がなく、容易にコンデンサを形成することがで
きる。
半導体集積回路の回路規模が大きくなるほど例えば電源
ラインのバイパスコンデンサであれば容量の大きなもの
が必要となるが、回路規模の拡大につれて半導体チップ
の面積も大きくなるため、半導体チップ裏面に形成され
るコンデンサも必然的に容量が増す。
ラインのバイパスコンデンサであれば容量の大きなもの
が必要となるが、回路規模の拡大につれて半導体チップ
の面積も大きくなるため、半導体チップ裏面に形成され
るコンデンサも必然的に容量が増す。
第１図は一実施例を示す断面図、第２図、第３図及び第
４図はそれぞれ他の実施例を示す断面図である。 ］−・・・・シリコンチップ、２・・・・・・酸化喚、
３・・・ソー１−フレーム、４・・・・・導電性接合材
、５，６・・・高誘電性接合材、７，７ａ・・・・金属
電極。
４図はそれぞれ他の実施例を示す断面図である。 ］−・・・・シリコンチップ、２・・・・・・酸化喚、
３・・・ソー１−フレーム、４・・・・・導電性接合材
、５，６・・・高誘電性接合材、７，７ａ・・・・金属
電極。
Claims (2)
- （１）半導体集積回路が形成された半導体チップを一方
の電極とし、この半導体チップが取つけられるパッケー
ジのリードフレームを他方の電極とし、前記半導体チッ
プの裏面に酸化膜を形成し、この酸化膜を誘電体として
コンデンサを構成した半導体装置。 - （２）半導体集積回路が形成された半導体チップを一方
の電極とし、この半導体チップが取つけられるパッケー
ジのリードフレームを他方の電極とし、前記半導体チッ
プとリードフレームとの間に高誘電性接合材を介在させ
てコンデンサを構成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11789789A JPH02296360A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11789789A JPH02296360A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296360A true JPH02296360A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14722916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11789789A Pending JPH02296360A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 裏面にコンデンサをもつ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206373A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| WO1997012398A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| JP7031779B1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-03-08 | 株式会社明電舎 | 可変コンデンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811259B2 (ja) * | 1977-03-29 | 1983-03-02 | 新神戸電機株式会社 | センタ−ピボット式潅漑装置 |
| JPS61102770A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Nec Corp | コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11789789A patent/JPH02296360A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811259B2 (ja) * | 1977-03-29 | 1983-03-02 | 新神戸電機株式会社 | センタ−ピボット式潅漑装置 |
| JPS61102770A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Nec Corp | コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05206373A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| WO1997012398A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| US5895966A (en) * | 1995-09-29 | 1999-04-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| JP7031779B1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-03-08 | 株式会社明電舎 | 可変コンデンサ |
| WO2022091511A1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 株式会社明電舎 | 可変コンデンサ |
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