JPH05102384A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH05102384A JPH05102384A JP3261641A JP26164191A JPH05102384A JP H05102384 A JPH05102384 A JP H05102384A JP 3261641 A JP3261641 A JP 3261641A JP 26164191 A JP26164191 A JP 26164191A JP H05102384 A JPH05102384 A JP H05102384A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 リードフレームインナーリード先端部を薄肉
化し、リードフレームインナーリード先端部を繋ぐ連結
部を残してリードフレームインナーリードを成形する工
程と、半導体チップと前記リードフレームインナーリー
ドとを接続する工程の後、前記連結部をレーザー加工に
よって切断する工程とを有する。 【効果】 リードフレームインナーリードの先端部を薄
肉化することにより、より微細なピッチのリードを形成
することが可能になり、リードフレームインナーリード
の先端部に連結部を形成することで、リード幅の小さな
インナーリードの先端部まで変形を確実に防止できるの
で、ＴＡＢ技術を用いたフラットパッケージにおいて、
ＴＡＢアウターリードとリードフレームインナーリード
との接続を良好に行うことができる。また、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、よりリード
幅、リードピッチの狭いリード接続を可能にする。
化し、リードフレームインナーリード先端部を繋ぐ連結
部を残してリードフレームインナーリードを成形する工
程と、半導体チップと前記リードフレームインナーリー
ドとを接続する工程の後、前記連結部をレーザー加工に
よって切断する工程とを有する。 【効果】 リードフレームインナーリードの先端部を薄
肉化することにより、より微細なピッチのリードを形成
することが可能になり、リードフレームインナーリード
の先端部に連結部を形成することで、リード幅の小さな
インナーリードの先端部まで変形を確実に防止できるの
で、ＴＡＢ技術を用いたフラットパッケージにおいて、
ＴＡＢアウターリードとリードフレームインナーリード
との接続を良好に行うことができる。また、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、よりリード
幅、リードピッチの狭いリード接続を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
のうち、特に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
のうち、特に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のワイヤボンディング法ではリード
フレーム中央に半導体チップを位置し、リードフレーム
中央に突出するリードフレームインナーリードと半導体
チップ上の電極パッドを金等の金属ワイヤによって接続
し、この後、樹脂封止している。
フレーム中央に半導体チップを位置し、リードフレーム
中央に突出するリードフレームインナーリードと半導体
チップ上の電極パッドを金等の金属ワイヤによって接続
し、この後、樹脂封止している。
【０００３】しかし、半導体チップのサイズが小さくな
り、また、ピン数が増大するにつれて、リードフレーム
インナーリード先端の幅、ピッチが狭くなるため、リー
ドフレームインナーリードを一定の強度を保ったまま半
導体チップ近くまで延ばすことができなくなっている。
これは、現状では板厚の70％程度までの間隔しか抜き落
とせないために、板厚が最小ピッチを決めるからで、リ
ードフレームインナーリード板厚を厚くして強度を維持
すると、微小ピッチの加工が不可能であり、また、微小
ピッチ加工のためにリードフレームインナーリード板厚
を単純に薄くすると強度の点で問題が生じる。従って、
リードフレームインナーリード先端と電極パッドとの距
離が大きくならざるをえず、ボンディングワイヤが著し
く長くなり、ワイヤ同士の接触や断線による不良が発生
しやすくなる。また、リードフレームインナーリードの
ピッチを狭くするとボンディングエリアが微小となり、
ミスボンドを誘発し、歩留まりを低下させる。
り、また、ピン数が増大するにつれて、リードフレーム
インナーリード先端の幅、ピッチが狭くなるため、リー
ドフレームインナーリードを一定の強度を保ったまま半
導体チップ近くまで延ばすことができなくなっている。
これは、現状では板厚の70％程度までの間隔しか抜き落
とせないために、板厚が最小ピッチを決めるからで、リ
ードフレームインナーリード板厚を厚くして強度を維持
すると、微小ピッチの加工が不可能であり、また、微小
ピッチ加工のためにリードフレームインナーリード板厚
を単純に薄くすると強度の点で問題が生じる。従って、
リードフレームインナーリード先端と電極パッドとの距
離が大きくならざるをえず、ボンディングワイヤが著し
く長くなり、ワイヤ同士の接触や断線による不良が発生
しやすくなる。また、リードフレームインナーリードの
ピッチを狭くするとボンディングエリアが微小となり、
ミスボンドを誘発し、歩留まりを低下させる。
【０００４】この問題の解決手段として、図６に示すよ
うなＴＡＢ技術を応用したフラットパッケージのひとつ
として、ＱＦＰ（Quadrangular Flat Package ）が開発
されている。
うなＴＡＢ技術を応用したフラットパッケージのひとつ
として、ＱＦＰ（Quadrangular Flat Package ）が開発
されている。
【０００５】例えば、ＴＡＢ技術を用いたＱＦＰはま
ず、通常のＴＡＢ方式により電極パッド５とＴＡＢイン
ナーリード２ａを圧着し、テープフィルムキャリア３上
のＴＡＢリード２に半導体チップ１を接続する。次に、
ＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレームインナーリ
ード４とを位置合わせし、プレス加工により熱圧着接続
し、この後、樹脂封止する。
ず、通常のＴＡＢ方式により電極パッド５とＴＡＢイン
ナーリード２ａを圧着し、テープフィルムキャリア３上
のＴＡＢリード２に半導体チップ１を接続する。次に、
ＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレームインナーリ
ード４とを位置合わせし、プレス加工により熱圧着接続
し、この後、樹脂封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング法ではリードフレームインナーリードの位置を検出
してリードのある場所にボンディングしてゆくが、ＴＡ
Ｂ技術を用いたＱＦＰ等では、ＴＡＢアウターリードと
リードフレームインナーリードを重ねて、一括または個
々に熱圧着接続する。従って、ワイヤボンディング法で
はリード位置の精度はあまり問題にはならないが、ＴＡ
Ｂ技術を用いたＱＦＰ等では、テープフィルムキャリア
に半導体チップを装着後のＴＡＢチップの位置が決まる
と、ＴＡＢアウターリード、リードフレームインナーリ
ードともリード幅、ピッチが決まっているため、全ての
ＴＡＢアウターリード、リードフレームインナーリード
の位置が一義的に決まり、一括接続、個々接続に係わら
ず、リードの変形は即接続不良となる。即ち、各々のリ
ードの位置精度は極めて重要である。現在、300 ピン程
度の半導体チップではリードフレームインナーリードの
厚さは0.15mm程度で、各々のリードの幅は0.12mm、ピッ
チは0.1mm 程度、また、求められるＴＡＢアウターリー
ドの位置精度は±0.015mm 程度、リードフレームインナ
ーリードの精度は±0.02mm程度である。
ング法ではリードフレームインナーリードの位置を検出
してリードのある場所にボンディングしてゆくが、ＴＡ
Ｂ技術を用いたＱＦＰ等では、ＴＡＢアウターリードと
リードフレームインナーリードを重ねて、一括または個
々に熱圧着接続する。従って、ワイヤボンディング法で
はリード位置の精度はあまり問題にはならないが、ＴＡ
Ｂ技術を用いたＱＦＰ等では、テープフィルムキャリア
に半導体チップを装着後のＴＡＢチップの位置が決まる
と、ＴＡＢアウターリード、リードフレームインナーリ
ードともリード幅、ピッチが決まっているため、全ての
ＴＡＢアウターリード、リードフレームインナーリード
の位置が一義的に決まり、一括接続、個々接続に係わら
ず、リードの変形は即接続不良となる。即ち、各々のリ
ードの位置精度は極めて重要である。現在、300 ピン程
度の半導体チップではリードフレームインナーリードの
厚さは0.15mm程度で、各々のリードの幅は0.12mm、ピッ
チは0.1mm 程度、また、求められるＴＡＢアウターリー
ドの位置精度は±0.015mm 程度、リードフレームインナ
ーリードの精度は±0.02mm程度である。
【０００７】今日、半導体チップの集積度の向上にとも
なって一層多ピン化が進んでおり、このためＴＡＢを用
いたＱＦＰ等においてもリードフレームインナーリード
のピッチが一層狭くなり、リード幅も小さく、変形しや
すくなっている。
なって一層多ピン化が進んでおり、このためＴＡＢを用
いたＱＦＰ等においてもリードフレームインナーリード
のピッチが一層狭くなり、リード幅も小さく、変形しや
すくなっている。
【０００８】このリードフレームインナーリードの変形
防止のためにポリイミドテープでリードを固定している
が、ポリイミドは絶縁物質であるため、リードフレーム
インナーリードの先端部に用いることができない。この
ため、ポリイミドテープを用いてもリード先端部の変形
を確実に防ぐことはできない。さらにまた、ポリイミド
テープは高価である。
防止のためにポリイミドテープでリードを固定している
が、ポリイミドは絶縁物質であるため、リードフレーム
インナーリードの先端部に用いることができない。この
ため、ポリイミドテープを用いてもリード先端部の変形
を確実に防ぐことはできない。さらにまた、ポリイミド
テープは高価である。
【０００９】以上述べてきたように、リードフレームイ
ンナーリードの位置精度条件は非常に厳しくリードフレ
ームインナーリードのわずかな変形が品質に大きな影響
を与えるため、安価で確実なリードフレームインナーリ
ード変形防止法が望まれている。
ンナーリードの位置精度条件は非常に厳しくリードフレ
ームインナーリードのわずかな変形が品質に大きな影響
を与えるため、安価で確実なリードフレームインナーリ
ード変形防止法が望まれている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ため、本発明は、肉薄の先端部を有し、その隣接する先
端部が連結部で繋がれたリードフレームインナーリード
を成形する工程と、半導体チップの電極と前記リードフ
レームインナーリードの先端部とを接続する工程と、そ
の後、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各イ
ンナーリードを電気的に独立させる工程とを有すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
る。また、肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部が
連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成形
する工程と、半導体チップの電極とテープフィルムキャ
リアのＴＡＢリードとを接続する工程と、その後、前記
リードフレームインナーリードと前記テープフィルムキ
ャリアのリードとを接続する工程と、次に、前記連結部
をレーザー加工によって切断し、各インナーリードを電
気的に独立させる工程とを有することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法を提供する。ここで、前記
リードフレームインナーリード先端部の全てが前記連結
部によって一体的に連結されていても良い。
ため、本発明は、肉薄の先端部を有し、その隣接する先
端部が連結部で繋がれたリードフレームインナーリード
を成形する工程と、半導体チップの電極と前記リードフ
レームインナーリードの先端部とを接続する工程と、そ
の後、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各イ
ンナーリードを電気的に独立させる工程とを有すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
る。また、肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部が
連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成形
する工程と、半導体チップの電極とテープフィルムキャ
リアのＴＡＢリードとを接続する工程と、その後、前記
リードフレームインナーリードと前記テープフィルムキ
ャリアのリードとを接続する工程と、次に、前記連結部
をレーザー加工によって切断し、各インナーリードを電
気的に独立させる工程とを有することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法を提供する。ここで、前記
リードフレームインナーリード先端部の全てが前記連結
部によって一体的に連結されていても良い。
【００１１】
【作用】現在、板厚の70％程度までのピッチでリードを
加工できることから、リードフレームインナーリードの
先端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリ
ードを形成することができる。また、隣接するリードフ
レームインナーリード先端部を互いに連結部で繋ぐこと
により、互いに補強し合い、リード幅の小さなインナー
リードの先端部まで、変形を防止する。
加工できることから、リードフレームインナーリードの
先端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリ
ードを形成することができる。また、隣接するリードフ
レームインナーリード先端部を互いに連結部で繋ぐこと
により、互いに補強し合い、リード幅の小さなインナー
リードの先端部まで、変形を防止する。
【００１２】そして、リードフレームインナーリードと
半導体チップの電極パッドまたはＴＡＢ技術を用いて半
導体チップをテープフィルムキャリアに装着したＴＡＢ
チップのＴＡＢアウターリードを接続後、連結部をレー
ザー加工し、切断することによってリードフレームイン
ナーリードを互いに電気的に独立させる。
半導体チップの電極パッドまたはＴＡＢ技術を用いて半
導体チップをテープフィルムキャリアに装着したＴＡＢ
チップのＴＡＢアウターリードを接続後、連結部をレー
ザー加工し、切断することによってリードフレームイン
ナーリードを互いに電気的に独立させる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図５を参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
【００１４】図１はＴＡＢアウターリードを接合前のリ
ードフレームインナーリード先端部を示す図である。図
２はリードフレームインナーリードの接合部分のレーザ
ー加工前を示す部分平面図、図３は図２のＡＡ’に沿う
断面図、図４はＴＡＢアウターリードとリードフレーム
インナーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す部
分平面図である。また、図５はリードフレームを示す図
である。
ードフレームインナーリード先端部を示す図である。図
２はリードフレームインナーリードの接合部分のレーザ
ー加工前を示す部分平面図、図３は図２のＡＡ’に沿う
断面図、図４はＴＡＢアウターリードとリードフレーム
インナーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す部
分平面図である。また、図５はリードフレームを示す図
である。
【００１５】まず、図５に示すように、Ｃｕ系合金また
はＦｅ−Ｎｉ合金からなる帯状薄板を加工し、リードフ
レーム７を形成する。即ち、帯状薄板中央に半導体チッ
プ配置部６を設け、コイニングまたはハーフエッチング
によって半導体チップ配置部６周囲を帯状薄板厚の１／
３〜２／３に薄肉化し、リードフレームインナーリード
先端部に図１に示すような薄板化部４ａを形成する。
はＦｅ−Ｎｉ合金からなる帯状薄板を加工し、リードフ
レーム７を形成する。即ち、帯状薄板中央に半導体チッ
プ配置部６を設け、コイニングまたはハーフエッチング
によって半導体チップ配置部６周囲を帯状薄板厚の１／
３〜２／３に薄肉化し、リードフレームインナーリード
先端部に図１に示すような薄板化部４ａを形成する。
【００１６】続いて、リードフレームインナーリード４
及び薄板化部４ａの一部分を残して帯状薄板厚の70〜80
％の間隔で抜き落とし、リードフレームインナーリード
の先端部を互いに連結する連結部４ｂを形成する。連結
部４ｂは全てのリードフレームインナーリード先端を一
体的に連結するものであっても、一連の群を成すリード
フレームインナーリード先端を部分的に連結するもので
あっても良い。現状では板厚の70％程度までの間隔を抜
き落とすことができることから、板厚が最小ピッチを決
めることになる。即ち、リードフレームインナーリード
４先端部を薄肉化し、薄板化部４ａを形成することによ
り、今日の手法を用いてさえも、さらに微細なピッチの
リードフレームインナーリード４を形成することが可能
である。即ち、リードフレームインナーリード４の厚さ
が0.15mmであれば、リード間隔は0.1mm 程度が限界であ
るが、薄板化部４ａを0.05mm程度に加工することによ
り、リード間隔は0.04mm程度まで微細化可能である。ま
た、リードフレームインナーリード４先端部に連結部４
ｂを設け、リードフレームインナーリード先端部を互い
に連結することにより、リードフレームインナーリード
４先端部を安定させることができ、薄肉化しても、極め
て精度良くリードフレームインナーリード４を整形でき
る。特に、全てのリードフレームインナーリード先端部
を一体的に連結した場合にはリードフレームインナーリ
ードの安定性を一層増すことができる。
及び薄板化部４ａの一部分を残して帯状薄板厚の70〜80
％の間隔で抜き落とし、リードフレームインナーリード
の先端部を互いに連結する連結部４ｂを形成する。連結
部４ｂは全てのリードフレームインナーリード先端を一
体的に連結するものであっても、一連の群を成すリード
フレームインナーリード先端を部分的に連結するもので
あっても良い。現状では板厚の70％程度までの間隔を抜
き落とすことができることから、板厚が最小ピッチを決
めることになる。即ち、リードフレームインナーリード
４先端部を薄肉化し、薄板化部４ａを形成することによ
り、今日の手法を用いてさえも、さらに微細なピッチの
リードフレームインナーリード４を形成することが可能
である。即ち、リードフレームインナーリード４の厚さ
が0.15mmであれば、リード間隔は0.1mm 程度が限界であ
るが、薄板化部４ａを0.05mm程度に加工することによ
り、リード間隔は0.04mm程度まで微細化可能である。ま
た、リードフレームインナーリード４先端部に連結部４
ｂを設け、リードフレームインナーリード先端部を互い
に連結することにより、リードフレームインナーリード
４先端部を安定させることができ、薄肉化しても、極め
て精度良くリードフレームインナーリード４を整形でき
る。特に、全てのリードフレームインナーリード先端部
を一体的に連結した場合にはリードフレームインナーリ
ードの安定性を一層増すことができる。
【００１７】ここでは、抜き落としによりリードフレー
ムインナーリード４形成する方法について説明したが、
この他、エッチングによってリードフレームインナーリ
ード４を形成することもできる。
ムインナーリード４形成する方法について説明したが、
この他、エッチングによってリードフレームインナーリ
ード４を形成することもできる。
【００１８】一方、半導体チップは従来のＴＡＢ技術に
よって、テープフィルムキャリア３に装着する。即ち、
半導体チップ上の電極パッドとＴＡＢインナーリードを
熱圧着し、接続する。この後、所定の電気検査を行い、
ＴＡＢアウターリード２ｂ外周部を切断することによ
り、半導体チップを装着したＴＡＢチップを形成する。
よって、テープフィルムキャリア３に装着する。即ち、
半導体チップ上の電極パッドとＴＡＢインナーリードを
熱圧着し、接続する。この後、所定の電気検査を行い、
ＴＡＢアウターリード２ｂ外周部を切断することによ
り、半導体チップを装着したＴＡＢチップを形成する。
【００１９】続いて、図２及び図３に示すように、ＴＡ
Ｂチップをリードフレーム７に位置合わせし、ＴＡＢチ
ップのＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレームイン
ナーリード４を熱圧着して、この半導体チップを装着後
のＴＡＢチップをリードフレーム７に装着する。このと
き、ＴＡＢアウターリード２ｂのリード幅、ピッチが決
まっているため、ＴＡＢチップをリードフレーム７に位
置合わせしたときに、全てのＴＡＢアウターリード２ｂ
の位置も一義的に決まる。しかし、リードフレームイン
ナーリード４には連結部４ｂがあるため、リードフレー
ムインナーリード４の変形を確実に防止することがで
き、全てのＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレーム
インナーリード４との位置合わせを良好に行うことが可
能となる。
Ｂチップをリードフレーム７に位置合わせし、ＴＡＢチ
ップのＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレームイン
ナーリード４を熱圧着して、この半導体チップを装着後
のＴＡＢチップをリードフレーム７に装着する。このと
き、ＴＡＢアウターリード２ｂのリード幅、ピッチが決
まっているため、ＴＡＢチップをリードフレーム７に位
置合わせしたときに、全てのＴＡＢアウターリード２ｂ
の位置も一義的に決まる。しかし、リードフレームイン
ナーリード４には連結部４ｂがあるため、リードフレー
ムインナーリード４の変形を確実に防止することがで
き、全てのＴＡＢアウターリード２ｂとリードフレーム
インナーリード４との位置合わせを良好に行うことが可
能となる。
【００２０】次に、連結部４ｂを、例えばＹＡＧ等のレ
ーザーを用いて切断し、図４のように、リードフレーム
インナーリード４を分離して、ＴＡＢアウターリード２
ｂとリードフレームインナーリード４の接続処理を完了
する。このとき、レーザー光を有効に作用させるため
に、薄板化部４ａを着色するなどして、レーザー光を吸
収しやすくしておいても良い。このようにして、レーザ
ー光を用いることによって、極めて微細な加工が可能に
なり、リードフレームインナーリード４のピッチを先端
部で小さくすることができる。従って、抜き落としだけ
では不可能であったようなピッチも、薄肉化した連結部
４ｂを切断することによって実現することができる。
ーザーを用いて切断し、図４のように、リードフレーム
インナーリード４を分離して、ＴＡＢアウターリード２
ｂとリードフレームインナーリード４の接続処理を完了
する。このとき、レーザー光を有効に作用させるため
に、薄板化部４ａを着色するなどして、レーザー光を吸
収しやすくしておいても良い。このようにして、レーザ
ー光を用いることによって、極めて微細な加工が可能に
なり、リードフレームインナーリード４のピッチを先端
部で小さくすることができる。従って、抜き落としだけ
では不可能であったようなピッチも、薄肉化した連結部
４ｂを切断することによって実現することができる。
【００２１】この後、従来のＱＦＰと同様にして、リー
ドフレーム７を樹脂封止し、リードフレームアウターリ
ード４ｃを所定の形状にトリミイング及びフォーミング
して、半導体装置を完成する。
ドフレーム７を樹脂封止し、リードフレームアウターリ
ード４ｃを所定の形状にトリミイング及びフォーミング
して、半導体装置を完成する。
【００２２】以上では、ＴＡＢ技術を用いたＱＦＰにつ
いて述べてきたが、他の形状のＴＡＢ技術を用いたフラ
ットパッケージについてもまったく同様にして本発明を
用いることができる。さらに、通常のワイヤボンディン
グにおいても、リードフレームインナーリード先端部を
薄肉化し、連結部を設けておき、ボンディング後、レー
ザーによって連結部を切断するという方法等も可能であ
る。
いて述べてきたが、他の形状のＴＡＢ技術を用いたフラ
ットパッケージについてもまったく同様にして本発明を
用いることができる。さらに、通常のワイヤボンディン
グにおいても、リードフレームインナーリード先端部を
薄肉化し、連結部を設けておき、ボンディング後、レー
ザーによって連結部を切断するという方法等も可能であ
る。
【００２３】
【発明の効果】抜き落としまたはエッチングによってリ
ードフレームインナーリードを成形する場合、リード板
厚がリードの加工可能なピッチを決定するため、リード
フレームの板厚が薄いほど微細なピッチで形成すること
ができる。従って、リードフレームインナーリードの先
端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリー
ドを形成することができる。
ードフレームインナーリードを成形する場合、リード板
厚がリードの加工可能なピッチを決定するため、リード
フレームの板厚が薄いほど微細なピッチで形成すること
ができる。従って、リードフレームインナーリードの先
端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリー
ドを形成することができる。
【００２４】隣接するリードフレームインナーリードの
先端部を繋ぐ連結部を形成することにより、リード幅の
小さなインナーリードの先端部まで変形を確実に防止で
きるので、リードフレームインナーリード先端部を薄肉
化しても、ＴＡＢ技術を用いたフラットパッケージにお
いて、ＴＡＢアウターリードとリードフレームインナー
リードとの接続を良好に行うことができる。
先端部を繋ぐ連結部を形成することにより、リード幅の
小さなインナーリードの先端部まで変形を確実に防止で
きるので、リードフレームインナーリード先端部を薄肉
化しても、ＴＡＢ技術を用いたフラットパッケージにお
いて、ＴＡＢアウターリードとリードフレームインナー
リードとの接続を良好に行うことができる。
【００２５】また、リードフレームインナーリードと半
導体チップの電極パッドまたはＴＡＢ技術を用いたＴＡ
ＢチップのＴＡＢアウターリードを接続後、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、リードフレ
ームインナーリード先端部の微細な加工が可能となり、
よりリード幅、リードピッチの狭いリード接続を可能に
する。
導体チップの電極パッドまたはＴＡＢ技術を用いたＴＡ
ＢチップのＴＡＢアウターリードを接続後、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、リードフレ
ームインナーリード先端部の微細な加工が可能となり、
よりリード幅、リードピッチの狭いリード接続を可能に
する。
【図１】リードフレームインナーリードの先端部を示す
図である。
図である。
【図２】リードフレームインナーリードとＴＡＢアウタ
ーリードとの接合部分のレーザー加工前を示す平面図で
ある。
ーリードとの接合部分のレーザー加工前を示す平面図で
ある。
【図３】図２中ＡＡ’に沿う断面図である。
【図４】リードフレームインナーリードとＴＡＢアウタ
ーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す平面図で
ある。
ーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す平面図で
ある。
【図５】リードフレームを示す図である。
【図６】従来のＴＡＢ技術を用いたＱＦＰの樹脂封止前
の断面図である。
の断面図である。
１ 半導体チップ ２ ＴＡＢリード ２ａ ＴＡＢインナーリード ２ｂ ＴＡＢアウターリード ３ テープフィルムキャリア ４ リードフレームインナーリード ４ａ 薄板化部 ４ｂ 連結部 ４ｃ リードフレームアウターリード ５ 電極パッド ６ 半導体チップ配置部 ７ リードフレーム
Claims (3)
- 【請求項１】肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部
が連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成
形する工程と、 半導体チップの電極と前記リードフレームインナーリー
ドの先端部とを接続する工程と、 その後、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各
インナーリードを電気的に独立させる工程とを有するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部
が連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成
形する工程と、 半導体チップの電極とテープフィルムキャリアのＴＡＢ
リードとを接続する工程と、 その後、前記リードフレームインナーリードと前記テー
プフィルムキャリアのリードとを接続する工程と、 次に、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各イ
ンナーリードを電気的に独立させる工程とを有すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記リードフレームインナーリード先端部
の全てが前記連結部によって一体的に連結されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲請求項１または請求項２
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261641A JPH05102384A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261641A JPH05102384A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102384A true JPH05102384A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17364723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261641A Pending JPH05102384A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08227962A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP1316999A1 (de) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG | Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen |
| US6838751B2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
| KR100546696B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2006-01-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 제조 공정용 리드프레임의 형성 방법 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3261641A patent/JPH05102384A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08227962A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100546696B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2006-01-26 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 제조 공정용 리드프레임의 형성 방법 |
| EP1316999A1 (de) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG | Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen |
| US7009116B2 (en) | 2001-11-28 | 2006-03-07 | Conti Temic Microelectric | Contact device and a process to facilitate contact of power electronics components and an assembly that consists of one or several power electronics components |
| US6838751B2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
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