JPH05102384A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH05102384A
JPH05102384A JP3261641A JP26164191A JPH05102384A JP H05102384 A JPH05102384 A JP H05102384A JP 3261641 A JP3261641 A JP 3261641A JP 26164191 A JP26164191 A JP 26164191A JP H05102384 A JPH05102384 A JP H05102384A
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JP
Japan
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lead
lead frame
frame inner
leads
tab
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Pending
Application number
JP3261641A
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English (en)
Inventor
Yoshimasa Kudo
好正 工藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH05102384A publication Critical patent/JPH05102384A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 リードフレームインナーリード先端部を薄肉
化し、リードフレームインナーリード先端部を繋ぐ連結
部を残してリードフレームインナーリードを成形する工
程と、半導体チップと前記リードフレームインナーリー
ドとを接続する工程の後、前記連結部をレーザー加工に
よって切断する工程とを有する。 【効果】 リードフレームインナーリードの先端部を薄
肉化することにより、より微細なピッチのリードを形成
することが可能になり、リードフレームインナーリード
の先端部に連結部を形成することで、リード幅の小さな
インナーリードの先端部まで変形を確実に防止できるの
で、TAB技術を用いたフラットパッケージにおいて、
TABアウターリードとリードフレームインナーリード
との接続を良好に行うことができる。また、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、よりリード
幅、リードピッチの狭いリード接続を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
のうち、特に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のワイヤボンディング法ではリード
フレーム中央に半導体チップを位置し、リードフレーム
中央に突出するリードフレームインナーリードと半導体
チップ上の電極パッドを金等の金属ワイヤによって接続
し、この後、樹脂封止している。
【0003】しかし、半導体チップのサイズが小さくな
り、また、ピン数が増大するにつれて、リードフレーム
インナーリード先端の幅、ピッチが狭くなるため、リー
ドフレームインナーリードを一定の強度を保ったまま半
導体チップ近くまで延ばすことができなくなっている。
これは、現状では板厚の70%程度までの間隔しか抜き落
とせないために、板厚が最小ピッチを決めるからで、リ
ードフレームインナーリード板厚を厚くして強度を維持
すると、微小ピッチの加工が不可能であり、また、微小
ピッチ加工のためにリードフレームインナーリード板厚
を単純に薄くすると強度の点で問題が生じる。従って、
リードフレームインナーリード先端と電極パッドとの距
離が大きくならざるをえず、ボンディングワイヤが著し
く長くなり、ワイヤ同士の接触や断線による不良が発生
しやすくなる。また、リードフレームインナーリードの
ピッチを狭くするとボンディングエリアが微小となり、
ミスボンドを誘発し、歩留まりを低下させる。
【0004】この問題の解決手段として、図6に示すよ
うなTAB技術を応用したフラットパッケージのひとつ
として、QFP(Quadrangular Flat Package )が開発
されている。
【0005】例えば、TAB技術を用いたQFPはま
ず、通常のTAB方式により電極パッド5とTABイン
ナーリード2aを圧着し、テープフィルムキャリア3上
のTABリード2に半導体チップ1を接続する。次に、
TABアウターリード2bとリードフレームインナーリ
ード4とを位置合わせし、プレス加工により熱圧着接続
し、この後、樹脂封止する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング法ではリードフレームインナーリードの位置を検出
してリードのある場所にボンディングしてゆくが、TA
B技術を用いたQFP等では、TABアウターリードと
リードフレームインナーリードを重ねて、一括または個
々に熱圧着接続する。従って、ワイヤボンディング法で
はリード位置の精度はあまり問題にはならないが、TA
B技術を用いたQFP等では、テープフィルムキャリア
に半導体チップを装着後のTABチップの位置が決まる
と、TABアウターリード、リードフレームインナーリ
ードともリード幅、ピッチが決まっているため、全ての
TABアウターリード、リードフレームインナーリード
の位置が一義的に決まり、一括接続、個々接続に係わら
ず、リードの変形は即接続不良となる。即ち、各々のリ
ードの位置精度は極めて重要である。現在、300 ピン程
度の半導体チップではリードフレームインナーリードの
厚さは0.15mm程度で、各々のリードの幅は0.12mm、ピッ
チは0.1mm 程度、また、求められるTABアウターリー
ドの位置精度は±0.015mm 程度、リードフレームインナ
ーリードの精度は±0.02mm程度である。
【0007】今日、半導体チップの集積度の向上にとも
なって一層多ピン化が進んでおり、このためTABを用
いたQFP等においてもリードフレームインナーリード
のピッチが一層狭くなり、リード幅も小さく、変形しや
すくなっている。
【0008】このリードフレームインナーリードの変形
防止のためにポリイミドテープでリードを固定している
が、ポリイミドは絶縁物質であるため、リードフレーム
インナーリードの先端部に用いることができない。この
ため、ポリイミドテープを用いてもリード先端部の変形
を確実に防ぐことはできない。さらにまた、ポリイミド
テープは高価である。
【0009】以上述べてきたように、リードフレームイ
ンナーリードの位置精度条件は非常に厳しくリードフレ
ームインナーリードのわずかな変形が品質に大きな影響
を与えるため、安価で確実なリードフレームインナーリ
ード変形防止法が望まれている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ため、本発明は、肉薄の先端部を有し、その隣接する先
端部が連結部で繋がれたリードフレームインナーリード
を成形する工程と、半導体チップの電極と前記リードフ
レームインナーリードの先端部とを接続する工程と、そ
の後、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各イ
ンナーリードを電気的に独立させる工程とを有すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
る。また、肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部が
連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成形
する工程と、半導体チップの電極とテープフィルムキャ
リアのTABリードとを接続する工程と、その後、前記
リードフレームインナーリードと前記テープフィルムキ
ャリアのリードとを接続する工程と、次に、前記連結部
をレーザー加工によって切断し、各インナーリードを電
気的に独立させる工程とを有することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法を提供する。ここで、前記
リードフレームインナーリード先端部の全てが前記連結
部によって一体的に連結されていても良い。
【0011】
【作用】現在、板厚の70%程度までのピッチでリードを
加工できることから、リードフレームインナーリードの
先端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリ
ードを形成することができる。また、隣接するリードフ
レームインナーリード先端部を互いに連結部で繋ぐこと
により、互いに補強し合い、リード幅の小さなインナー
リードの先端部まで、変形を防止する。
【0012】そして、リードフレームインナーリードと
半導体チップの電極パッドまたはTAB技術を用いて半
導体チップをテープフィルムキャリアに装着したTAB
チップのTABアウターリードを接続後、連結部をレー
ザー加工し、切断することによってリードフレームイン
ナーリードを互いに電気的に独立させる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1から図5を参照
しながら詳細に説明する。
【0014】図1はTABアウターリードを接合前のリ
ードフレームインナーリード先端部を示す図である。図
2はリードフレームインナーリードの接合部分のレーザ
ー加工前を示す部分平面図、図3は図2のAA’に沿う
断面図、図4はTABアウターリードとリードフレーム
インナーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す部
分平面図である。また、図5はリードフレームを示す図
である。
【0015】まず、図5に示すように、Cu系合金また
はFe−Ni合金からなる帯状薄板を加工し、リードフ
レーム7を形成する。即ち、帯状薄板中央に半導体チッ
プ配置部6を設け、コイニングまたはハーフエッチング
によって半導体チップ配置部6周囲を帯状薄板厚の1/
3〜2/3に薄肉化し、リードフレームインナーリード
先端部に図1に示すような薄板化部4aを形成する。
【0016】続いて、リードフレームインナーリード4
及び薄板化部4aの一部分を残して帯状薄板厚の70〜80
%の間隔で抜き落とし、リードフレームインナーリード
の先端部を互いに連結する連結部4bを形成する。連結
部4bは全てのリードフレームインナーリード先端を一
体的に連結するものであっても、一連の群を成すリード
フレームインナーリード先端を部分的に連結するもので
あっても良い。現状では板厚の70%程度までの間隔を抜
き落とすことができることから、板厚が最小ピッチを決
めることになる。即ち、リードフレームインナーリード
4先端部を薄肉化し、薄板化部4aを形成することによ
り、今日の手法を用いてさえも、さらに微細なピッチの
リードフレームインナーリード4を形成することが可能
である。即ち、リードフレームインナーリード4の厚さ
が0.15mmであれば、リード間隔は0.1mm 程度が限界であ
るが、薄板化部4aを0.05mm程度に加工することによ
り、リード間隔は0.04mm程度まで微細化可能である。ま
た、リードフレームインナーリード4先端部に連結部4
bを設け、リードフレームインナーリード先端部を互い
に連結することにより、リードフレームインナーリード
4先端部を安定させることができ、薄肉化しても、極め
て精度良くリードフレームインナーリード4を整形でき
る。特に、全てのリードフレームインナーリード先端部
を一体的に連結した場合にはリードフレームインナーリ
ードの安定性を一層増すことができる。
【0017】ここでは、抜き落としによりリードフレー
ムインナーリード4形成する方法について説明したが、
この他、エッチングによってリードフレームインナーリ
ード4を形成することもできる。
【0018】一方、半導体チップは従来のTAB技術に
よって、テープフィルムキャリア3に装着する。即ち、
半導体チップ上の電極パッドとTABインナーリードを
熱圧着し、接続する。この後、所定の電気検査を行い、
TABアウターリード2b外周部を切断することによ
り、半導体チップを装着したTABチップを形成する。
【0019】続いて、図2及び図3に示すように、TA
Bチップをリードフレーム7に位置合わせし、TABチ
ップのTABアウターリード2bとリードフレームイン
ナーリード4を熱圧着して、この半導体チップを装着後
のTABチップをリードフレーム7に装着する。このと
き、TABアウターリード2bのリード幅、ピッチが決
まっているため、TABチップをリードフレーム7に位
置合わせしたときに、全てのTABアウターリード2b
の位置も一義的に決まる。しかし、リードフレームイン
ナーリード4には連結部4bがあるため、リードフレー
ムインナーリード4の変形を確実に防止することがで
き、全てのTABアウターリード2bとリードフレーム
インナーリード4との位置合わせを良好に行うことが可
能となる。
【0020】次に、連結部4bを、例えばYAG等のレ
ーザーを用いて切断し、図4のように、リードフレーム
インナーリード4を分離して、TABアウターリード2
bとリードフレームインナーリード4の接続処理を完了
する。このとき、レーザー光を有効に作用させるため
に、薄板化部4aを着色するなどして、レーザー光を吸
収しやすくしておいても良い。このようにして、レーザ
ー光を用いることによって、極めて微細な加工が可能に
なり、リードフレームインナーリード4のピッチを先端
部で小さくすることができる。従って、抜き落としだけ
では不可能であったようなピッチも、薄肉化した連結部
4bを切断することによって実現することができる。
【0021】この後、従来のQFPと同様にして、リー
ドフレーム7を樹脂封止し、リードフレームアウターリ
ード4cを所定の形状にトリミイング及びフォーミング
して、半導体装置を完成する。
【0022】以上では、TAB技術を用いたQFPにつ
いて述べてきたが、他の形状のTAB技術を用いたフラ
ットパッケージについてもまったく同様にして本発明を
用いることができる。さらに、通常のワイヤボンディン
グにおいても、リードフレームインナーリード先端部を
薄肉化し、連結部を設けておき、ボンディング後、レー
ザーによって連結部を切断するという方法等も可能であ
る。
【0023】
【発明の効果】抜き落としまたはエッチングによってリ
ードフレームインナーリードを成形する場合、リード板
厚がリードの加工可能なピッチを決定するため、リード
フレームの板厚が薄いほど微細なピッチで形成すること
ができる。従って、リードフレームインナーリードの先
端部を薄肉化することにより、より微細なピッチのリー
ドを形成することができる。
【0024】隣接するリードフレームインナーリードの
先端部を繋ぐ連結部を形成することにより、リード幅の
小さなインナーリードの先端部まで変形を確実に防止で
きるので、リードフレームインナーリード先端部を薄肉
化しても、TAB技術を用いたフラットパッケージにお
いて、TABアウターリードとリードフレームインナー
リードとの接続を良好に行うことができる。
【0025】また、リードフレームインナーリードと半
導体チップの電極パッドまたはTAB技術を用いたTA
BチップのTABアウターリードを接続後、連結部をレ
ーザー加工によって切断することによって、リードフレ
ームインナーリード先端部の微細な加工が可能となり、
よりリード幅、リードピッチの狭いリード接続を可能に
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】リードフレームインナーリードの先端部を示す
図である。
【図2】リードフレームインナーリードとTABアウタ
ーリードとの接合部分のレーザー加工前を示す平面図で
ある。
【図3】図2中AA’に沿う断面図である。
【図4】リードフレームインナーリードとTABアウタ
ーリードとの接合部分のレーザー加工後を示す平面図で
ある。
【図5】リードフレームを示す図である。
【図6】従来のTAB技術を用いたQFPの樹脂封止前
の断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 TABリード 2a TABインナーリード 2b TABアウターリード 3 テープフィルムキャリア 4 リードフレームインナーリード 4a 薄板化部 4b 連結部 4c リードフレームアウターリード 5 電極パッド 6 半導体チップ配置部 7 リードフレーム

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部
    が連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成
    形する工程と、 半導体チップの電極と前記リードフレームインナーリー
    ドの先端部とを接続する工程と、 その後、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各
    インナーリードを電気的に独立させる工程とを有するこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】肉薄の先端部を有し、その隣接する先端部
    が連結部で繋がれたリードフレームインナーリードを成
    形する工程と、 半導体チップの電極とテープフィルムキャリアのTAB
    リードとを接続する工程と、 その後、前記リードフレームインナーリードと前記テー
    プフィルムキャリアのリードとを接続する工程と、 次に、前記連結部をレーザー加工によって切断し、各イ
    ンナーリードを電気的に独立させる工程とを有すること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】前記リードフレームインナーリード先端部
    の全てが前記連結部によって一体的に連結されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲請求項1または請求項2
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP3261641A 1991-10-09 1991-10-09 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH05102384A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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