JPH02298044A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JPH02298044A
JPH02298044A JP11940589A JP11940589A JPH02298044A JP H02298044 A JPH02298044 A JP H02298044A JP 11940589 A JP11940589 A JP 11940589A JP 11940589 A JP11940589 A JP 11940589A JP H02298044 A JPH02298044 A JP H02298044A
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thin
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Takaaki Mitsui
孝昭 三井
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Mitsui High Tec Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はリードフレームの製造方法に係り、特にそのリ
ードフレームの先端部の形状加工に関する。
(従来の技術) 半導体装置の小形化高集積化に伴い、リードフレームの
インナーリード先端が細くなり、変形を生じ易くなって
いる。インナーリードの変形は、リードの短絡やボンデ
ィング不良を生じ易く、リードフレームの歩留まり低下
や、半導体装置の信頼性低下の原因の1つになっている
ところで、リードフレームと半導体素子(チップ)との
接続方式はワイヤを用いるワイヤボンディング方式と、
ワイヤを用いることなく半導体素子を導体パターン面に
直接固着するワイヤレスボンディング方式とに大別され
る。
これらのうちワイヤボンディング方式は、リードフレー
ムのダイパッドに、チップを熱圧着によりあるいは導電
性接着剤等により固着し、このチツブのボンディングパ
ッドとリードフレームのインナーリードの先端とを金線
等を用いて電気的に接続するもので、1本ずつ接続する
ためボンディングに要する時間が長く信頼性の而でも問
題があるうえ、半導体装置の外形を薄くすることが出来
ないという問題もあった。
そこで、近年、半導体装置の薄型化とボンディングに要
する時間を低減するため、ワイヤレスボンディング方式
が注目されている。
ワイヤレスボンディング方式にもいろいろな方式がある
が、その代表的なものの1つに、第5図に示す如く、イ
ンナーリード1の先端に伸長する肉薄のパターン11の
先端に形成されたバンプ11aをチップ20のボンディ
ングパッドに直接接続することによりチップ20とイン
ナーリード1とを電気的に接続するダンプ式ボンディン
グ方式(バンプ付TAB方式)がある。
上記ダンプ式ボンディングは、ワイヤボンディングのよ
うに1本づつボンディングするのではなく、チップに全
リードの先端を1度にボンディングすることができるた
め、ボンディング時間の大幅な短縮を図ることができる
上、ワイヤボンディング方式で必要であったワイヤルー
プ分の高さが不要となり半導体装置の薄形化をはかるこ
とができる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このようなダンプ式ボンディングにおい
ては、ワイヤボンディングのように1本づつボンディン
グするのではなく、チップに全リードの先端を1度にボ
ンディングするため、先端部はある程度の可撓性を必要
とし、このため通常のインナーリード先端よりもさらに
肉薄のパターンとなっており、微少な外力によっても変
形を生じやすいという問題がある。
通常、このようなリードフレームは、インナーリード形
成予定部先端を予めコイニングによって薄く形成するよ
うにするかまたは、エツチングにより前もって薄く形成
した状態で、打ち抜き工程などによって肉薄部の形成を
含む形状加工を行い、この後、先端部に貴金属めっきを
行い、形成される。このようなインナーリードの変形防
止対策としては、一般にポリイミド樹脂などの絶縁性の
テープを貼着することにより、インナーリード間を橋絡
し、相互の位置関係を維持するという方法がとられてい
る。しかしながら、この方法は、ダンプ式ボンディング
等のダイレクトボンド用に用いられるリードフレームに
対しては、インナーリード先端部の肉薄パターンは細す
ぎてテープ貼着時の圧力によって変形を生じ易く、十分
な効果を得ることができないという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、上躍己ダン
プ式ボンディング(こおIするインナーリード先端の肉
薄部がテープ貼着時等の圧力によって変形を生じ易いと
いう問題点を解決し、信頼性の高いリードフレームを抛
供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) そこで本発明では、リードフレームの形状加工後、隣接
するインナーリード相互間を絶縁性物質によって固定し
、インナーリードの先端部の表面を選択的にエツチング
除去することにより肉薄パターンを形成し、さらに、こ
の先端近傍に貴金属めっきを施すようにしている。
(作用) 上記方法によれば、隣接するインナーリード相互間を絶
縁性物質によって固定する際には、変形しやすい肉薄部
は形成されていないため、テープ貼着時等の圧力によっ
て変形を生じたりすることもない。そして、インナーリ
ードの先端部が固定された状態で、インナーリードの先
端部を肉薄加工するようにしているため、インナーリー
ドの先端部の変形を防止することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ、詳
細に説明する。
第1図(a)乃至第1図(d)は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である。
まず、第1図(a)に示すように、スタンピング法によ
り、板厚0.O8l1mの銅合金からなる帯状材料を加
工し、半導体素子を搭載するためのダイパッド形成部を
とり囲むように先端が延在せ1.められた多数のインナ
ーリード1と、該インナーリードとほぼ直交する方向に
延びこれらインナーリードを一体的に支持するタイバー
2と、該タイバーの外側に前記各インナーリードに接続
するように配設せしめられたアウターリード3とを含む
リードフレームを成型する。第2図はこの平面図を示す
。すなわち第1図(a)は、第2図のA−A断面図であ
る。
次いで、第1図(b)に示すように、リードフレーム裏
面のパッケージエリア内にポリイミド樹脂からなる絶縁
性テープTを貼着し、インナーリードを一体的に固定す
る。
この後、第1図(C)に示すように、インナーリード先
端の肉薄パターン形成領域を除く領域をマスクで被覆し
て、エツチング液に浸漬し、インナーリード先端部の厚
さが0.04mm程度となるまで表面をエツチングする
ことにより、肉薄パターン11を形成する。
そして最後に、第1図(d)に示すようにこの肉薄パタ
ーンの表面に金等の貴金属めっきを施すことにより金め
つき層Mで被覆すると共に、先端に金めつき層で被覆さ
れたバンプllaを形成し、本発明実施例のリードフレ
ームが完成する。
このようにして形成されたリードフ1ノームは、第3図
に要部斜視図を示すように、インナーリード先端部の肉
薄パターンが、肉薄パターン形成前の機械的強度の低下
していない時期に絶縁性テープTによって一体的に固定
されるようになっており、テープ貼着時の圧力などによ
って変形を生じたりすることもないため、インナーリー
ドの位置ずれを大幅に低減することができ、信頼性の高
いものとなっている。
なお、このようにして形成されたリードフ1ノームへの
チップの実装に際しては、まず支持台上に載置されたチ
ップのボンディングパッド上に、インナーリード1の先
端のバンプ付パターン11のバンプ11aが当接するよ
うにインナーリードを位置決めした後、インナーリード
1の裏面側から加圧しつつ加熱して、バンプ表面にあら
かじめ形成されている半田層を溶融することによりし両
者が固着接続される。
そしてこの後、モールド工程を経て半導体装置が完成す
るわけであるが、リードフレームへのチップの実装に際
してチップのボンディングパッドとインナーリードの先
端のバンプ付パターンのバンプとの固着工程における熱
履歴によってもモールド工程における熱履歴によっても
、インナーリード先端部は絶縁性テープTによって正し
い位置に固定されているため、接続不良を生じたりする
ことなく信頼性の高い半導体装置を得ることが可能とな
る。
なお、前記実施例ではバンプllaに金メッキを施すよ
うにしたが、バンプllaに金メッキを施す代わりにチ
ップのボンディングパッドに金メッキを施しておくよう
にしてもよい。
また、前記実施例では、スタンピングによる形状加工工
程で、インナーリードの先端部の形状加工も行うように
したが、第4図に示すように、隣接するインナーリード
の先端部間を相互に連結するように連結片Bを残して成
形し、第1図(C)に示したようにエツチングにより肉
薄パターンを形成する際に連結片の除去を同時に行うよ
うにしても良い。また、この連結片除去は、貴金属めっ
きの後に行うようにしても良い。
(発明の効果) 以上説明したように本発明の方法によれば、インナーリ
ード先端が、固定用のテープ貼着時の圧力に十分に耐え
得る程度の板厚のときすなわち、肉薄加工をする前に、
極めて広い範囲のテーピングを行うようにしているため
、リードの変形を生じることがなくダイレクトボンド用
リードフレームとして高い精度を有するリードフレーム
を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)乃至第1図(d)は本発明実施例のリード
フレームの製造方法に基づく製造工程図、第2図は第1
図(a)に示した形状加工後のリードフレームを示す平
面図、第3図は第1図に示した製造工程に従って形成し
たリードフレ−ム視図を示す図、第4図は第2図に示し
た形状加工の変形例を示す図、第5図は通常のワイヤレ
スボンディング方式の一例を示す説明図である。 1・・・インナーリード、2・・・タイバー、3・・・
アウターリード、11a・・・バンプ、11・・・肉薄
のパターン、20・・・チップ、T・・・絶縁性テープ
、B・・・連結片。 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  インナーリードの先端にバンプを有し、当該バンプを
    半導体素子のボンディングパッドに直接接続するダイレ
    クトボンド用のリードフレームの製造方法において、 帯状材料からリードフレームの形状加工を行う形状加工
    工程と、 隣接するインナーリード相互間を絶縁性物質によって固
    定するインナーリード固定工程と、インナーリードの先
    端部の表面を選択的にエッチング除去することにより肉
    薄パターンを形成する肉薄化工程と、 前記肉薄パターンの先端近傍に貴金属めっきを施すめっ
    き工程とを具備してなることを特徴とするリードフレー
    ムの製造方法。
JP11940589A 1989-05-12 1989-05-12 リードフレームの製造方法 Expired - Fee Related JPH063817B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347320A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003347320A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置

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