JPH06104314A - フィルムキャリア - Google Patents
フィルムキャリアInfo
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- JPH06104314A JPH06104314A JP3454591A JP3454591A JPH06104314A JP H06104314 A JPH06104314 A JP H06104314A JP 3454591 A JP3454591 A JP 3454591A JP 3454591 A JP3454591 A JP 3454591A JP H06104314 A JPH06104314 A JP H06104314A
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- film carrier
- lead
- film
- leads
- resin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルムキャリヤのリード支持枠部における寸
法安定性に影響されることなくインナーリードの寸法精
度を向上させる。 【構成】サポート付フィルムキャリア１のインナーリー
ド９はアウターリード８に連続してボンディング孔４を
跨ぐ位置まで延設されてフィンガーリードを形成してい
る。そしてインナーリード９の先端部９ａは、ボンディ
ング孔４によって形成されるサポートプレーンに支持さ
れている。また、支持メタル１０がインナーリード５の
先端部５ａに囲まれて配設されているとともにサポート
プレーン７に支持されていて、サポートプレーン７と支
持メタル１０とにより雛段状に形成された本発明のアイ
ランドが構成されている。
法安定性に影響されることなくインナーリードの寸法精
度を向上させる。 【構成】サポート付フィルムキャリア１のインナーリー
ド９はアウターリード８に連続してボンディング孔４を
跨ぐ位置まで延設されてフィンガーリードを形成してい
る。そしてインナーリード９の先端部９ａは、ボンディ
ング孔４によって形成されるサポートプレーンに支持さ
れている。また、支持メタル１０がインナーリード５の
先端部５ａに囲まれて配設されているとともにサポート
プレーン７に支持されていて、サポートプレーン７と支
持メタル１０とにより雛段状に形成された本発明のアイ
ランドが構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】多数のＩ／Ｏパッド（入出力パッ
ド）、アドレス及びデータバスを有するＬＳＩの回路等
の電子制御回路を実装するために好適なフィルムキャリ
アに関する。
ド）、アドレス及びデータバスを有するＬＳＩの回路等
の電子制御回路を実装するために好適なフィルムキャリ
アに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＬＳＩの微細加工技術が急速に進展
しており、これに伴い、ゲートアレイ、スタンダードセ
ル等に代表されるＡＳＩＣ（Application Specific Int
egrated Cricuit)チップにおいては、そのゲート密度
（ゲート数）が年々目ざましい勢いで増え続けている。
また同時に、周縁素子との信号のやり取りを行うＩ／Ｏ
パッド数も増加の一途をたどっており、昨今に至っては
Ｉ／Ｏピン数で５００ピンを越えるＡＳＩＣチップが開
発される状況にある。
しており、これに伴い、ゲートアレイ、スタンダードセ
ル等に代表されるＡＳＩＣ（Application Specific Int
egrated Cricuit)チップにおいては、そのゲート密度
（ゲート数）が年々目ざましい勢いで増え続けている。
また同時に、周縁素子との信号のやり取りを行うＩ／Ｏ
パッド数も増加の一途をたどっており、昨今に至っては
Ｉ／Ｏピン数で５００ピンを越えるＡＳＩＣチップが開
発される状況にある。
【０００３】このような多数のＩ／Ｏパッドを有するＬ
ＳＩ（以下、多ピンＬＳＩという）をパッケージングに
より実装して半導体装置等の電子制御部品を形成する方
式は種々開発されているが、それらのパッケージ実装形
態の例として、例えば４２アロイ（４２％Ｎｉ含有Ｆｅ
合金）等の金属材料を用いて４方向にリードを有すると
ともに中央にダイパッドを有するリードフレームを形成
し、そのダイパッド上に多ピンＬＳＩをダイボンドした
後、ＬＳＩ上のＩ／Ｏパッドとリードフレームのインナ
ーリードとをワイヤー接続し、インジェクション金型を
用いて熱可塑性樹脂をＬＳＩ、ワイヤー接続部及びリー
ドの一部にトランスファーモールドし、その後リードフ
レームのダムバーのカット及びアウターリードをＪ型も
しくはガルウイング状に折り曲げ加工をして完成するＰ
ＬＣＣ（Plastic Lead Chip Carrier)あるいはＱＦＰ
（Quad Flat Package)が開発されている。
ＳＩ（以下、多ピンＬＳＩという）をパッケージングに
より実装して半導体装置等の電子制御部品を形成する方
式は種々開発されているが、それらのパッケージ実装形
態の例として、例えば４２アロイ（４２％Ｎｉ含有Ｆｅ
合金）等の金属材料を用いて４方向にリードを有すると
ともに中央にダイパッドを有するリードフレームを形成
し、そのダイパッド上に多ピンＬＳＩをダイボンドした
後、ＬＳＩ上のＩ／Ｏパッドとリードフレームのインナ
ーリードとをワイヤー接続し、インジェクション金型を
用いて熱可塑性樹脂をＬＳＩ、ワイヤー接続部及びリー
ドの一部にトランスファーモールドし、その後リードフ
レームのダムバーのカット及びアウターリードをＪ型も
しくはガルウイング状に折り曲げ加工をして完成するＰ
ＬＣＣ（Plastic Lead Chip Carrier)あるいはＱＦＰ
（Quad Flat Package)が開発されている。
【０００４】しかしながら、このような多ピンＬＳＩ実
装に用いられるリードフレームは、厚さ０.１mm前後の
金属材料を湿式エッチング法によりエッチングして形成
されるが、この湿式エッチング法により厚さ０.１mm前
後の金属材料をエッチングする場合、形成されるリード
間のピッチには自ずと限界があり、現状の加工レベルで
の可能な最挟ピッチはインナーリード部で０.２mm前後
である。したがって、ＬＳＩチップ上のＩ／Ｏパッドと
インナーリードとをワイヤボンディングにて接続した場
合、ワイヤーは３〜５mmの長ループとなるため、ワイヤ
ーとダイパッドエッジ部とのショートや樹脂トランスフ
ァー時におけるワイヤー流れによるワイヤー同士のショ
ート等の問題が生じる。
装に用いられるリードフレームは、厚さ０.１mm前後の
金属材料を湿式エッチング法によりエッチングして形成
されるが、この湿式エッチング法により厚さ０.１mm前
後の金属材料をエッチングする場合、形成されるリード
間のピッチには自ずと限界があり、現状の加工レベルで
の可能な最挟ピッチはインナーリード部で０.２mm前後
である。したがって、ＬＳＩチップ上のＩ／Ｏパッドと
インナーリードとをワイヤボンディングにて接続した場
合、ワイヤーは３〜５mmの長ループとなるため、ワイヤ
ーとダイパッドエッジ部とのショートや樹脂トランスフ
ァー時におけるワイヤー流れによるワイヤー同士のショ
ート等の問題が生じる。
【０００５】このような問題を解決する目的で、多ピン
ＬＳＩのパッケージ実装の新しい方式であるＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）実装が最近開発され、にわかに
脚光を浴び始めてきている。このＴＡＢ実装にはフィル
ムキャリアが用いられているが、このフィルムキャリヤ
は図４に示す構成を有するとともに、以下に示すように
して形成される。図４に示すように、このフィルムキャ
リア１０１はポリイミド樹脂フィルム１０２上に接着剤
を介して３５μｍないし２７μｍ程度の厚みを有する銅
箔１０３を張り合わせ、この銅箔上にフォトリソグラフ
ィー法により所定回路パターンのレジスト像を形成し、
このレジスト像を用いて湿式エッチング法によりポリイ
ミド樹脂フィルム１０２上に金属銅パターンを形成す
る。この金属銅パターンは、外部回路に接続されるアウ
ターリード１０４と、このアウターリードに連続して設
けられるインナーリード１０５とからなっている。この
インナーリード１０５はその先端がポリイミド樹脂フィ
ルム１０２に形成されたデバイス孔１０６に突出してい
て片持ち状態に形成されている。なお、１０７はデバイ
ス孔１０６を囲むように設けられたウィンド孔、１０８
はリードフレームの両側縁に沿って設けられたスプロケ
ット孔である。
ＬＳＩのパッケージ実装の新しい方式であるＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）実装が最近開発され、にわかに
脚光を浴び始めてきている。このＴＡＢ実装にはフィル
ムキャリアが用いられているが、このフィルムキャリヤ
は図４に示す構成を有するとともに、以下に示すように
して形成される。図４に示すように、このフィルムキャ
リア１０１はポリイミド樹脂フィルム１０２上に接着剤
を介して３５μｍないし２７μｍ程度の厚みを有する銅
箔１０３を張り合わせ、この銅箔上にフォトリソグラフ
ィー法により所定回路パターンのレジスト像を形成し、
このレジスト像を用いて湿式エッチング法によりポリイ
ミド樹脂フィルム１０２上に金属銅パターンを形成す
る。この金属銅パターンは、外部回路に接続されるアウ
ターリード１０４と、このアウターリードに連続して設
けられるインナーリード１０５とからなっている。この
インナーリード１０５はその先端がポリイミド樹脂フィ
ルム１０２に形成されたデバイス孔１０６に突出してい
て片持ち状態に形成されている。なお、１０７はデバイ
ス孔１０６を囲むように設けられたウィンド孔、１０８
はリードフレームの両側縁に沿って設けられたスプロケ
ット孔である。
【０００６】そして金属銅パターンの全面もしくは一部
分に、錫めっき処理もしくは金めっき処理を施してフィ
ルムキャリア１０１が完成される。上述のフィルムキャ
リアのうち、錫めっき処理品の場合には、ＬＳＩチップ
上のＩ／Ｏパッド上に形成された金バンプとインナーリ
ード先端部とに熱及び圧力を加えて金と錫との金属共晶
を形成し、この金属共晶を利用することによりＩ／Ｏパ
ッドとインナーリードとを接続する。また、金めっき処
理品の場合には、ＬＳＩチップ上のＩ／Ｏパッドに形成
された金バンプとインナーリード先端部とに熱、圧力及
び超音波を加えて圧着接続することによりＩ／Ｏパッド
とインナーリードとを接続する。このようにしてインナ
ーリードとの接合を完了したＬＳＩチップ上に液状樹脂
をボッティングするか、もしくは熱可塑性樹脂をトラン
スファーモールドして樹脂封止を完了し、その後フィル
ムキャリアからアウターリードを切り離すことによりＴ
ＡＢパッケージが完成される。
分に、錫めっき処理もしくは金めっき処理を施してフィ
ルムキャリア１０１が完成される。上述のフィルムキャ
リアのうち、錫めっき処理品の場合には、ＬＳＩチップ
上のＩ／Ｏパッド上に形成された金バンプとインナーリ
ード先端部とに熱及び圧力を加えて金と錫との金属共晶
を形成し、この金属共晶を利用することによりＩ／Ｏパ
ッドとインナーリードとを接続する。また、金めっき処
理品の場合には、ＬＳＩチップ上のＩ／Ｏパッドに形成
された金バンプとインナーリード先端部とに熱、圧力及
び超音波を加えて圧着接続することによりＩ／Ｏパッド
とインナーリードとを接続する。このようにしてインナ
ーリードとの接合を完了したＬＳＩチップ上に液状樹脂
をボッティングするか、もしくは熱可塑性樹脂をトラン
スファーモールドして樹脂封止を完了し、その後フィル
ムキャリアからアウターリードを切り離すことによりＴ
ＡＢパッケージが完成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＴＡＢパッケージに用いられるフィルムキャリア
は、７５μｍtないしは１２５μｍtの厚みを有するポリ
イミド樹脂フィルム１０２からなるベース材料により形
成されているばかりでなく、インナーリード１０５がポ
リイミド樹脂支持枠からデバイス孔部１０６に向けて片
持ち状態で形成されているため、インナーリード先端の
ボンディングポスト部の位置精度はポリイミド樹脂支持
枠部の寸法安定性に大きく左右されてしまう。すなわ
ち、銅箔ラミネート時に発生した応力がパターンエッチ
ング後に緩和されることにより、インナーリードのばた
つきが発生したり、製造プロセスにおける種々の熱工程
を経ることにより、ポリイミドフィルム樹脂自体のしな
りが生じたりするため、ポリイミドフィルム樹脂の支持
枠部における平坦性が損なわればかりでなく、リードピ
ッチの精度が低下する。
うなＴＡＢパッケージに用いられるフィルムキャリア
は、７５μｍtないしは１２５μｍtの厚みを有するポリ
イミド樹脂フィルム１０２からなるベース材料により形
成されているばかりでなく、インナーリード１０５がポ
リイミド樹脂支持枠からデバイス孔部１０６に向けて片
持ち状態で形成されているため、インナーリード先端の
ボンディングポスト部の位置精度はポリイミド樹脂支持
枠部の寸法安定性に大きく左右されてしまう。すなわ
ち、銅箔ラミネート時に発生した応力がパターンエッチ
ング後に緩和されることにより、インナーリードのばた
つきが発生したり、製造プロセスにおける種々の熱工程
を経ることにより、ポリイミドフィルム樹脂自体のしな
りが生じたりするため、ポリイミドフィルム樹脂の支持
枠部における平坦性が損なわればかりでなく、リードピ
ッチの精度が低下する。
【０００８】このようなポリイミドフィルム樹脂支持枠
部の平坦性の損失あるいはリードピッチ精度の低下は、
ＬＳＩチップ上のＡｕバンプピッチとフィルムキャリア
のインナーリードピッチとの間に狂いを生じさせるが、
その狂いは特に多ピン・挟ピッチのフィルムキャリアの
場合相対的に大きなものとなり、ボンディングのアライ
ニングが不可能になる場合が生じることが考えられる。
部の平坦性の損失あるいはリードピッチ精度の低下は、
ＬＳＩチップ上のＡｕバンプピッチとフィルムキャリア
のインナーリードピッチとの間に狂いを生じさせるが、
その狂いは特に多ピン・挟ピッチのフィルムキャリアの
場合相対的に大きなものとなり、ボンディングのアライ
ニングが不可能になる場合が生じることが考えられる。
【０００９】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的はフィルムキャリヤのリード
支持枠部における寸法安定性に影響されることなくイン
ナーリードの寸法精度を向上させることのできるフィル
ムキャリヤを提供することである。
たものであって、その目的はフィルムキャリヤのリード
支持枠部における寸法安定性に影響されることなくイン
ナーリードの寸法精度を向上させることのできるフィル
ムキャリヤを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明は、ベース絶縁性樹脂フィルムと該ベース
絶縁性樹脂フィルム上に所定のパターンに形成された金
属からなるフィンガーリードとからなり、ＬＳＩ回路等
の電子制御回路を実装するためのフィルムキャリアにお
いて、フィンガーリードの先端部が前記ベース絶縁性樹
脂フィルムに設けられたアイランドに支持されているこ
とを特徴としている。
めに、本発明は、ベース絶縁性樹脂フィルムと該ベース
絶縁性樹脂フィルム上に所定のパターンに形成された金
属からなるフィンガーリードとからなり、ＬＳＩ回路等
の電子制御回路を実装するためのフィルムキャリアにお
いて、フィンガーリードの先端部が前記ベース絶縁性樹
脂フィルムに設けられたアイランドに支持されているこ
とを特徴としている。
【００１１】
【作用】このように構成された本発明のフィルムキャリ
アよれば、フィンガーリードの先端部がアイランドに支
持されるので、フィンガーリード先端部の折れ曲がり及
び破損等の不具合が回避されるとともに、フィルムキャ
リアのフィンガーリード先端部の位置精度が向上する。
アよれば、フィンガーリードの先端部がアイランドに支
持されるので、フィンガーリード先端部の折れ曲がり及
び破損等の不具合が回避されるとともに、フィルムキャ
リアのフィンガーリード先端部の位置精度が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。図１は本発明に係るフィルムキャリア
の一実施例を示す平面図であり、図２は図１におけるII
ーII線に沿う断面図である。図１及び図２に示すよう
に、サポートプレーン付フィルムキャリア１はポリイミ
ド樹脂フィルム２の表面に銅箔３が張り合わされた銅張
積層フィルムから形成されている。ポリイミド樹脂フィ
ルム２には、銅箔３の張り合わせ部の中央付近に４つの
ボンディング孔４が穿設されているとともにその外側に
４つのウィンド孔５が穿設されており、また銅箔３の非
張り合わせ部の両側縁に多数のスプロケット孔６が穿設
されている。そして４つのボンディング孔４によりほぼ
矩形状のサポートプレーン７が形成されている。
ついて説明する。図１は本発明に係るフィルムキャリア
の一実施例を示す平面図であり、図２は図１におけるII
ーII線に沿う断面図である。図１及び図２に示すよう
に、サポートプレーン付フィルムキャリア１はポリイミ
ド樹脂フィルム２の表面に銅箔３が張り合わされた銅張
積層フィルムから形成されている。ポリイミド樹脂フィ
ルム２には、銅箔３の張り合わせ部の中央付近に４つの
ボンディング孔４が穿設されているとともにその外側に
４つのウィンド孔５が穿設されており、また銅箔３の非
張り合わせ部の両側縁に多数のスプロケット孔６が穿設
されている。そして４つのボンディング孔４によりほぼ
矩形状のサポートプレーン７が形成されている。
【００１３】一方、銅箔３はエッチングにより所定の回
路パターンに形成されており、この回路パターンは、外
部回路に接続されるアウターリード８、このアウターリ
ード８に連続して形成されるインナーリード９及びほぼ
中央に形成される支持メタル１０からなっている。アウ
ターリード８は銅箔３の外周縁からウィンド孔５を跨い
だ位置まで４方に延設されており、テストパッド１１を
有している。またインナーリード９はアウターリード８
に連続してボンディング孔４を跨ぐ位置まで４方に延設
されてフィンガーリードを形成しており、したがってイ
ンナーリード９の先端部９ａはサポートプレーン７に支
持された状態になっている。更に、支持メタル１０はイ
ンナーリード９の先端部９ａに囲まれて配設されている
とともに、サポートプレーン７に支持されている。図２
から明らかなようにサポートプレーン７と支持メタル１
０とは雛段状に形成されており、本発明のアイランドを
構成している。
路パターンに形成されており、この回路パターンは、外
部回路に接続されるアウターリード８、このアウターリ
ード８に連続して形成されるインナーリード９及びほぼ
中央に形成される支持メタル１０からなっている。アウ
ターリード８は銅箔３の外周縁からウィンド孔５を跨い
だ位置まで４方に延設されており、テストパッド１１を
有している。またインナーリード９はアウターリード８
に連続してボンディング孔４を跨ぐ位置まで４方に延設
されてフィンガーリードを形成しており、したがってイ
ンナーリード９の先端部９ａはサポートプレーン７に支
持された状態になっている。更に、支持メタル１０はイ
ンナーリード９の先端部９ａに囲まれて配設されている
とともに、サポートプレーン７に支持されている。図２
から明らかなようにサポートプレーン７と支持メタル１
０とは雛段状に形成されており、本発明のアイランドを
構成している。
【００１４】そして図１に示す状態では、サポートプレ
ーン付フィルムキャリア１はテストパッド１１に周縁に
配置されためっきリード１６により各々のインナーリー
ド９が電気的に短絡された状態となっている。後述する
ように、このめっきリード１６により配線リード部の電
解めっきによる表面処理が行われるようになっている。
なお、支持メタル１０はめっきリードによりインナーリ
ード９と電気的に接続されていないが、この支持メタル
１０に電解めっきにより表面処理を施す場合には、配線
リード部と同様にめっきリードを回路パターン設定時に
設けておけばよい。
ーン付フィルムキャリア１はテストパッド１１に周縁に
配置されためっきリード１６により各々のインナーリー
ド９が電気的に短絡された状態となっている。後述する
ように、このめっきリード１６により配線リード部の電
解めっきによる表面処理が行われるようになっている。
なお、支持メタル１０はめっきリードによりインナーリ
ード９と電気的に接続されていないが、この支持メタル
１０に電解めっきにより表面処理を施す場合には、配線
リード部と同様にめっきリードを回路パターン設定時に
設けておけばよい。
【００１５】図３はこのように構成されたサポートプレ
ーン付フィルムキャリア１の製造方法を概略的に説明す
る模式図である。まず図３（ａ）に示すように、サポー
トプレーン付フィルムキャリア１を製造するにあたり、
厚さ７５μｍt、巾７５mmのポリイミド樹脂フィルム２
（例えば商品名カプトンＶ：東レ・デュポン社製等）上
にエポキシ系接着剤１２が塗布されて形成された基材１
３を準備する。
ーン付フィルムキャリア１の製造方法を概略的に説明す
る模式図である。まず図３（ａ）に示すように、サポー
トプレーン付フィルムキャリア１を製造するにあたり、
厚さ７５μｍt、巾７５mmのポリイミド樹脂フィルム２
（例えば商品名カプトンＶ：東レ・デュポン社製等）上
にエポキシ系接着剤１２が塗布されて形成された基材１
３を準備する。
【００１６】図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、
パンチング装置を用いてこの基材１３に対して穴明け加
工を行い、基材１３のポリイミド樹脂フィルム２に、ボ
ンディング孔４、ウインド孔５及びスプロケット孔６を
それぞれ穿設する。次に図３（ｄ）に示すように、穴明
け加工が施されたポリイミド樹脂フィルム２のエポキシ
系接着剤１２の塗布面の所定部に厚さ２７μｍtの電界
銅箔３をラミネートし、８０℃・１１０℃・１４０℃・
１６０℃という温度ステップにてアフターキュアを施し
て銅張積層ポリイミド樹脂フィルムを形成する。次いで
図３（ｅ）に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２側
からボンディング孔４、ウインド孔５を通して化学研磨
液（例えばＨ2Ｏ2）を銅箔３に噴霧し、それらの孔４，
５により露出している銅箔３裏面の酸化膜を除去する。
次に図３（ｆ）に示すように、ノボラック系フォトレジ
スト１４を銅箔３表面にロールコーティング法により塗
布し、このフォトレジスト１４を用いてプロジェクショ
ン露光機にて支持メタル１０、インナーリード９、アウ
ターリード８等の所定回路パターンのための紫外線焼付
けを行う。
パンチング装置を用いてこの基材１３に対して穴明け加
工を行い、基材１３のポリイミド樹脂フィルム２に、ボ
ンディング孔４、ウインド孔５及びスプロケット孔６を
それぞれ穿設する。次に図３（ｄ）に示すように、穴明
け加工が施されたポリイミド樹脂フィルム２のエポキシ
系接着剤１２の塗布面の所定部に厚さ２７μｍtの電界
銅箔３をラミネートし、８０℃・１１０℃・１４０℃・
１６０℃という温度ステップにてアフターキュアを施し
て銅張積層ポリイミド樹脂フィルムを形成する。次いで
図３（ｅ）に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２側
からボンディング孔４、ウインド孔５を通して化学研磨
液（例えばＨ2Ｏ2）を銅箔３に噴霧し、それらの孔４，
５により露出している銅箔３裏面の酸化膜を除去する。
次に図３（ｆ）に示すように、ノボラック系フォトレジ
スト１４を銅箔３表面にロールコーティング法により塗
布し、このフォトレジスト１４を用いてプロジェクショ
ン露光機にて支持メタル１０、インナーリード９、アウ
ターリード８等の所定回路パターンのための紫外線焼付
けを行う。
【００１７】次に図３（ｇ）に示すように、ポリイミド
樹脂開孔部、すなわち、ボンディング孔４、ウインド孔
５より露出した銅箔部３にアルカリ可溶型裏止め剤を塗
布した後、図３（ｈ）に示すように塩化銅１５エッチャ
ントを用いてスプレーエッチングを行うことにより銅箔
部３の支持メタル１０、インナーリード９、アウターリ
ード８、テストパッド１１等の回路パターンを形成す
る。その場合、この段階では支持メタル１０、インナー
リード９等の銅箔パターンにて形成された金属回路部
は、テストパッド１１に周縁に配置されためっきリード
１６により電気的に短絡された状態になっている。した
がって、図３（ｉ）に示すようにこのめっきリード１６
を利用して、電解セル方式にてＮｉめっき５μｍt及び
Ａｕめっき２μｍtの表面処理を施すことによりサポー
トプレーン付フィルムキャリア１を完成させる。
樹脂開孔部、すなわち、ボンディング孔４、ウインド孔
５より露出した銅箔部３にアルカリ可溶型裏止め剤を塗
布した後、図３（ｈ）に示すように塩化銅１５エッチャ
ントを用いてスプレーエッチングを行うことにより銅箔
部３の支持メタル１０、インナーリード９、アウターリ
ード８、テストパッド１１等の回路パターンを形成す
る。その場合、この段階では支持メタル１０、インナー
リード９等の銅箔パターンにて形成された金属回路部
は、テストパッド１１に周縁に配置されためっきリード
１６により電気的に短絡された状態になっている。した
がって、図３（ｉ）に示すようにこのめっきリード１６
を利用して、電解セル方式にてＮｉめっき５μｍt及び
Ａｕめっき２μｍtの表面処理を施すことによりサポー
トプレーン付フィルムキャリア１を完成させる。
【００１８】このようにして表面処理の完了したサポー
トプレーン付フィルムキャリア１は、そのリード配線全
域を電気的に短絡させているめっきリード１２をそれぞ
れ切断することにより、インナーリード９とＬＳＩチッ
プのＩ／Ｏパッドとのボンディング後にＤＣテスティン
グが可能な状態にされる。
トプレーン付フィルムキャリア１は、そのリード配線全
域を電気的に短絡させているめっきリード１２をそれぞ
れ切断することにより、インナーリード９とＬＳＩチッ
プのＩ／Ｏパッドとのボンディング後にＤＣテスティン
グが可能な状態にされる。
【００１９】上述のごとくして完成したサポートプレー
ン付フィルムキャリア１においては、インナーリード９
とＬＳＩチップのＩ／Ｏパッドとのボンディングは、図
３（ｊ）に示すように例えばリード毎に荷重及び超音波
を印加することのできるボンディングヘッドを備えたシ
ングルポイントボンダ１７を用いて行うことができる。
この場合、ＬＳＩチップ１８のＡｌパッド（図示せず）
上に、マッシュルーム形状もしくはストレートウォール
状にＡｕバンプ１９を形成しておくか、もしくはボンデ
ィングリードのボンディングポスト部にＡｕバンプを転
写形成しておく必要がある。
ン付フィルムキャリア１においては、インナーリード９
とＬＳＩチップのＩ／Ｏパッドとのボンディングは、図
３（ｊ）に示すように例えばリード毎に荷重及び超音波
を印加することのできるボンディングヘッドを備えたシ
ングルポイントボンダ１７を用いて行うことができる。
この場合、ＬＳＩチップ１８のＡｌパッド（図示せず）
上に、マッシュルーム形状もしくはストレートウォール
状にＡｕバンプ１９を形成しておくか、もしくはボンデ
ィングリードのボンディングポスト部にＡｕバンプを転
写形成しておく必要がある。
【００２０】なお本実施例では、フィルムキャリア１の
リード配線部の表面処理としてＡｕめっきの場合につい
て示したが、本発明は表面処理法を特に限定するもので
はなく、例えばＰｄめっき処理などを施した表面処理法
でも同様のボンディング手法を用いることが可能であ
る。また本実施例では、インナーリード９を支持するサ
ポートプレーン７はベース絶縁性樹脂フィルム２上に金
属銅箔３を残した構成のものについて示したが、ベース
絶縁性樹脂フィルム２のみにより構成されるものであっ
ても良い。さらに、本実施例では、エポキシ系接着剤１
２にて銅箔３とポリイミド樹脂フィルム２を張り合わせ
て構成される３層テープを用いた場合について示した
が、本発明は特に３層テーブにのみ限定されるものでは
なく、ポリイミド樹脂フィルム２上に銅を蒸着し、めっ
き法にて銅厚を厚ずけしたもの、もしくは銅箔上に液状
ポリイミド樹脂をキャスティングしたもの、あるいはポ
リイミド樹脂フィルム上に無電解めっき法にて銅を析出
形成したもの等を用いても、一部の工程を変更すること
により容易に実施できるものである。
リード配線部の表面処理としてＡｕめっきの場合につい
て示したが、本発明は表面処理法を特に限定するもので
はなく、例えばＰｄめっき処理などを施した表面処理法
でも同様のボンディング手法を用いることが可能であ
る。また本実施例では、インナーリード９を支持するサ
ポートプレーン７はベース絶縁性樹脂フィルム２上に金
属銅箔３を残した構成のものについて示したが、ベース
絶縁性樹脂フィルム２のみにより構成されるものであっ
ても良い。さらに、本実施例では、エポキシ系接着剤１
２にて銅箔３とポリイミド樹脂フィルム２を張り合わせ
て構成される３層テープを用いた場合について示した
が、本発明は特に３層テーブにのみ限定されるものでは
なく、ポリイミド樹脂フィルム２上に銅を蒸着し、めっ
き法にて銅厚を厚ずけしたもの、もしくは銅箔上に液状
ポリイミド樹脂をキャスティングしたもの、あるいはポ
リイミド樹脂フィルム上に無電解めっき法にて銅を析出
形成したもの等を用いても、一部の工程を変更すること
により容易に実施できるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればフィルムキャリアのフィンガーリード先端部が
サポートプレーンにて支持されるので、製造工程におけ
るフィルムキャリアのハンドリング性が向上する。した
がって、特にＩ／Ｏ数の多いフィルムキャリアを形成す
る場合、インナーリード先端部の折れ曲がり及び破損等
の不具合を回避することができる。
によればフィルムキャリアのフィンガーリード先端部が
サポートプレーンにて支持されるので、製造工程におけ
るフィルムキャリアのハンドリング性が向上する。した
がって、特にＩ／Ｏ数の多いフィルムキャリアを形成す
る場合、インナーリード先端部の折れ曲がり及び破損等
の不具合を回避することができる。
【００２２】また、フィルムキャリアのインナーリード
先端部がサポートプレーンにて支持されることにより、
フィルムキャリアのインナーリード先端部の位置精度を
向上させることが可能となる。したがって、本発明によ
るフィルムキャリアを用いてＩ／Ｏ数の多い多ピンＬＳ
Ｉ等の電子制御回路部品のボンディング実装を行えば、
ボンディング精度を高精度に維持することができ、電子
制御回路部品の実装信頼性を大幅に向上することができ
る。
先端部がサポートプレーンにて支持されることにより、
フィルムキャリアのインナーリード先端部の位置精度を
向上させることが可能となる。したがって、本発明によ
るフィルムキャリアを用いてＩ／Ｏ数の多い多ピンＬＳ
Ｉ等の電子制御回路部品のボンディング実装を行えば、
ボンディング精度を高精度に維持することができ、電子
制御回路部品の実装信頼性を大幅に向上することができ
る。
【図１】本発明に係るフィルムキャリアの一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１におけるIIーII線に沿う断面図である。
【図３】この一実施例に係わるサポートプレーン付フィ
ルムキャリアの製造方法を説明する図である。
ルムキャリアの製造方法を説明する図である。
【図４】図４は従来のフィルムキャリアを示す平面図で
ある。
ある。
１ サポート付フィルムキャリア ２ ポリイミド樹脂フィルム ３ 銅箔 ４ ボンディング孔 ５ ウィンド孔 ６ スプロケット孔 ７ サポートプレーン ８ アウターリード ９ インナーリード １０ 支持メタル １１ テストパッド １２ エポキシ系接着剤 １３ 基材 １４ フォトレジスト １６ めっきリード １８ ＬＳＩチップ １０６ テバイス孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１３日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るフィルムキャリアの一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】 図１におけるIIーII線に沿う断面図である。
【図３ａ】この一実施例に係わるサポートプレーン付フ
ィルムキャリアの製造方法の一部を説明し、この実施例
に用いられる基材を示す断面図である。
ィルムキャリアの製造方法の一部を説明し、この実施例
に用いられる基材を示す断面図である。
【図３ｂ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の他の一部を説明する断面図である。
ャリアの製造方法の他の一部を説明する断面図である。
【図３ｃ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｄ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｅ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｆ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｇ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｈ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｉ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図３ｊ】この実施例のサポートプレーン付フィルムキ
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
ャリアの製造方法の更に他の一部を説明する断面図であ
る。
【図４】 従来のフィルムキャリアを示す平面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １…サポート付フィルムキャリア、２…ポリイミド樹脂
フィルム、３…銅箔、４…ボンディング孔、５…ウィン
ド孔、６…スプロケット孔、７…サポートプレーン、８
…アウターリード、９…インナーリード、１０…支持メ
タル、１１…テストパッド、１２…エポキシ系接着剤、
１３…基材、１４…フォトレジスト、１６…めっきリー
ド、１８…ＬＳＩチップ、１０６…デバイス孔
フィルム、３…銅箔、４…ボンディング孔、５…ウィン
ド孔、６…スプロケット孔、７…サポートプレーン、８
…アウターリード、９…インナーリード、１０…支持メ
タル、１１…テストパッド、１２…エポキシ系接着剤、
１３…基材、１４…フォトレジスト、１６…めっきリー
ド、１８…ＬＳＩチップ、１０６…デバイス孔
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【図３ｄ】
【図３ｅ】
【図３ｆ】
【図３ｇ】
【図３ｈ】
【図３ｉ】
【図３ｊ】
【図４】
Claims (3)
- 【請求項１】 ベース絶縁性樹脂フィルムと該ベース絶
縁性樹脂フィルム上に所定のパターンに形成された金属
からなるフィンガーリードとからなり、ＬＳＩ回路等の
電子制御回路を実装するためのフィルムキャリアにおい
て、 フィンガーリードの先端部が前記ベース絶縁性樹脂フィ
ルムに設けられたアイランドに支持されていることを特
徴とするフィルムキャリア。 - 【請求項２】 前記アイランドは、ベース絶縁性樹脂フ
ィルムと単一部材により形成されていることを特徴とす
る請求項１記載のフィルムキャリア。 - 【請求項３】 前記アイランドは、ベース絶縁性樹脂フ
ィルムと該ベース絶縁性樹脂フィルム上に配設された金
属とから雛段状に形成され、前記フィンガーリードの先
端部は該アイランドを構成するベース絶縁性樹脂フィル
ムに支持されていることを特徴とする請求項１記載のフ
ィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3454591A JPH06104314A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3454591A JPH06104314A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フィルムキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104314A true JPH06104314A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=12417279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3454591A Pending JPH06104314A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フィルムキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088307A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | Ｔａｂ用テープ |
| JPH09162346A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Kenseidou Kagaku Kogyo Kk | 新規なリードフレーム |
| US6646355B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-11-11 | International Business Machines Corporation | Structure comprising beam leads bonded with electrically conductive adhesive |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3454591A patent/JPH06104314A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088307A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | Ｔａｂ用テープ |
| JPH09162346A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Kenseidou Kagaku Kogyo Kk | 新規なリードフレーム |
| US6646355B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-11-11 | International Business Machines Corporation | Structure comprising beam leads bonded with electrically conductive adhesive |
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