JPH06163619A - 半導体装置およびその製造において用いるトランスファモールド型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モールドＴＣＰのリード曲がり防止およびパ
ッケージの無ボイド化。 【構成】 アウターリード９の先端部分がガードリング
１３で固定されて保護されるため、リード曲がりが起き
難くなる。前記ガードリングはトランスファモールド時
にパッケージの形成と同時に形成される。パッケージを
形成するパッケージ用キャビティに流入したレジン３７
のレジン流動先端部は、連結用キャビティを通ってガー
ドリングを形成するフローキャビティに流入する。ま
た、ゲートからもフローキャビティにレジンが徐々に流
入する。レジン流動先端部に巻き込まれた空気に起因す
るボイドはパッケージ用キャビティから出てフローキャ
ビティに入る。このため、パッケージ１２内にボイドが
残留しなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特にアウタ
ーリードを保護するガードリングを有する半導体装置お
よびその製造において用いられるトランスファモールド
型に関し、たとえば、モールド・テープキャリアパッケ
ージ（ＴＣＰ）技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。このため、電子機器に組み込まれる電子部品の多く
は、表面実装が可能な構造に移行してきている。また、
電子部品の製造コストの低減のために、パッケージ形態
は材料が安くかつ生産性が良好な樹脂（レジン）による
レジンパッケージが多用されている。表面実装について
は、たとえば、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニク
ス」１９９０年３月１９日号（４９５号）、Ｐ１１９〜
Ｐ１３６に記載されている。この文献には、多端子・狭
ピッチＬＳＩのパッケージ形態として、プラスチックＱ
ＦＰ (Quad Flat Package)やプラスチックＳＯＰ(Small
Outline Package) 等のプラスチック・フラット・パッ
ケージ、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ：Tape Car
rier Package）としてのＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）としてのト
ランスファモールドによるモールドＴＡＢがあり、これ
らＬＳＩパッケージにおけるアウターリードの狭ピッチ
化は、０．３ｍｍ〜０．２ｍｍに移行しつつある旨記載
されている。また、この文献には、「アウターリードの
曲がりや、アウターリードの浮きによるプリント配線基
板へのアウターリードの接続不良を防ぐため、ＬＳＩメ
ーカーはアウターリードを切り離さずに出荷し、ユーザ
ーが搭載直前にアウターリードを成形し、直にマウント
する。」旨記載されている。また、前記出荷に際して
は、アウターリードが曲がらないように、アウターリー
ドをスライド・キャリヤで保持しておく技術が開示され
ている。すなわち、同文献において写真で示されている
が、モールドＴＣＰにおいてアウターリードが曲がらな
いようにするために、テープの周囲を樹脂製のスライド
・キャリヤで保護している。また、前記テープとスライ
ド・キャリヤの形状および寸法はＪＥＤＥＣの標準規格
に準拠し、かつスライド・キャリヤの裏面にはテスト・
ピンを当てるための開口部が設けられる構造となってい
る。

【０００３】一方、工業調査会発行「電子材料」１９９
０年３月号、平成２年３月１日発行、Ｐ１２９には、プ
ラスチック・パッケージにおいてパッケージの四隅に突
出したモールド部を設けてアウターリードを保護する構
造が開示されている。

【０００４】他方、工業調査会発行「電子材料」１９８
７年８月号、昭和６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９
には、プラスチック・パッケージについて記載されてい
る。この文献には、トランスファ成形において、「プレ
ヒータで予熱されたタブレットをポット内に投入する。
トランスファ先端のプランジャによって（カル→ランナ
→ゲート→キャビティ→エアベント）の順に注入され
る。ランナサイズおよび形状によって流動抵抗をなく
し，エアの巻き込みを極限に押え，ゲートは注入角度，
サイズのコントロールでボイド，金線流れなどの不良低
減を図り，エアベントの設置は充填性（成形外観）向上
の重要なファクタとなっている。図１のオーバランナ，
ダミーキャビティはさらに成形品のボイド，金線流れ不
良を低減する手段で現在製作されているモールド型には
何らかの方法で採用されているようである。」旨記載さ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＴＣＰは、ポッティン
グレジンを用いて封止しており、後工程における搬送，
顧客への出荷は共にリール形態で行っている。モールド
ＴＣＰは、モールド時のキャビティ以外の部分（カル，
ランナ）があることからリール対応はできない。このた
め、モールドＴＣＰは工程内搬送，顧客への出荷におい
ては個片となる。個片状態では、リードが露出するた
め、リード曲がりの発生ポテンシャルは大きい。ＴＣ
Ｐ，モールドＴＣＰにおけるリードは、薄い銅箔をパタ
ーニングして形成されていることから、わずかな外力に
よっても容易に曲がってしまう。そこで、従来はスライ
ド・キャリヤによってアウターリードを保護している。
しかし、スライド・キャリヤ使用においては、スライド
・キャリヤの着脱時アウターリードを損傷させないよう
に注意を要する。

【０００６】一方、モールドＴＣＰにおいて、たとえ
ば、０．５ｍｍとパッケージの厚さを薄くして超薄型化
を図った場合、ボイド（気泡）が発生するポテンシャル
が大きい。すなわち、パッケージはトランスファモール
ドにおいて、パッケージ用キャビティにレジンを注入す
ることによって形成される。この際、レジンの流動先端
に空気が巻き込まれるが、パッケージ用キャビティに流
入されるレジンの量が少ないことと、通過してエアーベ
ント側に抜けるレジンの量が少ないことから、パッケー
ジ用キャビティ内にボイドが残留し易くなる。超薄型パ
ッケージにおけるボイドは耐湿性の観点から致命的な不
良となる。パッケージ内のボイドの発生を抑えるため
に、従来は前記文献のようにオーバランナやダミーキャ
ビティを設けている。しかし、超薄型モールドＴＣＰの
場合、わずかな容量のオーバランナやダミーキャビティ
では、レジン流動先端部に巻き込まれた空気に起因する
ボイドの発生を抑えることは困難であることが本発明者
等の分析によって判明した。

【０００７】本発明の目的は、リード曲がりの発生を抑
えることができるガードリングを有する半導体装置を提
供することにある。

【０００８】本発明の他の目的は、ボイドが存在しない
薄型パッケージを有するモールドＴＣＰ構造の半導体装
置を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、リード曲がりの発生
を抑えることができるガードリングを有する半導体装置
を製造するトランスファモールド型およびパッケージ内
でのボイド発生を抑えることができるトランスファモー
ルド型を提供することにある。本発明の前記ならびにそ
のほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添
付図面からあきらかになるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のモールドＴＣＰ
構造のガードリング付半導体装置においては、アウター
リードの先端を支持するガードリングが設けられてい
る。このガードリングは、パッケージを囲むように配列
されているとともに、パッケージの形成時、同時にトラ
ンスファモールドによって形成される。トランスファモ
ールド時のレジン流動先端部は前記ガードリング部分で
硬化した構造となっている。このような半導体装置は、
実装時に行うリード切断成形によってガードリング等の
不要部分が除去される。

【００１１】このモールドＴＣＰの製造のガードリング
付半導体装置の製造に用いるトランスファモールド型に
おいては、パッケージ用キャビティを囲むようにフロー
キャビティが配設されている。前記パッケージ用キャビ
ティの一端にはゲートが設けられているとともに、他端
には前記フローキャビティに連通する連結用キャビティ
が設けられている。また、前記ゲートの両側にはフロー
キャビティが連通しているが、ゲートからわずかしかフ
ローキャビティにレジンが注入されないように絞り部が
設けられている。トランスファモールド時には、前記ゲ
ートからパッケージ用キャビティにレジンが注入される
が、レジン流動先端部は前記連結用キャビティを通って
フローキャビティ内に流入する。そして、パッケージ用
キャビティ内にレジンが充填された後、前記ゲートから
流入したレジンと連結用キャビティから流入したレジン
が、フローキャビティ内で衝突するようにしてフローキ
ャビティにおけるレジンの充填が終了する。

【００１２】

【作用】上記した手段によれば、本発明のモールドＴＣ
Ｐ構造のガードリング付半導体装置は、アウターリード
の先端部分がガードリングで固定されて保護されている
ことから、リード曲がりが起き難くなる。また、前記ガ
ードリングはトランスファモールド時にパッケージの形
成と同時に行われ、実装時のリード切断成形時に除去さ
れることから、リード曲がりの発生する機会が少なくな
る。

【００１３】上記した手段によれば、本発明のモールド
ＴＣＰ構造のガードリング付半導体装置を製造する際使
用されるトランスファモールド型は、フローキャビティ
を有していることから、アウターリードの先端を保護す
るガードリングを形成することができる。したがって、
リード曲がり不良が発生し難いガードリング付半導体装
置を製造することができる。

【００１４】また、本発明のトランスファモールド型に
あっては、前記パッケージ用キャビティを囲むようにフ
ローキャビティが配設され、かつこのフローキャビティ
は連結用キャビティによってパッケージ用キャビティに
連通し、レジンはパッケージ用キャビティから連結用キ
ャビティを通ってフローキャビティに流入すること、ま
た、パッケージ用キャビティにレジンを注入するゲート
から少しずつフローキャビティにレジンが流入するよう
に構成されている。したがって、トランスファモールド
時、レジン流動先端部はゲートの両側からフローキャビ
ティに流入するとともに、パッケージ用キャビティに流
入したレジン流動先端部は前記連結用キャビティからフ
ローキャビティ内に流入する。そして、フローキャビテ
ィにレジンが充填される前にパッケージ用キャビティ内
にレジンが充填される。この結果、レジン流動先端部に
巻き込まれた空気によって発生したボイドは、パッケー
ジ用キャビティ内に残留することなくフローキャビティ
内に移動するため、ボイドの存在しないパッケージを形
成することができる。

【００１５】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明のガードリング付半導体装置
を示す断面図、図２は同じくガードリング付半導体装置
の平面図、図３は同じくガードリング付半導体装置の一
部を示す断面図、図４は同じくガードリング付半導体装
置においてリードを切断した状態を示す平面図、図５は
同じくガードリング付半導体装置を成形して実装した状
態を示す断面図、図６は本発明のガードリング付半導体
装置の製造に用いるテープを示す平面図、図７は本発明
のガードリング付半導体装置の製造においてトランスフ
ァモールドされたテープを示す平面図、図８は同じくト
ランスファモールド状態を示すリードの延在方向に沿う
断面図、図９は同じくトランスファモールド状態を示す
リードに直交する方向に沿う断面図、図１０は本発明の
トランスファモールド型の一部を示す断面図である。

【００１６】この実施例では、モールドＴＣＰに本発明
を適用した例について説明する。本発明の半導体装置、
すなわち、アウターリードを保護するガードリングを有
する半導体装置（ガードリング付半導体装置１）は、図
１および図２に示すように、矩形状のテープ（テープキ
ャリアパッケージ用テープ）２を有している。このテー
プ２は、耐熱性の絶縁性フィルム、たとえば７５〜１２
５μｍの厚さのポリイミド樹脂フィルムからなり、パタ
ーニングされ、矩形のチップ用孔３を中央に、細長のア
ウターリード用孔４をチップ用孔３の両側に、細長の分
離用孔５をチップ用孔３の他側にそれぞれ有している。
また、このテープ２の裏面にはチップ用孔３からアウタ
ーリード用孔４を越えて延在するリード７が複数設けら
れている。これらリード７の外端部分（アウターリード
９）は、等ピッチで平行に延在している。このリード７
は、前記テープ２に張り付けられた厚さ３５μｍの銅箔
をエッチングすることによって形成されている。

【００１７】前記リード７の内端は、チップ用孔３内に
突出している。そして、これらのリード７の内端は、半
導体チップ１０の電極１１に電気的に接続されている。
また、前記半導体チップ１０および電極１１の内端部分
は、樹脂（レジン）からなる厚さ０．５ｍｍのパッケー
ジ１２で封止されている。また、前記パッケージ１２を
囲むようにレジンからなるガードリング１３が設けられ
ている。このガードリング１３は、矩形状のテープ２の
周縁に沿って延在し、リード７の外端、すなわちアウタ
ーリード９の先端を封止支持している。前記ガードリン
グ１３は前記パッケージ１２の両端（図２における上下
端）部分で連結されている。連結は、上端にあってはト
ランスファモールド時のレジン注入部（ゲート）におい
て硬化したレジンによる注入硬化部１４で連結され、下
端にあってはトランスファモールド型におけるパッケー
ジ用キャビティとガードリングを形成するためのフロー
キャビティとを連結する連結用キャビティ内で硬化した
レジンによる連結部１５で連結されている。

【００１８】前記注入硬化部１４および連結部１５は、
実装前にパッケージ１２から分断されるため、パッケー
ジ１２の境界部分で破断し易いように一部で薄くなって
いる。また、これは、パッケージ１２内にボイドが残留
しないようにするために採られた結果の形状であるが、
前記注入硬化部１４とガードリング１３との境界部分
は、図３に示すように、括れ部１６が設けられている。
これはトランスファモールド型において、ゲートとフロ
ーキャビティとの境界部分に絞り部が設けられる結果形
成されたものであるが、パッケージ１２の形成時、ゲー
トからパッケージ用キャビティ内に流入するレジンの一
部は、わずかずつフローキャビティ内に入るとともに、
パッケージ用キャビティ内に入ったレジン流動先端部は
勢いよく連結用キャビティからフローキャビティに流入
するため、レジン流動先端部に巻き込まれた空気に起因
するボイドは、パッケージ用キャビティ内には残留しな
くなり、パッケージ１２にはボイドが存在しなくなる。

【００１９】このようなガードリング付半導体装置１
は、図４に示すように、実装直前にアウターリード９，
テープ２，注入硬化部１４および連結部１５が、所定箇
所で切断されて除去されるとともに、アウターリード９
の成形がなされ、ついで、図５に示されるように配線基
板２０に実装される。不要部分が除去された半導体装置
２１は、図に示されるように、アウターリード９はガル
ウィング型に成形され、アウターリード９の先端は配線
基板２０のランド２２上に位置決めされて、半田等の接
合材２３によってランド２２に電気的に接続される。半
導体装置２１においては、実装直前までアウターリード
９がガードリング１３によって保護されていることか
ら、アウターリード９の曲がりは発生し難くなり、ユー
ザにおける実装の歩留りが向上する。

【００２０】つぎに、このような半導体装置（ガードリ
ング付半導体装置１）の製造方法について説明する。最
初に図６に示すような、テープキャリアパッケージ用の
テープ２が用意される。このテープ２は、耐熱性の絶縁
性フィルム、たとえば７５〜１２５μｍの厚さのポリイ
ミド樹脂フィルムからなり、部分的打抜きによってパタ
ーニングされている。すなわち、テープ２の中央には矩
形のチップ用孔３が設けられている。このチップ用孔３
は半導体チップ１０よりもわずかに大きくなっている。
また、前記テープ２の両側には細長のアウターリード用
孔４が設けられている。また、前記チップ用孔３の他側
には細長の分離用孔５が設けられている。この分離用孔
５の中間部分がパッケージ１２の縁となる。さらに、テ
ープ２の両側にはスプロケット孔６が設けられている。

【００２１】前記テープ２の一面には、複数のリード７
が設けられている。このリード７は、前記テープ２に張
り付けられた厚さ３５μｍの銅箔をエッチングすること
によって形成されている。リード７は、前記チップ用孔
３からアウターリード用孔４を越えて延在するととも
に、これらリード７のアウターリード９は等ピッチで平
行に延在している。したがって、リード７の内端は前記
チップ用孔３内にわずかに突出するとともに、アウター
リード９はアウターリード用孔４を越えてテープ２上に
延在している。前記のようなリードパターンは、テープ
２の延在方向に沿って繰り返して配列されている。そし
て、このようなテープ２はリールに巻き付けられてい
る。

【００２２】テープキャリアボンダにおいて、リールか
ら順次解き出されたテープ２に対して半導体チップ１０
が搭載される。このテープキャリアボンダによって、図
６および図１に示すように、半導体チップ１０の電極１
１と、リード７の内端が電気的に接続される。

【００２３】つぎに、前記テープ２は所定の長さに切断
されて短冊状のフレームとされる。このフレームは、図
では一部しか示さないが図８および図９に示すように、
トランスファモールド装置のトランスファモールド型３
０の上・下型３１，３２に型締めされてモールドが行わ
れ、パッケージ１２が形成される。このトランスファモ
ールド型３０にあっては、前記パッケージ１２を形成す
るためのパッケージ用キャビティ３３と、このパッケー
ジ用キャビティ３３を囲みアウターリード９の先端部分
に臨む矩形枠状のフローキャビティ３４と、図９に示す
前記パッケージ用キャビティ３３とフローキャビティ３
４を連結する連結用キャビティ３５を有している。ま
た、前記パッケージ用キャビティ３３は、図１０に示す
ようにゲート３６の側面に到達するが、パッケージ用キ
ャビティ３３に多量にレジン３７が流入しないように絞
り部３８が設けられている。

【００２４】したがって、トランスファモールドにおい
ては、溶けたレジン３７はパッケージ用キャビティ３３
内に流入するとともに、一部のレジン３７はゲート３６
の両側の絞り部３８から少しずつフローキャビティ３４
内に流入する。また、パッケージ用キャビティ３３内に
流入したレジン３７は、パッケージ用キャビティ３３内
をレジン３７で埋め尽くす（充填）とともに、連結用キ
ャビティ３５を通ってフローキャビティ３４に流れ込
む。レジン流動先端部には空気が巻き込まれてボイドが
発生するが、レジン流動先端部はフローキャビティ３４
内に入るため、パッケージ用キャビティ３３内にはボイ
ドが残留せず、ボイドの存在しないパッケージ１２が形
成されることになる。図７はモールド後のテープ２を示
す図であるが、二点鎖線でレジンの流れを示してある。
本発明のトランスファモールド型は、レジンの流動先端
部が、図７に示すようにガードリング１３の途中部分で
衝突して硬化するように設計されている。このような半
導体装置の製造方法によれば、ボイドを有するレジン部
分がパッケージ用キャビティから外れるため、パッケー
ジの厚さが０．５ｍｍとなるような超薄型製品において
も、ボイドを存在させることなくパッケージを形成する
ことができる。

【００２５】

【発明の効果】

（１）本発明のモールドＴＣＰ構造のガードリング付半
導体装置は、アウターリードは真っ直ぐに延在するとと
もに、モールド時にパッケージと共に形成されかつ実装
時切り離されるまでリードの先端部分を保護するガード
リングが設けられていることから、半導体装置の取り扱
い時、リード曲がりが発生し難くなるという効果が得ら
れる。

【００２６】（２）上記（１）により、本発明のモール
ドＴＣＰ構造のガードリング付半導体装置は、ガードリ
ングがトランスファモールド時にパッケージの形成と同
時に形成されるとともに、実装時のリードの切断時に除
去される構造となっていることから、作業者がリード曲
がりを防止する保護体を着脱することもなく、リード曲
がりの発生の機会が少なくなるという効果が得られる。

【００２７】（３）上記（１）および（２）により、本
発明のモールドＴＣＰ構造のガードリング付半導体装置
は、半導体装置の取り扱い時にリード曲がりが発生し難
いことから、実装の歩留りが高くなるという効果が得ら
れる。

【００２８】（４）本発明のトランスファモールド型に
おいては、パッケージ用キャビティと、このパッケージ
用キャビティを囲みかつ連結用キャビティによって連通
状態にあるフローキャビティとが設けられているが、ト
ランスファモールド時のレジン流動先端部は、パッケー
ジ用キャビティから連結用キャビティを通ってフローキ
ャビティに流入するとともに、パッケージ用キャビティ
にレジンを注入するゲートからも少しずつレジンがフロ
ーキャビティ内に流入する構造となり、レジン流動先端
部に巻き込まれた空気に起因するボイドはパッケージ用
キャビティ内に残留しなくなるため、ボイドの存在しな
いパッケージの形成が達成できるという効果が得られ
る。本発明のトランスファモールド型は、フローキャビ
ティの容量が従来品に比較して充分大きいため、パッケ
ージ用キャビティ内にボイドが残留する確立は極めて少
ない。したがって、本発明によれば、パッケージの厚さ
が０．５ｍｍとなるような超薄型製品においても、ボイ
ドを存在させることなくパッケージを形成することがで
きる。

【００２９】（５）上記（１）〜（４）により、本発明
によれば、パッケージにボイドが存在せずかつリード曲
がりが発生し難いモールドＴＣＰ構造の半導体装置を提
供することができるという相乗効果が得られる。

【００３０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
ガードリング１３の厚さはパッケージ１２の厚さと一致
させなくとも良い。また、前記実施例のトランスファモ
ールド型では、ゲートとフローキャビティとの接続部分
を絞ったが、パッケージ用キャビティに対するフローキ
ャビティの容量が充分大きな場合は、絞り部を設けなく
とも、レジン流動先端部はフローキャビティの途中部分
で互いに衝突させることができ、パッケージ用キャビテ
ィ内にはボイドが残留しなくなる。

【００３１】図１１は本発明をクワッド型モールドＴＣ
Ｐに適用した例を示す。四方向に延在するアウターリー
ド９の先端は、絶縁性のモールドによるガードリング１
３で保護されていることから、リード曲がりの発生を防
止できる。また、この例では、ガードリング１３は注入
硬化部１４と繋がらない構造とし、注入硬化部１４に臨
むガードリング１３部分にレジン流動先端部が到るよう
にしてパッケージ１２にボイドが残留しないようにして
ある。また、この例では、ガードリング１３の外側にア
ウターリード９を突出させて検出端子４０としてある。
したがって、この検出端子４０に測定針を接触させるこ
とによって半導体装置の特性を測定できることになる。

【００３２】図１２は本発明の他の実施例によるガード
リング付半導体装置１である。このガードリング付半導
体装置１はＴＣＰ構造となっていて、パッケージ１２は
ポッティングレジンによって形成されている。この例で
は、ガードリング１３は、あらかじめプラスチックによ
って形成された枠体４５を、絶縁性の接着剤４６で接着
した構造となっている。前記枠体４５は、テープ２の一
面だけでもよいが、この実施例では両面に設けてある。
この実施例の場合には、リード曲がりの発生を防止でき
る。

【００３３】図１３は本発明の他の実施例によるガード
リング付半導体装置１である。このガードリング付半導
体装置１は、プラスチックＱＦＰ構造となっている。こ
の例では、アウターリード９は既に成形されてガルウィ
ング型となっている。そして、アウターリード９の先端
上面にガードリング１３が設けられている。このガード
リング１３は前記図１２の場合と同様に、あらかじめプ
ラスチックによって形成された枠体４５を、絶縁性の接
着剤４６で接着した構造となっている。この構造でもリ
ード曲がりを防止できるため、実装の歩留りが向上す
る。なお、前記パッケージ１２内において、半導体チッ
プ１０はタブ４７上に固定されているとともに、半導体
チップ１０の図示しない電極と、リード７の内端とはワ
イヤ４８で電気的に接続されている。また、図示はしな
いが、金属製のリードフレームを用いて製造するプラス
チック・フラット・パッケージの場合にも、同様に適用
できる。この場合、アウターリードを真っ直ぐな状態に
しておいて、図１および図２に示すような個片のガード
リング付半導体装置とすることができる。

【００３４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止構造の半導体装置の製造技術に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、セラミックパッケージ等他の封止構造の半導体装置
の製造技術などに適用できる。本発明は少なくとも多数
のリードを同一平面上に並んで延在させる半導体装置に
は適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のガードリング付半導体装置を示す断
面図である。

【図２】 本発明のガードリング付半導体装置を示す平
面図である。

【図３】 本発明のガードリング付半導体装置の一部を
示す断面図である。

【図４】 本発明のガードリング付半導体装置において
リードを切断した状態を示す平面図である。

【図５】 本発明のガードリング付半導体装置を成形し
て実装した状態を示す断面図である。

【図６】 本発明のガードリング付半導体装置の製造に
用いるテープを示す平面図である。

【図７】 本発明のガードリング付半導体装置の製造に
おいてトランスファモールドされたテープを示す平面図
である。

【図８】 本発明のガードリング付半導体装置の製造に
おけるトランスファモールド状態を示すリードの延在方
向に沿う断面図である。

【図９】 本発明のガードリング付半導体装置の製造に
おけるトランスファモールド状態を示すリードに直交す
る方向に沿う断面図である。

【図１０】 本発明のトランスファモールド型のゲート
部分を示す断面図である。

【図１１】 本発明の他の実施例によるクワッド型モー
ルドＴＣＰ構造のガードリング付半導体装置の平面図で
ある。

【図１２】 本発明の他の実施例によるＴＣＰ構造のガ
ードリング付半導体装置の断面図である。

【図１３】 本発明の他の実施例によるプラスチックＱ
ＦＰ構造のガードリング付半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１…ガードリング付半導体装置、２…テープ、３…チッ
プ用孔、４…アウターリード用孔、５…分離用孔、６…
スプロケット孔、７…リード、９…アウターリード、１
０…半導体チップ、１１…電極、１２…パッケージ、１
３…ガードリング、１４…注入硬化部、１５…連結部、
１６…絞り部、２０…配線基板、２１…半導体装置、２
２…ランド、２３…接合材、３０…トランスファモール
ド型、３１…上型、３２…下型、３３…パッケージ用キ
ャビティ、３４…フローキャビティ、３５…連結用キャ
ビティ、３６…ゲート、３７…レジン、３８…絞り部、
４０…検出端子、４５…枠体、４６…接着剤、４７…タ
ブ、４８…ワイヤ。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ (72)発明者 西田 隆文 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 市原 誠一 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 伊藤 富士夫 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 西 邦彦 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 下石 智明 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 山田 勝 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージと、このパッケージの内外に
   亘って延在するリードとを有する半導体装置であって、
   前記パッケージから突出するリードの外端は前記パッケ
   ージを囲むように配設されたガードリングで支持されて
   いることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記パッケージおよびガードリングは連
   結部で連結されるとともに、パッケージ，ガードリング
   および連結部はトランスファモールドによる樹脂で形成
   され、かつ前記リードはテープキャリアパッケージ用の
   平坦なテープに一部で支持されていることを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 リードフレームのリード内端部分をモー
   ルドしてパッケージを形成するトランスファモールド型
   であって、前記パッケージを形成するためのパッケージ
   用キャビティと、このパッケージ用キャビティに連通す
   るとともにパッケージ用キャビティを囲みかつ各リード
   外端に交差するフローキャビティとを有し、かつ溶けた
   樹脂の一部は前記パッケージ用キャビティを通過してフ
   ローキャビティ内に入るように構成されていることを特
   徴とするトランスファモールド型。