JPH0621303A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

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JPH0621303A
JPH0621303A JP4176360A JP17636092A JPH0621303A JP H0621303 A JPH0621303 A JP H0621303A JP 4176360 A JP4176360 A JP 4176360A JP 17636092 A JP17636092 A JP 17636092A JP H0621303 A JPH0621303 A JP H0621303A
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JP
Japan
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lead frame
resin
lead electrode
hole
stitch bond
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Pending
Application number
JP4176360A
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English (en)
Inventor
Shuichi Marumo
修一 丸茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0621303A publication Critical patent/JPH0621303A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置を基板実装する際に、熱ストレスに
よるリード電極と樹脂の剥離を無くし、ステッチボンド
の破断を防止する構造の半導体装置用リードフレームを
提供する。 【構成】ICチップとリードフレームと金属細線とを覆
うように樹脂モールドして組立てる半導体装置におい
て、前記リードフレームのステッチボンド部近傍には少
なくとも1つの穴部を形成し、この穴部形成をエッチン
グまたはプレス法で行う構成の半導体装置用リードフレ
ーム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】ICチップをプラスチックパッケージに
組立てる場合の一般的構造は、図3のように、タブ2上
にICチップ1をエポキシ系接着剤などで固定し、パッ
ド電極3とリード電極4を金属細線5で接続し、しかる
後にこれらを覆うように樹脂モールドするものであっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術の図3に示す構造では、半導体装置を基板実装する際
に熱膨張差に起因する熱ストレスにより、リード電極4
の表面と樹脂モールドの間に剥離が生ずる事がある。そ
れによりステッチボンド6が破断して電気的にオープン
してしまうという問題を有する。
【0004】本発明はこの様な問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、ステッチボンド部近傍で
リード電極と樹脂モールドの間に剥離を生じさせない半
導体装置用リードフレームを提供するところにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、ステッチボンド部近傍に少なくとも1
つの穴部を形成した事,また穴部の形成をエッチングま
たはプレスにより行う事を特徴とする。
【0006】
【実施例】図1は本発明の実施例の模式図である。なお
前述の従来例と同一部分には同じ符号を付してある。前
述の様に、基板実装する際の熱膨張差に起因する熱スト
レスは、リード電極4の表面と樹脂モールドの間に剥離
を生じさせる。A−A’面においてA−A’に平行な方
面に力が働き剥離が生ずるわけであるが、ステッチボン
ド6部近傍に穴部7を設けると、穴部の中に樹脂が入り
込んで固まる事により剥離が抑制されるのである。
【0007】穴部は、図1の様に貫通穴でも良いし、貫
通させず凹部としても良い。また製品評価の中でどのリ
ード電極において剥離が生じやすいか十分見極めた上
で、必要なリード電極のみに穴部を設けても良い。更に
穴部の平面的形状は円形,楕円形,正方形,長方形,三
角形等種々のものが考えられ、その大きさも重要であ
る。これらは、リード電極の形状や幅及び強度を考慮し
た上で決定すべきである。穴部は、その目的から、ステ
ッチボンド部6に近い方が好ましい。従来リードフレー
ムの樹脂モールドからの出口近傍に穴を設ける事が行な
われていたが、これはリードフレームを樹脂モールドの
外側から引張ってリード抜けが無い様防止するもので、
本発明とはその目的と穴部の形成場所を異にするのであ
る。
【0008】図2は、本発明の実施例における別の模式
図を示すものである。すなわち、ステッチボンド6部の
近傍に、穴部を2個設けたものである。穴部が1つでは
効果が足りない場合、2個あるいはそれ以上設けても良
い。但し、この場合、リードフレームの強度について十
分注意を払う必要がある。
【0009】リードフレームの製造方法はエッチングに
よるものと、プレスによるものが有り、電極数の少ない
ものはプレス法,電極数の多いものはエッチング法によ
るものが多い。その境界は約100程度のリード電極数
にある。したがって、穴部の形成方法は、リードフレー
ムの他の部分の形成法と合わせてエッチング法またはプ
レス法の内、適切な方を選択すれば良い。
【0010】この様に、ステッチボンド部近傍に穴部が
形成されているので、ここに樹脂が入り込んで固まりリ
ード電極表面と樹脂部の密着性を高める。その事によ
り、リード電極と樹脂面の剥離を防止でき、ステッチボ
ンドの破断が防止できる。
【0011】
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、ス
テッチボンド部近傍には少なくとも1つの穴部をエッチ
ングまたはプレス法によって形成した事によりリード電
極と樹脂の剥離を防ぐ事ができ、それによるステッチボ
ンドの破断が防止できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置用リードフレームの一実
施例を示す模式図。
【図2】 本発明の半導体装置用リードフレームの他の
実施例を示す模式図。
【図3】 従来の半導体装置リードフレームの模式図。
【符号の説明】
1:ICチップ 2:タブ 3:パッド電極 4:リード電極 5:金属細線 6:ステッチボンド 7:穴部 8:穴部 A−A’:リード電極と樹脂の境界面

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ICチップとリードフレームと金属細線と
    を覆うように樹脂モールドして組立てる半導体装置にお
    いて、前記リードフレームのステッチボンド部近傍には
    少なくとも1つの穴部を形成した事を特徴とする半導体
    装置用リードフレーム。
  2. 【請求項2】穴部の形成をエッチングにより行なう事を
    特徴とする請求項1記載の半導体装置用リードフレーム
    の製造方法。
  3. 【請求項3】穴部の形成をプレスにより行う事を特徴と
    する請求項1記載の半導体装置用リードフレームの製造
    方法。
JP4176360A 1992-07-03 1992-07-03 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 Pending JPH0621303A (ja)

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JP (1) JPH0621303A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017108191A (ja) * 2017-03-24 2017-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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