JPH03157959A - 実装構造及び製造方法 - Google Patents
実装構造及び製造方法Info
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- JPH03157959A JPH03157959A JP29702989A JP29702989A JPH03157959A JP H03157959 A JPH03157959 A JP H03157959A JP 29702989 A JP29702989 A JP 29702989A JP 29702989 A JP29702989 A JP 29702989A JP H03157959 A JPH03157959 A JP H03157959A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、テープキャリアパッケージの実装槽数及び製
造方法に関する。
造方法に関する。
[従来の技術]
従来のテープキャリアパッケージの実装構造は、第2図
に示すように、4のアウターリードにバンプ2を介して
接続された1の牛導体集費回路累子の能動面にのみ、7
で示すモールド剤が存在する構造であった。
に示すように、4のアウターリードにバンプ2を介して
接続された1の牛導体集費回路累子の能動面にのみ、7
で示すモールド剤が存在する構造であった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前述の従来技術では、インナーリード4がモー
ルド剤で覆われていないため、後工程のアクタ−リード
ボンディングやバーンイン工程において応力がかかり、
インナーリード4が切断されやすいという問題点を有し
ていた。また半導体集積回路素子1の側面も露出してい
るために、水分が半導体集積回路素子1の能動面に入り
やす(信頼性に劣ることから、アウターボンデインク後
にさらにそ−ルド剤により半導体集積回路素子側面を覆
う必要があった。そして、牛導体集幀(ロ)路素子側面
を覆う工程以降でそのテープキャリアパッケージが不良
となった場合でも、追加のモールド剤によりマザーボー
ドに接着されてしまっていることから、リペア不可能と
いう問題点を有していた。
ルド剤で覆われていないため、後工程のアクタ−リード
ボンディングやバーンイン工程において応力がかかり、
インナーリード4が切断されやすいという問題点を有し
ていた。また半導体集積回路素子1の側面も露出してい
るために、水分が半導体集積回路素子1の能動面に入り
やす(信頼性に劣ることから、アウターボンデインク後
にさらにそ−ルド剤により半導体集積回路素子側面を覆
う必要があった。そして、牛導体集幀(ロ)路素子側面
を覆う工程以降でそのテープキャリアパッケージが不良
となった場合でも、追加のモールド剤によりマザーボー
ドに接着されてしまっていることから、リペア不可能と
いう問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するものであり
、その目的とするところは、後工程での不良発生を減少
させ、また不良が発生した場合でもリペアが可能な実装
構造を提供するところにある。
、その目的とするところは、後工程での不良発生を減少
させ、また不良が発生した場合でもリペアが可能な実装
構造を提供するところにある。
[課題を解決するための手段]
(11本発明の実装構造は、テープキャリアパッケージ
において、 α)半導体集積回路素子がインナーリードに接続された
構成と、 b)半導体集積回路素子の能動面及び側面がモールド剤
により被覆された構成と、 C)インナーリードがモールド剤により被覆された構成
と、 d)サポートリング外周にてアクタ−リードが切断され
ている構成と、 e)サポートリング表側の面に存在するアクタ−リード
がモールド剤にて被覆されていない構成と、 f)サポートリング裏側の面がモールド剤にて被覆され
ていない構成と、 を有することを特徴とする。
において、 α)半導体集積回路素子がインナーリードに接続された
構成と、 b)半導体集積回路素子の能動面及び側面がモールド剤
により被覆された構成と、 C)インナーリードがモールド剤により被覆された構成
と、 d)サポートリング外周にてアクタ−リードが切断され
ている構成と、 e)サポートリング表側の面に存在するアクタ−リード
がモールド剤にて被覆されていない構成と、 f)サポートリング裏側の面がモールド剤にて被覆され
ていない構成と、 を有することを特徴とする。
(2) また、第1項記載の本発明のテープキャリア
パッケージの製造方法において、 α)フレキシブル基板テープのサポートリング部表面に
存在するアクタ−リード表面にレジストを塗布する工程
と、 b)次にフレキシブル基板テープのインナーリードに半
導体集積回路素子をボンディングする工程と、 C)次に半導体集積回路素子の能動面及び側面と、イン
ナーリードなモールド剤により被覆する工程と、 d)次に、アクタ−リード表面のレジストを除去する工
程と、 を有することを特徴とする製造方法。
パッケージの製造方法において、 α)フレキシブル基板テープのサポートリング部表面に
存在するアクタ−リード表面にレジストを塗布する工程
と、 b)次にフレキシブル基板テープのインナーリードに半
導体集積回路素子をボンディングする工程と、 C)次に半導体集積回路素子の能動面及び側面と、イン
ナーリードなモールド剤により被覆する工程と、 d)次に、アクタ−リード表面のレジストを除去する工
程と、 を有することを特徴とする製造方法。
[実施例コ
第1図は本発明の実施例における主要断面図であって、
1は半導体集積回路素子、2はバンプ、3はフレキシブ
ル基板上のサポートリング、4は半導体集積回路素子を
接続するインナーリード、5はマザーボードと接続する
ためのアウターリード、6はモールド剤である。このそ
−ルド剤6は、半導体集積回路素子1の能動面だけでな
(、その側面及びインナ−リード4全体を覆っている。
1は半導体集積回路素子、2はバンプ、3はフレキシブ
ル基板上のサポートリング、4は半導体集積回路素子を
接続するインナーリード、5はマザーボードと接続する
ためのアウターリード、6はモールド剤である。このそ
−ルド剤6は、半導体集積回路素子1の能動面だけでな
(、その側面及びインナ−リード4全体を覆っている。
ただし、アクタ−リード5及びサポートリング5の裏面
すなわちアウターリード5と反対面は、モールド剤6で
覆りては無く、露出するようにして、後工程でのマザー
ボードに対するアウターリードボンデインクが可能なよ
うにしである。このようにそ−ルド範囲を制御する方法
は次の第5図の工程図により説明する。なお、構成要素
の仕様を詳述すると、半導体集積回路素子1は、厚さ4
00pm、外形10 yHX 6 mm、バンプ2は0
100μm、高さ20μm、サポートリング5はポリイ
ミド製で厚み75μm、インナーリード4は電解銅製で
厚み35μm、ピッチ200μ扉で表面にニッケル及び
金がメツキされている。アクタ−リード5はインナーリ
ード4と同材料であり、ピッチは450μmである。モ
ールド剤6は゛液状エポキシ樹脂を熱硬化させるタイプ
である。
すなわちアウターリード5と反対面は、モールド剤6で
覆りては無く、露出するようにして、後工程でのマザー
ボードに対するアウターリードボンデインクが可能なよ
うにしである。このようにそ−ルド範囲を制御する方法
は次の第5図の工程図により説明する。なお、構成要素
の仕様を詳述すると、半導体集積回路素子1は、厚さ4
00pm、外形10 yHX 6 mm、バンプ2は0
100μm、高さ20μm、サポートリング5はポリイ
ミド製で厚み75μm、インナーリード4は電解銅製で
厚み35μm、ピッチ200μ扉で表面にニッケル及び
金がメツキされている。アクタ−リード5はインナーリ
ード4と同材料であり、ピッチは450μmである。モ
ールド剤6は゛液状エポキシ樹脂を熱硬化させるタイプ
である。
次に製造方法につき説明する。第6図は本発明の実施例
における製造工程図であって、第3図(α)に示すフレ
キシブル基板テープに、第5図(b)の様に、アウター
リード50部分にレジスト8を印刷塗布する。次に第5
図(C)の様に半導体集積回路素子1をインナーリード
4に接合する。そして第3図(d)に示す様に、半導体
集積回路素子1の能動面とその側面、及びインナーリー
ド4の全体をモールド剤6にて覆う。この時レジスト8
はそ−ルド剤が流れ込まないようマスクする役目を果た
す。そして第5図(g)に示すようにレジスト8を溶剤
にて除去し、最後に第5図(b)に示す様に、型にて外
形な矩型に切断する。
における製造工程図であって、第3図(α)に示すフレ
キシブル基板テープに、第5図(b)の様に、アウター
リード50部分にレジスト8を印刷塗布する。次に第5
図(C)の様に半導体集積回路素子1をインナーリード
4に接合する。そして第3図(d)に示す様に、半導体
集積回路素子1の能動面とその側面、及びインナーリー
ド4の全体をモールド剤6にて覆う。この時レジスト8
はそ−ルド剤が流れ込まないようマスクする役目を果た
す。そして第5図(g)に示すようにレジスト8を溶剤
にて除去し、最後に第5図(b)に示す様に、型にて外
形な矩型に切断する。
ここで使用したレジスト48は、溶剤剥離型のソルダー
レジストであり、トリクロロエタン、フロン、アルコー
ル等で剥離可能なタイプである。
レジストであり、トリクロロエタン、フロン、アルコー
ル等で剥離可能なタイプである。
前述のテープキャリアパッケージ構造を採れば、後工程
においてマザーボードにアウターリードボンディングし
、バーンイン工程等を経るにあたり、インナーリードが
モールド剤に・て保護されていることにより、応力によ
りインナーリードが切れることを防止出来る。また半導
体集積回路素子1は側面までモールド剤6により覆われ
ているため、外部から水分が浸入しにく(信頼性が高い
。
においてマザーボードにアウターリードボンディングし
、バーンイン工程等を経るにあたり、インナーリードが
モールド剤に・て保護されていることにより、応力によ
りインナーリードが切れることを防止出来る。また半導
体集積回路素子1は側面までモールド剤6により覆われ
ているため、外部から水分が浸入しにく(信頼性が高い
。
また、マザーボード上でのりペアも可能であるというメ
リットが生じる。
リットが生じる。
また他の実施例として、半導体集積回路素子1にバンプ
2が無いものを使用し、かつフレキシブル基板としてイ
ンナーリードにバンプを有するものを使用することも出
来る。
2が無いものを使用し、かつフレキシブル基板としてイ
ンナーリードにバンプを有するものを使用することも出
来る。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、レジストを利用し、
モールド領域として、アウターリード部は露出させ、か
つインナーリード部は全体を覆う構造とした事により、
後工程でのインナーリード切れを防止でき、また信頼性
も向上し、さらに万一後工程で不良となってもリペアが
可能であるという優れた効果を有する。
モールド領域として、アウターリード部は露出させ、か
つインナーリード部は全体を覆う構造とした事により、
後工程でのインナーリード切れを防止でき、また信頼性
も向上し、さらに万一後工程で不良となってもリペアが
可能であるという優れた効果を有する。
8・・・・・・・・・レジスト
以上
第1図は本発明のテープキャリアパッケージの一実施例
を示す主要断面図。 第2図は従来のテープキャリアパッケージを示す主要断
面図。
を示す主要断面図。 第2図は従来のテープキャリアパッケージを示す主要断
面図。
Claims (2)
- (1)テープキャリアパッケージにおいて、a)半導体
集積回路素子がインナーリードに接続された構成と、 b)半導体集積回路素子の能動面及び側面がモールド剤
により被覆された構成と、 c)インナーリードがモールド剤により被覆された構成
と、 d)サポートリンク外周にてアウターリードが切断され
ている構成と、 e)サポートリング表側の面に存在するアウターリード
がモールド剤にて被覆されていない構成と、 f)サポートリング裏側の面がモールド剤にて被覆され
ていない構成と をなすことを特徴とする実装構造。 - (2)特許請求の範囲第1項記載のテープキャリアパッ
ケージの製造方法において、 a)フレキシブル基板テープのサポートリンク部表面に
存在するアウターリード表面にレジストを塗布する工程
と、 b)次にフレキシブル基板テープのインナーリードに半
導体集積回路素子をボンディングする工程と、 c)次に半導体集積回路素子の能動面及び側面と、イン
ナーリードをモールド剤により被覆する工程と、 d)次に、アウターリード表面のレジストを除去する工
程と、 を有することを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29702989A JPH03157959A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 実装構造及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29702989A JPH03157959A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 実装構造及び製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03157959A true JPH03157959A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17841301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29702989A Pending JPH03157959A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 実装構造及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03157959A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519251A (en) * | 1992-10-20 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
KR100230922B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-15 | 황인길 | CSP(Chip Scale Package; 칩 스케일 패키지)의 구조 및 제조방법 |
KR100230921B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-15 | 황인길 | CSP(Chip Scale Package ; 칩 스케일 패키지)의 구조 및 제조방법 |
US6084309A (en) * | 1992-10-20 | 2000-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6165819A (en) * | 1992-10-20 | 2000-12-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29702989A patent/JPH03157959A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519251A (en) * | 1992-10-20 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US5773313A (en) * | 1992-10-20 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US6084309A (en) * | 1992-10-20 | 2000-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6165819A (en) * | 1992-10-20 | 2000-12-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6462424B1 (en) | 1992-10-20 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
KR100230922B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-15 | 황인길 | CSP(Chip Scale Package; 칩 스케일 패키지)의 구조 및 제조방법 |
KR100230921B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-11-15 | 황인길 | CSP(Chip Scale Package ; 칩 스케일 패키지)의 구조 및 제조방법 |
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