JPH03225930A

JPH03225930A - 半導体装置の樹脂封止装置

Info

Publication number: JPH03225930A
Application number: JP2157090A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Shirouchi; 俊昭城内
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-01-31
Filing date: 1990-01-31
Publication date: 1991-10-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は半導体装置の樹脂封止装置に関し、特に、長さ
が３■を超えるような長いワイヤにより半導体集積回路
素子とリードフレームとが結線された半導体装置又はワ
イヤ間隔が極めて狭い半導体装置を樹脂封止するのに好
適の半導体装置の樹脂封止装置に関する。

［従来の技術］第３図（ａ）は従来の半導体装置の樹脂封止装置を示す
平面図、第３図（ｂ）はそのＩＩＩ−Ｉ線による断面図
である。

第３図（ａ）及び（ｂ）に示すように、上金型５１は下
面に凹状のキャビティ５１ａが形成されている。この上
金型５１には、止金型５１を上面から挿通してキャビテ
ィ５１ａ内に突出するように摺動可能な４本［第３図（
ｂ）には２本のみ現われるコのエジェクタピン５３ａが
内設されている。一方、下金型５２は上面に凹状のキャ
ビティ５２ａが形成されている。この下金型５２には、
下金型５２を下面から挿通してキャビティ５２ａ内に突
出するように摺動可能な４本［第３図（ｂ）には２本の
み現われるコのエジェクタピン５３ｂが内設されている
。そして、この一対の上金型５１及び下金型５２は、夫
々ヒータが埋設された金型ベース（図示せず）に取り付
けられており、そのキャビティ５１ａ、５２ａを整合さ
せて組み合うように上下方向に移動可能に構成されてい
る。

下金型５２の上面合わせ面には、帯状のリードフレーム
６０が載置される溝部５４が設けられている。この溝部
５４の深さはリードフレーム６゜の厚さと略等しく、載
置されるリードフレーム６０の上面は下金型５２の上面
と路面−になる。また、溝部５４の縁部には突起状のゲ
ージピン５５が設けられており、リードフレーム６ｏに
設けられた所定の固定穴にゲージピン５５を嵌合するこ
とによりリードフレーム６ｏの位置決めがなされる。リ
ードフレーム６ｏにはアイランド及び複数のインナーリ
ードがパターン形成されていて、このアイランド上に搭
載された半導体集積回路素子（ＩＣ）８１と前記インナ
ーリードとがワイヤ６２により結線されている。そして
、リードフレーム６０を溝部５４の所定の位置に載置す
ると、工Ｃ８１がキャビティ５１ａ、５１ｂの略中夫に
配置されるようになっている。

また、下金型５２の合わせ面には、溝部５４に沿ってラ
ンナー５６が溝状に形成されており、このランナー５６
からキャビティ５２ａに向けて延出するようにしてサブ
ランナー５７が溝状に形成されている。このサブランナ
ー５７はキャビティ５２ａの一隅にゲート５８によって
連結されている。このゲート５８はキャビティ５２ａ側
にて浅くなるように溝状に形成されている。そして、ラ
ンナー５６は溶融樹脂供給手段（図示せず）に接続され
ていて、ランナー５６、サブランナー５７及びゲート５
８を介してキャビティ５１ａ、５２ａ内に溶融樹脂が供
給されるようになっている。

一方、上金型５１の下面合わせ面には、下金型５２のゲ
ージピン５５が嵌入する穴（図示せず）が設けられてい
る。

次に、このように構成された従来の半導体装置の樹脂封
止装置を使用して半導体装置を樹脂封止する場合につい
て説明する。

先ず、下金型５２の溝部５４の所定位置にＩＣ６１が搭
載されたリードフレーム６０を載置した後に、ゲージピ
ン５５を止金型５１の合わせ面の前記穴部に嵌入して上
金型５１と下金型５２とを組み合わせ、両者を高圧にて
型締めする。

次に、圧力シリンダ（図示せず）によりランナー５６内
に溶融樹脂を圧送し、ランナー５６、サブランナー５７
及びゲート５８を介してキャビティ５１ａ、５２ａ内に
溶融樹脂を徐々に注入する。

そして、キャビティ５１ａ、５２ａ内に溶融樹脂を完全
に充填した後に溶融樹脂の注入を終了する。

次に、金型ベースに埋設されたヒータにより止金型５１
及び下金型５２を加熱する。そして、この熱により溶融
樹脂を所定時間加熱して溶融樹脂を硬化させた後に、上
金型５１と下金型５２とを離隔させて型開きする。この
場合、この型開きと同時に止金型５１のエジェクタピン
５３ａを適宜の駆動手段によりキャビティ５１ａ内に突
出させて、キャビティ５１ａから成形された硬化樹脂を
強制的に離型させる。その後、下金型５２のエジェクタ
ピン５３ｂを適宜の駆動手段によりキャビティ５２ａ内
に突出させて、キャビティ５２ａから成形された硬化樹
脂を強制的に離型させる。このようにして、ＩＣ６１を
樹脂封止することができ、更に成形された半導体装置を
上金型５１及び５− 下金型５２から離型させることができる。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上述した従来の半導体装置の樹脂封止装
置においては、キャビティ５２ａの一隅に連結されたゲ
ート５８を介してキャビティ５２ａの側方からキャビテ
ィ５１　ａｔ　　５２　ａ内に溶融樹脂を注入している
。この場合、ゲート５８から注入された溶融樹脂は、ゲ
ート５８から扇状に広がってキャビティ５１ａ、５２ａ
内に充填される。

一方、ＩＣ６１とリードフレーム６０とを接続している
ワイヤ６２は、通常、平面視でキャビティ５１ａ、５２
ａの中心から放射状にワイヤリングされている。このた
め、ワイヤ６２と溶融樹脂の流入方向とのなす角度が各
ワイヤ６２について夫々異なる。特に、キャビティ５１
　ａｔ　　５２　ａのゲート５８側のコーナー及びその
対角のコーナーを除くコーナー付近においては、ワイヤ
６２のワイヤリング角度に対する樹脂流入角度が約３０
６も異なるため、予め直線的にワイヤリングされていた
ワイヤ６２が樹脂流入時の抵抗により押し流され−〇− て第３図（ａ）のように樹脂流入方向に湾曲してしまう
という問題点がある。

このような現象はワイヤの長さが長くなるにつれて顕著
に現われ、極端な場合には、ワイヤが断線して、所謂ワ
イヤオープン不良が発生する。また、近年、半導体装置
のワイヤ数が増加してワイヤ同士の間隔がより一層狭く
なっているため、ワイヤが湾曲すると、ワイヤショート
等が発生してしまう。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ＩＣとリードフレームとの間に接続されるボンディング
ワイヤが樹脂封止時に湾曲することを防止でき、ボンデ
ィングワイヤの断線及び短絡を防止することができる半
導体装置の樹脂封止装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置は、組み合わさ
れて内部に樹脂注入用空間を形成する１対の成形型を存
する半導体装置の樹脂封止装置において、前記各成形型
は、前記注入用空間を形成する凹状のキャビティと、外
部に開口して内設され樹脂が通流する主流路と、この主
流路から前記キャビティの底面又は上面まで導かれ樹脂
が通流する副流路とを有することを特徴とする。

［作用］本発明においては、各成形型は外部に開口する主流路と
、この主流路からキャビティの底面又は上面まで導かれ
た副流路とを有するので、１対の成形型を組み合わせた
後、外部から前記主流路内に樹脂を注入すると、この樹
脂は主流路及び副流路を介して前記キャビティにより形
成される樹脂注入用空間内に注入される。このため、例
えば、前記樹脂注入用空間内に配置される樹脂封止すべ
き半導体装置がその中央から周囲に向けて放射状にワイ
ヤがボンディングされている場合でも、前記副流路を介
して前記半導体装置の表裏面に対して垂直の方向に向け
て樹脂を前記樹脂注入用空間内に供給することができる
。この場合、前記樹脂注入用空間内に供給された樹脂は
前記半導体装置の表裏面の中央から放射状に広がるので
、樹脂流入角度と前記半導体装置のワイヤリング角度と
を全てのワイヤについて路間−にすることができる。

従って、樹脂流入時における前記ワイヤに対する樹脂の
抵抗を低減することができるので、流入樹脂によりワイ
ヤが湾曲してしまうことを防止することができ、ワイヤ
の断線及び短絡を防止することができる。

［実施例コ次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。

第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に係る半導体装置
の樹脂封止装置を示す平面図、第１図（ｂ）はそのＩ−
Ｉ線による断面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の■−
■線による断面図である。

先ず、第１図（ａ）及び（ｂ）により本装置の全体的構
成について説明する。

板状の上金型ベース１は、平面視で矩形をなし、その中
央には上金型ベース１を垂直に貫通する円形の樹脂投入
口２が形成されている。止金型ベース１の下面の中央に
は、止金型ベース１の幅と略９− 等しい長さを有する長方形のセンターブロック３が取り
付けられている。このセンターブロック３には、その中
央にセンターブロック３を垂直に貫通するようにして円
筒状のポット４が内設されている。このボット４は樹脂
投入口２に連結されていて、この樹脂投入口２を介して
ボット４内に樹脂を注入するようになっている。

一方、板状の下金型ベース５は、平面視で上金型ベース
１と路間−の矩形をなしている。下金型ベース５の上面
の中央には、下金型ベース５の幅と略等しい長さを有す
る長方形のセンターブロック６が取り付けられている。

このセンターブロック６の上面には、その中央にて交差
してセンターブロック６の幅方向両端の４箇所に達する
ランナー７が形成されている。このランナー７は、交差
する中心側の方が幅広になるように形成され、また、こ
の交差中心を中心とする円周上にて深く形成されていて
、この円周状部分を樹脂が通流できるようになっている
。

また、上金型ベース１の下面及び下金型ベース１０− ５の上面には、夫々４対の止金型８及び下金型１３が取
り付けられている。

止金型８は下面に凹状の３個のキャビティ９が形成され
ている。この上金型８には、上金型８の断面中央を水平
に挿通するランナー１０が設けられていて、このランナ
ー１０と各キャビティ９の底面中央とがランナー１０か
ら垂直に分岐するサブランナー１１及びゲート１２によ
り夫々連結されている。また、ランナー１０の一端は上
金型８の下面の縁部に導出されている。一方、下金型１
３の上面には凹状の３個のキャビティ１４が形成されて
いる。この下金型１３には、下金型１３の断面中央を水
平に挿通するランナー１５が設けられていて、このラン
ナー１５と各キャビティ１４の底面中央とがランナー１
５から垂直に分岐するサブランナー１６及びゲート１７
により夫々連結されている。また、このランナー１５の
一端は下金型１３の上面の縁部に導出されている。そし
て、一対の上金型８及び下金型１３は、キャビティ９゜
１４を整合させて組み合うようにすると共に、ランナー
１０．１５の一端をセンターブロック６のランナー７に
連結するようにして、上金型ベース１の下面及び下金型
ベース５の上面に夫々取り付けられている。

次に、上金型８及び下金型１３の細部について説明する
。なお、第１図（Ｃ）においては、図中の左側はキャビ
ティ９，１４が形成された断面部分を示し、図中の右側
はキャビティ９，１４が形成されない断面部分を示す。

第１図（Ｃ）に示すように、上金型ベース１及び下金型
ベース５にはヒータ１８が埋設されていて、このヒータ
１８により上金型８及び下金型１３が夫々加熱されるよ
うになっている。

止金型８は、上部を構成する上金型８ａ並びに下部を構
成する上金型８ｂ及び８ｃに分割されている。上金型８
ａは、キャビティ９が形成されない断面部分、即ち第１
図（ｃ）の右側に示すように、上面の幅方向中央から幅
方向両端に向けて下方に約４５°の傾斜角度で段差状の
ピン穴１９が夫々穿設されている。ピン穴１９には、ガ
イドピン２０がその一端を止金型８ａの下面から突出さ
せて挿入されている。このガイドピン２０は、その一端
の端面が凹状に成形され、その他端が幅広に成形されて
いて、この幅広部分がピン穴１９の段差部に係止されて
いる。また、ピン穴１９にはストッパ２１が螺合されて
いて、このストッパ２１によりガイドピン２０がピン穴
１９内に固定されている。一方、上金型８ｂ及び８Ｃは
、止金型８ａの下部をその幅方向に均等に分割したもの
である。この上金型８ｂ及び８Ｃには、上金型８ａの下
面から突出するガイドピン２０に対応して夫々段差状の
ピン穴２２が穿設されている。そして、ガイドピン２０
の一端をこのピン穴２２に挿入した後にガイドピン２０
の一端の凹部にストッパ２３が螺合されている。この場
合、ガイドピン２０はストッパ２３を限度としてピン穴
２２内を摺動可能である。そして、上金型８ｂ及び８Ｃ
を上金型８ａの下面に密着させたときに上金型８ｂ及び
８ｃの側面が相互に連接し、上金型８ｂ及び８ｃを上金
型８ａの下面から離隔させたときに上金型１３− ８ｂ及び８Ｃが相互に離隔するようにガイドピン２０及
びストッパ２３が調整されている。また、上金型８ｂ、
８ｃの上面及び上金型８ａの下面には夫々段差状のピン
穴２４．２５が穿設されている。このピン穴２４．２５
には、その小径部分にガイドピン２０と平行にガイドピ
ン２６が挿入されており、その大径部分にガイドピン２
６を取り巻くようにして圧縮スプリング２７が挿入され
ている。上金型８ｂ及び８ｃは、通常、圧縮スプリング
２７の付勢力によりいずれも上金型８ａから離隔してい
ると共に、相互間も離隔している。

キャビティ９は、上金型８ｂ及び８ｃの連接端面を中心
として双方の下面に亘って形成されている。

ランナー１０は、止金型８ｂ及び８ｃの連接端面を中心
として双方の上面に亘って形成されている。

サブランナー１１及びゲート１２は、ランナー１０とキ
ャビティ９の底面中央とを垂直に連結するようにして止
金型８ｂ及び８ｃの連接端面に夫１４− 々形成されている。このゲート１２はサブランナー１１
よりも細径に形成したものである。

また、上金型８ｃの下面には、後述する下金型１３のゲ
ージピン２９が嵌入するゲージピン穴２８が穿設されて
いる。

一方、下金型１３は、上金型８と同様にして、下部を構
成する下金型１３ａ並びに上部を構成する下金型１３ｂ
及び１３ｃに分割されている。そして、下金型１３ａ乃
至１３ｃは、上金型８ａ乃至８ｃと同様にして相互に連
結されている。即ち、下金型１３ａ乃至Ｃはガイドピン
２０により相互に摺動可能であると共に、圧縮スプリン
グ２７の付勢力により相互に離隔状態にあ、る。

キャビティ１４は、下金型１３ｂ及び１３ｃの連接端面
を中心として双方の上面に亘って形成されている。

ランナー１５は、下金型１３ｂ及び１３ｃの連接端面を
中心として双方の下面に亘って形成されている。

サブランナー１６及びゲート１７は、ランナー１５とキ
ャビティ４の底面中央とを垂直に連結するようにして下
金型１３ｂ及び１３ｃの連接端面に夫々形成されている
。このゲート１７はサブランナー１６よりも小径に形成
したものである。

また、下金型８Ｃの上面には、半導体基板の位置を固定
するためのゲージピン２９が突出して形成されている。

このゲージピン２９は、下金型１３及び上金型８を組み
合わせたときに上金型８Ｃのゲージピン穴２８内に嵌入
する。

次に、上述の如く構成された半導体装置の樹脂封止装置
の動作について説明する。

先ず、リードフレーム３０をゲージピン２８に合わせて
下金型１３ｂ、１３ｃ上に双方に跨がるように載置する
。このリードフレーム３０上には、その略中夫にＩＣ３
１が搭載されており、このＩＣ８１とリードフレーム３
０とがワイヤ３２により放射状にボンディングされてい
る。

次に、ゲージピン２９をゲージピン穴２８内に嵌入し、
リードフレーム３０を挟んで止金型８及び下金型１３を
組み合わせ、上金型ベース１及び下金型ベース５により
高圧にて型締めする。この場合、上金型８　ｂ　＋　　
８　ｃ及び下金型１３ａ、１３ｂは、この圧力によりガ
イドピン２０に沿って摺動し、夫々上金型８ａ及び下金
型１３ａに密着すると共に、相互に連接する端面が密着
する。これにより、ＩＣ３１の周囲にはキャビティ９，
１４によって第１図（Ｃ）の−点破線で示すような樹脂
注入用空間が形成される。

次に、ヒータ１８により上金型８、下金型１３及びセン
ターブロック３，６を約８０℃に予熱した後に、予め円
柱状に成形された熱硬化性樹脂をボット４内にセットす
る。そして、ボット４の上方から高圧シリンダ（図示せ
ず）により前記熱硬化性樹脂を加圧注入すると、センタ
ーブロック６の温度により前記熱硬化性樹脂が溶融し、
このゲル化した樹脂がランナー７に沿って通流してラン
ナー１０及び１５に夫々供給される。ランナー１０に供
給された樹脂は、サブランナー１１及びゲート１２を介
して各キャビティ９に注入される。

方、ランナー１５に供給された樹脂は、サブラン１７ナー１６及びゲート１７を介して各キャビティ１４に注
入される。そして、全てのキャビティ９及び１４に樹脂
を充填して樹脂注入を完了する。

次に、溶融樹脂が硬化した後に止金型８及び下金型１３
を型開きする。この場合、上金型８及び下金型１３を相
互に離隔させると、止金型８　ａ　＋８ｂ及び下金型１
３ａ、１３ｂは、スプリング２７の付勢力により、スト
ッパ２３を限度としてガイドピン２０に沿って摺動する
。このため、上金型８ａ乃至８ｃ及び下金型１３ａ乃至
１３ｃが夫々相互に離隔し、空隙が形成されるため、ラ
ンナー１０，１５、サブランナー１１，１６及びゲー）
１２．１７内に残留する不要な樹脂をこの空隙から容易
に除去することができる。

本実施例によれば、ＩＣ３１の略中夫に向けて樹脂をキ
ャビティ１２．１４内に注入することができるので、こ
の樹脂はＩＣ３１の中央から放射状に広がってキャビテ
ィ１２．１４内に充填される。このため、樹脂流入角度
とＩＣ３１の周囲に放射状にボンディングされたワイヤ
３１のワイヤ１８− リング角度を略等しくすることができるので、樹脂の流
入によりワイヤ３１が湾曲することを防止できる。

また、上金型８ａ乃至８ｃ及び下金型１３ａ乃至１３ｃ
が夫々相互に離隔可能であるため、不要な樹脂を容易に
除去することができる。

なお、本実施例においては、上金型８及び下金型１３か
ら成形された樹脂を強制的に剥離する手段、例えば従来
装置におけるエジェクタピン等を設けていない。しかじ
な、がら、例えば、表面処理によりランナー１０，１５
、サブランナー１１゜１６及びキャビティ１２．１４等
の樹脂と接触する部分を梨地面（表面粗さが約ＩＯμｍ
）に仕上げることにより、樹脂の剥離性を向上させるこ
とができる。

第２図は本発明の第２の実施例に係る半導体装置の樹脂
封止装置を示す断面図である。なお、本実施例は第１の
実施例に樹脂剥離手段及び半導体装置の保護装置を付加
したものであるため、第２図において第１図（ａ）乃至
（Ｃ）と同一物については同一符号を付してその部分の
詳細な説明は省略する。

上金型８ｂ、８ｃには、エジェクタピン３５が上金型８
ｂ、８ｃの上方からキャビティ９内に挿通して摺動可能
に夫々配設されている。このエジェクタピン３５の一端
は、支点３６ａを中心として揺動可能な支持棒３６の一
端に接続されている。

支持棒３６の他端は圧力ピン３７の一端に接続されてい
る。この圧力ピン３７の他端は上金型８ｂ。

８ｃの上面に設けられた開口部に挿入されていて、前記
開口部内に配置されたノックアウトスプリング３８によ
り圧力ピン３７が上金型８ｂ、８Ｃの上面から突出する
ようになっている。そして、上金型８ａと上金型８ｂ、
８ｃとが密着している場合、即ち、樹脂成形が行なわれ
ている場合には、上金型８ａにより圧力ピン３７が前記
開口部内に押し込まれているため、エジェクタピン３５
はこれに連動してキャビティ９内に突出しない状態を保
持する。また、上金型８ａと上金型８ｂ、８Ｃとが離隔
している場合には、圧力ピン３７の一端は止金型８ａの
下面に接触しつつスプリング３８により上方に押し上げ
られるため、エジェクタピン３５はこれに連動してキャ
ビティ９内に突出する。

一方、下金型１３ｂ、１３ｃには、上述した上金型８ｂ
＋８ｃと同様にして、摺動可能なエジェクタピン３５が
配設されている。

また、下金型１３　ｂ、　　Ｌ　３　ｃには、下金型１
３ｂ、１３ｃを下方から挿通する段差状の開口部が設け
られており、この開口部にはリターンブロック３９がそ
の一端を下金型１３ｂ、１３ｃの上面に突出させて挿入
されている。このリターンブロック３９は他端が幅広に
形成されていて、この他端が前記開口部の段差部に係止
されている。また、前記開口部には耐熱性の硬質ゴム４
０が挿入され、更にストッパ４１が螺合されており、こ
の硬質ゴム４０及びストッパ４１によりリターンブロッ
ク３９が前記開口部に固定されている。

このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、リードフレーム３０を下金型１３２１− す、１３ｃ上に載置した後に上金型８と下金型１３とを
型締めする場合、上金型８ａ、８ｂは先ずリターンブロ
ック３９と接触する。この場合、スプリング２５．２７
の弾性よりも硬質ゴム４０の弾性を強くしておけば、先
ず各スプリング２５゜２７が圧縮されて止金型８ａ、８
ｂ及び下金型１３ａ、１３ｂが夫々上金型８ａ及び下金
型１３ａに密着する。そして、更に型締めすると、硬質
ゴム４０が圧縮されて上金型８ａ、８ｂがリードフレー
ム３０に接触し、リードフレーム３０が止金型８　ａ　
＋　８　ｂ及び下金型１３ａ、１３ｂより挟持される。

このため、リードフレーム３０に与える負荷を低減する
ことができ、所謂ジャミングの発生を防止することがで
きる。

一方、上金型８と下金型１３とを型開きする場合には、
キャビティ１２．１４内にエジェクタピン３５が突出す
るため、成形された樹脂をキャビティ１２．１４の内面
から容易に剥離することができる。

従って、本実施例においては、第１の実施例と２２− 同様の効果が得られると共に、型締め動作におけるリー
ドフレーム３０への負荷を低減でき、型開き動作におけ
る樹脂の剥離性を向上させることができる。即ち、本実
施例装置によれば、近年、半導体装置の高品質化に伴っ
て樹脂の剥離性が低下しているという事態に容易に対処
することができる。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、組み合わされて内
部に樹脂注入用空間を形成する１対の成形型を有する半
導体装置の樹脂封止装置において、前記各成形型は主流
路及びこの主流路からキャビティの底面又は上面まで導
かれた副流路を介して樹脂が樹脂注入用空間内に注入さ
れるから、樹脂封止すべき半導体装置のワイヤリング角
度と樹脂流入角度とを路間−にすることができる。この
ため、樹脂流入時における前記ワイヤに対する樹脂の抵
抗を低減することができるので、流入樹脂によりワイヤ
が湾曲してしまうことを防止することができ、ワイヤの
断線及び短絡を防止することができる。

従って、本発明装置を使用すれば、ボンディングワイヤ
の長さを従来に比して長くすることができるので、資材
の共用化により半導体装置の材料コストを低減できる。

また、ワイヤの湾曲を防止できるので、ワイヤ間隔を狭
くすることができ、半導体装置をより一層小型化又は多
端子化することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に係る半導体装置
の樹脂封止装置を示す平面図、第１図（ｂ）はそのＩ−
Ｉ線による断面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の■−
■線による断面図、第２図は本発明の第２の実施例に係
る半導体装置の樹脂封止装置を示す断面図、第３図（ａ
）は従来の半導体装置の樹脂封止装置を示す平面図、第
３図（ｂ）はその■−■線による断面図である。１；上金型ベース、２；樹脂投入口、３，６；センター
ブロック、４；ボット、５：下金型ベース、７．１０，
１５．５６；ランナー、８．８ａ。８ｂ＋　８ｃ、５１　：上金型、９．ＩＣ５１ａ。５２ａ；キャビティ、１１．１Ｂ、５７；サブランナー
　１２，１７，５８；ゲート、１３，１３ａ、１３ｂ、
１３Ｃ１５２；下金型、１８；ヒータ、１９．２２，２
４．２５；ピン穴、２０，２６；ガイドピン、２１，２
３，４１　；ストッパ、２７；スプリング、２８；ゲー
ジピン穴、２９Ｉ５５；ゲージピン、３０，６０；リー
ドフレーム、３１．６１　；　ＩＣ，３２，６２；ワイ
ヤ、３５゜５３ａ、５３ｂ；エジェクタピン、３６；支
持棒、３６ａ；支点、３７：圧力ピン、３８：ノックア
ウトスプリング、３９；リターンブロック、４０；硬質
ゴム、５４；溝部、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）組み合わされて内部に樹脂注入用空間を形成する
１対の成形型を有する半導体装置の樹脂封止装置におい
て、前記各成形型は、前記注入用空間を形成する凹状の
キャビティと、外部に開口して内設され樹脂が通流する
主流路と、この主流路から前記キャビティの底面又は上
面まで導かれ樹脂が通流する副流路とを有することを特
徴とする半導体装置の樹脂封止装置。