JPH04177844A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH04177844A
JPH04177844A JP30674890A JP30674890A JPH04177844A JP H04177844 A JPH04177844 A JP H04177844A JP 30674890 A JP30674890 A JP 30674890A JP 30674890 A JP30674890 A JP 30674890A JP H04177844 A JPH04177844 A JP H04177844A
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Japan
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resin
pin
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die
semiconductor device
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Koji Furusato
広治 古里
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
である。
(従来の技術) 従来の半導体装置は、第1図(a) (b)に示す様に
封止樹脂の所定位置に取り付は孔1aを有している。
かかる従来装置は、所定の回路構成した半導体装置を下
型4にセットして上下金型3.4を使用して型締めを行
い、次に封止樹脂1を注入して取り付は孔1aと単導体
装置を成形した後、上下金型3.4を開いて半導体装置
を取り出す、いわゆるトランスファーモールド法で樹脂
封止を行う時に取り付は孔も同時に成形している。
(発明が解決する問題点) ところが、この方法で製造された半導体装置は封止金型
精度、端子の厚さ精度、樹脂封止注入時の加圧力により
、取り付は孔が貫通せずに第2図の樹脂パリとなって成
形されることがあった。この樹脂バIJ1bは、次工程
で部分的に取れて落下し、製造装置の摩耗や可動に悪影
響をあたえる。また、最終的に取れないものは実装時に
取り付は用ビスを挿入てきないといった欠点があった。
(課題を解決するための手段) 本発明は下型に作動ピン、サラバネを組み込み、作動ピ
ン、固定ピンか接触するようにして取り付は孔に不要な
樹脂パリが生しないようにするものである。
(作用) 封止金型の精度、端子の厚さ精度、樹脂注入時の加圧力
等の違いによってばらつきが田でも固定ピンが作動ピン
と密着することによって、常に樹脂パリが発生しない装
置が製造できる。
(実施例) 第3図は本発明−実施例図で取り付は孔1aを形成する
には、上型3に取り付けられている固定ピン3aと下型
4に取り付けられている作動ピン4aで構成し、作動ピ
ン4aには、さらバネ4bが組み込まれていて上下方向
に作動する構造となっている。このとき作動ピンの上部
は少なくとも封止樹脂下端ICよりも上にくるようにし
なければならない。上型3と下型4を型締めしたときに
は、作動ピン4aのさらハネ4bでバラツキを吸収して
、固定ピン3aの先端部分で密着するので、樹脂パリ1
bは発生しない。なお、本実施例ではバラツキ吸収のた
めにバネを用いたか11ネに限定しなくても弾性のもの
であれば同様の効果か得られる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明は取り付は孔を有する樹脂
封止型半導体装置全般に応用でき、不要な樹脂パリが発
生しないため、実用上の効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の取り付は孔付き半導体装置の正面図とY
−Y−断面図、第2図は第1図のx−x ’断面図、第
3図は本発明の1実施例図である。 図において、1は封止樹脂、2は端子、3は上型、4は
下型、1aは取り付は孔、1bは樹脂パリ、ICは封止
樹脂下端3aは固定ピン、4aは作動ピン、4bはサラ
バネである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  トランスファーモールド法により樹脂封止型半導体装
    置を製造する方法において、上金型に一体化された固定
    ピンと下金型に弾性体を伴った上下に駆動する作動ピン
    を突き合わせて貫通孔を作る場合に、作動ピンの上端部
    が封止樹脂下端より上にもうけるようにした樹脂封止型
    半導体装置の製造方法
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006253281A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂パッケージの製造方法
JP2021052091A (ja) * 2019-09-25 2021-04-01 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253281A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂パッケージの製造方法
JP4534803B2 (ja) * 2005-03-09 2010-09-01 パナソニック株式会社 樹脂パッケージの製造方法
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