KR100258351B1 - 반도체패키지 - Google Patents

반도체패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100258351B1
KR100258351B1 KR1019970018624A KR19970018624A KR100258351B1 KR 100258351 B1 KR100258351 B1 KR 100258351B1 KR 1019970018624 A KR1019970018624 A KR 1019970018624A KR 19970018624 A KR19970018624 A KR 19970018624A KR 100258351 B1 KR100258351 B1 KR 100258351B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
shielding means
electromagnetic shielding
circuit board
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1019970018624A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980083354A (ko
Inventor
신원선
Original Assignee
마이클 디. 오브라이언
앰코 테크놀로지 코리아주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이클 디. 오브라이언, 앰코 테크놀로지 코리아주식회사 filed Critical 마이클 디. 오브라이언
Priority to KR1019970018624A priority Critical patent/KR100258351B1/ko
Publication of KR19980083354A publication Critical patent/KR19980083354A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100258351B1 publication Critical patent/KR100258351B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

본 발명은 패키지 내부에서 발생하는 전자파의 차폐성을 좋게 함과 동시에 전자파 차폐부재의 결합력을 보강한 BGA 반도체패키지에 관한 것이다.
종래에는 패키지 내부에서 발생하는 전자파를 차폐하기 위하여 성형된 패키지(P)의 외부에 별도 제작된 금속재의 캡(CP)을 접착제(E)를 이용해 복착 설치함으로써 전자파의 차폐효과는 얻을 수 있었지만, 회로기판(10) 및 패키지(P)의 성형지수 편차에 의해 캡(CP)의 밀착 설치가 이루어지지 않아 캡(CP)과 패키지(P) 계면의 박리현상을 유발시키는 등 제품의 신뢰도를 약화시키는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명에서는 패키지(P)의 성형시 회로기판(10)에 설치된 전자파 차폐수단(30)의 내부로 컴파운드재를 충입공급시켜 전자파 차폐수단(30)과 성형된 패키지(P)와의 밀착결합이 이루어지도록 하는 BGA 반도체패키지(20)를 제공함으로써, 전자파의 차폐효과가 뛰어나고 동시에 전자파 차폐수단의 결합력 증대를 통한 제품의 품격제고를 이룰 수 있도록 한 것이다.
[색인어]
전자파 차폐수단을 구비한 반도체패키지

Description

반도체패키지
본 발명은 BGA 반도체패키지에 대한 것으로서, 특히 패키지 내부에서 발생하는 전자파의 차폐성을 좋게 함과 동시에 전자파를 차폐하는 차폐부재와 패키지의 결합력을 보강한 BGA 반도체패키지에 관한 것이다.
일반적으로 최근의 전자기기는 소형화, 박형화, 다기능화에 따라 많은 양의 정보를 빠른 시간에 처리할 수 있는 고집적화된 반도체칩이 요구되었고, 최근 이러한 문제를 해결할 수 있는 BGA 반도체패키지가 출현을 보게 되었다.
이러한 BGA 반도체패키지는 파인피치 표면실장 기술과 고집적화 한계에 대한 기능과 품질을 보완하기 위해 기존의 리드(Lead)의 손상 방지와 부피 및 크기의 최소화와 전기적 기능특성과 열적특성의 우수성과 패키지의 수율과 기판조립 수율과 그 외 멀티칩 모듈의 확장과 신속한 디자인에서 생산까지의 사이클을 최소화 할 수 있는 장점을 가질 수 있도록 개발되었다.
또한 고집적화된 BGA 반도체패키지의 품질신뢰도 향상에 따른 이용의 다양성과 초소형으로 요구되는 각종 전자주변기계에 적용이 용이하고, 가격 경쟁력이 높아 고 부가가치를 얻을 수 있는 잇점을 가지고 있다.
이러한 BGA 반도체패키지는 보다 많은 수의 고집적화된 회로를 갖기 위해 회로기판 상에 회로패턴과 반도체칩이 부착되는 칩탑재부가 구비되고, 반도체칩의 회로와 회로기판의 회로패턴에는 와이어를 연결시켜 본딩하며, 반도체칩과 와이어와 회로패턴의 일부를 포함하는 영역의 패키지 성형부에 컴파운드재의 패키지를 성형하고, 회로기판의 금속층에는 볼을 융착고정시켜 반도체칩의 회로가 볼과 연결되도록 하는 기본 구성을 이루고 있다.
그리고 상기 회로기판은 내부에 플레인층(Plane Layer)과, 플레인층의 외부에는 에폭시층과 에폭시층의 외부에는 시그널층과, 시그널층 외부에는 솔더마스크층을 구비하여 두께가 얇은 박판 형태를 이루고 있다.
여기서 종래의 BGA 반도체패키지를 도9의 도시예를 통해 상세히 설명한다.
회로기판(10)의 상부 중앙에 반도체칩(C)이 부착되는 탑재부(T)와 상면에 다수의 회로패턴(PT)이 구비되고, 반도체칩(C)과 회로기판(10) 상의 각 회로패턴(PT)에는 와이어(W)를 연결 본딩시키며, 회로패턴(PT) 일부와 반도체칩(C) 및 와이어(W)를 포함하는 부위의 회로기판(10) 상부에 패키지성형영역(PA)을 구비하여 이에 소정형태의 패키지(P)를 형성하여 BGA 반도체패키지(20)를 완성하게 되는데,
이러한 BGA 반도체패키지(20)는 내부의 회로작동시 발생하는 전자파에 대한 대비책이 강구되어 있지 않기 때문에 전자파에 의해 주변의 구성부품과 제어기기에 치명적인 영향을 끼쳐 제품의 안정성을 해치는 경향이 있었으며, 더구나 두께가 매우 얇은 회로기판(10) 상에 각 회로소재와 패키지(P)가 성형됨에 따라 회로기판(10)과 패키지(P) 간의 취약한 상호 결합력으로 작업공정의 수행 및 취급부주의에 의한 회로기판(10)의 변형이 쉽게 발행하였고, 회로기판(10)과 패키지(P) 사이에서의 결합력 저하로 제품의 불량을 초래해 왔었다.
따라서, 이를 보완하고자 도10의 예시와 같이 회로기판(10)에 형성된 패키지(P)의 외부면과 회로기판(10)의 상부면 일부에 접착제(E)를 접착하고 거기에 금속재의 캡(CP)을 복착함으로써 전자파를 차단하는 구조를 제공할 수 있었다.
그러나, 이러한 구성의 경우에 있어서는 회로작동시 발생하는 전자파의 외부방출은 차폐시켜 전자파에 대한 신뢰도를 증지시키는 측면은 있었으나, 한편으로 회로기판(10)이나 패키지(P)의 두께 편차와 성형치수 편차를 고려하지 못한 관계로 금속재의 캡(CP)이 기 성형된 패키지(P)의 외부표면에 전체적으로 일정하게 밀착접합되지 못하는 관계로, 제품의 회로작동시 열에 의해 발생한 팽창압력에 의하여 캡(CP)이 패키지(P)에서 쉽게 분리되어 전자파에 대한 차폐효과를 반감시켜 결국 제품의 신뢰도를 격하시키는 문제점가 발생하였다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, BGA 반도체패키지의 패키지성형영역에 금속재의 전자파 차폐수단을 구비하여, 패키지의 성형시 회로기판에 설치된 전자파 차폐수단의 내부로 컴파운드재를 직접 충입공급시켜 전자파 차폐수단과 성형된 패키지(P)와의 밀착결합이 이루어지도록 함으로써, 전자파 차폐수단의 결합력 증대를 통한 전자파 차폐효과가 뛰어난 고신뢰도의 BGA 반도체패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명을 구성하는 전자파 차폐수단의 사시도(제1 실시예).
도 2는 도1 도시의 전자파 차폐수단이 적용된 반도체패키지의 단면구성도.
도 3은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단의 다른 제2 실시예를 보인 분리사시도.
도 4는 도3 도시의 전자파 차폐수단이 적용된 반도체패키지의 단면구성도.
도 5는 도4의 평면도.
도 6은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단의 다른 제3 실시예를 보인 분리사시도.
도 7은 도6 도시의 전자파 차폐수단이 적용된 반도체패키지의 단면구성도.
도 8은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단의 다른 제4 실시예로써 반도체패키지에 적용예를 단면구성도.
도 9는 종래 전자파 차폐수단이 구비되지 않은 일반 반도체패키지의 단면구성도.
도 10은 도9 도시의 일반 반도체패키지의 패키지 겉면에 접착제를 접착한 후 그위에 금속재의 캡을 복착한 경우를 예시한 단면구성도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 ; 회로기판 20 ; BGA 반도체패키지
PT; 회로패턴 PA ; 패키지성형영역
30 ; 전자파 차폐수단 CP ; 캡
31 ; 측판 32 ; 개방부
33 ; 포스트 RG ; 런너게이트
31A ; 상부판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 패키지(P)의 성형 전에 BGA 반도체패키지(20)를 구성하는 회로기판(10) 상면의 패키지성형영역(PA)에 상향으로 소정간격 이격된 위치에 상부판(31A)을 설치하고, 상기 상부판(31A)이 복수개로 입설되는 포스트(33)에 의해 일체적으로 고정되도록 하되, 그 내측에 컴파운드재가 충진되도록 하는 차폐수단(30)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명을 첨부도면에 예시한 일 실시예를 통하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도1은 본 발명을 구성하는 전자파 차폐수단(30)의 제1 실시예를 보인 사시도이고, 도2는 도1 도시의 전자파 차폐수단(30)이 적용된 반도체패키지의 단면구성도를 나타낸 것이다.
도시한 바와 같이 BGA 반도체패키지(20)를 구성하는 회로기판(10) 상부 중앙에는 반도체칩(C)이 부착되는 탑재부(T)가 구비되어 있고 그 외부에는 다수의 회로 패턴(PT)이 형성되어 회로기판(10)을 구성하게 되며,
그리고, 상기 회로기판(10)의 탑재부(T)에는 반도체칩(C)이 부착 탑재되어 와이어(W)에 의해 회로기판(10) 상면의 다수의 회로패턴(PT)과 전기적으로 연결된 상태를 이루게 된다.
따라서, 반도체칩(C)이 탑재된 회로기판(10) 상면부에는 반도체칩(C)과 와이어(W)와 회로패턴(PT)의 일부를 포함하는 패키지성형영역(PA)이 형성된다. 이 패키지성형영역(PA)에는 전자파를 차폐하기 위한 전자파 차폐수단(30)이 설치되어 패키지(P)의 성형시 상기 전자파 차폐수단(30)의 내부로 충입공급되는 컴파운드재와 완전 밀착접합된 상태를 이루게 된다.
상기 패키지성형영역(PA)에 안치되는 전자파 차폐수단(30)은 네 면의 측판(31)과 상부판(31A)이 일체로 형성되고, 그리고 런너게이트(RG)와 마주하는 전자파차폐수단(30)의 일 모퉁이에는 컴파운드재의 유입을 가능하게 하는 개방부(32)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 전자파 차폐수단(30)을 회로기판(10)의 패키지성형영역(PA)에 설치함에 있어서는 전자파 차폐수단(30)을 구성하는 측판(31)을 회로기판(10) 상면에 직접 삽착하거나 접착제(E)를 사용해 부착 설치할 수가 있다.
따라서, 일체형의 상자형태로 구성되는 제1 실시예의 전자파 차폐수단(30)을 패키지(P) 성형 전에 회로기판(10)의 패키지성형영역(PA)에 설치하여 BGA 반도체패키지(20)를 구성하면, 전자파 차폐수단(30)과 패키지(P)와의 밀착접합이 이루어져 보다 완벽한 전자파 차폐효과를 거둘 수 있게 된다.
도 3은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단(30)의다른 제2 실시예를 보인 분리사시도이고, 도4는 도3 도시의 전자파 차폐수단(30)이 적용된 반도체패키지의 단면구성도를 나타낸 것이며, 도5는 도4의 평면도를 나타낸 것이다.
이와 같이 회로기판(10)의 패키지성형영역(PA)에 설치되는 전자파 차폐수단(30)을 구성함에 있어서는 사각형상의 측판(31)과 상부판(31A)을 분리 형성하여 접착제(E)를 사용하여 일체화시킬 수가 있다.
그리고, 상기 사각형상의 측판(31) 일 모퉁이에는 상기 제1 실시예와 마찬가지로 개방부(32)가 형성된다.
이렇게 측판(31)과 상부판(31A)을 접착제(E)로 접합하여 일체화시킨 전자파 차폐수단(30)을 패키지성형영역(PA)에 설치함에 있어서는 상기 제1 실시예와 같이 전자파 차폐수단(30)을 구성하는 측판(31)을 회로기판(10) 상면에 직접 삽착하거나 접착제(E)을 사용해 부착 설치하게 된다.
이와 같이 패키지(P) 성형 전에 패키지성형영역(PA)에 도3 도시의 전자파 차폐수단(30)을 설치한 다음, 측판(31)의 일 모퉁이에 형성된 개방부(32)를 통하여 컴파운드재를 충입공급하게 되면, 성형된 패키지(P)와 전자파 차폐수단(30)의 밀착접합이 이루어져 보다 완벽한 전자파 차폐효과를 거둘 수 있게 된다.
도6은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단(30)의 다른 제3 실시예를 보인 분리사시도이고, 도7은 도6 도시의 전자파 차폐수단(30)이 적용된 반도체패키지의 단면구성도이며, 도8은 본 발명에 있어서 전자파 차폐수단(30)의 다른 제4 실시예로써 반도체패키지에 적용예를 나타낸 것이다.
도시한 바와 같이 전자파 차폐수단(30)을 구성함에 있어서는 측판의 대용으로 다수의 포스트(33)를 사용하게 되는 바, 상부판(31A)의 저면에 다수의 포스트(33)를 접착제(E)로 부착하여 일체형으로 구성이 된다.
그리고 포스트(33)를 구성요소로 하는 전자파 차폐수단(30)을 설치함에 있어서는 회로기판(10)이 패키지성형영역(PA)에 상부판(31A)의 저면에 부착된 다수의 포스트(33)에 접착제(E)를 접착하여 회로기판(10)에 부착시킨다.
여기서, 도8의 제4 실시예에서와 같이 회로기판(10)에 포스트(33)를 삽착설치하는 경우에 있어서는 패키지(P)와 전자파 차폐수단(30)과의 결합력을 한층 더 보강할 수가 있다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 패키지(P)의 성형 전에 회로기판(10) 상부의 패키지성형영역(PA)에 측판(31)과 상부판(31A)으로 구성되는 전자파 차폐수단(30)을 설치하고, 이 전자파 차폐수단(30)의 내부로 컴파운드재를 충입공급토록 하여 전자파 차폐수단(30)과 성형된 패키지(P)와의 밀착접합이 이루어지도록 함으로써, 전자파 차폐수단의 결합력 증대를 통한 전자파 차폐효과가 뛰어난 고신뢰도의 BGA 반도체패키지를 제공하는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 패키지(P)의 성형 전에, BGA 반도체패키지(20)를 구성하는 회로기판(10) 상면의 패키지성형영역(PA)에 상향으로 소정간격 이격된 위치에 상부판(31A)을 설치하고, 상기 상부판(31A)이 상기 패키지성형영역(PA)으로부터 복수개로 입설되는 포스트(33)에 의해 일체적으로 고정되도록 하되, 그 내측에 컴파운드재가 충진되도록 하는 차폐수단(30)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
KR1019970018624A 1997-05-13 1997-05-13 반도체패키지 KR100258351B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970018624A KR100258351B1 (ko) 1997-05-13 1997-05-13 반도체패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970018624A KR100258351B1 (ko) 1997-05-13 1997-05-13 반도체패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980083354A KR19980083354A (ko) 1998-12-05
KR100258351B1 true KR100258351B1 (ko) 2000-06-01

Family

ID=19505825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970018624A KR100258351B1 (ko) 1997-05-13 1997-05-13 반도체패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100258351B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101148434B1 (ko) * 2010-05-10 2012-05-25 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63150948A (ja) * 1986-12-15 1988-06-23 Nec Yamagata Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63150948A (ja) * 1986-12-15 1988-06-23 Nec Yamagata Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101148434B1 (ko) * 2010-05-10 2012-05-25 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980083354A (ko) 1998-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621991B1 (ko) 칩 스케일 적층 패키지
KR101542214B1 (ko) 실드를 갖춘 집적회로 패키지 시스템
US5200366A (en) Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor
KR20010062734A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20080114622A (ko) 듀얼 접속부를 구비하는 집적회로 패키지 시스템
KR20030018642A (ko) 스택 칩 모듈
US20130200507A1 (en) Two-sided die in a four-sided leadframe based package
JPH03108744A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR100258351B1 (ko) 반도체패키지
KR20020043395A (ko) 반도체 패키지
US8058099B2 (en) Method of fabricating a two-sided die in a four-sided leadframe based package
JP3495566B2 (ja) 半導体装置
KR900001989B1 (ko) 반도체장치
JPH10256473A (ja) 半導体装置
JP3182378B2 (ja) 半導体装置および混成集積回路装置
KR20010068781A (ko) 반도체 칩 패키지
KR19980022344A (ko) 적층형 bga 반도체패키지
KR20030012192A (ko) 다이 적층형 윈도우 칩 스케일 패키지
KR100537893B1 (ko) 리드 프레임과 이를 이용한 적층 칩 패키지
KR200245729Y1 (ko) 반도체패키지구조
KR100708050B1 (ko) 반도체패키지
KR950003904B1 (ko) 반도체 패키지
KR100242249B1 (ko) 패키지성형금형구조 및 반도체패키지
KR19980058592A (ko) Bga 반도체패키지용 pcb
KR100210161B1 (ko) Bga 반도체패키지용 몰드금형의 라이너

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130306

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140306

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150303

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee