JPS63150948A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63150948A JPS63150948A JP61299247A JP29924786A JPS63150948A JP S63150948 A JPS63150948 A JP S63150948A JP 61299247 A JP61299247 A JP 61299247A JP 29924786 A JP29924786 A JP 29924786A JP S63150948 A JPS63150948 A JP S63150948A
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- silicone resin
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用回路基板に搭載接続された半導体素子
及び金属細線を局部封止した半導体装置に関する。
及び金属細線を局部封止した半導体装置に関する。
従来、この種の半導体素子の局部封止の構成には、第２
図の断面図に示す様に、回路基板１上に取付けられた半
導体素子４及び金属細線６を直接エポキシ、シリコン等
の熱硬化性樹脂１１で封止する素子コーティング方式、
あるいは第３図の断面図に示す様に、セラミックや樹脂
製のキャップ８を半導体素子４および金属細線６を内包
する様にかぶせ、低融点ガラスや軟ろう材、樹脂等の接
着剤９によって半導体用回路基板１上に接続させて局部
を保護するインナーキャップ方式が取られている。
図の断面図に示す様に、回路基板１上に取付けられた半
導体素子４及び金属細線６を直接エポキシ、シリコン等
の熱硬化性樹脂１１で封止する素子コーティング方式、
あるいは第３図の断面図に示す様に、セラミックや樹脂
製のキャップ８を半導体素子４および金属細線６を内包
する様にかぶせ、低融点ガラスや軟ろう材、樹脂等の接
着剤９によって半導体用回路基板１上に接続させて局部
を保護するインナーキャップ方式が取られている。
上述した局部封止構造のうち、熱硬化性樹脂１１による
素子コーティング方式は、安価で量産性に富む利点があ
るものの、一般的に外部からの機械的ストレスに対して
弱く、また、樹脂自体の内部歪や熱的、化学的膨張等に
より半導体素子４や金属細線６に機械的ストレスを加え
、半導体素子４のクラックや金属細線６のルーズコンタ
クト不良を引き起こす怖れがあり、品質上大きな問題が
ある。このような樹脂自体の内部歪や熱的、化学的膨張
によるストレスの対策として、近年ゲル状シリコン樹脂
が一部半導体素子の封止用として用いられているが、ゲ
ル状シリコン樹脂は一般的に耐熱性に弱い面があり、半
田浸漬等により樹脂の表面収縮が生ずるなどの問題が残
る。
素子コーティング方式は、安価で量産性に富む利点があ
るものの、一般的に外部からの機械的ストレスに対して
弱く、また、樹脂自体の内部歪や熱的、化学的膨張等に
より半導体素子４や金属細線６に機械的ストレスを加え
、半導体素子４のクラックや金属細線６のルーズコンタ
クト不良を引き起こす怖れがあり、品質上大きな問題が
ある。このような樹脂自体の内部歪や熱的、化学的膨張
によるストレスの対策として、近年ゲル状シリコン樹脂
が一部半導体素子の封止用として用いられているが、ゲ
ル状シリコン樹脂は一般的に耐熱性に弱い面があり、半
田浸漬等により樹脂の表面収縮が生ずるなどの問題が残
る。
一方、セラミックや樹脂性のキャップ８によりインナー
キャップ方式は、中空構造である為に半導体素子４や金
属細線６への機械的ストレスは殆んど無視できるが、キ
ャップ８の封着時にキャップ内部の空気が熱により膨張
し、キャップ８と半導体用回路基板１の接着部に穴開き
不良が発生するなどの問題がある。予め、キャップ自体
に空気抜き用の小孔を開けておけばその問題は解決でき
るが、その後の製造工程において、半田浸漬等による実
装工程を経る半導体用回路基板１では、小孔から半田や
フラックスが侵入するなどの問題が別に生じる。
キャップ方式は、中空構造である為に半導体素子４や金
属細線６への機械的ストレスは殆んど無視できるが、キ
ャップ８の封着時にキャップ内部の空気が熱により膨張
し、キャップ８と半導体用回路基板１の接着部に穴開き
不良が発生するなどの問題がある。予め、キャップ自体
に空気抜き用の小孔を開けておけばその問題は解決でき
るが、その後の製造工程において、半田浸漬等による実
装工程を経る半導体用回路基板１では、小孔から半田や
フラックスが侵入するなどの問題が別に生じる。
本発明の目的は、これらの問題を解決し、製品の信頼性
を向上させた半導体装置を提供することにある。
を向上させた半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置の構成は、半導体用回路基板上に搭
載された半導体素子と、半導体用回路基板導体部とを金
属細線により接続した局部回路構造を、小孔をもった中
空の絶縁体キャップで覆い、かつこの絶縁体キャップの
内部がゲル状シリコン樹脂によって充填されて形成され
ることを特徴とする。
載された半導体素子と、半導体用回路基板導体部とを金
属細線により接続した局部回路構造を、小孔をもった中
空の絶縁体キャップで覆い、かつこの絶縁体キャップの
内部がゲル状シリコン樹脂によって充填されて形成され
ることを特徴とする。
本発明の構成により、半導体素子及び金属細線部を封止
することによって、キャップ封着時のキャップと半導体
用回路基板接着部の穴開き不良が無くなるとともに、キ
ャップ内部に注入したゲル状シリコン樹脂の半田浸漬等
の熱による劣化も小孔付近の極く一部個所のみに抑えら
れる。また、キャップ構造である為に、外部からの！Ｒ
械的ストレスに対し強いと共に、キャップ内部に関して
も、充填される樹脂がゲル状シリコン樹脂である為に、
半導体素子及び金属細線へのストレスも小さくなる。
することによって、キャップ封着時のキャップと半導体
用回路基板接着部の穴開き不良が無くなるとともに、キ
ャップ内部に注入したゲル状シリコン樹脂の半田浸漬等
の熱による劣化も小孔付近の極く一部個所のみに抑えら
れる。また、キャップ構造である為に、外部からの！Ｒ
械的ストレスに対し強いと共に、キャップ内部に関して
も、充填される樹脂がゲル状シリコン樹脂である為に、
半導体素子及び金属細線へのストレスも小さくなる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のキャップ封
入後およびシリコン樹脂注入後の縦断面図である。まず
、半導体用回路基板１上の素子搭載用メタライズ部２に
ろう材３により接合された半導体素子４と、その半導体
素子４の電極部と基板回路導体５とを結線する金属細線
６とを、半導体回路基板１上より小孔７を上部に有する
絶縁体のキャップ８で封止したものである。
入後およびシリコン樹脂注入後の縦断面図である。まず
、半導体用回路基板１上の素子搭載用メタライズ部２に
ろう材３により接合された半導体素子４と、その半導体
素子４の電極部と基板回路導体５とを結線する金属細線
６とを、半導体回路基板１上より小孔７を上部に有する
絶縁体のキャップ８で封止したものである。
このキャップ８は、接着剤９により半導体用回路基板１
に接着されており、キャップ封着時に膨張したキャップ
内部の空気は、小孔７より外気に抜ける為、キャップ内
部の圧力は外気と同圧であり、キャップ８と半導体用回
路基板１の接着部に穴を開けるということはない。
に接着されており、キャップ封着時に膨張したキャップ
内部の空気は、小孔７より外気に抜ける為、キャップ内
部の圧力は外気と同圧であり、キャップ８と半導体用回
路基板１の接着部に穴を開けるということはない。
しかし、小孔の開いた状態のままでは、キャップ封着後
の半田浸漬や半田付等の実装工程において、半田やフラ
ックスの侵入があり、半導体素子４および金属細線６の
外的環境はキャップ封着前と殆んど同じである。
の半田浸漬や半田付等の実装工程において、半田やフラ
ックスの侵入があり、半導体素子４および金属細線６の
外的環境はキャップ封着前と殆んど同じである。
そこで、第１図（ｂ）に示す様に、封着したキャップ８
内にキャップ上部の小孔７よりゲル状シリコン樹脂１０
を注入する。この場合、注入樹脂１０は半導体素子４及
び金属細線６に与えるストレスの影響を考慮して、ゲル
状シリコン樹脂である必要がある。キャップ内に充填さ
れたゲル状シリコン樹脂１０は、半田浸漬工程において
、小孔７付近の一部分は溶融半田の熱的影響により表面
収縮を生ずるが、小孔７より少し離れた部分のゲル状シ
リコン樹脂に関しては熱的影響が少なく表面収縮が生じ
ない。そのため小孔７は半導体素子４及び金属細線６の
真上に作らず、ある程度間隔を置いて設けることが必要
である。
内にキャップ上部の小孔７よりゲル状シリコン樹脂１０
を注入する。この場合、注入樹脂１０は半導体素子４及
び金属細線６に与えるストレスの影響を考慮して、ゲル
状シリコン樹脂である必要がある。キャップ内に充填さ
れたゲル状シリコン樹脂１０は、半田浸漬工程において
、小孔７付近の一部分は溶融半田の熱的影響により表面
収縮を生ずるが、小孔７より少し離れた部分のゲル状シ
リコン樹脂に関しては熱的影響が少なく表面収縮が生じ
ない。そのため小孔７は半導体素子４及び金属細線６の
真上に作らず、ある程度間隔を置いて設けることが必要
である。
以上説明したように本発明は、半導体用回路基板上の半
導体素子及び金属細線部を上部に小孔を有するキャッチ
で封着し、かつその小孔よりキャップ内部にゲル状シリ
コン樹脂を充填することにより、キャップ接着部の穴開
き不良をなくすると共に、半導体素子及び金属細線に加
わるストレスを軽減できるため、半導体素子のクラック
や金属う細線のルーズコンタクト不良の発生を抑えるこ
とが出来、製品の信顆性向上に非常に有効である。
導体素子及び金属細線部を上部に小孔を有するキャッチ
で封着し、かつその小孔よりキャップ内部にゲル状シリ
コン樹脂を充填することにより、キャップ接着部の穴開
き不良をなくすると共に、半導体素子及び金属細線に加
わるストレスを軽減できるため、半導体素子のクラック
や金属う細線のルーズコンタクト不良の発生を抑えるこ
とが出来、製品の信顆性向上に非常に有効である。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のキャップ封
着後およびゲル状シリコン樹脂注入後の縦断面図、第２
図は従来の素子コーティング方式の封止方法を示す縦断
面図、第３図は従来のインナーキャップ方式の封止方法
を示す縦断面図である。 １・・・半導体用回路基板、２・・・素子搭載用メタラ
イズ、３・・・ろう材、４・・・半導体素子、５・・・
基板回路導体、６・・・金属細線、７・・・小孔、８・
・・キャップ、９・・・接着剤、ｌＯ・・・ゲル状シリ
コン樹脂、１１・・・熱硬化性樹脂。
着後およびゲル状シリコン樹脂注入後の縦断面図、第２
図は従来の素子コーティング方式の封止方法を示す縦断
面図、第３図は従来のインナーキャップ方式の封止方法
を示す縦断面図である。 １・・・半導体用回路基板、２・・・素子搭載用メタラ
イズ、３・・・ろう材、４・・・半導体素子、５・・・
基板回路導体、６・・・金属細線、７・・・小孔、８・
・・キャップ、９・・・接着剤、ｌＯ・・・ゲル状シリ
コン樹脂、１１・・・熱硬化性樹脂。
Claims (1)
- 半導体用回路基板上に搭載された半導体素子と、半導体
用回路基板導体部とを金属細線により接続した局部回路
構造を、小孔をもった中空の絶縁体キャップで覆い、か
つこの絶縁体キャップの内部がゲル状シリコン樹脂によ
って充填されて形成されることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299247A JPS63150948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299247A JPS63150948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150948A true JPS63150948A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17870056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299247A Pending JPS63150948A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63150948A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100258351B1 (ko) * | 1997-05-13 | 2000-06-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61299247A patent/JPS63150948A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100258351B1 (ko) * | 1997-05-13 | 2000-06-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
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